JP5016027B2 - 最終期を計算する不揮発性メモリシステム - Google Patents
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Description
初めに図1aを参照して、例えばコンパクトフラッシュメモリカードのようなメモリカードなどの不揮発性記憶装置を含む一般的なホストシステムが説明される。ホストまたはコンピュータシステム100は、一般的に、マイクロプロセッサ108、ランダムアクセスメモリ(RAM)112、および入出力回路116が通信することを可能にするシステムバス104を含む。ホストシステム100が一般的に表示装置およびネットワーキング装置などの他のコンポーネントを含み得ることが認められるべきであるが、図解の目的のためには示されていない。
相対EOL計算方法は、総寿命の割合で表現された、カードのおおよその残存寿命を与える。メモリは、普通、メモリが経験した消去プログラムサイクル数を表わす“経験カウント”あるいは“ホットカウント”を維持する。平均ホットカウントは、単に消去動作の全てを数え、その値をブロックの数で割ることによって計算され得る。例えば、米国公開特許出願第2005−0144360号(特許文献11)、第2005−0141313号(特許文献12)、第2005−0141312号(特許文献13)、第2005−0166087号(特許文献14)、および第2005−0144365号(特許文献15)に記載されている、以下の記述において、代表的な実施形態と見なされ得るメモリシステムでは、これはMMLスペースにおけるブロックの数である。あるいは、損耗レベリング循環ポインタを用いるシステムでは、これは、損耗レベリング循環ポインタがカードをラップアラウンドした回数を数えることによって行われ得る。例えば、米国特許第6,230,233号(特許文献16)、米国特許出願第10/990,189号(特許文献8)、第10/686,399号(特許文献3)、および第10/281,739号(特許文献17)に記載されている循環損耗レベリング方法では、全てのカウントが1つにつきX平均消去の関数(通常、線形)であり、ここでXは損耗レベリング交換動作間に実行される消去の数である。予備メタブロックの現在の数、または消去の他の論理的単位または物理的単位も考慮され得る。劇的にスペアの数(またはプログラム時間もしくは消去時間)が低下したならば(あるいはエラー率が上がったならば)、平均ホットカウントに基づいて計算された“寿命の割合”は調整され得る。
残存寿命、%=(N−n)/N*100%
と計算される。例えば、nが0.8Nならば、残存寿命=20%である。
時間数、日数、および週数のような時間単位でのEOL計算は、カードの使用パターンおよびアクセス頻度に基づくことができる。一様な使用パターンの場合には、システムクロックがあってカードの使用率が測定されるならば、残存寿命の時間単位での計算が行われ得る。以下の例では、時間単位での残存寿命は、現在のブロックあたりの消去サイクル数nと現在の日あたりのブロックあたり消去数との関数が、
残存寿命(時間)=(N−n)/(N*時間あたりのブロックあたり消去数)
として計算され得る。この場合、図5に示されている時間Tは、カードがブロックあたり平均消去数Nのレベルに達するときの状態に対応するカード全体の寿命である。同様に、寿命の20%がなお残っているレベルは、カードの残存寿命が0.2Tであることを意味する。
ホストによる較正の実施形態では、実時間システムクロックを有するホストは、現在の時間値をカードに送る特別のコマンドを使用することができる。また、標準的な作業モードにおいてタイミング情報が存在するならば(例えば、ファイル属性がファイル自体におけるおよび/またはファイルのためのディレクトリレコードにおける最後の更新の時間を含むならば)、この情報は特別のコマンドなしでシステムにより抽出され得る。最も簡単な例は、ディレクトリ更新を監視してファイル項目のための時間/日情報を検査することである。そのときカードはこれらの値を使用して現在の使用率を計算し、その後に残っているカードの寿命を計算することができる。図7はカードの使用が周期的なパターンを有する場合における方法を示し、例えば、使用パターンが日または週の間に特定の高水準および低水準を有するネットワークハブなどの、多くの用途についての代表的な場合である。正確な測定を行うために、ホストは現在の時間値を少なくとも2回、例えば時間t1 およびt2 に送る。カードは、相応して、時間t1 およびt2 までにカードが経験したブロックあたりの平均消去サイクル数n1 およびn2 を時間値自体とともに記憶しなければならない。その後、残存寿命は、
残存寿命(日)=T−t2 =(N−n2 )*(t2 −t1 )/(n2 −n1 )
として計算され、ここでNはブロックあたりの予想された最大消去数であり、Tは予想された最終期時間である。その後、残っているカードの寿命についての推定がホストにより特別のコマンドで読み出され得る。簡単な実施例は、新しい現在の時間値を送りかつ残存寿命の新しい推定を読み出すために単一のコマンドを使用することである。
代わりの方法は使用率測定をホスト自体によって行うことに基づくことができる。この場合、ホストは定期的にパーセントでの相対残存寿命値l1 およびl2 を時間t1 およびt2 にカードから読み出す。ホストアプリケーションは、これらの値と時間とを用いて、
残存寿命(日)=l2 *(t2 −t1 )/(l2 −l1 )
の計算を行う。従って、パーセントでのEOL計算を伴うカードは、時間単位でのEOL計算を提供するために使用され得るだけである。
Claims (25)
- ホストとともに用いられる、複数の再書き込み可能なメモリセルを有するメモリシステムを動作させる方法であって、
前記メモリシステムを第1の期間にわたって動作させるステップと、
前記第1の期間の間の前記メモリセルの損耗を示すパラメータを維持するステップと、
前記第1の期間の間の前記メモリセルの損耗を示す前記パラメータの値に基づいて前記メモリシステムの残存寿命の予想される量を判定するステップと、
その後に、前記メモリシステムを第2の期間にわたって動作させるステップと、
前記第2の期間の間の前記メモリセルの損耗を示すパラメータを維持するステップと、 前記メモリシステムの残存寿命の予想される量を、前記第2の期間の間の前記メモリセルの損耗を示す前記パラメータの値に基づいて修正するステップと、
前記第1および第2の期間の間に前記メモリシステムの使用パターンを監視するステップと、を含み、
前記メモリシステムの残存寿命の予想される量を修正するステップは、さらに前記使用パターンに基づく方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリシステムは、前記ホストに取り外し可能に接続可能である方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリシステムは、組み込み形メモリシステムである方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリセルの損耗を示す前記パラメータは、前記メモリセルが前記期間の間に受けた再書き込みの数である方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリセルの損耗を示す前記パラメータは、前記期間の間のブロック故障率である方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリセルの損耗を示す前記パラメータは、前記期間の間のデータエラーの示度である方法。 - 請求項6記載の方法において、
前記データエラーの示度は、ECC訂正の大きさおよび頻度である方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリセルの損耗を示す前記パラメータは、前記期間の間のプログラム時間である方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリセルの損耗を示す前記パラメータは、前記期間の間の消去時間である方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリセルは複数の物理的消去構造に物理的に配列され、前記方法は予備消去構造の数を監視するステップをさらに含み、前記メモリシステムの残存寿命の予想される量は付加的に予備消去構造の数に基づく方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリセルは複数の物理的消去構造に物理的に配列され、前記メモリセルの損耗を示す前記パラメータは予備消去構造の数である方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記使用パターンを監視するステップは、前記メモリシステムのシステムクロックを用いて行われる方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリシステムは前記ホストに取り付けられ、前記使用パターンを監視するステップは前記ホストからのクロック値を用いて行われる方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリセルの損耗を示す前記パラメータが所定値に達したならば、警報を提供するステップをさらに含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリシステムは前記ホストに取り付けられ、前記メモリシステムの残存寿命の予想される量は前記メモリシステムへの前記ホストのピーク書き込み率に付加的に基づく方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記残存寿命の予想される量の示度は、前記メモリシステムの総予想寿命の割合として提供される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記残存寿命の予想される量の示度は、実時間単位で提供される方法。 - 請求項17記載の方法において、
前記残存寿命の予想される量を修正するステップは、前記予想される寿命を実時間単位で計算するために前記メモリシステムのシステムクロックを使用するステップを含む方法。 - 請求項17記載の方法において、
前記メモリシステムは前記ホストに取り付けられ、前記残存寿命の予想される量を修正するステップは、前記予想される寿命を実時間単位で計算するために前記ホストからのクロック値を使用するステップを含む方法。 - 請求項19記載の方法において、
前記メモリシステムの残存寿命の予想される量は、前記クロック値を含む前記ホストからのコマンドに応答して前記ホストに提供される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記残存寿命の予想される量を修正するステップは、前記残存寿命の予想される量が所定値に達したならば、警報を提供するステップを含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記残存寿命の予想される量が所定値に達したことに応答して、前記メモリが動作挙動を変えるステップをさらに含む方法。 - 請求項22記載の方法において、
前記残存寿命の予想される量が所定値に達したことに応答して、前記メモリは読み出し専用モードで動作する方法。 - 請求項22記載の方法において、
前記残存寿命の予想される量が所定値に達したことに応答して、前記メモリは動作速度を変える方法。 - 請求項22記載の方法において、
前記残存寿命の予想される量が所定値に達したことに応答して、前記メモリはメモリブロックの使用方法を変える方法。
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