JP5017393B2 - ミキサ回路及びそれを用いた送信回路並びに準ミリ波・ミリ波通信端末 - Google Patents
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Description
非特許文献2には、SiGeヘテロバイポーラトランジスタを用いた低電圧アクティブミキサ回路が開示されている。
さらに、特許文献3の図17には、トランスを用いたアクティブミキサ回路の従来技術として、トランスの二次側が容量Csを介して接地された構成が開示されている。
図1は、本発明の基本概念を示すための、半導体集積回路に構成されたミキサ回路のブロック構成例を示す図である。
本発明のミキサ回路は、ローカル信号が入力される電圧−電流変換型増幅器1と、被変調信号を入力して該被変調信号と前記ローカル信号とを乗算して出力する乗算器5とが、トランス2を介して結合されている。トランス2と乗算器5との間には、インピーダンス素子3が配置されている。このインピーダンス素子3は、被変調信号入力と前記トランスの二次側インダクタとの間のノードに、前記ローカル信号の抑圧対象の高調波周波数で前記乗算器から前記電圧−電流変換型増幅器を見た場合のインピーダンスが所定値より高くなるように設定されている。この点に関しては、後で詳細に説明する。
なお、本発明におけるインピーダンス素子3の構成例としては、大別すると、インピーダンス素子が乗算器と前記トランスに対して直列に接続される方式と、インピーダンス素子がトランスの2次巻き線に対して並列に接続される方式とがある。
本発明におけるインピーダンス素子は、上記図2、図3に示した基本構成を基に、より具体的な構成を採用することができる。
まず、トランス2を介して最も効率よく信号を伝達できる周波数は、図1において、トランスコンダクタンス増幅器の出力端子とトランス一次巻線の入力端子に生じる容量CP1及びCP2、容量CC1及びCC2と、トランスの一次巻線の入力端子に生じるインダクタンスとの共振周波数である。(図2の例では、容量CP11及びCP12、容量CC11及びCC12と、トランスの一次巻線の入力端子に生じるインダクタンスとの共振周波数であり、図3の例では、容量CP21及びCP22、容量CC21及びCC22と、トランスの一次巻線の入力端子に生じるインダクタンスとの共振周波数である。)
局部発振周波数に合わせて容量値とインダクタンス値をそれぞれ調整し適切な共振周波数を設定することにより、効率的に信号を伝達することができる。
図6は、本発明の1実施形態による、図2の方式に対応した、半導体集積回路に構成されたミキサ回路の具体的構成例を示す図である。
本実施例によるミキサ回路は、第1のトランジスタ(Q20)と第2のトランジスタ(Q21)で構成されるトランスコンダクタンス増幅器(31)と、トランス(32)と、素子容量(C20)と、インダクタ(L20)で構成される第1のインピーダンス素子(33)と、素子容量(C21)と、インダクタ(L21)で構成される第2のインピーダンス素子(34)と、第3から第6のトランジスタ(Q22、Q23、Q24、Q25)と、第1と第2の負荷素子(ZL20、ZL21)とを含む乗算器(35)とを具備する。
図9は、本発明の他の実施形態、すなわち図3の方式に対応した、半導体集積回路に構成されたミキサ回路の具体的構成例を示す図である。本実施例のミキサ回路は、図6の実施例とは違い、インピーダンス素子53を構成する素子容量C40とインピーダンス回路54を構成する素子容量C41をトランス52の2次側のインダクタと並列接続することで、乗算器55からトランスコンダクタンス増幅器51側を見た時のインピーダンスを高くしている。
図10は、本発明の他の実施形態による半導体集積回路に構成されたミキサ回路を示す図である。本実施例のミキサ回路は、図6のミキサ回路の差動スイッチトランジスタQ52、Q53、Q54、Q55のエミッタ部分に、中間/ベースバンド周波数信号(IFIN+/BBIN+、IFIN−/BBIN―)に対する線形性向上のための素子抵抗R50、R51、R52、R53と素子容量C52、C53、C54、C55が接続されている。
図11は、本発明の他の実施形態による半導体集積回路に構成されたミキサ回路を示す図である。本実施例のミキサ回路は、フィルタ回路76を図6のミキサ回路の後段に接続している。フィルタ回路付ミキサ回路は、図6のミキサ回路とフィルタ回路76とを具備しており、ミキサ回路の第1の出力電極と前記フィルタ回路の第1の入力電極が接続されている。また、ミキサ回路の第2の出力電極とフィルタ回路の第2の入力電極が接続されている。
図12は、本発明の他の実施形態による半導体集積回路に構成されたミキサ回路を示す図である。本実施例のミキサ回路は、図6とは違い、バラン86をミキサ回路の負荷に利用している。
図14は、本発明の他の実施形態による半導体集積回路に構成された、準ミリ波・ミリ波通信端末の送信回路の全体的な構成例を示すものである。準ミリ波・ミリ波通信端末は、アンテナと受信回路のRFIN端子及び送信回路のRFOUT端子間に接続された、デュプレクサまたは送受信切替スイッチを具備している。送信回路は、フロントエンド回路部とIF/ベースバンド回路部で構成されている。フロントエンド回路部の具体的な構成は、例えば、図13に示した無線通信送信回路のブロック構成と同じである。フロントエンド回路部の第1の差動増幅器(AMP)入力端に、IF/ベースバンド回路部の信号処理回路が接続されており中間/ベースバンド周波数信号(IFIN+/BBIN+、IFIN−/BBIN−)が出力される。送信回路は、例えば、MOSトランジスタとバイポーラトランジスタとを混載して構成されている。
2、12、22、32、52、62、72、82…トランス、
3、13、14、23、24、33、34、53、54、63、64、73、74、83、84…インピーダンス素子、
5、15、25、35、55、65、75、85…乗算器、
CP1、CP2、CP11、CP12、CP21、CP22、CP31、CP32、CP51、CP52、CP61、CP62、CP71、CP72、CP81、CP82、…寄生容量、
CC1、CC2、CC11、CC12、CC21、CC22、CC31、CC32、CC51、CC52、CC61、CC62、CC71、CC72、CC81、CC82、…素子容量、
VCC1、VCC2…電源電圧端子、
CS1、CS2、CS11、CS12、CS21、CS22、CS31、CS32、CS51、CS52、CS61、CS62、CS71、CS72、CS81、CS82、…電流源、
GND…接地端子、
LOIN+…局部発振周波数差動正相信号、
LOIN−…局部発振周波数差動逆相信号、
IFIN+/BBIN+…中間/ベースバンド周波数差動正相信号、
IFIN−/BBIN−…中間/ベースバンド周波数差動正相信号、
RFOUT+…無線周波数差動正相信号、
RFOUT−…無線周波数差動逆相信号、
RFOUT…無線周波数信号、
LO…局部発振器、
MIX…ミキサ回路、
AMP…差動増幅器、
LOBUF…局部発振周波数信号増幅器、
DRV…単相増幅器、
PA…単相増幅器、
Q20、Q21、Q40、Q41、Q50、Q51、Q60、Q61、Q70、Q71…トランスコンダクタンス増幅器トランジスタ、
Q22、Q23、Q24、Q25、Q42、Q43、Q44、Q45、Q52、Q53、Q54、Q55、Q62、Q63、Q64、Q65、Q72、Q73、Q74、Q75…周波数変換トランジスタ、
L20、L21、L50、L51、L60、L61、L70、L71…インダクタ、
C20、C21、C40、C41、C50、C51、C52、C53、C54、C55、C60、C61、C70、C71…素子容量、
ZL20、ZL21、ZL40、ZL41、ZL50、ZL51、ZL60、ZL61…負荷素子、
Zp…インピーダンス素子、
Zπ…トランジスタ入力インピーダンス、
ZL…負荷素子、
ie…エミッタ電流の2次高調波成分、
ic…コレクタ電流の2次高調波成分、
ic1、ic2…コレクタ電流の2次高調波成分、
ib…ベース電流の2次高調波成分、
v2…ベースエミッタ間電圧の2次高調波成分、
R50、R51、R52、R53…線形化抵抗、
66…線形化回路、
Filter…フィルタ、
86…バラン、
DATAIN+…差動正相データ信号、
DATAIN−…差動逆相データ信号、
IFB/BB…中間/ベースバンド周波数信号処理回路、
RFIN…無線周波数入力信号、
ANT…アンテナ、
MA、MB、MC、MD、ME、MF、MG、MH…トランジスタ、
VDD…電源電圧、
VLO+…局部発振周波数差動正相信号、
VLO−…局部発振周波数差動逆相信号、
2−coil XFMR…トランス、
VOUT+…差動正相出力信号、
VOUT−…差動逆相出力信号、
DATA+…ベースバンド周波数差動正相信号、
DATA−…ベースバンド周波数差動逆相信号、
VCC…電源電圧、
LL…負荷インダクタ、
QIF…周波数変換トランジスタ、
QLO…トランスコンダクタンス増幅器トランジスタ、
RLO…電流源抵抗、
RE…線形化抵抗、
CE…素子容量、
LOIN…局部発振周波数信号、
IFIN+…中間周波数差動正相信号、
IFIN−…中間周波数差動逆相信号。
Claims (20)
- ローカル信号が入力される電圧−電流変換型増幅器と、被変調信号を入力して該被変調信号と前記ローカル信号とを乗算して出力する乗算器とが、1次巻線と2次巻線とを具備するトランスを介して結合されて成り、
前記被変調信号入力と前記トランスの2次巻線との間のノードに、前記ローカル信号の抑圧対象の高調波周波数で前記乗算器から前記電圧−電流変換型増幅器を見た場合のインピーダンスが所定値より高くなる、インピーダンス素子が接続されている
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項1において、
前記インピーダンス素子は、少なくとも1つの素子容量および素子インダクタを含んでいる
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項2において、
前記インピーダンス素子の前記素子容量と前記素子インダクタとで共振回路が構成され、
該共振回路の作用により、前記乗算器から前記電圧−電流変換型増幅器を見た場合の前記インピーダンスは、局部発振周波数信号の基本波における前記インピーダンスよりも前記基本波の2倍の周波数の高調波における前記インピーダンスが高くなるように設定されている
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項1において、
前記インピーダンス素子は、少なくとも1つの素子容量を含んでおり、
前記素子容量と前記トランスの2次巻線のインダクタンスとで構成される共振回路の作用により、前記乗算器から前記電圧−電流変換型増幅器を見た場合の前記インピーダンスは、局部発振周波数信号の基本波における前記インピーダンスよりも前記基本波の2倍の周波数の高調波における前記インピーダンスが高くなるように設定されている
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項1において、
前記インピーダンス素子が、前記乗算器と前記トランスに対して直列に接続されている
ことを特徴とする送信用ミキサ回路。 - 請求項1において、
前記インピーダンス素子が、前記トランスの2次巻線に対して並列に接続されている
ことを特徴とする送信用ミキサ回路。 - 請求項1において、
前記乗算器を構成するトランジスタは、前記トランスの2次巻線の出力端子と第2の基準電位との間に並列接続された複数個のトランジスタからなる
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項1において、
前記電圧−電流変換型増幅器を構成するトランスコンダクタンス増幅器を有しており、
前記電圧−電流変換型増幅器の第1の出力端子は、前記のトランスの1次巻線の第1の入力端子に接続され、
前記電圧−電流変換型増幅器の第2の出力端子は、前記のトランスの1次巻線の第2の入力端子に接続され、
前記インピーダンス素子の第1の端子は、前記トランスの2次巻線の第1の出力端子に接続され、
前記インピーダンス素子の第2の端子は、前記トランスの2次巻線の第2の出力端子に接続され、
前記インピーダンス素子の第3の端子は、前記トランスの2次巻線の中間電極と接続され、
前記インピーダンス素子の第4の端子は、前記乗算器の第1の入力端子に接続され、
前記インピーダンス素子の第5の端子は、前記乗算器の第2の入力端子に接続され、
前記インピーダンス素子は、前記乗算器から前記電圧−電流変換型増幅器側を見た場合のインピーダンスが、局部発振周波数信号の2倍の周波数付近で局部発振周波数信号の基本波における前記インピーダンスよりも高くなるように接続されている
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項1において、
前記インピーダンス素子は、第1のインピーダンス素子と、第2のインピーダンス素子を具備して成り、
前記第1のインピーダンス素子の第1の端子が前記トランスの2次巻線の第1の出力端子と接続されており、
前記第2のインピーダンス素子の第1の端子が前記トランスの2次巻線の第2の端子と接続されており、
前記インピーダンス素子の第3の端子は開放されており、
前記第1のインピーダンス素子の第2の端子が前記乗算器の第1の端子と接続されており、
前記第2のインピーダンス素子の第2の端子が前記乗算器の第2の端子と接続されている
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項1において、
前記インピーダンス素子は、第1のインピーダンス素子と、第2のインピーダンス素子を具備して成り、
前記第1のインピーダンス素子の第1の端子が前記トランスの2次巻線の第1の端子と前記乗算器の第1の端子とそれぞれ接続されており、
前記第2のインピーダンス素子の第1の端子が前記トランスの2次巻線の第2の端子と前記乗算器の第2の端子とそれぞれ接続されており、
前記第1のインピーダンス素子の第2の端子が前記第2のインピーダンス素子の第2の端子に接続されており、
前記第1のインピーダンス素子の第2の端子と前記第2のインピーダンス素子の第2の端子が前記トランスの2次巻線の第3の端子とそれぞれ接続されている
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項1において、
前記電圧−電流変換型増幅器を構成するトランスコンダクタンス増幅器を有しており、
前記電圧−電流変換型増幅器は、第1の入力端子と、第2の入力端子と、前記トランスの1次巻線の差動入力端子と接続された差動出力端子及び電流源端子を具備してなり、
前記電圧−電流変換型増幅器の第1の入力端子に、前記ローカル信号として第1の周波数の正相の信号が供給され、
前記電圧−電流変換型増幅器の第2の入力端子に、前記ローカル信号として前記第1の周波数の逆相の入力信号が供給され、
前記電圧−電流変換型増幅器の電流源端子が第1の電流源もしくは抵抗もしくは第3の基準電位に接続されており、
前記トランスの差動出力端子が前記インピーダンス素子の第1と第2の端子に接続されている
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項11において、
前記インピーダンス素子は、第1のインピーダンス素子と、第2のインピーダンス素子を具備して成り、
前記乗算器は、第1の入力端子、第2の入力端子、第3の入力端子、第4の入力端子、第1の出力端子、第2の出力端子及び電源端子を具備して成り、
前記乗算器の第1の入力端子が前記第1のインピーダンス素子の第2の端子に接続され、
前記乗算器の第2の入力端子が前記第2のインピーダンス素子の第2の端子に接続され、
前記乗算器の前記第3の入力端子に、前記被変調信号として第2の周波数の正相の入力信号が供給され、
前記乗算器の前記第4の入力端子に、前記被変調信号として前記第2の周波数の逆相の入力信号が供給され、
前記電源端子が第2の基準電位VCC2に接続されており、
前記乗算器の第1の出力端子から、前記第1の周波数と前記第2の周波数の和である第3の周波数の正相の信号が出力され、
前記乗算器の第2の出力端子から、前記第1の周波数と前記第2の周波数の和である第3の周波数の逆相の信号が出力される
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項11において、
前記インピーダンス素子は、第1のインピーダンス素子と、第2のインピーダンス素子を具備して成り、
前記乗算器は、第1の入力端子、第2の入力端子、第3の入力端子、第4の入力端子、第1の出力端子、第2の出力端子及び電源端子を具備して成り、
前記乗算器の第1の入力端子が前記第1のインピーダンス素子の第1の端子と前記トランスの2次巻線の第1の出力端子に接続され、
前記乗算器の第2の入力端子が前記第2のインピーダンス素子の第1の端子とトランスの2次巻線の第2の出力端子に接続され、
前記乗算器の前記第3の入力端子に、前記被変調信号として第2の周波数の正相の入力信号が供給され、
前記乗算器の前記第4の入力端子に、前記被変調信号として前記第2の周波数の逆相の入力信号が供給され、前記電源端子が第2の基準電位VCC2に接続されており、
前記乗算器の第1の出力端子から、前記第1の周波数と前記第2の周波数の和である第3の周波数の正相の信号が出力され、
前記乗算器の第2の出力端子から、前記第1の周波数と前記第2の周波数の和である第3の周波数の逆相の信号が出力される
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項1において、
第1と第2のトランジスタを有し前記電圧−電流変換型増幅器を構成するトランスコンダクタンスと、
前記トランスと、
第1のインピーダンス素子と、第2のインピーダンス素子とを有する前記インピーダンス素子と、
第3乃至第6のトランジスタと第1と第2の負荷素子とを含む前記乗算器とを具備して成り、
前記第1インピーダンス素子は、第1の素子容量と第1の素子インダクタとを備え、前記第2のインピーダンス素子は第2の素子容量と第2の素子インダクタとを備え、
前記第1のトランジスタのベースまたはゲートの第1の入力電極は所定の第4の基準電位VLOに接続され、該第1の入力電極には前記ローカル信号として第1の周波数の正相の入力信号が供給されており、
前記第2のトランジスタのベースまたはゲートの第2の入力電極は、所定の第4の基準電位VLOに接続され、該第2の入力電極に前記ローカル信号として前記第1の周波数の逆相の入力信号が供給されており、
前記第1のトランジスタのコレクタまたはドレインは、前記トランスの1次巻線の第1の電極に接続され、
前記第2のトランジスタのコレクタまたはドレインは前記トランスの1次巻線の第2の電極に接続されており、
前記トランスの1次巻線の中間の電極は、第1の基準電位VCC1に接続されており、
前記第1及び前記第2のトランジスタのエミッタまたはソースはともに第1の電流源もしくは抵抗もしくは第3の基準電位に接続され、
前記第1の素子容量の第1の電極と前記第1の素子インダクタの第1の電極が前記トランスの2次巻線の第1の電極に接続されており、
前記第2の素子容量の第1の電極と前記第2の素子インダクタの第1の電極が前記トランスの2次巻線の第2の電極に接続されており、
前記第3及び前記第6のトランジスタのベースまたはゲートを互いに接続した第3の入力電極は、所定の第5の基準電位VIF(VBB)に接続されており、該第3の入力電極に前記被変調信号として第2の周波数の正相入力信号が供給され、
前記第4及び前記第5のトランジスタのベースまたはゲートを互いに接続した第4の入力電極は、所定の第5の基準電位VIF(VBB)に接続されており、該第4の入力電極には前記被変調信号として前記第2の周波数の逆相入力信号が供給され、
前記第3及び前記第4のトランジスタのエミッタまたはソースを互いに接続して、前記第1の素子容量の第2の電極と前記第1の素子インダクタの第2の電極にそれぞれ接続されており、
前記第5及び前記第6のトランジスタのエミッタまたはソースを互いに接続して、前記第2の素子容量の第2の電極と前記第2の素子インダクタの第2の電極にそれぞれ接続されており、
前記トランスの2次巻線の中間の電極は第2の電流源もしくは抵抗もしくは第3の基準電位に接続されており、
前記第3及び前記第5のトランジスタのコレクタまたはドレインを互いに接続した第1の出力電極と、第2の基準電位VCC2との間には、前記第1の負荷素子が接続されており、
前記第4及び前記第6のトランジスタのコレクタまたはドレインを互いに接続した第2の出力電極と、前記第2の基準電位VCC2との間には、前記第2の負荷素子が接続されており、
前記第1の出力電極には、第3の周波数の逆相の信号が出力され、
前記第2の出力電極には、前記第3の周波数の正相の信号が出力され、
出力信号となる前記第3の周波数は入力信号となる前記第1の周波数と前記第2の周波数の和である
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項1において、
第1と第2のトランジスタを有し前記電圧−電流変換型増幅器を構成するトランスコンダクタンス増幅器と、
前記トランスと、
第1のインピーダンス素子と、第2のインピーダンス素子とを有する前記インピーダンス素子と、
第3乃至第6のトランジスタと第1と第2の負荷素子とを含む前記乗算器とを具備して成り、
前記第1のインピーダンス素子は第1の素子容量を備え、前記第2のインピーダンス素子は第2の素子容量を備え、
前記第1のトランジスタのベースまたはゲートの第1の入力電極は所定の第4の基準電位VLOに接続され、該第1の入力電極には前記ローカル信号として第1の周波数の正相の入力信号が供給されており、
前記第2のトランジスタのベースまたはゲートの第2の入力電極は、所定の第4の基準電位VLOに接続され、該第2の入力電極に前記ローカル信号として前記第1の周波数の逆相の入力信号が供給されており、
前記第1のトランジスタのコレクタまたはドレインは、前記トランスの1次巻線の第1の電極に接続され、
前記第2のトランジスタのコレクタまたはドレインは前記トランスの1次巻線の第2の電極に接続されており、
前記トランスの1次巻線の中間の電極は、第1の基準電位VCC1に接続されており、
前記第1及び前記第2のトランジスタのエミッタまたはソースはともに第1の電流源に接続され、
前記第1の素子容量の第1の電極が前記トランスの2次巻線の第1の電極に接続されており、
前記第2の素子容量の第1の電極が前記トランスの2次巻線の第2の電極に接続されており、
前記第1の素子容量の第2の電極が、前記第2の素子容量の第2の電極に接続されており、
前記第1と第2の素子容量の第2の電極が前記トランスの2次巻線の中間電極と接続されており、
前記第3及び前記第6のトランジスタのベースまたはゲートを互いに接続した第3の入力電極は、所定の第5の基準電位VIF(VBB)に接続されており、該第3の入力電極に前記被変調信号として第2の周波数の正相入力信号が供給され、
前記第4及び前記第5のトランジスタのベースまたはゲートを互いに接続した第4の入力電極は、所定の第5の基準電位VIF(VBB)に接続されており、該第4の入力電極には前記被変調信号として前記第2の周波数の逆相入力信号が供給され、
前記第3及び前記第4のトランジスタのエミッタまたはソースを互いに接続して、前記トランスの2次巻線の第1の電極に接続されており、
前記第5及び前記第6のトランジスタのエミッタまたはソースを互いに接続して、前記トランスの2次巻線の第2の電極に接続されており、
前記トランスの2次巻線の中間の電極は第2の電流源もしくは抵抗もしくは第3の基準電位に接続されており、
前記第3及び前記第5のトランジスタのコレクタまたはドレインを互いに接続した第2の出力電極と、第2の基準電位VCC2との間には、前記第1の負荷素子が接続されており、
前記第4及び前記第6のトランジスタのコレクタまたはドレインを互いに接続した第1の出力電極と、前記第2の基準電位VCC2との間には、前記第2の負荷素子が接続されており、
前記第2の出力電極には、第3の周波数の逆相の信号が出力され、
前記第1の出力電極には、前記第3の周波数の正相の信号が出力され、
出力信号となる前記第3の周波数は入力信号となる前記第1の周波数と前記第2の周波数の和である
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項1において、
第1と第2のトランジスタを備え前記電圧−電流変換型増幅器を構成するトランスコンダクタンス増幅器と、
前記トランスと、
第1のインピーダンス素子と、第2のインピーダンス素子とを有する前記インピーダンス素子と、
第3乃至第6のトランジスタと第1と第2の負荷素子と、第1乃至第4の素子抵抗と、第3乃至第6の素子容量とを含む前記乗算器とを具備して成り、
前記第1インピーダンス素子は第1の素子容量と第1の素子インダクタとを備え、前記第2のインピーダンス素子は第2の素子容量と第2の素子インダクタとを備え、
前記第1のトランジスタのベースまたはゲートの第1の入力電極は所定の第4の基準電位VLOに接続され、該第1の入力電極には前記ローカル信号として第1の周波数の正相の入力信号が供給されており、
前記第2のトランジスタのベースまたはゲートの第2の入力電極は、所定の第4の基準電位VLOに接続され、該第2の入力電極に前記ローカル信号として前記第1の周波数の逆相の入力信号が供給されており、
前記第1のトランジスタのコレクタまたはドレインは、前記トランスの1次巻線の第1の電極に接続され、
前記第2のトランジスタのコレクタまたはドレインは前記トランスの1次巻線の第2の電極に接続されており、
前記トランスの1次巻線の中間の電極は、第1の基準電位VCC1に接続されており、
前記第1及び前記第2のトランジスタのエミッタまたはソースはともに第1の電流源もしくは抵抗もしくは第3の基準電位に接続され、
前記第1の素子容量の第1の電極と前記第1の素子インダクタの第1の電極が前記トランスの2次巻線の第1の電極に接続されており、
前記第2の素子容量の第1の電極と前記第2の素子インダクタの第1の電極が前記トランスの2次巻線の第2の電極に接続されており、
前記第3及び前記第6のトランジスタのベースまたはゲートを互いに接続した第3の入力電極は、所定の第5の基準電位VIF(VBB)に接続されており、該第3の入力電極に前記被変調信号として第2の周波数の正相入力信号が供給され、
前記第4及び前記第5のトランジスタのベースまたはゲートを互いに接続した第4の入力電極は、所定の第5の基準電位VIF(VBB)に接続されており、該第4の入力電極には前記被変調信号として前記第2の周波数の逆相入力信号が供給され、
前記第3のトランジスタのエミッタまたはソースは、前記第1の素子抵抗の第1の電極及び前記第3の素子容量の第1の電極と接続され、
前記第4のトランジスタのエミッタまたはソースは、前記第2の素子抵抗の第1の電極及び前記第4の素子容量の第1の電極と接続され、
前記第5のトランジスタのエミッタまたはソースは、前記第3の素子抵抗の第1の電極及び前記第5の素子容量の第1の電極と接続され、
前記第6のトランジスタのエミッタまたはソースは、前記第4の素子抵抗の第1の電極及び前記第6の素子容量の第1の電極と接続され、
前記第1及び前記第2の素子抵抗および前記第3及び前記第4の素子容量の第2の電極を互いに接続して、前記第1の素子容量の第2の電極と前記第1の素子インダクタの第2の電極にそれぞれ接続されており、
前記第3及び前記第4の素子抵抗および前記第5及び前記第6の素子容量の第2の電極を互いに接続して、前記第2の素子容量の第2の電極と前記第2の素子インダクタの第2の電極にそれぞれ接続されており、
前記トランスの2次巻線の中間の電極は第2の電流源もしくは抵抗もしくは第3の基準電位に接続されており、
前記第3及び前記第5のトランジスタのコレクタまたはドレインを互いに接続した第2の出力電極と第2の基準電位VCC2との間には、前記第1の負荷素子が接続されており、
前記第4及び前記第6のトランジスタのコレクタまたはドレインを互いに接続した第1の出力電極と、前記第2の基準電位VCC2との間には、前記第2の負荷素子が接続されており、
前記第2の出力電極には、第3の周波数の逆相の信号が出力され、
前記第1の出力電極には、前記第3の周波数の正相の信号が出力され、
出力信号となる前記第3の周波数は入力信号となる前記第1の周波数と前記第2の周波数の和であり、
前記乗算器の出力信号は、前記第2の周波数の信号に対して線形性を有する
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項14において、
フィルタ回路を具備して成り、
前記第1の出力電極と前記フィルタ回路の第1の入力電極とが接続されており、
前記第2の出力電極と前記フィルタ回路の第2の入力電極とが接続されている
ことを特徴とするミキサ回路。 - 請求項1において、
第1と第2のトランジスタを備え前記電圧−電流変換型増幅器を構成するトランスコンダクタンス増幅器と、
前記トランスと、
前記インピーダンス素子としての、第1の素子容量と第1の素子インダクタとを備える前記第1インピーダンス素子及び第2の素子容量と第2の素子インダクタとを備える第2のインピーダンス素子と、
第3乃至第6のトランジスタを含む前記乗算器と、
バランとを具備して成り、
前記第1のトランジスタのベースまたはゲートの第1の入力電極は所定の第4の基準電位VLOに接続され、該第1の入力電極には前記ローカル信号として第1の周波数の正相の入力信号が供給され、
前記第2のトランジスタのベースまたはゲートの第2の入力電極は、所定の第4の基準電位VLOに接続され、該第2の入力電極に前記ローカル信号として前記第1の周波数の逆相の入力信号が供給され、
前記第1のトランジスタのコレクタまたはドレインは、前記トランスの1次巻線の第1の電極に接続され、
前記第2のトランジスタのコレクタまたはドレインは前記トランスの1次巻線の第2の電極に接続され、
前記トランスの1次巻線の中間の電極は、第1の基準電位VCC1に接続され、
前記第1及び前記第2のトランジスタのエミッタまたはソースはともに第1の電流源もしくは抵抗もしくは第3の基準電位に接続され、
前記第1の素子容量の第1の電極と前記第1の素子インダクタの第1の電極が前記トランスの2次巻線の第1の電極に接続され、
前記第2の素子容量の第1の電極と前記第2の素子インダクタの第1の電極が前記トランスの2次巻線の第2の電極に接続され、
前記第3及び前記第6のトランジスタのベースまたはゲートを互いに接続した第3の入力電極は、所定の第5の基準電位VIF(VBB)に接続されており、該第3の入力電極に前記被変調信号として第2の周波数の正相入力信号が供給され、
前記第4及び前記第5のトランジスタのベースまたはゲートを互いに接続した第4の入力電極は、所定の第5の基準電位VIF(VBB)に接続されており、該第4の入力電極には前記被変調信号として前記第2の周波数の逆相入力信号が供給され、
前記第3及び前記第4のトランジスタのエミッタまたはソースを互いに接続して、前記第1の素子容量の第2の電極と前記第1の素子インダクタの第2の電極にそれぞれ接続され、
前記第5及び前記第6のトランジスタのエミッタまたはソースを互いに接続して、前記第2の素子容量の第2の電極と前記第2の素子インダクタの第2の電極にそれぞれ接続され、
前記トランスの2次巻線の中間の電極は第2の電流源もしくは抵抗もしくは第3の基準電位に接続され、
前記第3及び前記第5のトランジスタのコレクタまたはドレインを互いに接続した第1の出力電極と、前記バランの1次巻線の第1の入力電極が接続されており、
前記第4及び前記第6のトランジスタのコレクタまたはドレインを互いに接続した第2の出力電極と、前記バランの1次巻線の第2の入力電極が接続されており、
前記バランの1次巻線の中間電極は、第2の基準電位VCC2に接続されており、
前記バランの2次巻線の第1の出力電極は第3の基準電位に接続され、
前記バランの2次巻線の第2の出力電極は第3の周波数の信号を出力し、
出力信号となる前記第3の周波数は入力信号となる前記第1の周波数と前記第2の周波数の和である
ことを特徴とするミキサ回路。 - 第1の差動増幅器と、第2の差動増幅器と、ミキサ回路と、局部発振器と、第1の単相増幅器と、第2の単相増幅器を具備して成り、
前記ミキサ回路は、
ローカル信号が入力される電圧−電流変換型増幅器と、被変調信号を入力して該被変調信号と前記ローカル信号とを乗算して出力する乗算器とが、1次巻線と2次巻線とを具備するトランスを介して結合されて成り、
前記乗算器の前記被変調信号入力と前記トランスの2次巻線との間のノードに、前記ローカル信号の抑圧対象の高調波周波数で前記乗算器から前記電圧−電流変換型増幅器を見た場合のインピーダンスが所定値より高くなる、インピーダンス素子が接続されている
ことを特徴とする送信回路。 - フロントエンド回路部とIF/ベースバンド回路部とを備えて成り、
前記フロントエンド回路部は、第1の差動増幅回路と、第2の差動増幅回路と、ミキサ回路と、局部発振器と、単相増幅器とを具備して成り、
前記IF/ベースバンド回路部は、前記フロントエンド回路部へ入力される被変調信号を出力する回路を備えて成り、
前記ミキサ回路は、
ローカル信号が入力される電圧−電流変換型増幅器と、被変調信号を入力して該被変調信号と前記ローカル信号とを乗算して出力する乗算器とが、1次巻線と2次巻線とを具備するトランスを介して結合されて成り、
前記被変調信号入力電極と前記トランスの2次巻線との間のノードに、前記ローカル信号の抑圧対象の高調波周波数で前記乗算器から前記電圧−電流変換型増幅器を見た場合のインピーダンスが所定値より高くなる、インピーダンス素子が接続されている
ことを特徴とする準ミリ波・ミリ波通信端末。
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