JP5004326B2 - 均一な膜を形成するためのプラズマｃｖｄ装置及び方法 - Google Patents
均一な膜を形成するためのプラズマｃｖｄ装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5004326B2 JP5004326B2 JP2006213605A JP2006213605A JP5004326B2 JP 5004326 B2 JP5004326 B2 JP 5004326B2 JP 2006213605 A JP2006213605 A JP 2006213605A JP 2006213605 A JP2006213605 A JP 2006213605A JP 5004326 B2 JP5004326 B2 JP 5004326B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- wafer
- formula
- shower plate
- convex
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 73
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 36
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 72
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000012888 cubic function Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は概して半導体製造装置に関し、特にシャワープレートおよびサセプタの形状に特徴があり、ウエハの温度分布と膜厚・膜質分布が良好なプラズマCVD成膜装置に関する。
図1は従来のプラズマ処理装置の概略図である。プラズマ処理装置1は反応チェンバー6、ガス導入口5、サセプタ3およびヒーター2より構成された第２電極を含む。第２電極は、特許3207147号のようにサセプタ3およびヒーター2がろう付けされている場合もある。図示しないガスラインより、ガス導入口5を通してガスを導入する。円形の第１電極9はガス導入口5のすぐ下に配置されており、第１電極9は中空構造を取り、その底面に多くの細孔を有し、そこからウエハ4に向かってガスを噴出する。また、第１電極9は、メンテナンスの容易性、部品コストの削減のため、複数のガス導入孔を有するシャワープレート11を交換できる構造となっている。
また、反応チェンバー6の底部には排気口10が存在する。この排気口10は図示しない外部真空ポンプに結合され、その結果、反応チェンバー6の内側は排気される。サセプタ3は第１電極9に平行に対向して配置されている。サセプタ3はその上にウエハ4を保持し、ヒーター2によってウエハ4を連続的に加熱し、所定の温度(150〜450℃)に基板4を維持する。ガス導入口5および第１電極9は反応チェンバー6から絶縁され、外部の第一の高周波電源7に接続される。このとき第二の高周波電源8を接続する場合もある。12は接地である。こうして第１電極9および第２電極2は高周波電極として機能し、ウエハ4近傍にプラズマ反応場を生成する。ウエハ4の表面上に形成される膜の種類および膜質は、材料ガスの種類および流量、温度、RF周波数の種類、プラズマの空間分布ならびに電位分布により変化する。
低誘電率Ｃドープ酸化シリコン膜を形成する場合、複数のアルコキシを含有するシリコン系炭化水素と、Ar及び／またはHeを用いる。場合によっては、架橋ガスとして、アルコール、エーテル、不飽和炭化水素、等を用い、また、場合によっては、酸化性ガスとして、オゾン、酸素、亜酸化窒素等を用いる。
ウエハ上に成膜される膜の一様性は、反応領域における、ガスの滞留時間およびプラズマ密度と、密接に関係している。図１に示すように、従来のプラズマCVD成膜装置は、サセプタ3とシャワープレート11との距離、すなわちウエハ4とシャワープレート11との距離は一定である。一般に平行平板プラズマCVD成膜装置においては、米国特許第6631692号に記載されているように、2枚の平面電極間(φ250mm)に生じる電界強度分布は、中心が一番強く、半径方向外側に徐々に弱まっていく性質があるので、φ200mmのウエハの成膜領域では約±5%の強度分布となり、φ300mmのウエハではさらに分布は大きくなる。したがって、ウエハ4の中心付近の電界は、半径方向外側の電場より相対的に強く、プラズマ密度も高くなり、ガスの反応率も上昇する。また、ガスの反応率は反応空間における滞留時間の影響も受けるが、従来のプラズマCVD成膜装置による実施例では、膜厚分布はプラズマ密度の影響を強く受け、中心が厚い傾向を示していた。この場合、ガス流量、混合比、圧力、RF周波数、RF電力を制御することによって補正してきたが、これらのパラメーターを変化させてしまうと、膜質、成膜速度が変化してしまい、プロセス安定性が悪化する。また、ウエハの温度分布が均一でないと、膜質分布が均一とはならないことが多い。
また、図２には、本願発明者らが発明協会公開技報 公技番号2002−1338で報告したサセプタ3とシャワープレート11を示す。この図ではサセプタ３はヒータ2上に載置され、ウエハ4の支持面が凹状になっている。ウエハ4の裏面と該凹面の中心までの距離db（窪みの深さ）は０.１mm〜４ｍｍで、ウエハ4がサセプタ3の周辺部のみで接触することが望ましいとされている。また、シャワーヘッド11は凸状になっており、(dc−da)/da × 100（dcは中心位置でのシャワーヘッドとウエハの距離、daは周辺位置でのシャワーヘッドとウエハの距離）で定義されるシャワーヘッド11の変形率fdは−１％から−２０％となっている。この形状により膜厚、膜質の均一化が図れるとされている。
さらに鋭意研究を重ねた結果、例えば、φ300mm以上の大口径ウエハを処理する際に、ウエハ温度分布及び膜厚・膜質分布の均一性が十分ではないことを発見した。
米国特許第6,631,692号
したがって、本発明の目的は、ウエハの温度分布を均一にし、かつ、膜厚及び品質が均一の膜を形成するためのプラズマCVD膜形成装置及び方法を与えることである。
本発明の他の目的は、ウエハの裏面へのパーティクルの付着を防止することである。
本発明のさらに他の目的は、構造が単純でかつ製造コストが安いプラズマCVD膜形成装置を与えることである。
本発明のさらに他の目的は、均一な膜形成を可能にするシャワープレートを設計する方法を与えることである。
本発明は、さまざまな実施例において、上記目的のひとつまたはそれ以上を達成することができる。しかしながら、本発明は上記目的に限定されるものではなく、実施例において、これらの目的以外の効果を示すものである。
ひとつの態様において、本発明はプラズマCVD成膜装置を与え、当該装置は、反応チェンバー（真空チェンバー）と、反応チェンバー内部に設置されたシャワープレートと、ウエハを載置するためのサセプタであって、シャワープレートに実質的に平行に対向して設置されたサセプタと、から成り、シャワープレートのサセプタに対向する面は中心が凸となった形状を基本形状として、その上に少なくともひとつの式（例えば、式(1)(2)(3)）を重畳した形状に構成され、サセプタは周辺部及び中心部と周辺部との間の位置でウエハを支持することを特徴とする。
上記態様は、これに限定されないが、以下の実施例を含む。
シャワープレートは、中心部が凸状であり、その高さは約０.５mmから約３.５mm（１mm、１.５mm、２.０mm、２.５mm、３.０mm及びこれらの任意の２数間の値を含む）である。また、最上点を有する二次関数である半径Rの関数は、基本形状を使用した際に形成される膜が相対的に厚いところの部分に重畳され、最下点を有する二次関数である半径Rの関数は、基本形状を使用する際に形成される膜が相対的に薄いところの部分に重畳される。
ひとつの実施例において、サセプタは、中心からの距離により定義される領域内の任意の位置でウエハを支持し、その領域は、ウエハの半径の約４０％から約６０％（４５％、５０％、５５％及びこれらの任意の２数間の値を含む）であり、中心からの距離により定義される領域内の任意の位置でウエハを支持し、その領域は、ウエハの半径の約９０％から約１００％（９２％、９５％、９７％及びこれらの任意の２数間の値を含む）である。
ひとつの実施例において、サセプタは、中心からの距離により定義される領域内に埋設されたヒーターエレメントを含み、その領域は、ウエハの半径の約２０％から約６０％（２５％、３０％、４０％、４５％、５５％及びこれらの任意の２数間の値を含む）である。
上記すべての実施例において、ひとつの実施例で使用される任意の構成要件は、置換が容易ではなくまたは逆効果である場合を除き、他の実施例において相互に交換して使用することができる。また、本発明は装置及び方法に同様に適用される。
発明及び従来技術に対して達成される利点を要約する目的で、発明のいくつかの目的及び利点を上記した。もちろん、本発明の任意の特定の実施例にしたがってこれらすべての目的または利点が必ずしも達成されるものではない。よって、例えば、発明は、ここに教示または示唆された他の目的または利点を必ずしも達成することなく、ここに教示される利点または利点の集合を達成または最適化する方法で実施または実行され得ることは、当業者の知るところである。
本発明の他の態様、特徴及び利点は、以下の好適実施例の詳細な説明から明らかとなる。
以下に図面を参照して、本発明の好適実施例を詳細に説明する。しかし、好適実施例は本発明を限定するものではない。
ひとつの実施例において、ウエハ上に薄膜を形成するためのプラズマCVD装置は、(i)反応チェンバーと、(ii)反応チェンバー内に設置されたウエハを載置するためのサセプタであって、同心円状に形成された内側環状凸部及び外側環状凸部から成る凹凸面を有し、該内側環状凸部はウエハの中心部と周辺部との間の位置でウエハを支持するように構成され、該外側環状凸部は周辺部でウエハを支持するように構成されている、ところのサセプタと、(iii)サセプタに実質的に平行に対向して反応チェンバー内に配置され、それらの間にプラズマを生成するべく、ガスを放出するためのシャワープレートであって、該シャワープレートは半径Rの関数である凸式L及びその上に重畳された第２の式Mから構成された凹凸面を有し、ここで、式Mは半径Rの関数であり、中心領域では凹関数から成り、周辺領域では凸式から成る、ところのシャワープレートと、から成る。
上記実施例は、これに限定されないが、以下の実施例を含む。
シャワープレートの凹凸面は、式M中の凹式により定義される領域と、凸式により定義される領域との間に形成される内側環状突出部、及び式M中の凸式により形成かつ定義される外側環状突出部から成る。半径Rを使って定義されるサセプタの内側環状凸部及び外側環状凸部のそれぞれの位置は、半径Rを使って定義されるシャワープレートの内側環状突出部と外側環状突出部のそれぞれの位置と重複してもよい。
式M中の凹式及び凸式が重畳されるところのシャワープレートのそれぞれの位置は、式Lにより構成される表面を有するシャワープレートを使って、ウエハ上に形成された膜の相対的に薄い部分と相対的に厚い部分のそれぞれの位置に対応する。
ひとつの実施例において、式MはRの二次関数である。式Mは以下のように表される。
ひとつの実施例において、式Lは以下のように表される。
式Lは、円若しくは楕円または凸形状を定義する限りにおいて指数関数であってもよい。
ひとつの実施例において、式Lは、中心部でのシャワープレートの凸部の高さが約０.５mmから３.５mmであるようなものである。
サセプタの内側環状凸部は、中心からの距離により定義される領域内に配置され、その領域はウエハの半径の約４０％から約６０％であり、サセプタの外側環状凸部は中心からの距離により定義される領域内に配置され、その領域はウエハの半径の約９０％から約１００％である。
サセプタは、中心からの距離により定義される領域内に埋設されたヒーターエレメントを有し、その領域はウエハの半径の約２０％から約６０％である。
サセプタの内側及び外側環状凸部はそれぞれ約０.２mmから約１.５mm（０.３mm、０.５mm、０.７mm、１.０mm、及びこれらの任意の２数間の値を含む）の高さを有する。
上記すべての実施例において、ひとつの実施例で使用される任意の構成要件は置換が容易ではなくまたは逆効果でなければ、他の実施例において交換して使用することができる。また、本発明は装置と方法で同様に適用可能である。
ひとつの実施例において、ウエハ上に薄膜を形成するための方法は、(a)反応チェンバー内に設置されウエハを載置するためのサセプタであって、同心円上に形成された内側環状凸部及び外側環状凸部から成る凹凸面を有し、内側環状凸部はウエハの中心部と周辺部との間の部分でウエハを支持するように構成され、外側環状凸部はその周辺部でウエハを支持するように構成される、ところのサセプタを与える工程と、(b)サセプタに実質的に平行に対向して反応チェンバー内に設置され、それらの間でプラズマを生成するべく、ガスを放出するためのシャワープレートであって、当該シャワープレートは半径Rの関数である凸式L及びその上に重畳された第２の式Mにより構成された凹凸面を有し、ここで式Mは、半径Rの関数であり、中心領域で凹式からなり、周辺領域で凸式から成るところのシャワープレートを与える工程と、(c)サセプタの温度を調節する工程と、(d)サセプタ上にウエハを載置する工程と、(e)シャワープレートを通じてガスを反応チェンバーへ供給する工程と、(f)シャワープレートとサセプタとの間にRF電力を印加する工程であって、それによってウエハ上に膜を堆積させる工程と、から成る。
上記実施例は、これに限定されないが、上述したすべての実施例を含む。
他の実施例において、プラズマCVD装置用のシャワープレートを設計する方法は、(A)反応チェンバー内に設置されウエハを載置するためのサセプタであって、同心円上に形成された内側環状凸部及び外側環状凸部から成る凹凸面を有し、内側環状凸部はウエハの中心部と周辺部との間の部分でウエハを支持するように構成され、外側環状凸部はその周辺でウエハを支持するように構成される、ところのサセプタを与える工程と、(B)サセプタに実質的に平行に対向して反応チェンバー内に設置され、それらの間でプラズマを生成するべく、ガスを放出するためのシャワープレートであって、当該シャワープレートは半径Rの関数である凸式Lにより構成される凸面を有するところのシャワープレートを与える工程と、(C)ウエハ上に形成される膜の膜厚分布を決定する工程であって、それがウエハ上に形成される膜の相対的に薄い部分及び相対的に厚い部分を含むところの工程と、(D)それぞれが半径Rの関数でありかつ式Mを構成する凹式及び凸式が式Lに重畳されるところの、シャワープレートのそれぞれの位置を決定する工程であって、その位置は、膜の相対的に薄い部分と相対的に厚い部分のそれぞれの位置に対応するところの工程と、(E)式Mを決定する工程と、(F)式L及びその上に重畳された第２の式Mから構成されるシャワープレートの凹凸面を与えるところの工程と、から成る。
上記実施例は、これに限定されないが、上述したすべての実施例を含む。
基本形状の凸状シャワープレートを使用する場合、堆積される膜は、中心部が薄く、同心状の不均一な干渉縞を示す傾向がある。基本形状の凸状シャワープレートはウエハ上に形成される膜の膜厚分布の分析に基づいて選択される。好適には、凸状シャワープレートの中で、最も均一な膜を形成することができるシャワープレートが選択される。式Mは選択された凸状シャワープレートを使った膜の膜厚分布に基づいて決定される。好適には、式MはRの二次関数である。しかし、それは円若しくは楕円の一部の関数か、または２つ若しくはそれ以上の関数の組み合わせであってもよい。最上点を有する関数は膜が相対的に厚い部分に重畳され、最下点を有する関数は膜が相対的に薄い部分に重畳される。結果として、軸方向でのシャワープレートの垂直断面は、膜の膜厚分布プロファイルと概して逆の形状を有する。
式MはRに依存して変化する係数を有する単一の式であってもよい。係数を使用することにより、単一の式が使用されるときでも、さまざまな凹凸式がRの関数として生成される。他に、式Mは異なる種類の複数の式（一つにまとめられない関数、簡略化できない関数）から構成されてもよい。
処理すべきウエハのサイズは任意であり、φ２００mmウエハ及びφ３００mmウエハが含まれる。少なくともひとつの実施例において、均一な膜（膜内の厚さ及び／または品質が均一な膜）が形成され、比較的直径の大きいウエハが適宜使用可能となる。
本発明は実施例及び図面を参照して説明されてきた。しかし、実施例及び図面は本発明を限定するものではない。付随的に、実施例において、特定の値が使用される。しかし、通常、その値は±５０％の範囲、好ましくは±２０％の範囲で、他の実施例において修正され得る。
実施例1：図３の比較サセプタと図４の実施態様によるサセプタの温度分布比較
図３に、比較サセプタと比較ヒーターエレメント位置を示す。ウエハは外周で保持され、サセプタの中心の凹みは1.2mmである。外周で保持する部分はφ270mm〜φ300mmの範囲内にあり、サセプタの中心からウエハ径の90〜100%の範囲内である。ヒーターエレメントはφ220mm〜φ300mmの範囲内にある。
図３に、比較サセプタと比較ヒーターエレメント位置を示す。ウエハは外周で保持され、サセプタの中心の凹みは1.2mmである。外周で保持する部分はφ270mm〜φ300mmの範囲内にあり、サセプタの中心からウエハ径の90〜100%の範囲内である。ヒーターエレメントはφ220mm〜φ300mmの範囲内にある。
図４に、ある実施態様における本発明サセプタと本発明ヒーターエレメント位置を示す。本発明はこの図に限定されるものではない。ウエハは外周および中心と外周の中間部分で保持され、サセプタの凹みは0.7mmである。中間で保持する部分はφ120mm〜φ180mmの範囲内にあり、サセプタの中心からウエハ径の40〜60%の範囲内である。また、外周で保持する部分はφ270mm〜φ300mmの範囲内にあり、サセプタの中心からウエハ径の90〜100%の範囲内である。ヒーターエレメントはφ220mm〜300mmの範囲内にある。
この実施例では、チェンバーの温度設定は、第１電極が170℃、チェンバー壁が150℃、ヒーターが390℃である。ヒーターとサセプタはろう付けされており、反応チェンバー内の圧力は、窒素雰囲気533Paである。
また、この実施例では、シャワープレートの中心の高さが1.5mmで凸となった基本形状のシャワープレートを使用した。図５に示した形状は以下の式で表される。
ここで、Zsは高さ、Rは半径(0≦R≦163)、e, f ,g は定数である(e=266, f=5.5, g=163)。これらの定数は求めるシャワープレートの基本形状から適宜選択することができる。Mは重畳する2次関数であるが、基本形状では0である。また、163≦R≦175では、Zs=0である。
なお、シャワープレートの基本形状は図５に示すものに限定されるものではない。ここでは、図２に示したように凸状面を有するシャワープレートはすべて基本形状のシャワープレートとすることができる。上記の式でLはy=1/R2を基本とした関数であり、Lの第一項においてeが小さいとy=1/R2に似た形で、R→0でｙ→ｆであり、R=０近傍では、ｙ＝ｆ に滑らかに近づくことになり、eが大きいと、R=０でｙ＝ｆであり、全てのRで、y＝ｆに近づくことになる。ｆはR=０でのピーク高さを調節するものである。また、Lの第二項においてgはRの範囲の最大値または最小値で、L＝０となるようにするためのものである（ここではR=±163で、L=0となり、凸の立ち上がりの位置を示す）。従って、eが大きくなると、Lは、R=０近傍では、f−e2f/(g2+e2)に滑らかに近づき、R=g近傍では、ｙ＝０に近づくことになる。当業者であれば上記の考え方に従い、基本形状である凸状面を適宜設計することができる。指数関数の逆数による凸面のほかにも、球面、楕円面、そのほかの曲面で凸状面を構成してもよい。
表２に反応器内の温度、圧力を示す。表1にウエハ温度分布を示す。温度測定は、熱電対付きウエハで行った。熱電対の位置は、図１０に示したように、中心に1点、φ145mmに4点、φ290mmに４点である。
実施例２：図４の実施態様によるサセプタと図５の基本形状シャワープレートによる膜厚分布
図６に、図５の基本形状のシャワープレートと図４の態様における本発明サセプタ・本発明ヒーターエレメント位置の組み合わせで、膜厚分布を測定した結果を示す。膜種は低誘電率Cドープ酸化シリコン膜であり、成膜条件は以下の通りであった。
図６に、図５の基本形状のシャワープレートと図４の態様における本発明サセプタ・本発明ヒーターエレメント位置の組み合わせで、膜厚分布を測定した結果を示す。膜種は低誘電率Cドープ酸化シリコン膜であり、成膜条件は以下の通りであった。
成膜条件
第１電極：170℃
チェンバー壁：150℃
ヒーター：390℃
原料ガス：DM-DMOS (ジメチル・ジメトキシシラン) 175sccm
架橋ガス：イソプロピルアルコール 320sccm
添加ガス：He 150sccm
第1高周波電源：27.12MHz 2.3W/cm2
ウエハ：300mm
第１電極：170℃
チェンバー壁：150℃
ヒーター：390℃
原料ガス：DM-DMOS (ジメチル・ジメトキシシラン) 175sccm
架橋ガス：イソプロピルアルコール 320sccm
添加ガス：He 150sccm
第1高周波電源：27.12MHz 2.3W/cm2
ウエハ：300mm
実施例１で説明した通り、図４のサセプタを使っているので温度分布は高度に均一化されているが、膜厚は図６に示すように均一性がそれほど高くないことがわかる。図５に示した基本形状（凸状）のシャワープレートでは、特に、中心部分で膜厚が薄く、周辺部分で膜厚が厚くなっているが、その中間にも膜厚が高くなる箇所があることが分かる。膜厚は平均から約±５％で振れ、最大と最小膜厚では１０％近くの相違がある。
実施例３：図４の実施態様によるサセプタと図７の実施態様によるシャワープレートによる温度分布
図7に本実施例で使った本発明の実施態様によるシャワープレートの形状を示す。図７の形状は、図６で膜厚の厚い部分に凸の二次関数を、膜厚の薄い部分には凹の二次関数を重畳した形状であり、以下の式で表される。
図7に本実施例で使った本発明の実施態様によるシャワープレートの形状を示す。図７の形状は、図６で膜厚の厚い部分に凸の二次関数を、膜厚の薄い部分には凹の二次関数を重畳した形状であり、以下の式で表される。
0≦R＜66；h=−10, i=4356, j=0
66≦R＜84；h=0, i=0, j=0
84≦R＜130；h=−0.5, i=529, j=107
130≦R＜160；h=0.5, i=225, j=145
160≦R≦163；h=0, i=0, j=0
また、163≦R≦175では、Zs=0である。
上記の例では、凹の二次関数を使って形状を補正しているが、本発明は二次関数に限定されるものではない。指数関数、球面、楕円面、そのほかの曲面に関する関数を使って基本形状面を補正することができる。また、ある態様ではMはLと係数が異なる同じ関数でもよい。上記式で、hは二次関数の最大値または最小値を決定するもので、iはRの範囲の最大値または最小値において、二次関数（M）を0とする係数（例えばR=160で0にするには、i=(160−j)2=225となる値）であり、jは二次関数が最大値または最小値を取るRの値（Rの範囲の中点、例えば130〜160なら145）である。
これら係数は基本形状のシャワープレートによる膜厚分布からRの範囲で特定して得ることができる。基本的には、軸方向の断面形状において、膜の薄い箇所に対応するシャワープレートの表面は凸状、膜の厚い箇所に対応するシャワープレートの表面は凹状になるように選択するが、膜厚分布中の全ての不均一箇所でシャワープレート表面を調整する必要はない。不均一の大きな箇所から順次シャワープレート表面の形状を調整していけばよく、ある実施態様では中心部と周辺部の２箇所で調整を行う。なお、ある実施態様では、膜の薄い箇所（凹）に対応する位置ではシャワープレートは凸状で、膜の厚い箇所（凸）に対応する位置ではシャワープレートは凹状になるため、その結果、膜厚分布の断面プロファイルとシャワープレートの断面プロファイルは正反対で類似性を持つことになる。
また、ある実施態様では、サセプタのウエハ支持部（凸状部）の中心からの距離とシャワープレートの凸状面の中心からの距離が一部重複する。
なお、L、Mは円、楕円、二次関数、三次関数、指数関数、またはその他の関数であり得る。L、Mはある態様においては異なる関数（一つにまとめられない関数、簡略化できない関数）であるが、他の態様では係数が異なるだけで同じであってもよい。当業者であれば上記の考え方に従い、重畳する関数を適宜設計することができる。
図４のサセプタと図７のシャワープレートを使った場合の温度分布を調べた。表３に、ある実施態様における本発明のシャワープレート・サセプタ・ヒーターエレメント位置でのウエハ温度分布を示す。チェンバーの温度設定は、第１電極が170℃、チェンバー壁が150℃、ヒーターが390℃である（表４）。ヒーターとサセプタはろう付けされており、反応チェンバー内の圧力は、窒素雰囲気533Paである。また、温度測定は、熱電対付きウエハで行った。熱電対の位置は、図１０に示したように中心に1点、φ145mmに4点、φ290mmに４点である。
実施例４：図４の実施態様によるサセプタと図７の実施態様によるシャワープレートによる膜厚分布
本実施例による膜厚分布プロファイルを図８及び図９に示す。成膜条件は、以下の通りである。
成膜条件
第１電極：170℃
チェンバー壁：150℃
ヒーター：390℃
原料ガス：DM-DMOS (ジメチル・ジメトキシシラン) 175sccm
架橋ガス：イソプロピルアルコール 320sccm
添加ガス：He 150sccm
第1高周波電源：27.12MHz 2.3W/cm2
ウエハ：300mm
本実施例による膜厚分布プロファイルを図８及び図９に示す。成膜条件は、以下の通りである。
成膜条件
第１電極：170℃
チェンバー壁：150℃
ヒーター：390℃
原料ガス：DM-DMOS (ジメチル・ジメトキシシラン) 175sccm
架橋ガス：イソプロピルアルコール 320sccm
添加ガス：He 150sccm
第1高周波電源：27.12MHz 2.3W/cm2
ウエハ：300mm
図８及び図９より、本実施態様によるシャワープレート・サセプタ・ヒーターエレメント位置を使うことで、良好な膜厚分布となったことがわかる。また、膜質の均一性も保たれていた。基本形状のシャワープレートを使った場合（図６）に比べ、関数を重畳して得たシャワープレートを使った本実施態様では、中心付近を凹状にしたため、基板上の膜厚は中心で厚くなり、外周付近で凸状にしたため、基板上の膜厚は外周付近で薄くなり、結果的に均一性が向上した。
以上、本発明は好適実施例により説明したが本発明はその叙述に限定されるものではなく、本発明に係るプラズマCVD成膜装置はある態様においては以下の手段からなる。
以上説明したように、本発明のある実施態様においては、ウエハ上に薄膜を形成するためのプラズマCVD成膜装置は、真空チェンバーと、該真空チェンバー内に設置されたシャワープレートと、該シャワープレートと実質的に平行に対向して設置された該ウエハを載置するサセプタと、から成り、該シャワープレートの該サセプタに対向する表面が、中心が凸となった形状を基本形状として、複数の関数を重畳した形状であり、さらに、該サセプタは、該ウエハを、周辺部および、中心と周辺の中間の位置で、該ウエハを保持することによって、ウエハ温度分布も膜厚・膜質分布も、良好にすることができる。
さらに該ウエハと該サセプタの接触面積を少なく抑えたため、該ウエハの裏面の傷およびパーティクルの増加を防止することができる。
本発明の思想から離れることなく、さまざまな修正が可能であることは当業者の知るところである。したがって、本発明の形式は例示に過ぎず、本発明の態様を限定するものではない。
Claims (26)
- ウエハ上に薄膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置であって、
反応チェンバーと、
前記反応チェンバーの内部に設置された、ウエハを載置するためのサセプタであって、同心状に形成された内側環状凸部及び外側環状凸部から成る凹凸面を有し、前記内側環状凸部はウエハの中心と周辺との間の位置でウエハを支持するように構成され、外側環状凸部はその周辺でウエハを支持するように構成されている、ところのサセプタと、
プラズマを生成するべく、前記反応チェンバーの内部で前記サセプタと実質的に平行に対向して設置された、ガスを放出するためのシャワープレートであって、前記シャワープレートの前記サセプタに対向する面は、半径Ｒの関数である凸式Ｌ及びその上に重畳された第２の式Ｍから構成された前記サセプタに対する凹凸面を有し、前記式Ｍは前記半径Ｒの関数でありかつ中心領域では凹式から成り、周辺領域では凸式から成り、前記中心領域に凹面が形成され、前記周辺領域に凸面が形成されている、ところのシャワープレートと、
から成る装置。 - 請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、前記シャワープレートの前記凹凸面は、前記式Ｍ中の前記凹式により定義される領域と前記凸式により定義される領域との間に形成される内側環状突出部と、前記式Ｍ中の前記凸式により形成されかつ定義される外側環状突出部を含む、ところの装置。
- 請求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、前記半径Ｒを使って定義されたサセプタの前記内側環状凸部及び前記外側環状凸部のそれぞれの位置は、前記半径Ｒを使って定義されたシャワープレートの前記内側環状突出部と前記外側環状突出部のそれぞれの位置と重複する、ところの装置。
- 請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、前記式ＭはＲの二次関数である、ところの装置。
- 請求項４に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、前記式Ｍは以下の式で表現され、
ここで、h、i及びjは係数である、ところの装置。 - 請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、前記式Ｌは以下の式で表現され、
ここで、e、f及びgは定数である、ところの装置。 - 請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、前記式Ｌは、中心でのシャワープレートの凸部の高さが０.５mmから３.５mmであるようなものである、ところの装置。
- 請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、前記サセプタの前記内側環状凸部は中心からの距離により定義される領域内に配置され、その領域はウエハの半径の４０％から６０％であり、前記サセプタの前記外側環状凸部は中心からの距離により定義される領域内に配置され、その領域はウエハの半径の９０％から１００％である、ところの装置。
- 請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、前記サセプタは中心からの距離により定義される領域内に埋設されたヒーターエレメントを含み、その領域はウエハの半径の２０％から６０％である、ところの装置。
- 請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、前記サセプタの前記内側環状凸部及び前記外側環状凸部はそれぞれ０.３mmから１.５mmの高さを有する、ところの装置。
- ウエハ上に薄膜を形成するための方法であって、
反応チェンバーの内部に設置された、ウエハを載置するためのサセプタであって、同心状に形成された内側環状凸部及び外側環状凸部から成る凹凸面を有し、前記内側環状凸部はウエハの中心と周辺との間の位置でウエハを支持するように構成され、外側環状凸部はその周辺でウエハを支持するように構成されている、ところのサセプタを与える工程と、
プラズマを生成するべく、前記反応チェンバーの内部で前記サセプタと実質的に平行に対向して設置された、ガスを放出するためのシャワープレートであって、前記シャワープレートの前記サセプタに対向する面は、半径Ｒの関数である凸式Ｌ及びその上に重畳された第２の式Ｍから構成された前記サセプタに対する凹凸面を有し、前記式Ｍは前記半径Ｒの関数でありかつ中心領域では凹式から成り、周辺領域では凸式から成り、前記中心領域に凹面が形成され、前記周辺領域に凸面が形成されている、ところのシャワープレートを与える工程と、
前記サセプタの温度を調節する工程と、
前記サセプタ上にウエハを配置する工程と、
前記シャワープレートを通じて前記反応チェンバーにガスを供給する工程と、
前記シャワープレートと前記サセプタとの間にＲＦ電力を印加する工程であって、それによりウエハ上に膜を堆積するところの工程と、
から成る方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、前記シャワープレートの前記凹凸面は、前記式Ｍ中の前記凹式により定義される領域と前記凸式により定義される領域との間に形成される内側環状突出部と、前記式Ｍ中の前記凸式により形成及び定義される外側環状突出部とを含む、ところの方法。
- 請求項１２に記載の方法であって、前記半径Ｒを使って定義された前記サセプタの前記内側環状凸部及び前記外側環状凸部のそれぞれの位置は、前記半径Ｒを使って定義された前記シャワープレートの前記内側環状突出部と前記外側環状突出部のそれぞれの位置と重複する、ところの方法。
- 請求項１１に記載の方法であって、前記式ＭはＲの二次関数である、ところの装置。
- 請求項１４に記載の方法であって、前記式Ｍは以下の式で表現され、
ここで、h、i及びjは係数である、ところの方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、前記式Ｌは以下の式で表現され、
ここで、e、f及びgは定数である、ところの方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、前記式Ｌは、中心でのシャワープレートの凸部の高さが０.５mmから３.５mmであるようなものである、ところの方法。
- 請求項１１に記載の方法であって、前記サセプタの前記内側環状凸部は中心からの距離により定義される領域内に配置され、その領域はウエハの半径の４０％から６０％であり、前記サセプタの前記外側環状凸部は中心からの距離により定義される領域内に配置され、その領域はウエハの半径の９０％から１００％である、ところの方法。
- 請求項１１に記載の方法であって、前記サセプタは中心からの距離により定義される領域内に埋設されたヒーターエレメントを含み、その領域はウエハの半径の２０％から６０％である、ところの方法。
- 請求項１１に記載の方法であって、前記サセプタの前記内側環状凸部及び前記外側環状凸部はそれぞれ０.３mmから１.５mmの高さを有する、ところの方法。
- プラズマＣＶＤ装置用のシャワープレートを設計する方法であって、
反応チェンバーの内部に設置された、ウエハを載置するためのサセプタであって、同心状に形成された内側環状凸部及び外側環状凸部から成る凹凸面を有し、前記内側環状凸部は前記ウエハの中心と周辺との間の位置で前記ウエハを支持するように構成され、前記外側環状凸部はその周辺で前記ウエハを支持するように構成されている、ところのサセプタを与える工程と、
プラズマを生成するべく、前記反応チェンバーの内部で前記サセプタと実質的に平行に対向して設置された、ガスを放出するためのシャワープレートであって、前記シャワープレートの前記サセプタに対向する面が、半径Ｒの関数である凸式Ｌにより構成される前記サセプタに対する凸面から成るシャワープレートを与える工程と、
前記凸式Ｌに重畳される、各々が前記半径Ｒの関数である凹式と凸式とを含む式Ｍを決定する工程であって、該式Ｍが、前記凸面から成るシャワープレートを使用して、前記ウエハ上に、断面で見て、内側の環状ピークと外側の環状ピークとを有する膜厚分布を有する膜が形成されたときに、前記内側の環状ピークの内側の領域に対応する半径Ｒの範囲では凹式から成り、前記外側の環状ピークの領域に対応する半径Ｒの範囲では凸式から成る、ところの工程と、
前記式Ｌ及びその上に重畳された前記式Ｍから構成される凹凸面を有するシャワープレートであって、前記内側の環状ピークの内側の領域に対応する前記半径Ｒの範囲に凹面が形成され、前記外側の環状ピークに対応する前記半径Ｒの範囲に凸面が形成される、ところのシャワープレートを与える工程と、
から成る方法。 - 請求項２１に記載の方法であって、前記シャワープレートの前記凹凸面は、前記式Ｍ中の前記凹式により定義される領域と前記凸式により定義される領域との間に形成される内側環状突出部と、前記式Ｍ中の前記凸式により形成及び定義される外側環状突出部とを含む、ところの方法。
- 請求項２１に記載の方法であって、前記式ＭはＲの二次関数である、ところの方法。
- 請求項２３に記載の方法であって、前記式Ｍは以下の式で表現され、
ここで、h、i及びjは係数である、ところの方法。 - 請求項２１に記載の方法であって、前記式Ｌは以下の式で表現され、
ここで、e、f及びgは定数である、ところの方法。 - 請求項２１に記載の方法であって、前記式Ｌは、中心でのシャワープレートの凸部の高さが０.５mmから３.５mmであるようなものである、ところの方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/202,492 US7418921B2 (en) | 2005-08-12 | 2005-08-12 | Plasma CVD apparatus for forming uniform film |
| US11/202492 | 2005-08-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007053359A JP2007053359A (ja) | 2007-03-01 |
| JP5004326B2 true JP5004326B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=37743073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006213605A Active JP5004326B2 (ja) | 2005-08-12 | 2006-08-04 | 均一な膜を形成するためのプラズマｃｖｄ装置及び方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7418921B2 (ja) |
| JP (1) | JP5004326B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5161450B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2013-03-13 | 財団法人高知県産業振興センター | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマ表面処理方法 |
| US20080226838A1 (en) * | 2007-03-12 | 2008-09-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Plasma CVD apparatus and film deposition method |
| US8435379B2 (en) * | 2007-05-08 | 2013-05-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods |
| JP5188781B2 (ja) * | 2007-11-13 | 2013-04-24 | 月島機械株式会社 | プラズマ処理装置及びプラスチック表面保護膜の形成方法 |
| JP5188782B2 (ja) * | 2007-11-13 | 2013-04-24 | 月島機械株式会社 | プラズマｃｖｄ装置及びプラスチック表面保護膜の形成方法 |
| JP4533925B2 (ja) | 2007-12-17 | 2010-09-01 | 財団法人高知県産業振興センター | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP4533926B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2010-09-01 | 財団法人高知県産業振興センター | 成膜装置及び成膜方法 |
| US8252114B2 (en) * | 2008-03-28 | 2012-08-28 | Tokyo Electron Limited | Gas distribution system and method for distributing process gas in a processing system |
| US8053036B2 (en) * | 2008-06-02 | 2011-11-08 | Asm Japan K.K. | Method for designing shower plate for plasma CVD apparatus |
| CN107109688A (zh) * | 2015-01-23 | 2017-08-29 | 应用材料公司 | 用于在晶片中消除沉积谷的新基座设计 |
| CN104835712A (zh) * | 2015-03-25 | 2015-08-12 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种应用于半导体等离子体处理装置的弧面喷淋头 |
| US10450655B2 (en) * | 2017-10-27 | 2019-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CVD apparatus with multi-zone thickness control |
| CN110416048B (zh) * | 2018-04-27 | 2022-07-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种反应腔室和半导体加工设备 |
| CN108520852B (zh) * | 2018-06-04 | 2023-06-27 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种等离子蚀刻的喷头异常监测系统及方法 |
| JP7209515B2 (ja) * | 2018-11-27 | 2023-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持機構および成膜装置 |
| WO2021120189A1 (zh) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 一种晶圆承载盘及化学气相淀积设备 |
| CN113808966B (zh) * | 2020-06-16 | 2023-10-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体设备的调试方法及半导体器件的制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6113702A (en) * | 1995-09-01 | 2000-09-05 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
| JP3160229B2 (ja) * | 1997-06-06 | 2001-04-25 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法 |
| JP3207147B2 (ja) | 1997-12-19 | 2001-09-10 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体処理用の基板保持装置 |
| JP3595853B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2004-12-02 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
| US6188564B1 (en) * | 1999-03-31 | 2001-02-13 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for compensating non-uniform wafer processing in plasma processing chamber |
-
2005
- 2005-08-12 US US11/202,492 patent/US7418921B2/en active Active
-
2006
- 2006-08-04 JP JP2006213605A patent/JP5004326B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007053359A (ja) | 2007-03-01 |
| US20070037390A1 (en) | 2007-02-15 |
| US7418921B2 (en) | 2008-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5004326B2 (ja) | 均一な膜を形成するためのプラズマｃｖｄ装置及び方法 | |
| JP7464642B2 (ja) | マルチゾーンガス分配システム及び方法 | |
| TWI673823B (zh) | 陶瓷加熱器和具有增強的晶片邊緣效能的esc | |
| JP6679591B2 (ja) | プロセス均一性を高めるための方法およびシステム | |
| US8074599B2 (en) | Plasma uniformity control by gas diffuser curvature | |
| KR100938635B1 (ko) | 반경 방향 플라즈마 분포에 대한 개선된 자기 제어를 위한플라즈마 제한 배플 및 유동비 이퀄라이저 | |
| US9976215B2 (en) | Semiconductor film formation apparatus and process | |
| US7691205B2 (en) | Substrate-supporting device | |
| KR100988704B1 (ko) | 다수의 ｖｈｆ 소스들에 전력을 할당함으로써 웨이퍼에 대한 플라즈마 프로세스 균일성을 증가시키는 방법 | |
| US20070065597A1 (en) | Plasma CVD film formation apparatus provided with mask | |
| US20080179011A1 (en) | Plasma reactor with wide process window employing plural vhf sources | |
| US20100162956A1 (en) | Substrate Processing Apparatus and Substrate Mount Table Used in the Apparatus | |
| US20090155488A1 (en) | Shower plate electrode for plasma cvd reactor | |
| TWI840341B (zh) | 用於基板支撐件的處理套組 | |
| EP1953797A2 (en) | A method of processing workpiece in a plasma reactor with variable height ground return path to control plasma ion density uniformity | |
| EP1953796A2 (en) | Plasma reactor with ion distribution uniformity controller employing plural VHF sources | |
| TWM462941U (zh) | 用於處理腔室之基板支座的處理套組環 | |
| TWI604526B (zh) | Plasma processing device and adjustment method for improving etching symmetry | |
| JP2010278166A (ja) | プラズマ処理用円環状部品、及びプラズマ処理装置 | |
| KR20180063345A (ko) | 반도체 제조의 웨이퍼 처리를 위한 고 생산성 pecvd 툴 | |
| EP1789605A2 (en) | Plasma uniformity control by gas diffuser curvature | |
| KR20180014656A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| TW202139786A (zh) | 用於在電漿處理裝置中的一邊緣環處操控功率的設備及方法 | |
| WO2019235282A1 (ja) | 基板処理装置およびシャワーヘッド | |
| JP2021118249A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080331 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090731 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091113 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120229 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120425 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120516 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120521 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150601 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5004326 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |