CN116411343B - 一种反应设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种反应设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法。其中反应设备包括反应室、第一盖板、进气组件和匀流板。其中反应室内形成反应腔，用于承载待反应物，反应室包括相对设置的第一端和第二端。第一盖板盖设于第一端。进气组件设置于第一盖板，进气组件与反应腔连通。匀流板设置于第一盖板和反应室之间。第一盖板与匀流板的排列方向和待反应物的垂直轴线相互垂直，匀流板朝向第一盖板一侧壁面呈隆起设置，第一盖板朝向匀流板一侧壁面呈凹陷设置。该结构的设置使得反应源在进入反应室的过程中扩散更加均匀，以使得待反应物上的反应源的分布更均匀，进而待反应物之间的膜厚均匀性更好。

Description

一种反应设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法

技术领域

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种反应设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法。

背景技术

在现有的外延工艺腔室中，通过向半导体工艺腔室中输送反应气体，并通过加热等方式使工艺气体发生化学反应，而通常待反应物上方的工艺气体的扩散不够均匀，导致待反应物上的膜厚均匀性较差，从而对反应结果造成影响。

发明内容

本申请提供一种反应设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法，以解决反应物上方工艺气体扩散不均匀的技术问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：一种反应设备，包括反应室，内部形成反应腔，用于承载待反应物，所述反应室包括相对设置的第一端和第二端；第一盖板，盖设于所述第一端；进气组件，设置于所述第一盖板，所述进气组件与所述反应腔连通；匀流板，设置于所述第一盖板和所述反应室之间；其中，所述第一盖板与所述匀流板的排列方向和所述待反应物的垂直轴线相互平行，所述匀流板朝向所述第一盖板一侧壁面呈隆起设置，所述第一盖板朝向所述匀流板一侧壁面呈凹陷设置。

根据本申请一实施方式，所述匀流板朝向所述第一盖板一侧为弧形面，且在第一方向上，所述匀流板与所述第一盖板之间的距离由中部至两端逐渐增大。

根据本申请一实施方式，所述第一盖板朝向所述匀流板一侧为弧形面，且在第二方向上，所述第一盖板与所述匀流板之间的距离由中部至两端逐渐减小，所述第二方向与所述第一方向相交。

根据本申请一实施方式，所述弧形面的圆心角大于0°，小于等于15°。

根据本申请一实施方式，所述第一盖板上间隔开设有至少两个进气口，所述进气组件包括：进气端盖，所述进气端盖对应设置有至少两个，所述进气端盖盖设于所述进气口；进气管道，所述进气管道设置有至少两组，每组所述进气管道包括连接管道和通气管道，其中，所述连接管道连通各个所述进气端盖，所述通气管道与所述连接管道连通。

根据本申请一实施方式，所述第一盖板上开设有两个所述进气口，两个所述进气口间隔设置，所述进气端盖对应设置有两个，所述进气管道设置有两组，每组所述进气管道包括一根所述连接管道和一根所述通气管道，所述连接管道连通两个所述进气端盖，所述通气管道连通至所述连接管道的中部。

根据本申请一实施方式，在两个所述进气口的间隔排布方向上，两个所述进气口分别位于所述第一盖板的1/3处。

根据本申请一实施方式，所述进气组件还包括导流块，所述导流块设置于所述进气端盖朝向所述进气口一侧，所述连接管道连通至所述进气端盖的连接端间隔设置于所述导流块外周。

根据本申请一实施方式，所述反应设备还包括间隔板，所述间隔板设置于所述匀流板和所述第一盖板之间，且所述间隔板上阵列设置有多个进气孔。

根据本申请一实施方式，所述间隔板对应所述进气口处设置有子间隔板，所述子间隔板上阵列设置有多个导流孔。

根据本申请一实施方式，所述反应设备还包括排气组件，所述排气组件设置于所述反应室，所述排气组件包括：第二盖板，盖设于所述反应室的所述第二端，所述第二盖板设置有排气口；排气筒，设置于所述第二盖板，所述排气筒与所述排气口连通。

根据本申请一实施方式，所述反应室在所述第二端具有相对设置的第一侧和第二侧，以及相对设置的第三侧和第四侧，所述第二盖板包括：两个半圆板，分别设置于所述第一侧和所述第二侧，两个所述半圆板相向倾斜设置；弧形板，连接所述第三侧和所述第四侧，且连接两个所述半圆板的外边缘，所述排气口设置于所述弧形板，所述弧形板和两个所述半圆板围拢形成内径逐渐减小的排气腔。

根据本申请一实施方式，所述反应设备包括温度传感器，所述温度传感器设置于所述反应室的顶部，用于对所述反应腔进行测温。

根据本申请一实施方式，所述反应设备还包括：子气体管道，设置于所述匀流板的侧壁，用于外接惰性气体；环形槽，设置于所述反应室的所述第一端的外周，所述环形槽与所述子气体管道连通，用于形成气密封。

根据本申请一实施方式，所述反应设备还包括固定螺柱，所述固定螺柱设置于所述反应室的两侧，且所述固定螺柱的高度不低于所述反应室高度的一半。

为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：一种半导体镀膜设备，所述半导体镀膜设备包括上述任一所述的反应设备。

为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：一种镀膜方法，所述镀膜方法采用上述任一所述的反应设备或上述所述的半导体镀膜设备，所述镀膜方法包括：将待反应物放置于反应室内；通过进气组件输入反应源，所述反应源依次经过第一盖板和匀流板后进入所述反应室内。

本申请的有益效果是：本申请通过在反应室上设置第一盖板、进气组件和匀流板，并且，匀流板朝向第一盖板一侧壁面呈隆起设置，第一盖板朝向匀流板一侧壁面呈凹陷设置。该结构的设置使得反应源在进入反应室内发生反应的过程中扩散能够更加均匀，以使得待反应物上的反应源的分布更均匀，进而待反应物之间的膜厚均匀性更好。并且设置独立的反应腔，也能够很好的解决待反应物之间气体流阻一致性的问题，以进一步提高膜厚的均匀性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：

图1是本申请的反应设备一实施例的整体结构示意图；

图2是本申请的反应设备一实施例的爆炸结构示意图；

图3是本申请的反应设备一实施例的匀流板朝向第一盖板的剖面结构示意图；

图4是本申请的反应设备一实施例的第一盖板朝向匀流板的剖面结构示意图；

图5是本申请的反应设备一实施例的进气组件设置于第一盖板上的结构示意图；

图6是本申请的反应设备一实施例的另一整体结构示意图；

图7是本申请的镀膜方法一实施例的流程示意图。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图，对本申请的具体实施方式做详细的说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

请参阅图1至图2，图1是本申请的反应设备一实施例的整体结构示意图；图2是本申请的反应设备一实施例的爆炸结构示意图。

本申请一实施例提供了一种反应设备10。反应设备10包括反应室11、第一盖板12、进气组件13和匀流板14。其中，反应室11内部形成反应腔111，用于承载待反应物。反应室11包括相对设置的第一端112和第二端113。第一盖板12盖设于第一端112。进气组件13设置于第一盖板12，进气组件13与反应腔111连通。匀流板14设置于第一盖板12和反应室11之间。并且，第一盖板12与匀流板14的排列方向和待反应物的垂直轴线相互垂直，匀流板14朝向第一盖板12一侧壁面呈隆起设置，第一盖板12朝向匀流板14一侧壁面呈凹陷设置。

由上述结构可知，反应室11的设置能够为待反应物提供独立的反应腔111，由于反应腔111体积的一致性以及反应腔111内空气密度的一致性较好，因此，能够更好地解决待反应物之间气体流阻一致性的问题，此时待反应物之间的气体流阻一致性好，反应源在反应腔111内发生反应后，也能够使得待反应物之间的膜厚更均匀。同时，由于第一盖板12与匀流板14的排列方向和待反应物的垂直轴线相互垂直，并且进气组件13的位置处的反应源浓度较高，因此通过将匀流板14朝向第一盖板12一侧壁面呈隆起设置，第一盖板12朝向匀流板14一侧壁面呈凹陷设置，反应源在靠近进气组件13的位置处扩散路径较长，进而能够很好地调节反应腔111内的整体反应源的浓度，以使得反应源在扩散至反应腔111内的过程中能够更加均匀，此时反应腔111内反应源的浓度分布更均匀。因此当待反应物在反应腔111内发生反应的过程中，待反应物与反应源之间的接触更均匀，进而使得待反应物之间的膜厚均匀性能够更好。

需要说明的是，可以仅将匀流板14朝向第一盖板12一侧壁面呈隆起设置，此时，反应源从进气组件13依次进入第一盖板12和匀流板14，在进入匀流板14后能够向外扩散，进而使得反应源在进入反应腔111内的过程中也能够扩散更均匀；当然也可以仅将第一盖板12朝向匀流板14一侧壁面呈凹陷设置，此时，反应源从进气组件13经过第一盖板12时能够向外扩散，以使得反应源进入反应腔111内时扩散更均匀；当然还可以同时将匀流板14朝向第一盖板12一侧壁面呈隆起设置，以及将第一盖板12朝向匀流板14一侧壁面呈凹陷设置，此时，反应源从进气组件13依次进入第一盖板12和匀流板14时，能够分别在经过第一盖板12和匀流板14时向四周扩散，整个反应腔111内的反应源分布更均匀，进而反应腔111内的反应源浓度分布更均匀，此处不做限制。

在一些实施例中，反应室11的第一端112处设置有间隔排布的格栅，当反应源经过进气组件13依次流经第一盖板12和匀流板14后，从第一端112进入反应腔111内，因此，反应室11的第一端112设置有间隔排布的格栅，能够使得反应源更加均匀地流入反应腔111内，反应源能够均匀扩散至反应腔111内。而当反应源在反应腔111内的扩散越均匀，反应源在反应腔111内的浓度分布更均匀，此时待反应物与反应源之间的接触则更均匀，进而能够使得待反应物之间的膜厚一致性更好。

请参阅图3至图4，图3是本申请的反应设备一实施例的匀流板朝向第一盖板的剖面结构示意图；图4是本申请的反应设备一实施例的第一盖板朝向匀流板的剖面结构示意图。

在本申请的实施例中，匀流板14朝向第一盖板12一侧为弧形面，且在第一方向200上，匀流板14与第一盖板12之间的距离由中部至两端逐渐增大。此时，匀流板14朝向第一盖板12一侧壁面呈隆起设置，反应源经过进气组件13依次进入第一盖板12和匀流板14，在经过匀流板14时，能够沿第一方向200向两边均匀扩散，反应腔111内的反应源在靠近进气组件13的位置处与远离进气组件13的位置处距离反应室11的距离能够保持一致，进而保证反应源在沿第一方向200上扩散至反应腔111内时可以更均匀，此时反应源在反应腔111内的浓度分布也更均匀，因此待反应物与反应源的之间的接触更均匀，进而能够使得待反应物之间的膜厚一致性更好。

进一步地，第一盖板12朝向匀流板14一侧为弧形面，且在第二方向300上，第一盖板12与匀流板14之间的距离由中部至两端逐渐减小，第二方向300与第一方向200相交。此时，第一盖板12朝向匀流板14一侧壁面呈凹陷设置，反应源经过进气组件13进入第一盖板12后沿第二方向300向两边均匀扩散，反应腔111内的反应源在靠近进气组件13的位置处与远离进气组件13的位置处距离反应室11的距离能够保持一致，进而保证反应源在沿第二方向300上扩散至反应腔111内时可以更均匀，此时反应源在反应腔111内的浓度分布也更均匀，因此待反应物与反应源之间的接触则更均匀，进而能够使得待反应物之间的膜厚一致性更好。

需要说明的是，第一方向200和第二方向300可以相互垂直。其中，当反应设备10处于正常使用状态时，第一方向200为水平方向，第二方向300为竖直方向。在其他实施例中，第一方向200可以为竖直方向，第二方向300可以为水平方向，此处不作限制。当然，第一方向200也可和第二方向300相交且不垂直，此时，反应源在经过进气组件13进入第一盖板12和匀流板14时，能够沿第一方向200和第二方向300向外扩散，使得反应源在反应腔111内的浓度分布更均匀。此时待反应物与反应源之间的接触则更均匀，进而能够使得待反应物之间的膜厚一致性更好，此处不再一一赘述。

进一步地，弧形面的圆心角为大于0°，小于等于15°。当弧形面的圆心角过大时，会导致靠近进气组件13位置处的反应源在进入反应腔111内的距离过长，因此在进入反应腔111内后靠近进气组件13位置处的反应源浓度会低于其他位置处的反应源的浓度，从而对反应腔111内的反应源的整体浓度有影响，并进一步影响待反应物的膜厚均匀性。而当弧形面的圆心角为0°时，此时弧形面为平面，无法对反应源的扩散起到辅助作用，更无法实现使得反应源扩散更均匀的作用。因此，当弧形面的圆心角大于0°，小于等于15°时，能够使得反应源扩散至反应腔111内发生反应的过程中，反应源扩散更均匀，进而使得反应腔111内的反应源浓度分布更均匀，以更好地保证反应腔111内的待反应物的膜厚均匀性。

需要说明的是，圆心角的度数可以是2°，圆心角的度数也可以是5°，圆心角的度数还可以是13°，此处不作限制。

请参阅图2和图5，图5是本申请的反应设备一实施例的进气组件设置于第一盖板上的结构示意图。

在一些实施例中，第一盖板12上间隔开设有至少两个进气口121。进气组件13包括进气端盖131和进气管道132。其中进气端盖131对应设置有至少两个，进气端盖131盖设于进气口121。进气管道132设置有至少两组，每组进气管道132包括连接管道1321和通气管道1322。其中，连接管道1321连通各个进气端盖131，通气管道1322与连接管道1321连通。通过设置进气端盖131和进气管道132，反应源可以通气管道1322进入连接管道1321，从而进入进气端盖131内，并由进气端盖131进入进气口121。

一组进气管道132用于引导一种反应源进入反应腔111。具体地，一种反应源通过对应组的通气管道1322进入连接管道1321，因连接管道1321连通各个进气端盖131，该反应源通过连接管道1321分散进入各个进气口121，并从进气口121进入反应腔111内，进而发生反应。反应源通过通气管道1322进入连接管道1321时，会在与连接管道1321的连接处一分为二、或一分为三、或一分为四，具体根据连接管道1321连通的进气口121的数量判断。

需要说明的是，进气口121的数量可以是两个，进气口121的数量可以是四个，进气口121的数量也可以是五个，此处不做限制。同样地，进气管道132的数量可以是两个，进气管道132的数量也可以是四个，进气管道132的数量也可以是五个，具体根据反应源的数量来决定，此处不做限制。

在本申请的实施例中，第一盖板12上开设有两个进气口121，两个进气口121间隔设置，进气端盖131对应设置有两个。进气管道132设置有两组，每组进气管道132包括一根连接管道1321和一根通气管道1322，连接管道1321连通两个进气端盖131，通气管道1322连通至连接管道1321的中部。此时，反应源从连接管道1321的中部一分为二，再从连接管道1321分别流入两个进气端盖131，并从两个进气端盖131进入进气口121后进入反应腔111内，进而反应源可均分流向两个进气口121，反应源在通过进气口121进入反应腔111后更够均匀的扩散开，使得反应源在反应腔111内的浓度分布更均匀，此时待反应物与反应源之间的接触则更均匀，进而能够使得待反应物之间的膜厚一致性更好。

具体地，当第一盖板12上开设有两个进气口121时，在两个进气口121的间隔排布方向上，两个进气口121可分别位于第一盖板12的1/3处，此时，进气口121在第一盖板12上分布均匀，反应源通过进气口121流入反应腔111内也能够更均匀。因此，在反应腔111内发生反应后，待反应物之间的膜厚也更均匀。

请继续参阅图2和图3，进一步地，进气组件13还包括导流块133。导流块133设置于进气端盖131朝向进气口121一侧。连接管道1321连通至进气端盖131的连接端间隔设置于导流块133外周。导流块133的设置，一方面能够对反应源进入进气口121时起到一定的缓冲作用，以避免反应源流速过快而造成其分布不均，进而影响反应腔111内的整体反应浓度；另一方面也能够对反应源的扩散起到一定的辅助作用，进而使得反应源在经过进气口121扩散至反应腔111内的过程中反应源浓度能够更均匀。因此，导流块133的设置，能够进一步提高待反应物的膜厚均匀性。

需要说明的是，导流块133可以是锥形设置，导流块133也可以是圆柱形设置，导流块133还可以是其他形状的设置，此处不做限制。

请继续参阅图2至图4，在本申请的实施例中，反应设备10还包括间隔板15。间隔板15设置于匀流板14和第一盖板12之间，且间隔板15上阵列设置有多个进气孔151。具体地，反应源从进气口121进入第一盖板12后，通过间隔板15上的多个进气孔151流入至匀流板14，并穿过匀流板14进入反应腔111内，因此，间隔板15的设置，一方面能够对反应源起到一定的扩散作用；另一方面，间隔板15上阵列设置多个进气孔151，能够使得反应源在透过间隔板15时扩散能够更均匀。

为了对进气口121处的反应源进行导流，在本申请的实施例中，间隔板15对应进气口121处设置有子间隔板152。子间隔板152上阵列设置有多个导流孔（图中未示出）。具体地，在反应源从进气口121处流入反应腔111内的过程中，反应源经过导流块133进行缓冲后再从导流块133的出气端流入子间隔板152的进气端，子间隔板152的设置能够使在导流块133处缓冲过后的反应源再次均匀地扩散开，以保证整个反应腔111内的反应源浓度的均匀性。而子间隔板152上设置多个导流孔，也能够很好的辅助反应源的扩散，进而使得反应源在扩散至反应腔111内的过程中能够更均匀，进而反应源在反应腔111内的浓度分布更均匀，此时待反应物与反应源之间的接触则更均匀，因此待反应物之间的膜厚一致性更好。

请参阅图6，图6是本申请的反应设备一实施例的另一整体结构示意图。在本申请的实施例中，反应设备10还包括排气组件16。排气组件16设置于反应室11，排气组件16包括第二盖板（图中未示出）和排气筒163。其中第二盖板盖设于反应室11的第二端113，第二盖板设置有排气口（图中未示出）。排气筒163设置于第二盖板，排气筒163与排气口连通。此时，反应腔111内反应过后的气体能够依次通过排气口和排气筒163排出，此时不会有反应过后的气体遗留在反应腔111内，亦不会对反应腔111内的待反应物之间的膜厚造成影响。

为了提高反应腔111内反应过后的气体排出的效率，本申请的实施例中，反应室11在第二端113具有相对设置的第一侧1131和第二侧1132，以及相对设置的第三侧1133和第四侧1134。第二盖板包括两个半圆板164和弧形板165。其中两个半圆板164分别设置于第一侧1131和第二侧1132，两个半圆板164相向倾斜设置。弧形板165连接第三侧1133和第四侧1134，且连接两个半圆板164的外边缘，排气口设置于弧形板165，弧形板165和两个半圆板164围拢形成内径逐渐减小的排气腔（图中未示出）。具体地，当反应腔111内反应后的气体在排出时，弧形板165和两个半圆板164能够对气体的排出起到一定的导流作用，反应腔111内向排气组件16排出的气体可以由四周向中部汇聚，并沿排气筒163排出，避免外周的气体与排气筒163距离较远影响其排出效率，一方面，整个排气的过程效率能够显著提升，以节省排气时间；另一方面，排气腔内实现横向和纵向无死角排气能够兼具反应腔111内的任意角落，进而也能够解决待反应物之间抽速均匀分布的问题。

需要说明的是，在其他实施例中，排气组件16也可以是内径朝向背离第二端113处逐渐减小的其他结构，当内径逐渐减小时，排气组件16的内壁倾斜，进而能够对排气组件16内的气体起到一定的导流作用，以促进排气腔内实现横向和纵向无死角排气。

请继续参阅图2，在其他实施例中，反应设备10还设置有温度传感器17，温度传感器17设置于反应室11的顶部，用于对反应腔111内进行测温，以更好地辅助生产人员对反应腔111内温度的把控。具体地，当反应腔111内的温度不够时，生产人员能够直接通过温度传感器17了解到反应腔111内的具体温度值，并对其进行适当调整，以使得反应腔111内的温度为适合反应源发生反应的最佳温度。当然，当反应腔111内的温度较高时，生产人员同样可以根据温度传感器17所传递的温度值对反应腔111内的温度进行适当调整，以使得反应腔111内的温度为最佳温度。此时由于反应腔111内的温度为反应源发生反应的最佳温度，反应腔111内的待反应物之间的膜厚也能够更均匀。

在本申请的实施例中，反应设备10还包括有承载座18，承载座18可升降盖设于反应室11的底部，承载座18用于放置待反应物。承载座18的设置，能够使得待反应物能够更加稳定的放置于反应腔111内，以减少反应腔111内的气体流阻的大小，进而使得待反应物之间的膜厚更均匀。需要说明的是，承载座18可以是圆形的，当承载座18是圆形时，通常无弯头或转角等结构，进而能够降低气体流阻的大小，使得待反应物之间膜厚更均匀。当然，承载座18也可以采用非圆形结构，此处不再一一赘述。

进一步地，反应设备10还包括子气体管道19和环形槽191，子气体管道19设置于匀流板14的侧壁，用于外接惰性气体。环形槽191设置于反应室11的第一端112的外周，环形槽191与子气体管道19连通，用于形成气密封。由于匀流板14与反应室11的第一端112相互贴合，因此匀流板14与反应室11的第一端112之间会存在一些微小的间隙，当反应物经过进气口121流入反应腔111内的过程中，设置子气体管道19并外接惰性气体，子气体管道19和环形槽191连通后，惰性气体在环形槽191内形成气密封，能够有效避免反应源从间隙中流出，进而保证反应源的浓度，以降低反应腔111内的气体流阻，提高待反应物之间的膜厚均匀性。

进一步地，反应设备还包括固定螺柱110，固定螺柱110设置于反应室11的两侧，且固定螺柱110的高度不低于反应室11的高度的一半。固定螺柱110的设置能够对反应室11起到一定固定作用，使得反应源在反应腔111内发生反应的过程中整个结构能够更加稳定。

在本申请的实施例中还提供了一种半导体镀膜设备。该半导体镀膜设备包括以上反应设备10。

请参阅图7，图7是本申请的镀膜方法一实施例的流程示意图。在本申请的实施例中提供了一种镀膜方法。该镀膜方法采用上述实施例中的反应设备10或者半导体镀膜设备。其中，镀膜方法包括：S1、将待反应物放置于反应室11内。S2、通过进气组件13输入反应源，反应源依次经过第一盖板12和匀流板14后进入反应室11内。

在整个镀膜的过程中，反应源能够均匀地扩散至反应室11内，进而使得反应室11内的反应源浓度分布更均匀，以保证待反应物的膜厚均匀性。

本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

需要注意的是，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或竖直，而是可以稍微倾斜；术语“平行”、“垂直”等属于也并不表示配件之间绝对平行或垂直，而是可以形成一定的角度偏差。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。此外，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是本申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (15)

1.一种反应设备，其特征在于，包括：

反应室，内部形成反应腔，用于承载待反应物，所述反应室包括相对设置的第一端和第二端；

第一盖板，盖设于所述第一端；

进气组件，设置于所述第一盖板，所述进气组件设置于所述第一盖板中部，所述进气组件与所述反应腔连通；

匀流板，设置于所述第一盖板和所述反应室之间；

其中，所述第一盖板与所述匀流板的排列方向和所述待反应物的垂直轴线相互垂直，所述匀流板朝向所述第一盖板一侧壁面呈隆起设置，所述第一盖板朝向所述匀流板一侧壁面呈凹陷设置；

所述匀流板朝向所述第一盖板一侧为弧形面，且在第一方向上，所述匀流板与所述第一盖板之间的距离由中部至两端逐渐增大；

所述第一盖板朝向所述匀流板一侧为弧形面，且在第二方向上，所述第一盖板与所述匀流板之间的距离由中部至两端逐渐减小，所述第二方向与所述第一方向相交。

2.根据权利要求1中所述的反应设备，其特征在于，所述弧形面的圆心角大于0°，小于等于15°。

3.根据权利要求1所述的反应设备，其特征在于，所述第一盖板上间隔开设有至少两个进气口，所述进气组件包括：

进气端盖，所述进气端盖对应设置有至少两个，所述进气端盖盖设于所述进气口；

进气管道，所述进气管道设置有至少两组，每组所述进气管道包括连接管道和通气管道，其中，所述连接管道连通各个所述进气端盖，所述通气管道与所述连接管道连通。

4.根据权利要求3所述的反应设备，其特征在于，所述第一盖板上开设有两个所述进气口，两个所述进气口间隔设置，所述进气端盖对应设置有两个，所述进气管道设置有两组，每组所述进气管道包括一根所述连接管道和一根所述通气管道，所述连接管道连通两个所述进气端盖，所述通气管道连通至所述连接管道的中部。

5.根据权利要求3所述的反应设备，其特征在于，在两个所述进气口的间隔排布方向上，两个所述进气口分别位于所述第一盖板的1/3处。

6.根据权利要求3所述的反应设备，其特征在于，所述进气组件还包括导流块，所述导流块设置于所述进气端盖朝向所述进气口一侧，所述连接管道连通至所述进气端盖的连接端间隔设置于所述导流块外周。

7.根据权利要求6所述的反应设备，其特征在于，所述反应设备还包括间隔板，所述间隔板设置于所述匀流板和所述第一盖板之间，且所述间隔板上阵列设置有多个进气孔。

8.根据权利要求7所述的反应设备，其特征在于，所述间隔板对应所述进气口处设置有子间隔板，所述子间隔板上阵列设置有多个导流孔。

9.根据权利要求1所述的反应设备，其特征在于，所述反应设备还包括排气组件，所述排气组件设置于所述反应室，所述排气组件包括：

第二盖板，盖设于所述反应室的所述第二端，所述第二盖板设置有排气口；

排气筒，设置于所述第二盖板，所述排气筒与所述排气口连通。

10.根据权利要求9所述的反应设备，其特征在于，所述反应室在所述第二端具有相对设置的第一侧和第二侧，以及相对设置的第三侧和第四侧，所述第二盖板包括：

两个半圆板，分别设置于所述第一侧和所述第二侧，两个所述半圆板相向倾斜设置；

弧形板，连接所述第三侧和所述第四侧，且连接两个所述半圆板的外边缘，所述排气口设置于所述弧形板，所述弧形板和两个所述半圆板围拢形成内径逐渐减小的排气腔。

11.根据权利要求1所述的反应设备，其特征在于，所述反应设备包括温度传感器，所述温度传感器设置于所述反应室的顶部，用于对所述反应腔进行测温。

12.根据权利要求1所述的反应设备，其特征在于，所述反应设备还包括：

子气体管道，设置于所述匀流板的侧壁，用于外接惰性气体；

环形槽，设置于所述反应室的所述第一端的外周，所述环形槽与所述子气体管道连通，用于形成气密封。

13.根据权利要求1所述的反应设备，其特征在于，所述反应设备还包括固定螺柱，所述固定螺柱设置于所述反应室的两侧，且所述固定螺柱的高度不低于所述反应室高度的一半。

14.一种半导体镀膜设备，其特征在于，所述半导体镀膜设备包括权利要求1-13任一所述的反应设备。

15.一种镀膜方法，其特征在于，所述镀膜方法采用权利要求1-13任一所述的反应设备或权利要求14所述的半导体镀膜设备，所述镀膜方法包括：

将待反应物放置于反应室内；

通过进气组件输入反应源，所述反应源依次经过第一盖板和匀流板后进入所述反应室内。