CN101625901A - 半导体存储介质的寿命预警方法、系统及装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体存储介质的寿命预警方法和使用该方法的系统及装置，所述方法包括步骤：获取半导体存储介质寿命信息；根据获取的半导体存储介质寿命信息进行预警。本发明采用了预警的方式来实现半导体存储介质的寿命的提示，在半导体存储介质达到使用极限之前作出警告，使用户在使用时知道半导体存储介质寿命何时达到极限，这样可以在存储设备老化前对重要数据及时进行备份，保护了数据的安全性，避免了数据的丢失。

Description

半导体存储介质的寿命预警方法、系统及装置

技术领域

本发明涉及电数字数据处理领域，尤其涉及一种半导体存储介质的管理方法和使用该方法的系统及装置。

背景技术

现在半导体存储介质的使用非常广泛，如常见的U盘闪存盘、闪存卡以及手机、数码相机等产品上也都使用了半导体存储介质，并且半导体存储介质已经进入到电脑和服务器等领域，有接替硬盘的发展趋势。随着技术和工艺的不断进步和成熟，半导体存储介质的容量也变得越来越大，与此同时，半导体存储介质的存储密度也越来越大，它的使用寿命也变得越来越短。半导体存储介质的寿命信息包括半导体存储介质的最大寿命、半导体存储介质的平均寿命、寿命阈值和/或所有物理块的寿命。所有这些寿命值在擦写过程中会不断变化，它们可以存放在半导体存储介质本身，也可以暂存在半导体存储设备的内存，还可以存在别的存储介质中。

以闪存介质为例，每个块的可擦写次数一般都只有几千次，有的甚至只有几百次、几十次。所以用户在使用时不知道半导体存储介质寿命何时达到极限，这样很可能导致一些重要数据的丢失。所以需要一种方法让用户知道半导体存储介质的老化程度并在达到使用极限之前做出提示或警告。

发明内容

本发明的目的之一是提供一种半导体存储介质寿命预警方法，在半导体存储介质老化时进行预警。

本发明包括如下步骤：

获取半导体存储介质寿命信息；

根据获取的半导体存储介质寿命信息进行预警。

优选地，所述系统获取半导体存储介质寿命信息包括：获取半导体存储介质的最大寿命、半导体存储介质的平均寿命、寿命阈值和/或所有物理块的寿命。

优选地，所述根据获取的半导体存储介质寿命信息进行预警步骤包括：

设置预警值；

比较获取的半导体存储介质寿命信息和预警值；

获取的半导体存储介质寿命信息大于或等于预警值时进行预警。

优选地，所述的预警值包括预警寿命值或预警寿命比率值。

优选地，所述的预警寿命值或预警寿命比率值包括预警梯度值。

本发明还提供一种半导体存储设备寿命预警系统，用于对老化半导体存储设备进行预警，所述寿命预警系统包括主机系统和半导体存储设备，半导体存储设备包括半导体存储主控、内存和半导体存储介质，半导体存储主控分别连接内存和半导体存储介质，主机系统通过半导体存储主控获取半导体存储设备寿命信息；主机系统根据获取的半导体存储设备寿命信息进行预警。

本发明还提供一种半导体存储设备寿命预警装置，用于对老化半导体存储介质进行预警，所述寿命预警装置包括预警模块、主控芯片、内存和半导体存储介质，主控芯片分别连接预警模块、内存和半导体存储介质，主控芯片获取半导体存储介质寿命信息；主控芯片根据获取的半导体存储介质寿命信息控制预警模块进行预警。

本发明采用了预警的方式来实现半导体存储介质的寿命的提示，使用户知道半导体存储介质的老化程度并在达到使用极限之前做出提示或警告、在使用时知道半导体存储介质寿命何时这到极限，这样可以在存储设备老化前对重要数据及时进行备份，保护了数据的安全性，避免了数据的丢失。

附图说明

图1是本发明第一实施例的预警方法流程示意图；

图2是本发明第二实施例的获取半导体存储介质寿命信息流程示意图；

图3是本发明第二实施例的预警步骤流程示意图；

图4是本发明第二实施例加入显示步骤后的预警方法流程示意图；

图5是本发明第三实施例的预警系统结构示意图；

图6是本发明第三实施例的预警系统中的主机系统内部结构示意图；

图7是本发明第四实施例的预警装置结构示意图；

图8是本发明第四实施例的预警装置中的主控芯片内部结构示意图。

本发明目的、功能及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

本发明通过获取半导体存储介质信息，根据获取的半导体存储介质信息的结果进行预警，实现了半导体存储介质的寿命的提示。

如图1所示，第一实施例的半导体存储介质寿命预警方法包括步骤：

S210、获取半导体存储介质寿命信息；

S220、根据获取的半导体存储介质寿命信息进行预警。

本实施例获取现有的半导体存储介质中为了实现平衡算法而记录的半导体存储介质的寿命信息，然后将所获取的半导体存储介质寿命信息进行分析后预警，达到提示用户半导体存储介质老化的目的。所述的老化是指半导体存储介质的擦写次数接近其可擦写的极限，使用户能够掌握半导体存储介质的老化情况并及时地对存储在老化半导体存储介质上的数据进行备份。

图2示出了本发明的第二实施例，基于第一实施例，如图3所示，所述步骤S210获取半导体存储介质寿命信息包括步骤：

S211、发出寿命信息读取命令；

S212、读取半导体存储介质中的寿命信息；

S213、返回读取的寿命信息。

如图3所示，所述根据获取的半导体存储介质寿命信息进行预警的步骤S220包括：

S221、设置预警值；

S222、比较获取的半导体存储介质寿命信息和预警值；

S223、获取的半导体存储介质寿命信息大于或等于预警值时进行预警。

所述比较获取的半导体存储介质寿命信息和预警值步骤包括比较获取的半导体存储寿命信息和预警寿命值；

所述比较获取的半导体存储介质寿命信息和预警值步骤还可以是：

根据获取的半导体存储介质寿命信息计算半导体存储介质的寿命使用比率；

比较寿命使用比率和预警寿命比率值。

例如，对最大寿命为5000的半导体存储设备设置预警寿命值为4800；也可以设置为预警寿命比率值，如96％。

上述判断半导体存储介质寿命信息是否大于或等于预警值可以包括两个判定标准：一是判断半导体存储介质的平均寿命是否大于或者等于预警寿命值；二是判断所有物理块寿命中最大的一个是否大于或者等于预警寿命值。

上述的判断半导体存储介质寿命信息是否大于或等于预警值可以包括三个判定标准：一是判断半导体存储介质的平均寿命所占最大寿命的比率是否大于或者等于预警寿命比率值；二是判断半导体存储设备的平均寿命与阈值的和所占最大寿命的比率是否大于或者等于预警寿命比率值；三是判断半导体存储介质中各物理块寿命中最大的一个所占最大寿命的比率是否大于或者等于预警寿命比率值。

为了避免半导体存储介质相对老化后出现不停的报警，导致影响用户正常地使用，所述的预警寿命值或预警寿命比率值包括预警梯度值。使一次报警后相隔一个预警梯度值才能报警。预警梯度值也需要进行设置，设置的方式跟预警值一样。比如说预警值设置为96％，预警梯度值设置为0.5％，则在第一次达到96％后报警，同时将预警值增加一个预警梯度值，就是说将预警值增加到96.5％。这样，在96％报警后不会再持续报警，只有在达到96.5％才会再报警。

如图4所示，上述第二实施例中，在步骤S210获取半导体存储介质寿命信息后，还包括获取的寿命信息进行显示的步骤S230，即将获取的半导体存储介质的寿命信息直接或经过换算后以直观的显示，以告诉使用者当前半导体存储介质的寿命信息。

本发明的第三实施例提供了一种半导体存储设备寿命预警系统，用于对半导体存储设备的老化情况进行预警，如图5所示，所述寿命预警系统包括主机系统41和半导体存储设备42，半导体存储设备42包括半导体存储主控421、内存422和半导体存储介质423，半导体存储主控421分别连接内存422和半导体存储介质423，主机系统41通过半导体存储主控421获取半导体存储介质423寿命信息；主机系统41根据获取的半导体存储介质423寿命信息进行预警。

具体来说，主机系统41通过SCSI、ATA、SATA、PCI、PCI Express、EMMC、LBA、TCP/IP等协议向半导体存储主控421发送命令，要求获取相关信息。半导体存储主控421接收命令后，从半导体存储介质423中分别读取相关信息，并通过相应的协议返回给主机系统41，完成相应操作。半导体存储主控421需要发送命令从半导体存储介质423的相应位置读取半导体存储介质寿命信息，然后再按照与主机系统达成的协议返回。

如图6所示，所述主机系统41包括一预设模块411及一比较模块412，预设模块中设置有预警值，比较模块比较半导体存储设备寿命信息和预警值。

所述主机系统还包括一计算模块413，计算模块根据读取的半导体存储设备寿命信息计算寿命使用比率。

获取半导体存储设备寿命信息时，对于暂存在内存422的信息，半导体存储主控421分别将其返回给主机系统41。而对于只存放在半导体存储介质423本身的信息，半导体存储主控421需要发送命令从相应位置读取。比如说，半导体存储介质的最大寿命、平均寿命、寿命阈值都已经存在内存中，则半导体存储主控421只需要将这些信息按照与主机系统41达成的协议，一起或者分别返回给主机系统41，或者与所有物理块的寿命值一起返回。如是物理块的寿命未存在内存中，则需要分别从半导体存储介质中分别读取这些值，然后再按照与主机系统达成的协议返回。

由于实际操作中主机系统41发送给半导体存储主控421的只有逻辑地址，半导体存储主控421根据接收到的逻辑地址找到具体的物理地址，继而进行相应的操作。因此需要通过逻辑块来获取物理块的寿命。而要实现从逻辑地址到物理地址的转换，需要建立映射关系。建立一个结构体来记录每个逻辑块到物理块的映射关系，此结构体叫做逻辑块映射表。每个逻辑块都会对应一个或多个物理块，则此逻辑块映射表中就需要记录这些物理块的块号和寿命。逻辑块映射表保存在半导体存储设备特定的位置。当需要访问相应逻辑块时，半导体存储主控就会从半导体存储介质423中将其读出来。因此，我们只要读取逻辑块中至少一个字节的数据，就能够得到其对应的逻辑块映射表，从而得到该逻辑块包含的物理块以及对应的寿命。我们可以只通过半导体存储主控421读取半导体存储设备42的逻辑块中至少一个字节数据，而不将这些数据返回给主机系统41，从而获得相应物理块及其寿命，这样依次读取所有逻辑块来获得所有逻辑块对应的物理块的寿命。

此时半导体存储主控421读取半导体存储设备42的逻辑块中至少一个字节数据，获得相应物理块及其寿命，这样依次读取所有逻辑块来获得所有逻辑块对应的物理块的寿命。

另外，并不是所有的物理块都对应到逻辑块上，有些物理块需要用来记录一些特殊的信息，如逻辑块映射表等；有些块可能是为了加快读写速度，作为缓存块或者交换块使用。

其中，半导体存储设备42的配置信息应该是存在固定的位置，也就是固定的物理块，半导体存储设备42在上电使用的时候就会通过主控芯片内的固件程序找到这些块，并读出相应的信息。这样的块在生产出厂之后应该是不会再对它们进行擦写操作的，所以它们对应的寿命就是0，或者是1，如果进行了擦写操作，那也会产生相应的记录，这些我们都可以根据读得的信息直接获取。

对于记录逻辑块映射表等映射关系的物理块，我们也可以采用直接读映射表的方式获取这些物理块的寿命信息。对于某些半导体存储设备，它的映射表信息包括几级表，如一级表、二级表、三级表等，一级表记录半导体存储设备的信息，二级表记录设备中某一逻辑区域的信息，三级表记录逻辑区域中某一逻辑块的信息。这几级表呈树状结构，根据一级表可以找到二级表，根据二级表可以找到三级表，以此类推，并且每一个表都记录着该表由哪些物理块一起来记录，以及每个物理块对应的寿命。半导体存储主控内的固件程序至少找到一级表，读取该一级表，即可通过一级表找到下面所有的二级表，再找到所有的三级表，通过这些表获取所有记录这些映射表信息的物理块的寿命信息。

对于用作缓存块或者交换块使用的物理块，它们的信息记录在如上面所说的某级表中，如一级表，用来记录该半导体存储设备中现在有多少缓存块或者交换块，以及它们的块号和对应的寿命。这样，就可以采用如上面所说的方式，通过相应的映射表获取这些块号和对应的寿命。

返回给主机系统41时，可以单个返回，也可以分批返回，还可以全部一起返回。

另外，也可以通过主机系统41发送命令，通过依次读取半导体存储设备42中所有逻辑块来获得所有逻辑块对应的物理块的寿命信息。读取和返回信息时，可以每次只有一个物理块的寿命信息，也可以每次几个，还可以一次将所有的都返回。

另外，也可以通过主机系统获取半导体存储设备的寿命比率值。半导体存储设备的寿命比率值存放在内存中，半导体存储主控421只需要将它按照与主机系统41达成的协议，直接返回给主机系统41。

所述半导体存储设备的寿命比率值由半导体存储主控421根据半导体存储介质423的寿命信息计算而来，它可以是半导体存储介质的平均寿命所占最大寿命的比率，也可以是半导体存储设备的平均寿命加上阈值后所占最大寿命的比率，还可以是半导体存储介质中各物理块寿命中最大的一个物理块所占最大寿命的比率。

所述系统获取半导体存储设备寿命信息包括：获取半导体存储设备的最大寿命、半导体存储设备的平均寿命、寿命阈值、所有半导体存储设备物理块的寿命和/或半导体存储设备的寿命比率值。

所述根据获取的半导体存储设备寿命信息进行预警步骤包括：

设置预警值；

比较获取的半导体存储设备寿命信息和预警值；

获取的半导体存储设备寿命信息大于或等于预警值时进行预警。

所述的预警值可以是一具体的预警寿命值，也可以是一预警寿命比率值。例如，对最大寿命为5000的半导体存储设备设置预警寿命值为4800；也可以设置为预警寿命比率值，如96％。

上述的判断半导体存储介质寿命信息是否大于或等于预警值可以包括两个判定标准：一是比较半导体存储介质的平均寿命是否大于或者等于预警寿命值；二是判断所有物理块寿命中最大的一个是否大于或者等于预警寿命值时。

上述的判断半导体存储介质寿命信息是否大于或等于预警值可以包括三个判定标准：一是判断半导体存储设备的平均寿命所占最大寿命的比率是否大于或者等于预警寿命比率值；二是判断半导体存储设备的平均寿命与阈值的和所占最大寿命的比率是否大于或者等于预警寿命比率值；三是半导体存储介质中各物理块寿命中最大的一个所占最大寿命的比率是否大于或者等于预警寿命比率值；四是判断半导体存储设备的寿命比率值是否大于或者等于预警寿命比率值。

为了避免半导体存储设备相对老化后出现不停的报警，导致影响用户正常地使用，所述的预警寿命值或预警寿命比率值包括预警梯度值。使一次报警后相隔一个预警梯度值才能报警。预警梯度值也需要进行设置，设置的方式跟预警值一样。比如说预警值设置为96％，预警梯度值设置为0.5％，则在第一次达到96％后报警，同时将预警值增加一个预警梯度值，就是说将预警值增加到96.5％。这样，在96％报警后不会再持续报警，只有在达到96.5％才会再报警。

本实施例发出预警的方式可以包括文字、图片、声音或者振动等能让人体的五官感受到的形式。

本实施例的主机系统41获取半导体存储设备42寿命信息后，还可将获取的寿命信息进行显示。

本实施例所述主机系统可以是半导体存储设备(如闪存硬盘)所在的计算机、服务器等，也可以是区别于该半导体存储设备所在设备的另外一个设备，该设备能够访问半导体存储设备，这些访问方式可以包括数据线、网络、红外、无线等等能在两个设备之间传递信息的方式。比如说一台计算机通过网络访问另外一台计算机，计算机通过数据线访问U盘闪存盘、手机、数码相机等，此时访问其它设备的计算机就可以看作是主机系统。

本发明第四实施例提供一种半导体存储设备寿命预警装置，用于对老化半导体存储介质进行预警，如图7所示，所述寿命预警装置包括主控芯片61、内存62、半导体存储介质63和预警模块64，主控芯片61获取半导体存储介质63寿命信息；主控芯片61与半导体存储介质63通过内存62进行数据交换；主控芯片61根据获取的半导体存储介质63的寿命信息控制预警模块64进行预警。

如图8所示，所述主控芯片61包括一预设单元611及一比较单元612，预设单元611中设置有预警值，比较单元612比较半导体存储设备寿命信息和预警值。

所述主控芯片61还包括一计算单元613，计算单元613根据读取的半导体存储设备寿命信息计算寿命使用比率。

获取半导体存储介质63寿命信息时，对于暂存在内存62的信息，主控芯片61不再进行附加操作。而对于只存放在半导体存储介质63本身的信息，主控芯片61需要发送命令从相应位置读取。比如说，半导体存储介质63的最大寿命、平均寿命、寿命阈值都已经存在内存62中，则主控芯片51不需要再进行附加操作。如果物理块的寿命未存在内存62中，则需要分别从半导体存储介质63中分别读取这些值。

由于实际操作中主控芯片61是根据半导体存储设备的逻辑地址找到具体的物理地址，继而进行相应的操作的。因此，需要通过逻辑块来获取物理块的寿命。

要实现从逻辑地址到物理地址的转换，需要有种映射关系。建立一个结构体来记录每个逻辑块到物理块的映射关系，此结构体叫做逻辑块映射表。每个逻辑块都会对应一个或者多个物理块，则此逻辑块映射表中就需要记录这些物理块的块号和寿命。逻辑块映射表保存在半导体存储介质特定的位置。当需要访问某个逻辑块时，如果该逻辑块对应的逻辑块映射表不在内存中，主控芯片就会从半导体存储介质中将其读出来。因此，我们只要读取逻辑块中至少一个字节的数据，就能够得到其对应的逻辑块映射表，从而得到该逻辑块包含的物理块以及对应的寿命。

在这里，可以只通过主控芯片61读取半导体存储设备的逻辑块中至少一个字节数据，而不将这些数据返回给主控芯片，从而获得相应物理块及其寿命，这样依次读取所有逻辑块来获得所有逻辑块对应的物理块的寿命。

另外，并不是所有的物理块都对应到逻辑块上，有些物理块需要用来记录一些特殊的信息，如半导体存储设备寿命预警装置的一些配置信息和上节所说的逻辑块映射表等；有些块可能是为了加快读写速度，作为缓存块或者交换块使用。

其中，半导体存储设备寿命预警装置的配置信息是存在固定的位置，也就是固定的物理块，半导体存储设备寿命预警装置在上电使用的时候就会通过主控芯片内的固件程序找到这些块，并读出相应的信息。这样的块在生产出厂之后一般是不会再对它们进行擦写操作的，所以它们对应的寿命就是0，或者是1，如果产生了擦写操作，这些物理块的寿命就会相应的有增加，那也会产生相应的记录，这些都可以根据读得的信息直接获取。

对于记录逻辑块映射表等映射关系的物理块，我们可以参考前面获取逻辑块对应物理块寿命的方式。读某一逻辑块信息时，相应的逻辑块映射表会读到内存中，同时，记录该映射表的块的信息也会读到内存中，这些信息可以包括：有几个物理块记录该映射表、这些物理块的块号和对应的寿命等。通过读内存就可以获取这些物理块对应的寿命信息。另外，可以采用直接读映射表的方式获取这些物理块的寿命信息。对于某些半导体存储设备寿命预警装置，它的映射表信息包括几级表，如一级表、二级表、三级表等，一级表记录半导体存储设备的信息，二级表记录设备中某一逻辑区域的信息，三级表记录逻辑区域中某一逻辑块的信息。这几级表呈树状结构，根据一级表可以找到二级表，根据二级表可以找到三级表，以此类推，并且每一个表都记录着该表由哪些物理块一起来记录，以及每个物理块对应的寿命。半导体存储设备寿命预警装置在上电使用的时候会通过主控芯片内的固件程序至少找到一级表，将它读到内存里面，即可通过一级表找到下面所有的二级表，再找到所有的三级表，通过这些表获取所有记录这些映射表信息的物理块的寿命信息。

对于用作缓存块或者交换块使用的物理块，它们的信息记录在如上面所说的某级表中，如一级表，用来记录该半导体存储设备中现在有多少缓存块或者交换块，以及它们的块号和对应的寿命。这样，就可以采用如上面所说的方式，通过相应的映射表获取这些块号和对应的寿命。

所述获取半导体存储介质寿命信息包括：获取半导体存储介质的最大寿命、半导体存储介质的平均寿命、寿命阈值和/或所有物理块的寿命。

所述根据获取的半导体存储介质寿命信息进行预警步骤包括：

设置预警值；

比较获取的半导体存储寿命信息和预警值；

获取的半导体存储寿命信息大于或等于预警值时进行预警。

所述的预警值可以是一具体的预警寿命值，也可以是一预警寿命比率值。例如，对最大寿命为5000的半导体存储设备设置预警寿命值为4800；也可以设置为预警寿命比率值，如96％。

上述的根据预警寿命值判断半导体存储介质是否老化可以包括两个判定标准：一是当半导体存储介质的平均寿命大于或者等于预警寿命值时，判定半导体存储介质已经相对老化；二是当所有物理块寿命中最大的一个大于或者等于预警寿命值时，判定半导体存储介质已经相对老化。

上述的根据预警寿命比率值判断半导体存储介质是否老化可以选用三个判定标准之一：一是半导体存储介质的平均寿命所占最大寿命的比率大于或者等于预警寿命比率值，判定半导体存储介质已经相对老化；二是当半导体存储设备的平均寿命与阈值的和所占最大寿命的比率大于或者等于预警寿命比率值，判定半导体存储介质已经相对老化；三是半导体存储介质中各物理块寿命中最大的一个所占最大寿命的比率大于或者等于预警寿命比率值时，判断半导体存储介质已经相对老化。

为了避免半导体存储介质相对老化后出现不停的报警，导致影响用户正常地使用，所述的预警寿命值或预警寿命比率值包括预警梯度值。使一次报警后相隔一个预警梯度值才能报警。预警梯度值也需要进行设置，设置的方式跟预警值一样。比如说预警值设置为96％，预警梯度值设置为0.5％，则在第一次达到96％后报警，同时将预警值增加一个预警梯度值，就是说将预警值增加到96.5％。这样，在96％报警后不会再持续报警，只有在达到96.5％才会再报警。

本实施例的主控芯片还可连接一显示装置，在主控芯片获取半导体存储介质寿命信息后，可将获取的寿命信息直接或经处理后进行显示，让使用者知道当前半导体存储介质的寿命信息。

本实施例中所述半导体存储设备寿命预警装置可以是半导体存储介质所在的半导体存储设备，如MP3、手机、数码相机、U盘闪存盘等。

本发明通过获取半导体存储介质的最大寿命、半导体存储介质的平均寿命、寿命阈值和/或所有物理块的寿命，并对各寿命值进行处理后根据处理结果进行预警，使用户知道该半导体存储介质的老化情况，使用户能够根据半导体存储介质的老化情况对半导体存储介质内的数据做出相应的处理，保证了数据的安全。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (16)

1、一种半导体存储介质寿命预警方法，其特征在于，包括步骤：

获取半导体存储介质寿命信息；

根据获取的半导体存储介质寿命信息进行预警。

2、如权利要求1所述的半导体存储介质寿命预警方法，其特征在于，所述获取半导体存储介质寿命信息包括步骤：

发出寿命信息读取命令；

读取半导体存储介质中的寿命信息；

返回读取的寿命信息。

3、如权利要求1或2所述的半导体存储介质寿命预警方法，其特征在于：

所述根据获取的半导体存储介质寿命信息进行预警步骤包括：

设置预警值；

比较获取的半导体存储寿命信息和预警值；

获取的半导体存储寿命信息大于或等于预警值时进行预警。

4、如权利要求3所述的半导体存储介质寿命预警方法，其特征在于：

所述的预警值为预警寿命值。

5、如权利要求4所述的半导体存储介质寿命预警方法，其特征在于，所述比较获取的半导体存储介质寿命信息和预警值步骤包括：比较获取的半导体存储寿命信息和预警寿命值。

6、如权利要求3所述的半导体存储介质寿命预警方法，其特征在于：

所述的预警值为预警寿命值为预警寿命比率值。

7、如权利要求6所述的半导体存储介质寿命预警方法，其特征在于：所述比较获取的半导体存储寿命信息和预警值步骤包括：

根据获取的半导体存储介质寿命信息计算半导体存储介质的寿命使用比率；

比较寿命使用比率和预警寿命比率值。

8、如权利要求6所述的半导体存储介质寿命预警方法，其特征在于：

所述的预警寿命值或预警寿命比率值包括预警梯度值，寿命使用比率值达到预警梯度值时进行预警。

9、如权利要求8所述的半导体存储介质寿命预警方法，其特征在于，还包括步骤：

显示半导体存储介质寿命信息。

10、一种半导体存储设备寿命预警系统，用于对老化半导体存储设备进行预警，其特征在于：

所述寿命预警系统包括主机系统和半导体存储设备，半导体存储设备包括半导体存储主控和半导体存储介质，半导体存储主控连接半导体存储介质，主机系统通过主控获取半导体存储设备寿命信息；主机系统根据获取的半导体存储设备寿命信息进行预警。

11、如权利要求10所述的半导体存储设备寿命预警系统，其特征在于：所述主机系统包括一预设模块及一比较模块，预设模块中设置有预警值，比较模块比较半导体存储设备寿命信息和预警值。

12、如权利要求10或11所述的半导体存储设备寿命预警系统，其特征在于：所述主机系统还包括一计算模块，计算模块根据读取的半导体存储设备寿命信息计算寿命使用比率。

13、一种半导体存储设备寿命预警装置，用于对半导体存储介质的寿命信息进行预警，其特征在于：所述寿命预警装置包括预警模块、主控芯片、内存和半导体存储介质，主控芯片分别连接内存、预警模块和半导体存储介质，主控芯片获取半导体存储介质寿命信息；主控芯片根据获取的半导体存储介质寿命信息控制预警模块进行预警。

14、如权利要求13所述的半导体存储设备寿命预警系统，其特征在于：所述主控芯片包括一预设单元及一比较单元，预设单元中设置有预警值，比较单元比较半导体存储设备寿命信息和预警值。

15、如权利要求13或14所述的半导体存储设备寿命预警系统，其特征在于：所述主控芯片还包括一计算单元，计算单元根据读取的半导体存储设备寿命信息计算寿命使用比率。

16、如权利要求15所述的半导体存储设备寿命预警装置，其特征在于：

主控芯片还连接一显示模块，通过显示模块显示获取的半导体存储介质寿命信息。

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