CN110416048B - 一种反应腔室和半导体加工设备 - Google Patents

一种反应腔室和半导体加工设备 Download PDF

Info

Publication number
CN110416048B
CN110416048B CN201810393017.6A CN201810393017A CN110416048B CN 110416048 B CN110416048 B CN 110416048B CN 201810393017 A CN201810393017 A CN 201810393017A CN 110416048 B CN110416048 B CN 110416048B
Authority
CN
China
Prior art keywords
flow
plate
reaction chamber
chamber
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810393017.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110416048A (zh
Inventor
肖德志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd filed Critical Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority to CN201810393017.6A priority Critical patent/CN110416048B/zh
Publication of CN110416048A publication Critical patent/CN110416048A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110416048B publication Critical patent/CN110416048B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种反应腔室及半导体加工设备，在反应腔室内设置有匀流板，匀流板将反应腔室分隔为匀流腔和位于该匀流腔下方的工艺腔，所述工艺腔中设有用于承载晶圆的基座，该匀流板为非平板结构，该非平板结构被设置为：使所述匀流腔的边缘区域中的气体经匀流板匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程大于所述匀流腔的中心区域中的气体经匀流板匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程。本发明在应用于半导体加工时，能够有效提升等离子体刻蚀或沉积的均匀性。

Description

一种反应腔室和半导体加工设备
技术领域
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种反应腔室和半导体加工设备。
背景技术
等离子体刻蚀或沉积为半导体制程中的关键一步，其工作原理为：在反应腔室内通入工艺气体，将工艺气体经电激励方式或光激励方式解离、激发、电离后形成等离子体，等离子体通过自由扩散的方式或场加速的方式到达晶圆材料表面进行刻蚀或沉积，在等离子体刻蚀或沉积过程中所产生的副产品同时经抽气口抽离该反应腔室。
等离子体刻蚀或沉积的均匀性取决于等离子体分布的均匀性，等离子体分布的均匀性受工艺气体扩散至反应腔室的过程及副产品抽离反应腔室的过程的影响。具体地，现有的反应腔室均采用平板型的匀流板对工艺气体进行匀流，反应腔室的边缘区域中的工艺气体经匀流板匀流后扩散至晶圆材料表面边缘区域的气体自由程与反应腔室的中心区域中的工艺气体经匀流板匀流后扩散至晶圆材料表面中心区域的气体自由程相当，但在副产品抽离反应腔室的过程中，由于晶圆材料设于基座上表面且抽气口设于基座正下方的反应腔室腔壁上，使得在副产品抽离反应腔室时基座对工艺气体气流形成阻挡，工艺气体沿基座边缘流动至抽气口，基座边缘区域的工艺气体抽速过大，同时导致晶圆材料表面边缘区域的工艺气体抽速过大，进而造成晶圆材料表面边缘区域的刻蚀速率与中心的刻蚀速率差距较大，大大影响了等离子体刻蚀或沉积的均匀性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室和半导体加工设备，在应用于半导体加工时，能够有效提升等离子体刻蚀或沉积的均匀性。
为实现上述目的，本发明提供了一种反应腔室，在所述反应腔室内设置有匀流板，所述匀流板将所述反应腔室分隔为匀流腔和位于该匀流腔下方的工艺腔，所述工艺腔中设有用于承载晶圆的基座，所述匀流板为非平板结构，且所述非平板结构被设置为：使所述匀流腔的边缘区域中的气体经匀流板匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程大于所述匀流腔的中心区域中的气体经匀流板匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程。
可选地，所述匀流板包括第一匀流板，所述第一匀流板为朝向所述工艺腔凸出的圆弧形板结构；所述第一匀流板中均匀分布有多个第一通孔。
可选地，在所述反应腔室的轴向截面上，所述第一匀流板的正投影形状为圆弧形，所述圆弧形的两端之间的直线距离为所述第一匀流板的弦长；并且，所述第一匀流板的弦长为晶圆直径的1-6倍。
可选地，所述第一匀流板的弦长为晶圆直径的2倍。
可选地，所述第一匀流板包括中心部分和边缘部分，所述中心部分和边缘部分分别对应所述匀流腔的中心区域和边缘区域；其中，
所述中心部分为朝向所述工艺腔凸出的圆弧形板结构，所述边缘部分为水平设置的平板结构。
可选地，所述第一匀流板包括中心部分和边缘部分，所述中心部分和边缘部分分别对应所述匀流腔的中心区域和边缘区域；其中，
所述中心部分为朝向所述工艺腔凸出的圆弧形板结构，所述边缘部分为朝向所述匀流腔凸出的圆弧形板结构。
可选地，所述匀流板还包括第二匀流板；所述第二匀流板设置在所述第一匀流板的上方；且所述第一匀流板与激励电源电连接，在所述第二匀流板中设置有均匀分布的多个第二通孔。
可选地，所述第二匀流板为电绝缘状态，所述第二匀流板与匀流腔接触的部分设置有绝缘材料，所述第一匀流板和第二匀流板之间的间距小于2mm。
可选地，所述工艺腔的腔壁上设有抽气口；且所述抽气口位于基座的正下方，所述基座的上表面承载有晶圆。
为实现上述目的，本发明还提供了一种半导体加工设备，包括上所述的反应腔室。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的反应腔室，在反应腔室内设置有非平板结构的匀流板，匀流板将反应腔室分隔为匀流腔和位于该匀流腔下方的工艺腔，工艺腔中设有用于承载晶圆的基座，该匀流板使得匀流腔的边缘区域中的气体经匀流板匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程大于所述匀流腔的中心区域中的气体经匀流板匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程。该反应腔室在应用于半导体加工时，能够有效提升等离子体刻蚀或沉积的均匀性。
本发明提供的半导体加工设备，其通过采用本发明提供的上述反应腔室，能够有效提升等离子体刻蚀或沉积的均匀性。
附图说明
图1是本发明实施例一提供的一种反应腔室的结构示意图；
图2是图1中第一匀流板的俯视结构示意图；
图3是图1中第一匀流板的弦长示意图；
图4是本发明实施例二提供的一种反应腔室的结构示意图；
图5是本发明实施例二提供的另一种反应腔室的结构示意图；
图6是本发明实施例三提供的一种反应腔室的结构示意图。
其中：
1、第一匀流板；2、匀流腔；3、工艺腔；4、进气口；5、线圈；6、第一匹配器；7、第一功率源；8、上表面；9、下表面；10、第二匹配源；11、第二功率源；12、抽气口；13、第二匀流板；14、绝缘材料；100、第一通孔；200、中心部分；300、边缘部分；400、第二通孔。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特点的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直线相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例一
图1是本发明实施例一提供的一种反应腔室的结构示意图，图2是图1中第一匀流板的俯视结构示意图。如图1、图2所示，在该反应腔室内设置有第一匀流板1，第一匀流板1将反应腔室分隔为匀流腔2和位于该匀流腔2下方的工艺腔3，工艺腔3中设有用于承载晶圆的基座。第一匀流板1为非平板结构，且非平板结构被设置为：使匀流腔2的边缘区域中的气体经第一匀流板1匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程大于匀流腔2的中心区域中的气体经第一匀流板1匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程。
具体地，第一匀流板1为朝向工艺腔3凸出的圆弧形板结构，第一匀流板1中均匀分布有多个第一通孔100。相较现有技术的平板型匀流板而言，由于本实施例中的第一匀流板1采用圆弧形板结构，该结构使得匀流腔2对应第一匀流板1的边缘部分300形成的边缘区域的体积小于匀流腔2对应第一匀流板1的中心部分200形成的中心区域的体积，进而导致匀流腔2的边缘区域中的气体经第一匀流板1匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程大于匀流腔2的中心区域中的气体经第一匀流板1匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程，当反应腔室的边缘区域的气体流速相较反应腔室的中心区域的气体流速过快时，在单位时间内扩散至晶圆表面边缘区域的气体流量与扩散至晶圆表面中心区域的气体流量趋同。本实施例中的第一匀流板1将匀流腔2中的气体输送至工艺腔3的同时，能够有效补偿反应腔室边缘区域气体流速过快的缺陷。
进一步地，图3是图1中第一匀流板的弦长示意图，如图3所示，在反应腔室的轴向截面上，第一匀流板1的正投影形状为圆弧形，圆弧形的两端之间的直线距离为第一匀流板1的弦长L。第一匀流板1的弦长L为晶圆直径的1-6倍。优选地，第一匀流板1的弦长L为晶圆直径的2倍。第一匀流板1的弦长L为晶圆直径的2倍时，晶圆表面中心区域和晶圆表面边缘区域的气体流速差异降低，进而提高了晶圆表面的气体分布均匀性。具体地，第一匀流板1的边缘部分300的弯曲起点取决于晶圆的边缘位置。
匀流腔2的腔壁上设有进气口4，进气口4与激励电源电连接。具体地，进气口4附近设有线圈5，线圈5用于通电后对匀流腔2中的气体进行电激励后形成等离子体。等离子体经第一匀流板1匀流后，从匀流腔2进入工艺腔3。线圈5与第一匹配器6相连，第一匹配器6与第一功率源7相连，第一功率源7用于提供电源至线圈5。第一匹配器6和第一功率源7设于匀流腔2和工艺腔3外。工艺腔3内设有基座，基座的上表面8用于承载晶圆以供进入工艺腔3的等离子体在到达基座表面时与晶圆反应。基座的下表面9与第二匹配源10相连，第二匹配源10与第二功率源11相连，第二功率源11用于提供电源至基座。第二匹配器10和第二功率源11设于匀流腔2和工艺腔3外。基座用于通电后作用于扩散至基座表面的等离子体以促进等离子体与晶圆的反应，具体地，基座的下表面9通电后作用于扩散至基座附近的等离子体，以促进等离子体与基座上表面8所承载的晶圆进行反应。本实施例中，等离子体在晶圆表面进行刻蚀和沉积。
进一步地，工艺腔3的腔壁上设有抽气口12，且抽气口12位于基座正下方，基座的上表面8承载有晶圆。抽气口12用于在工艺腔3中气体与晶圆反应的过程中抽气。当等离子体与晶圆反应时，会生成副产品，抽气口12主要用于将副产品抽离反应腔室。
该反应腔室的具体实施过程包括：
气体从进气口4进入匀流腔2，进气口4附近的线圈5经第一匹配器6、第一功率源7通电以对进入匀流腔2的气体进行电激励，气体经电激励后形成等离子体。等离子体经第一匀流板1匀流后由匀流腔2进入工艺腔3，并在工艺腔3中自由扩散至设于工艺腔3中的基座附近。基座的上表面9靠近匀流腔2，其上承载有晶圆，基座的下表面9远离匀流腔2，其经第二匹配源10、第二功率源11通电并为基座供电，通电的基座能够促进等离子与晶圆的反应。
在等离子体与晶圆反应的过程中，抽气口12进行抽气，由于抽气口12设于工艺腔3底部对应基座中心的位置，在抽气口12抽气的过程中会造成扩散至基座边缘的等离子体流速加快，进而导致等离子体在晶圆边缘的刻蚀速率较慢，晶圆表面的边缘区域等离子体刻蚀速率与晶圆表面的中心区域等离子体刻蚀速率的差距较大，由于本实施例中第一匀流板1被设计为朝向工艺腔3凸出的圆弧形板结构，该第一匀流板1通过压缩匀流腔2边缘区域的体积补偿了到达晶圆边缘的等离子体流速过快的缺陷，增加了等离子体在晶圆表面边缘区域的刻蚀时间，缩小了晶圆表面的边缘区域等离子体刻蚀速率与晶圆表面的中心区域等离子体刻蚀速率的差距，使得等离子体能够在晶圆表面进行均匀的刻蚀和沉积。
可以理解的是，本实施例中的反应腔室不局限于等离子体的刻蚀和沉积工艺，还可用于其他需要补偿匀流腔扩散至工艺腔时，反应腔室边缘区域气体流速过快或边缘区域气体数量过多的工艺。
本实施例提供的反应腔室，在反应腔室内设置有匀流板，匀流板将反应腔室分隔为匀流腔和位于该匀流腔下方的工艺腔，匀流板为朝向工艺腔凸出的圆弧形板结构，在匀流板中均匀分布有多个第一通孔，能够将匀流腔中的气体输送至工艺腔的同时，补偿反应腔室边缘区域的气体流速过快的缺陷。该反应腔室在应用于半导体加工时，能够有效提升等离子体刻蚀或沉积的均匀性。
实施例二
图4是本发明实施例二提供的一种反应腔室的结构示意图，如图4所示，本实施例与上述实施例一的不同之处在于：第一匀流板1包括中心部分200和边缘部分300，中心部分200和边缘部分300分别对应匀流腔2的中心区域和位于该中心区域周围的边缘区域。其中，中心部分200为朝向工艺腔3凸出的圆弧形板结构，边缘部分300为水平设置的平板结构。相较现有技术的平板型匀流板而言，该结构使得匀流腔2对应第一匀流板1的边缘部分300形成的边缘区域的体积小于匀流腔2对应第一匀流板1的中心部分200形成的中心区域的体积，进而导致匀流腔2的边缘区域中的气体经第一匀流板1匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程大于匀流腔2的中心区域中的气体经第一匀流板1匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程，当反应腔室的边缘区域的气体流速相较反应腔室的中心区域的气体流速过快时，在单位时间内扩散至晶圆表面边缘区域的气体流量与扩散至晶圆表面中心区域的气体流量趋同。
图5是本发明实施例二提供的另一种反应腔室的结构示意图，如图5所示，本实施例提供的反应腔室中第一匀流板1的边缘部分300也可以为朝向匀流腔2凸出的圆弧形板结构。
相较现有技术的平板型匀流板而言，该结构使得匀流腔2对应第一匀流板1的边缘部分300形成的边缘区域的体积小于匀流腔2对应第一匀流板1的中心部分200形成的中心区域的体积，进而导致匀流腔2的边缘区域中的气体经第一匀流板1匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程大于匀流腔2的中心区域中的气体经第一匀流板1匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程，当反应腔室的边缘区域的气体流速相较反应腔室的中心区域的气体流速过快时，在单位时间内扩散至晶圆表面边缘区域的气体流量与扩散至晶圆表面中心区域的气体流量趋同。
本实施例中的第一匀流板1的边缘部分300的弯曲起点取决于晶圆的边缘，第一匀流板1将匀流腔2中的气体输送至工艺腔3的同时，能够有效补偿反应腔室边缘区域气体流速过快的缺陷。
可以理解的是，本实施例反应腔室中的第一匀流板1的边缘部分300不局限于图4和图5中所示的结构，在工艺能够实现的情况下，边缘部分300结构的形状可以为任意形状，以能够实现本实施例中补偿反应腔室边缘气体流速过快的缺陷的技术效果为基准进行设置。反应腔室中的第一匀流板1的边缘部分300可以高于中心部分200进行设置，也可以低于中心部分200进行设置，或与中心部分200同一水平线进行设置。
本实施例提供的反应腔室，在反应腔室内设置有匀流板，匀流板将反应腔室分隔为匀流腔和位于该匀流腔下方的工艺腔，匀流板包括中心部分和边缘部分，中心部分和边缘部分分别对应匀流腔的中心区域和位于该中心区域周围的边缘区域，中心部分为朝向工艺腔凸出的圆弧形板结构，边缘部分为水平设置的平板结构或边缘部分为朝向匀流腔凸出的圆弧形板结构，在匀流板中均匀分布有多个第一通孔，能够将匀流腔中的气体输送至工艺腔的同时，补偿反应腔室边缘区域的气体流速过快的缺陷。该反应腔室在应用于半导体加工时，能够有效提升等离子体刻蚀或沉积的均匀性。
实施例三
图6是本发明实施例三提供的一种反应腔室的结构示意图，如图6所示，本实施例与实施例一的不同之处在于：还包括第二匀流板13，第二匀流板13设置在第一匀流板1的上方，且在第一匀流板1与激励电源电连接，在第二匀流板13中设置有均匀分布的多个第二通孔400。该反应腔室通过第一匀流板1和第二匀流板13共同进行匀流。可选地，第二匀流板13为多个。
具体地，第一匀流板1与第一匹配器6相连，第一匹配器6与第一功率源7相连，第一功率源7用于提供电源至第一匀流板1。第一匀流板1还用于通电后对匀流腔2中的气体进行电激励，气体经电激励后形成等离子体。第二匀流板13为电绝缘状态，第二匀流板12与匀流腔2接触的部分设置有绝缘材料14，绝缘材料14用于隔离第一匀流板1与匀流腔2侧壁的接触。第一匀流板1和第二匀流板13之间的间距小于2mm，以防止第一匀流板1与第二匀流板13之间发生放电反应。第一通孔100和第二通孔400均为圆形孔，优选地，第二匀流板13中第二通孔400的直径大于第一匀流板1中第一通孔100的直径，第二匀流板13中第二通孔400的密度小于第一匀流板1中第一通孔100的密度。由于本实施例中的第二匀流板13用于对气体进行一级匀流，故第二匀流板13的第二通孔400被设置为直径较大且密度较小，第一匀流板1用于通电后对一级匀流后的气体进行电激励及二级匀流，第一匀流板1通电后产生的射频会附着于第一匀流板1表面，故第一匀流板1的第一通孔100被设置为直径较小且密度较大，以使得该匀流板1能够实现射频多点馈入。
本实施例中的第一匀流板1可以采用实施例一或实施例二中提供的第一匀流板。
该反应腔室的具体实施过程包括：
气体从进气口4进入匀流腔2，首先经第二匀流板13进行一级匀流，第一匀流板1经第一匹配器6、第一功率源7通电后对一级匀流后的气体进行电激励，一级匀流后的气体到达第一匀流板1，经第一匀流板1电激励后形成等离子体，再经第一匀流板1进行二级匀流后由匀流腔2进入工艺腔3，并在工艺腔3中自由扩散或场加速至设于工艺腔3中的基座附近。
本实施例提供的反应腔室，在反应腔室内设置有第一匀流板，第一匀流板将反应腔室分隔为匀流腔和位于该匀流腔下方的工艺腔，在第一匀流板的上方还设有第二匀流板，第一匀流板还能够对气体进行电激励并将电激励后形成的等离子体输送至工艺腔，第一匀流板和第二匀流板均可以补偿反应腔室边缘区域的气体流速过快的缺陷。该反应腔室在应用于半导体加工时，能够有效提升等离子体刻蚀或沉积的均匀性。
实施例四
本实施例四提供了一种半导体加工设备，包括实施例一或实施例二或实施例三提供的反应腔室。该半导体加工设备能够有效提升等离子体刻蚀或沉积的均匀性。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种反应腔室，在所述反应腔室内设置有匀流板，所述匀流板将所述反应腔室分隔为匀流腔和位于该匀流腔下方的工艺腔，所述工艺腔中设有用于承载晶圆的基座，其特征在于，所述匀流板为非平板结构，且所述非平板结构被设置为：使所述匀流腔的边缘区域中的气体经匀流板匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程大于所述匀流腔的中心区域中的气体经匀流板匀流后扩散至晶圆表面的气体自由程；
所述匀流板为包括第一匀流板，所述第一匀流板为朝向所述工艺腔凸出的圆弧形板结构。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第一匀流板中均匀分布有多个第一通孔。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，在所述反应腔室的轴向截面上，所述第一匀流板的正投影形状为圆弧形，所述圆弧形的两端之间的直线距离为所述第一匀流板的弦长；并且，所述第一匀流板的弦长为晶圆直径的1-6倍。
4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述第一匀流板的弦长为晶圆直径的2倍。
5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第一匀流板包括中心部分和边缘部分，所述中心部分和边缘部分分别对应所述匀流腔的中心区域和边缘区域；其中，
所述中心部分为朝向所述工艺腔凸出的圆弧形板结构，所述边缘部分为水平设置的平板结构。
6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第一匀流板包括中心部分和边缘部分，所述中心部分和边缘部分分别对应所述匀流腔的中心区域和边缘区域；其中，
所述中心部分为朝向所述工艺腔凸出的圆弧形板结构，所述边缘部分为朝向所述匀流腔凸出的圆弧形板结构。
7.根据权利要求2-6任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述匀流板还包括第二匀流板；所述第二匀流板设置在所述第一匀流板的上方；且所述第一匀流板与激励电源电连接，在所述第二匀流板中设置有均匀分布的多个第二通孔。
8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述第二匀流板为电绝缘状态，所述第二匀流板与匀流腔接触的部分设置有绝缘材料，所述第一匀流板和第二匀流板之间的间距小于2mm。
9.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述工艺腔的腔壁上设有抽气口；且所述抽气口位于基座的正下方，所述基座的上表面承载有晶圆。
10.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的反应腔室。
CN201810393017.6A 2018-04-27 2018-04-27 一种反应腔室和半导体加工设备 Active CN110416048B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810393017.6A CN110416048B (zh) 2018-04-27 2018-04-27 一种反应腔室和半导体加工设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810393017.6A CN110416048B (zh) 2018-04-27 2018-04-27 一种反应腔室和半导体加工设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110416048A CN110416048A (zh) 2019-11-05
CN110416048B true CN110416048B (zh) 2022-07-19

Family

ID=68346839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810393017.6A Active CN110416048B (zh) 2018-04-27 2018-04-27 一种反应腔室和半导体加工设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110416048B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113467198B (zh) * 2020-03-31 2023-04-18 长鑫存储技术有限公司 半导体设备及半导体结构的制备方法
CN113451168A (zh) * 2020-04-14 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种干蚀刻气体控制系统
CN111640641B (zh) * 2020-06-01 2023-11-14 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室及半导体工艺设备
CN113488415B (zh) * 2021-07-06 2022-08-02 华海清科股份有限公司 晶圆后处理设备及其应用的具有匀流功能的通风系统
CN115346894B (zh) * 2022-08-01 2023-10-24 北京屹唐半导体科技股份有限公司 晶圆的热处理装置
CN116411343B (zh) * 2023-06-12 2023-12-29 江苏微导纳米科技股份有限公司 一种反应设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4297162A (en) * 1979-10-17 1981-10-27 Texas Instruments Incorporated Plasma etching using improved electrode
US8083853B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US7418921B2 (en) * 2005-08-12 2008-09-02 Asm Japan K.K. Plasma CVD apparatus for forming uniform film
CN202167465U (zh) * 2011-07-29 2012-03-14 五邑大学 促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构
CN105331952B (zh) * 2014-07-23 2019-04-23 北京北方华创微电子装备有限公司 进气装置以及半导体加工设备
CN104835712A (zh) * 2015-03-25 2015-08-12 沈阳拓荆科技有限公司 一种应用于半导体等离子体处理装置的弧面喷淋头

Also Published As

Publication number Publication date
CN110416048A (zh) 2019-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110416048B (zh) 一种反应腔室和半导体加工设备
US10622224B2 (en) Precleaning chamber and plasma processing apparatus
US20180240686A1 (en) Semiconductor Processing System Having Multiple Decoupled Plasma Sources
JP6386519B2 (ja) Ｃｖｄ装置、及び、ｃｖｄ膜の製造方法
US8758550B2 (en) Shower head and plasma processing apparatus having same
JP5054901B2 (ja) 超高速均一プラズマ処理装置
US7806078B2 (en) Plasma treatment apparatus
US20120289053A1 (en) Semiconductor Processing System Having Multiple Decoupled Plasma Sources
CN102376521B (zh) 等离子体处理装置和等离子体控制方法
TW200816278A (en) Shower plate, plasma processing device using the same, plasma processing method and manufacturing method of electronic apparatus
KR101220736B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR20090096334A (ko) 덮개부품, 처리 가스 확산 공급 장치 및 기판 처리 장치
US20130199729A1 (en) Processing gas diffusing and supplying unit and substrate procesisng apparatus
KR101947844B1 (ko) 다수의 디커플링된 플라즈마 소스들을 갖는 반도체 프로세싱 시스템
KR102146600B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20100277050A1 (en) Plasma processing apparatus
US20050022736A1 (en) Method for balancing return currents in plasma processing apparatus
CN106653549B (zh) 一种半导体加工设备
US20100263797A1 (en) Plasma processing apparatus
KR101775361B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR100720964B1 (ko) 급전 장치와 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
KR20110109216A (ko) 유도 결합형 플라즈마 소스형 샤워 헤드를 가지는 화학기상 증착 장치
CN111415855A (zh) 蚀刻设备
KR20070029356A (ko) 효율적인 라디칼 생성을 위한 플라즈마 발생장치
CN111430212B (zh) 一种蚀刻设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant