JP5011843B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
1c 半導体チップ,単位構成領域
1w,1x 半導体ウエハ
Te,Tg ライン状ゲート要素部
Pa〜Pd ゲート要素部平行組
12 不純物拡散領域(半導体層)
12a 第1分断領域(固定電位領域)
12b 第2分断領域(浮遊電位領域)
Tda〜Tde ライン状ダミー要素部
Claims (5)
- 半導体チップに、トレンチゲート構造を有するIGBTが形成されてなる半導体装置であって、
前記IGBTのトレンチゲートが、前記半導体チップの表層部に形成され、平行に並んで配置された複数のライン状ゲート要素部からなり、
前記複数のライン状ゲート要素部により、前記半導体チップの表層部に選択的に形成された所定の不純物拡散領域が、複数の領域に分断されてなり、
前記複数の分断領域のうち、前記IGBTのエミッタ電極が接続される分断領域を第1分断領域、前記IGBTのエミッタ電極が接続されない分断領域を第2分断領域とした時、前記第1分断領域と第2分断領域が、前記半導体チップの表層部に交互に並んで配置されてなり、
前記第2分断領域に、前記トレンチゲートと同じ断面構造を有する複数の互いに平行なライン状ダミー要素部が、前記ライン状ゲート要素部と異なるライン方向で配置されてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記ライン状ゲート要素部とライン状ダミー要素部が、互いに略直交するライン方向を有してなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体チップに、トレンチゲート構造を有するIGBTが形成されてなる半導体装置であって、
前記IGBTのトレンチゲートが、前記半導体チップの表層部に形成され、平行に並んで配置された複数のライン状ゲート要素部からなり、
前記複数のライン状ゲート要素部により、前記半導体チップの表層部に選択的に形成された所定の不純物拡散領域が、複数の領域に分断されてなり、
前記複数の分断領域のうち、前記IGBTのエミッタ電極が接続される分断領域を第1分断領域、前記IGBTのエミッタ電極が接続されない分断領域を第2分断領域とした時、前記第1分断領域と第2分断領域が、前記半導体チップの表層部に交互に並んで配置されてなり、
前記第2分断領域に、前記トレンチゲートと同じ断面構造を有する複数のリング形状のライン状ダミー要素部が、配置されてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体チップの厚さが、300μm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記半導体チップの厚さが、150μm以下であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
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