以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を、複数の形態について説明する。以下の説明においては、各形態に先行する形態ですでに説明している事項に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を略する場合がある。構成の一部のみを説明している場合、構成の他の部分は、先行して説明している形態と同様とする。
以下の説明は、発光素子アレイ11、画像形成装置15についての説明をも含む。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る発光素子アレイ11を、従来技術に係る発光素子アレイ11と比較した平面図である。図1に示すいずれの発光素子アレイ11においても、複数の発光部13は、解像度1200dpi(dots per inch)に対応して配置されている。図1では、本実施形態において配置される複数の発光素子10の平面図を上段に示し、従来技術において配置される複数の発光素子10の平面図を下段にしめす。第1実施形態に係る発光素子10は、電力が供給されて稼動することによって光を出射する。発光素子アレイ11は、基板12と、複数の発光部13とを含んで構成される。発光部13は、基板12上に列を成して設けられ、電力が供給されることによって発光する。また複数の発光部13の一部は、列方向一方に向かうにつれて、列方向の間隔が次第に狭くなる。
発光素子アレイ11は、発光部側電極14をさらに含んで構成される。発光部側電極14は、発光部13の、基板12とは反対側の表面に接続され、発光部13に電力を供給するための供給路を形成する。また発光部側電極14は、電極端部17を有し、電極端部17は、発光部13に接触して形成される。列方向の間隔が次第に狭くなる発光部13に対し、接触して形成される電極端部17は、各発光部13の列方向の中央部よりも列方向他方寄りに形成される。発光部13には、発光部側電極14と基板12との電位差、具体的には電極端部17と基板12との電位差が印加される。
電極端部17は、基板12と平行な方向に長く延びて形成される。電極端部17が長く延びて形成される方向を「長手方向」と称すると、長手方向は基板12の厚み方向および列方向に垂直に設定される。発光部側電極14は、基部16と電極端部17とを含み、基部16および電極端部17は、発光部13に電力が供給されるときの供給路を構成する。
発光素子アレイ11は、複数の発光素子10を備え、各発光素子10は、発光部13と、発光部側電極14と、基板12とを備える。ただし複数の発光素子10に含まれる基板12は、1つの発光素子アレイ11内の複数の発光素子10によって共有されるので、1つの発光素子アレイ11に1つ設けられる。発光素子アレイ11は、電子写真方式の画像形成装置15に含まれる光プリントヘッドに搭載され、感光体ドラムに向けて光を出射することによって、感光体ドラムの表面部を露光させる。発光素子アレイ11は、複数のレンズが並べられたレンズアレイと共に、光プリントヘッドを構成する。
本実施形態において基板12は、n型半導体から成り、1つの基板12上には、複数の発光部13が列を成して配置される。複数の発光部13は、基板12の厚み方向に垂直な基板12の2つの表面のうち、一方の表面に、並べて配置される。基板12の厚み方向のうち、発光部13が配置される向きを「厚み方向一方」と称し、厚み方向一方と逆の向きを「厚み方向他方」と称する。基板12の厚み方向他方には、裏面電極18が設けられる。裏面電極18は、基板12に接触して配置され、基板12に対して電気的に接続される。
発光部13は、複数種類の半導体が積層される半導体層19を含む。発光部13は、直方体の形状に形成され、各半導体層19は平板状の形状に形成される。各半導体層19は、その厚み方向を基板12の厚み方向に一致させて、厚み方向に積層される。本実施形態において、発光部13は第1n型半導体層21と、第1p型半導体層22と、第2n型半導体層23と、第2p型半導体層24と、オーミック接触層25とを含む。第1n型半導体層21は、n型半導体から成り、基板12に対して厚み方向一方から接触して配置される。第1p型半導体層22は、p型半導体から成り、第1n型半導体層21に厚み方向一方から接触して配置される。第2n型半導体層23は、n型半導体から成り、第1p型半導体層22に厚み方向一方から接触して配置される。第2p型半導体層24は、p型半導体から成り、第2n型半導体層23に厚み方向一方から接触して配置される。発光部側電極14は、発光部13よりも厚み方向一方から、発光部13に接続される。
第1実施形態において発光部13は、発光サイリスタであり、ダイナミック駆動方式で駆動され、発光する。陰極は、裏面電極18で共通端子とし、陽極は、m×n(mおよびnは、自然数)のマトリックス状に接続し、駆動信号を時分割で切換えて、各LEDを発光させる。発光サイリスタには、陽極および陰極に接続される端子以外に、ほとんど電流の流れることのないゲートに接続されるゲート用端子が設けられる。ゲートは、各発光サイリスタにそれぞれ設けられ、発光のための電流が流れる状態と流れない状態とを切換えるための電圧が印加される。これによって、それぞれの発光部13を個別に制御することができる。
オーミック接触層25は、発光部側電極14と半導体層19との間に介在し、発光部側電極14と半導体層19との間に生じる抵抗を、印加される電圧および発生する電流に関わらず一定に保つ。たとえば他の実施形態において、オーミック接触層25を配置することなく、発光部側電極14と半導体層19とを直接接触させて接続する構成とすることも可能である。しかし、発光部側電極14と半導体層19との接触界面に発生する抵抗は、発光部側電極14と半導体層19との間に印加される電圧および電流に依存して変化する場合がある。半導体層19に発生する電流の大きさは、発光部側電極14が発光部13に対して印加する電圧に対して比例関係にある方が、非線形関係にある場合よりも、発光部13に発生する電流を制御しやすい。オーミック接触層25を介在させることによって、発光部側電極14と半導体層19との間に生じる抵抗の値を一定に保ち、発光部側電極14からの電圧の印加によって、半導体層19に発生する電流の値を制御しやすくすることができる。
厚み方向に見て発光部13は、20μm×9μmの長方形である。9μmの辺は、列方向に一致し、20μmの辺は、電極端部17の長手方向に一致して配置される。発光素子アレイ11に含まれるいずれの発光部13についても、9μmの辺は、列方向に一致し、20μmの辺は、電極端部17の長手方向に一致する。発光素子10の厚み方向の寸法は、1μm〜6μmに設定され、列方向に並ぶいずれの発光部13も、同じ大きさに形成される。
発光部側電極14は、発光部13に対して厚み方向一方から接触して配置される。発光部側電極14は、基部16と電極端部17とを含み、基部16は、発光部13の長手方向一方に位置する端部に接触して配置される。電極端部17は、細長い平板状の形状に形成され、電極端部17の厚み方向は、基板12の厚み方向に一致して配置される。電極端部17の長手方向の寸法は、20μm以下であり、電極端部17の厚み方向他方の表面は、発光部13に接触し、電極端部17の長手方向一方は、基部16に連なる。基部16の列方向の寸法は、発光部13の列方向の寸法以下の長さに設定され、基部16と電極端部17とは、厚み方向に見てT字形状を成す。各電極端部17の列方向の寸法は、2μmに設定される。
発光部側電極14は発光部13に対して、発光部側電極14を陽極、裏面電極18を陰極として電圧の印加を行う。発光部13を流れる電流は、基部16および電極端部17と基板12との間に発生し、厚み方向に流れる。発光部13は、厚み方向に電流が流れることによって、厚み方向に光を出射する。発光部13の厚み方向他方は、基板12に接触しているので、実際には発光部13からの光は、厚み方向一方に向けて出射される。発光部側電極14は金属製で、光を遮断するので、発光部13からの光は、発光部13の厚み方向一方の表面部のうち、発光部側電極14に接触する部分を除く残余の表面部から出射される。
1つの発光素子アレイ11は、たとえば60個の発光素子10を含み、図1の下段に示す比較例においては、列方向に隣接する発光素子10の、列方向中心の位置同士の距離は、21.15μmに設定される。列方向中心の位置同士の距離とは、いわゆる芯−芯間の距離である。図2は、従来技術と同様の比較例において配置される発光部13の平面図である。図2(a)は、比較例において600dpiに対応して配置された発光部13の平面図であり、図2(b)は、同じく比較例において1200dpiに対応して配置された発光部13の平面図である。図3は、本発明の第1実施形態に係る発光素子アレイ11の断面図である。
比較例においては、列方向に隣接する発光部13の、列方向中心の位置同士の距離を42.3μmに設定することによって、600dpiの解像度に対応する。また比較例においては、列方向の発光部13の、列方向中心の位置同士の距離を21.15μmに設定することによって、1200dpiの解像度に対応する。600dpiでは、各発光部13の列方向の寸法は18μmに設定され、1200dpiでは、9μmに設定される。列方向一方の基板12の端面から、この端面に最も近い発光部13までの距離、すなわち前記基板12の端面に臨む面までの距離は、600dpiでは9.075μmに設定される。
解像度を600dpiから1200dpiに上昇させると、発光部13の列方向の寸法を半分にしても、列方向一方の基板12の端面から、この端面に最も近い発光部13までの距離は、3μmとなる。1200dpiにおける発光部13の位置を「従来位置」26と称し、1200dpiにおいて列方向に隣接する発光部13間の、列方向中心の位置同士の距離を、「定常距離」と称する。図1の下段に示す図および図2(b)では、各発光素子10は、従来位置26に配置され、発光部13間の芯−芯の距離は定常距離に設定される。これに対し第1実施形態では、図1の上段に示すように、列方向に隣接する発光部13間の距離は、列方向一方に向かうにつれて次第に小さくなる。列方向に隣接する発光部13間の芯−芯の距離が定常距離よりも短く設定される領域を「密集領域」27と称する。列方向に隣接する発光部13間の芯−芯の距離が定常距離に設定される領域は、「定常距離領域」28と称する。
密集領域27は、発光素子アレイ11の、最も列方向一方に位置する発光部13から、発光素子アレイ11の列方向中心位置までの範囲の中で設定される。第1実施形態においては、60個の発光部13が列方向に並ぶ発光素子アレイ11の中で、密集領域27を、最も列方向一方の5つの発光部13が位置する領域として定める。密集領域27の中に位置する各発光素子10は、従来位置26よりも列方向他方寄りの位置に配置される。各発光部13の位置と、各発光部13の従来位置26との差異は、列方向一方に向かうにつれて、大きく設定される。
たとえば、最も列方向一方から、発光部13を順に第1発光部、第2発光部と呼び、密集領域27を第1発光部から第4発光部までの範囲に設定すれば、第4発光部は、密集領域27の列方向他方の端に位置し、この発光部13は従来位置26に配置される。定常距離を21.15μmとし、第4発光部と第3発光部との芯−芯の距離を、20.15μmに設定すると、第3発光部の位置と従来位置26との差異は、1μmとなる。第3発光部と第2発光部との芯−芯の距離を、19.65μmに設定すると、第2発光部の位置と従来位置26との差異は、2.5μmとなる。第2発光部と第1発光部との芯−芯の距離を、18.65μmに設定すると、第1発光部の位置と従来位置26との差異は5μmとなる。
これによって、基板12の列方向一方の端面と、第1発光部の列方向一方の端面との距離は、8μmとなり、従来技術の解像度1200dpiのときよりも大きくなる。たとえば他の実施形態では、密集領域27を第1発光部と第6発光部との間の範囲に設定し、第6発光部と第5発光部との芯−芯の距離を定常距離よりも0.5μm減少させ、第5発光部と第4発光部との芯−芯の距離を定常距離よりも1μm減少させ、第4発光部と第3発光部との芯−芯の距離を定常距離よりも1.5μm減少させ、第3発光部と第2発光部との芯−芯の距離を定常距離よりも2μm減少させ、第2発光部と第1発光部との芯−芯の距離を定常距離よりも2.5μm減少させてもよい。
これによって、第1発光部の列方向の位置と従来位置26との距離は、7.5μmとなり、基板12の列方向一方の端面と、第1発光部の列方向一方の端面との距離は、10.5μmとなり、従来技術の解像度600dpiのときよりも大きくなる。このように、密集領域27を広く設定すれば広く設定するほど、列方向に隣接する発光部13間の間隔領域の長さと、この発光部13間の間隔領域に隣接する発光部13間の間隔領域の長さとの差異を小さく設定しても、基板12の列方向一方の端面と、第1発光部の列方向一方の端面との距離を、従来技術のときよりも大きく設定することができる。
本実施形態においてはさらに、複数の発光部13の他の一部は、列方向他方に向かうにつれて、列方向の間隔が次第に狭くなる。本実施形態では、密集領域27とは異なる、他の密集領域を、発光素子アレイ11の列方向中心位置よりも列方向他方に形成する。他の密集領域では、列方向に隣接する発光部13間の芯−芯の距離が定常距離よりも短く設定され、発光素子アレイ11の、最も列方向一方に位置する発光部13から、発光素子アレイ11の列方向中心位置までの範囲の中で設定される。発光素子アレイ11は、発光素子アレイ11の列方向中心を通り、列方向に垂直な仮想一平面に関して面対称に形成され、密集領域27と他の密集領域とも、この仮想一平面に関して面対称となる。
たとえば他の実施形態において、列方向に並ぶ複数の発光部13のうち、列方向一方の端から半数の発光部13が位置する範囲全てが密集領域27として設定され、かつ列方向に並ぶ複数の発光部13のうち、列方向他方の端から半数の発光部13が位置する範囲全てが密集領域27として設定される場合には、定常間隔領域が形成されない場合もあり得る。
しかし列方向に隣接する発光部13において、各発光部13の列方向中心の位置同士の間隔は、設定される解像度に対応するため、定常距離よりも甚だかけ離れて小さく設定されることは好ましくない。したがって、列方向に隣接する発光部13の芯−芯間の距離は、10.6μm以上に設定されることが好ましい。また列方向に隣接する発光部13において、各発光部13の列方向中心の位置同士の間隔が、列方向一方に向かうにつれて次第に小さくなる密集領域27は、列方向に並ぶ全発光素子10のうち列方向一方の半分を含む範囲として設定されてもよい。
定常距離領域28内に位置する発光素子10、および列方向一方の密集領域27と定常間隔領域との境界に位置する発光素子10において、電極端部17は発光素子10の列方向中央に配置される。密集領域27内に位置する発光素子10においては、電極端部17は、発光部13の列方向中央よりも列方向他方寄りに配置される。電極端部17の列方向中心と発光部13の列方向中心との、列方向の位置の差は、発光部13の位置と従来位置26との差に比例して設定される。本実施形態では、列方向一方の密集領域27では、列方向一方に向かうにつれて、発光部13の位置と従来位置26との差は大きく設定されるので、密集領域27内の発光素子10において、電極端部17の列方向中心と発光部13の列方向中心との、列方向の位置の差も、列方向一方に向かうにつれて大きくなる。
電極端部17の列方向中心と発光部13の列方向中心との、列方向の位置の差を「電極端部変位量」と称すると、電極端部変位量は、密集領域27内において、列方向一方に向かうにつれて次第に大きくなる。たとえば電極端部変位量は、第3発光部については1μmに設定され、第2発光部については2μmに設定され、第1発光部においては3μmに設定される。
図4は、本発明の第1実施形態に係る画像形成装置15の構成を表す側面図である。画像形成装置15は、発光素子アレイ11と、電子写真感光体と、現像供給手段と、転写手段と、定着手段とを備える。電子写真感光体には、発光素子アレイ11から出射される光が照射される。現像供給手段は、電子写真感光体に、現像剤を供給する。転写手段は、電子写真感光体に現像剤によって形成される画像を記録シートに転写する。定着手段は、記録シートに転写される現像剤を定着させる。
電子写真感光体は、円柱状の感光体ドラム90に含まれ、感光体ドラムの外側面の表面として形成される。電子写真感光体には、発光素子10から出射される光が照射される。転写手段は、画像を記録シートに転写する。記録シートに転写される画像は、電子写真感光体に、現像剤によって形成される。定着手段は、記録シートに転写される現像剤を定着させる。第1実施形態において、画像形成装置15は、電子写真方式の画像形成装置15であり、複数の発光素子アレイ11を備える光プリントヘッド85を、感光体ドラム90への露光装置に使用している。発光素子アレイ11は、回路基板86に実装され、レンズアレイ88とともに発光装置である光プリントヘッド85を構成する。
画像形成装置15は、Y(イエロ)、M(マゼンタ)、C(シアン)、K(ブラック)の4色のカラー画像を形成するタンデム方式を採用した装置であり、大略的に、4つの発光素子アレイ11Y、11M、11C、11Kがそれぞれ実装された回路基板86Y、86M、86C、86K、集光手段であるレンズアレイ88Y、88M、88C、88Kおよびレンズアレイ88を保持する第1ホルダ89Y、89M、89C、89K、4つの感光体ドラム90Y、90M、90C、90K、4つの現像剤供給手段91Y、91M、91C、91K、転写手段である転写ベルト92、4つのクリーナ93Y、93M、93C、93K、4つの帯電器94Y、94M、94C、94K、定着手段95および制御手段96を含んで構成される。
各回路基板86に実装されている各発光素子アレイ11は、駆動手段(図示せず)によって各色のカラー画像情報に基づいて駆動される。発光素子アレイ11からの光は、光プリントヘッド85Y、85M、85C、85Kのレンズアレイ88Y、88M、88C、88Kを介して各感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kに集光して照射される。レンズアレイ88は、たとえば発光素子アレイ11からの光の光軸上にそれぞれ配置される複数のレンズを含み、これらのレンズを一体的に集約して構成される。
発光素子アレイ11が実装される回路基板86およびレンズアレイ88は、第1ホルダ89によって保持される。第1ホルダ89によって、発光素子アレイ11の光照射方向と、レンズアレイ88のレンズの光軸方向とがほぼ一致するようにして位置合わせされる。
各感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kは、たとえば円筒状の基体表面に感光体層を被着してなり、その外周面には光プリントヘッド85Y、85M、85C、85Kの各発光素子アレイ11Y、11M、11C、11Kからの光を受けて静電潜像が形成される静電潜像形成位置が設定される。
各感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kの周辺部には、各静電潜像形成位置を基準として回転方向下流側に向かって順番に、露光された感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kに現像剤を供給する現像剤供給手段91Y、91M、91C、91K、転写ベルト92、クリーナ93Y、93M、93C、93Kおよび帯電器94Y、94M、94C、94Kがそれぞれ配置される。感光体ドラム90に現像剤によって形成された画像を記録シートに転写する転写ベルト92は、4つの感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kに対して共通に設けられる。
感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kは、第2ホルダ(図示せず)によって保持され、この第2ホルダと第1ホルダ89とは、相対的に固定される。
転写ベルト92によって、記録シートを搬送し、現像剤によって画像が形成された記録シートは、定着手段95に搬送される。定着手段95は、記録シートに転写された現像剤を定着させる。感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kは、回転駆動手段(図示せず)によって回転される。
制御手段96は、駆動手段(図示せず)にクロック信号および画像情報を与えるとともに、感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kを回転駆動する回転駆動手段、現像剤供給手段91Y、91M、91C、91K、転写ベルト92、帯電器94Y、94M、94C、94Kおよび定着手段95の各部を制御する。
第1実施形態によれば、発光素子アレイ11に含まれる複数の発光部13の一部は、列方向一方に向かうにつれて、列方向の間隔が次第に狭くなる。これによって、基板12の、列方向一方の端部と、最も列方向に位置する発光部13との列方向の間隔を、大きくすることができる。したがって、ダイシングによって基板12の切断を行ったときに、発光部13がチッピングすることを防止することができる。また、ダイシングによって、基板12に対し、列方向一方の端面から侵入した不純物が発光部13に及ぼす影響を小さくすることができる。したがって、発光素子アレイ11の製造に係る歩留まりを、高くすることができる。
仮に発光部13の列方向の間隔が一定である場合、解像度を小さくすると、基板12の列方向一方の端部と、最も列方向一方に位置する発光部13との列方向の間隔が小さくなるけれども、発光部13の列方向の間隔は次第に変化するので、解像度を小さくしても、基板12の列方向一方の端部と、最も列方向一方に位置する発光部13との列方向の間隔が小さくなることを抑制または防止することができる。
したがって、最も列方向一方に位置する発光部13への悪影響を防止することと、解像度を小さくすることとを両立することができる。また、発光部13間の列方向の間隔は、列方向の位置の変化に伴って次第に変化するので、列方向の位置の変化に伴って、発光素子アレイ11から出射される光の強度が急激に変化することを防止することができる。
また第1実施形態によれば、発光素子アレイ11は、発光部側電極14をさらに含んで構成され、発光部側電極14は、電極端部17を有する。電極端部17は、発光部13に接触して形成される。複数の電極端部17のうち、列方向の間隔が次第に狭くなる発光部13に対して接触して形成される電極端部17は、各発光部13の列方向の中央部よりも列方向他方寄りに形成される。
これによって、電極端部17が、各発光部13の列方向中央部に設けられる場合に比べて、発光部13の列方向一方寄りの部分から光を出射することができる。したがって、発光部13が列方向に均等な間隔をあけて配置される場合に比べて、発光部13が列方向他方に位置することによって、発光部13から出射される光が、列方向他方に偏ることを、抑制することができる。これによって、発光素子アレイ11の列方向一方の端部における光強度の分布を均一にすることができる。
また第1実施形態において、発光素子アレイ11に含まれる複数の発光部13の他の一部は、列方向他方に向かうにつれて、列方向の間隔が次第に狭くなる。具体的には、発光素子アレイ11の列方向の中心位置を通り列方向に垂直な平面に関して、発光素子アレイ11は、面対称に形成される。これによって、発光素子アレイ11は列方向他方の端部においても、列方向一方の端部と同様の効果を達成することができる。
また第1実施形態によれば、画像形成装置15は、発光素子アレイ11を備える。発光素子アレイ11において、基板12の、列方向一方および他方の端部と、最も列方向に位置する発光部13との列方向の間隔を、大きくすることができるので、ダイシングによって、基板12に対し、列方向一方および他方の端面から侵入した不純物が発光部13に及ぼす影響を小さくすることができる。したがって、最も列方向一方および他方に位置する発光部13からの光強度が小さくなることを防止することができる。これによって、発光素子アレイ11の列方向一方および他方の端部において画像の精度が低下する画像形成装置15の形成を抑制することができる。
また発光素子アレイ11の製造に係る歩留まりを、高くすることができるので、画像形成装置15に係る製造コストを低減することができる。また、解像度を小さくしても、最も列方向一方および他方に位置する発光部13に悪影響が生じることを防止できるので、最も列方向一方および他方に位置する発光部13からの光強度が小さくなることの抑制と、解像度の高い画像形成装置15の実現とを両立することができる。
また、列方向の位置の変化に伴って、発光素子アレイ11から出射される光の強度が急激に変化することを防止することができるので、画像形成に係る精度が、列方向の位置の変化によって急激に変化することを防止することができる。また列方向の間隔が次第に狭くなる発光部13に対して接触して形成される電極端部17は、各発光部13の列方向の中央部よりも列方向に偏って形成される。これによって、発光部13から出射される光が、列方向他方に偏ることは、抑制されるので、発光素子アレイ11の列方向一方および他方の端部における光強度の分布を均一にすることができる。
(第2実施形態)
図5は、本発明の第2実施形態に係る発光素子アレイ11を、従来技術に係る発光素子アレイ11と比較した平面図である。図5では、発光素子アレイ11が1200dpiの解像度に対応して配置されるときの発光素子アレイ11の平面図を示す。第2実施形態に係る発光素子アレイ11は、基板12と、複数の発光部13とを含んで構成される。発光部13は、基板12上に列を成して設けられ、電力が供給されることによって発光する。また複数の発光部13のうちの一部は、列方向一方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる。第2実施形態において、発光部側電極14は、電極端部17を有し、電極端部17は、発光部13に接触して形成される。
電極端部17は、基板12と平行な方向に長く延びて形成される。電極端部17の長手方向は、基板12の厚み方向および列方向に垂直に設定される。発光部側電極14は、基部16と電極端部17とを含み、基部16および電極端部17は、発光部13に電力が供給されるときの供給路を構成する。各電極端部17は、各発光部13の列方向の中央部に形成される。発光部13には、発光部側電極14と基板12との電位差、具体的には電極端部17と基板12との電位差が印加される。
図6は、本発明の第2実施形態に係る発光素子10の断面図である。第2実施形態において、発光部13はn型半導体層128と、p型半導体層129と、オーミック接触層25とを含む。n型半導体層128は、n型半導体から成り、基板12に対して厚み方向一方から接触して配置される。p型半導体層129は、p型半導体から成り、n型半導体層128に厚み方向一方から接触して配置される。オーミック接触層25は、p型半導体層129に対して厚み方向一方から接触して配置される。発光部側電極14は、発光部13よりも厚み方向一方から、発光部13に接続される。第2実施形態において、発光部13は、発光ダイオード(light emitting diode, 略称「LED」)である。
図5の下段に示すように、従来技術では、発光部13の列方向の寸法はいずれも同じ寸法に設定され、1200dpiの解像度に対応する場合には9μmに設定される。第2実施形態では、図5の上段に示すように、複数の発光部13のうちの一部は、列方向一方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる。複数の発光部13のうちの他の一部は、列方向の位置に関わらず同じ寸法に形成される。複数の発光部13のうち、列方向一方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる発光部13が位置する列方向の領域を「小形発光部領域」32と称する。発光部13の列方向の寸法が列方向の位置に関わらず同じ寸法に形成される領域を「定常寸法領域」33と称し、定常寸法領域33における各発光部13の列方向の寸法を「定常寸法」と称する。
本実施形態において、小形発光部領域32は、発光素子アレイ11の、最も列方向一方に位置する発光部13から、発光素子アレイ11の列方向中心位置までの範囲の中で設定される。第2実施形態においては、60個の発光部13が列方向に並ぶ発光素子アレイ11の中で、小形発光部領域32を、最も列方向一方の3つの発光部13が位置する領域として定める。小形発光部領域32に対し、列方向他方に隣接する位置には、定常寸法領域33が形成される。小形発光部領域32において、列方向に隣接する各発光素子10の芯−芯間の距離は、いずれも同じに設定され、1200dpiの解像度に対応する場合、21.15μmに設定される。
たとえば、最も列方向一方から、発光部13を順に第1発光部、第2発光部と呼び、小形発光部領域32を第1発光部から第5発光部までを含む範囲に設定すれば、第6発光部は、小形発光部領域32の列方向他方に隣接する定常寸法領域33に位置し、この発光部の列方向の寸法は、定常寸法に設定される。図5に示す本実施形態では、定常寸法は、9μmである。第5発光部の列方向の寸法は、たとえば8μmに設定され、第4発光部の列方向の寸法は、7μmに設定され、第3発光部の列方向の寸法は、6μmに設定され、第2発光部の列方向の寸法は5μmに設定され、第1発光部の列方向の寸法は4μmに設定される。
これによって、基板12の列方向一方の端面と、第1発光部の列方向一方の端面との距離は、5.5μmとなる。仮に発光素子アレイ11に含まれる複数の発光素子10が配置される領域を全て定常寸法領域33として発光素子10を配置すでば、基板12の列方向一方の端面と、第1発光部の列方向一方の端面との距離は、3μmとなるので、小形発光部領域32を形成することによって、基板12の列方向一方の端面と、第1発光部の列方向一方の端面との距離を、従来技術の場合よりも大きな距離とすることができる。
また第2実施形態において、複数の発光部13のうちの一部は、列方向一方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなり、複数の発光部13のうちの他の一部は、列方向他方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる。発光素子アレイ11の列方向の中心位置を通り列方向に垂直な平面に関して、発光素子アレイ11は、面対称に形成される。
第2実施形態において、列方向一方に向かうにつれて、列方向の寸法が次第に小さくなる発光素子10は、列方向に並ぶ発光素子10のうちの列方向一方の半分の発光素子10であってもよい。また列方向他方に向かうにつれて、列方向の寸法が次第に小さくなる発光素子10も同様に、列方向に並ぶ発光素子10のうちの列方向一方の半分の発光素子10であってもよい。
定常寸法領域33が形成される場合、列方向一方に向かうにつれて、列方向の寸法が次第に小さくなる発光素子10は、発光素子アレイ11のうち最も列方向一方に配置されることが好ましい。これによって、定常寸法領域33に含まれる発光素子10を、発光素子アレイ11の列方向の中央部に配置することができ、発光素子アレイ11の列方向の中央部において均一な発光を行うことが可能となる。
第2実施形態によれば、発光素子アレイ11に含まれる複数の発光部13のうちの一部は、列方向一方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる。これによって、基板12の、列方向一方の端部と、最も列方向に位置する発光部13との列方向の間隔を、大きくすることができる。したがって、ダイシングによって基板12の切断を行ったときに、発光部13がチッピングすることを防止することができる。また、ダイシングによって、基板12に対し、列方向一方の端面から侵入した不純物が発光部13に及ぼす影響を小さくすることができる。したがって、発光素子アレイ11の製造に係る歩留まりを、高くすることができる。
仮に発光部13の列方向の間隔が一定である場合、解像度を小さくすると、基板12の列方向一方の端部と、最も列方向一方に位置する発光部13との列方向の間隔が小さくなるけれども、発光部13の列方向の間隔は次第に変化するので、解像度を小さくしても、基板12の列方向一方の端部と、最も列方向一方に位置する発光部13との列方向の間隔が小さくなることを抑制または防止することができる。
したがって、最も列方向一方に位置する発光部13への悪影響を防止することと、解像度を小さくすることとを両立することができる。また、発光部13の列方向の寸法は、列方向の位置の変化に伴って次第に変化するので、列方向の位置の変化に伴って、発光素子アレイ11から出射される光の強度が急激に変化することを防止することができる。
また第2実施形態によれば、複数の発光部13のうちの他の一部は、列方向他方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる。具体的には、発光素子アレイ11の列方向の中心位置を通り列方向に垂直な平面に関して、発光素子アレイ11は、面対称に形成される。これによって、発光素子アレイ11は列方向他方の端部においても、列方向一方の端部と同様の効果を達成することができる。
また第2実施形態によれば、画像形成装置15は、発光素子アレイ11を含んで構成されるので、第1実施形態と同様に、最も列方向一方および他方に位置する発光部13からの光強度が小さくなることを防止することができ、発光素子アレイ11の列方向一方および他方の端部において画像の精度が低下する画像形成装置15の形成を抑制することができる。さらに、発光素子アレイから出射される最大の発光強度を増大させることができるので、画像形成装置の電子写真感光体に照射される単位時間当たりのエネルギー量を増大させることができる。したがって、画像形成の速度を高速化することができる。
また解像度を小さくしても、最も列方向一方および他方に位置する発光部13に悪影響が生じることを防止できるので、最も列方向一方および他方に位置する発光部13からの光強度が小さくなることの抑制と、解像度の高い画像形成装置15の実現とを両立することができる。また画像形成に係る精度が、列方向の位置の変化によって急激に変化することを防止することができる。
また第2実施形態によれば、発光部13の列方向の寸法は、4μm以上であるものとした。これによって、電極端部17の列方向の寸法を2μm以上に形成しても、発光部13からの発光を電極端部17が阻止することを防止することができるので、電極端部17の形成を容易にすることができる。
図7は、本発明の第3実施形態における発光素子アレイ11の平面図である。第3実施形態に係る発光素子アレイ11は、第2実施形態に係る発光素子アレイ11に類似しており、以下、第2実施形態に対する第3実施形態の相違点を中心に説明する。
第3実施形態において、発光部側電極14は、発光部13に対して厚み方向一方から接触して配置される。発光部側電極14は、基部16と離間部分34とを含み、基部16は、発光部13の長手方向一方に位置する端部に接触して配置される。離間部分34は、細長い平板状の形状に形成され、離間部分34の厚み方向は、基板12の厚み方向に一致して配置される。離間部分34の長手方向の寸法は、20μm以下であり、離間部分34の厚み方向他方の表面は、発光部13に接触している。離間部分34は、幅方向に離れて平行に2つ設けられ、離間部分34の長手方向一方は、基部16に連なる。基部16の幅方向の寸法は、幅方向に離れる離間部分34の間隔以上の長さに設定され、基部16と離間部分34とは、厚み方向に見てコの字形状を成す。
発光部側電極14は発光部13に対して、発光部側電極14を陽極、裏面電極18を陰極として電圧の印加を行う。発光部13を流れる電流束は、基部16および離間部分34と基板12との間に発生し、離間部分34が1つ形成される場合に比べて、電流束は分散する。厚み方向に垂直な発光部13の断面において、電流束の面積は、仮に離間部分34が1つ形成されるならば、局在化する。それに比べて本実施形態では離間部分34が2つ形成されるので、電流束の面積は広く形成される。発光部13は、厚み方向に電流が流れることによって、厚み方向に光を出射する。発光部13の厚み方向他方は、基板12に接触しているので、実際には発光部13からの光は、厚み方向一方に向けて出射される。発光部13からの光は、発光部13の厚み方向一方の表面部のうち、発光部側電極14に接触する部分を除く残余の表面部から出射される。
発光部13の9μmの辺の長さを、幅方向に4等分し、幅方向に垂直な仮想平面126を想定すると、仮想平面126は3つ設定される。3つの仮想平面126のうち中央の仮想平面を「中央仮想平面」127と称すると、発光部13および発光部側電極14は、中央仮想平面127に関して、面対称に形成される。2つの離間部分34は、3つの仮想平面126のうちの両側の仮想平面126の位置に配置され、各離間部分34を幅方向に二等分する平面が、3つの仮想平面126のうち両側の仮想平面126に一致する。
また第3実施形態において、複数の発光部13のうちの一部は、列方向一方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなり、複数の発光部13のうちの他の一部は、列方向他方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる。発光素子アレイ11の列方向の中心位置を通り列方向に垂直な平面に関して、発光素子アレイ11は、面対称に形成される。
また第3実施形態によれば、発光素子アレイ11は、発光部側電極14をさらに含んで構成され、発光部側電極14は、離間部分34を有する。離間部分34は、列方向の寸法が列方向一方に向かうにつれて次第に小さくなる複数の発光部13に接触して形成される。また離間部分34は、基板12とは反対側の発光部13の表面の、中央部を挟んで相互に離間して形成される。
これによって、発光部13に発生する電流束が、発光部13内において局在化することを抑制することができる。したがって、電流束が局在化する場合に比べて、発光部13に発生させる電流量を増大させることができる。また、発光部13が出射する光の強度が電流の増大に伴って飽和するときの、光強度を増大させることができる。これによって、発光部13の最大発光強度を増大させることができる。したがって、発光部側電極14が離間部分34を含まない場合に比べて、発光部13から出射される光の強度を大きくすることが可能となる。
これによって、発光部13の列方向の寸法が、列方向一方に向かうにつれて小さくなることによって、発光部13から出射される光の強度が、列方向一方に向かうにつれて小さくなることを防止することができる。したがって、発光素子アレイ11の列方向一方の端部における光強度の分布を、均一にすることが可能となる。
また列方向一方および他方に向かうにつれて小さくなることによって、発光部13から出射される光の強度が、列方向一方および他方に向かうにつれて小さくなることを防止することができるので、発光素子アレイ11の列方向一方および他方の端部における光強度の分布が、均一な画像形成装置15を実現することが可能となる。
以上説明したそれぞれの実施形態は、本発明に係る技術を具体化するために例示するものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。また、実施の各形態で具体的に説明している部分の組合せばかりではなく、特に組合せに支障が生じなければ、実施の形態同士を部分的に組合せることも可能である。さらに本発明に係る技術内容は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることが可能である。以下変形例を示す。
(変形例)
第1実施形態において、密集領域27は、発光素子アレイ11に含まれる最も列方向一方の発光素子10を含むものとしたが、本発明において密集領域27は、発光素子アレイ11の列方向の中心から列方向一方側に形成されていれば良い。たとえば発光素子アレイに含まれる複数の発光素子の中で、最も列方向一方には、いくつかの発光素子を含んで定常距離領域が形成され、この定常距離領域よりも列方向他方側に密集領域が形成され、この密集領域と発光素子アレイの列方向の中心位置との間に、定常距離領域が形成されていてもよい。また列方向他方における他の密集領域についても、同様の構成とすることが可能である。
第2実施形態において小形発光部領域32は、発光素子アレイ11に含まれる最も列方向一方の発光素子10を含むものとしたが、本発明において小形発光部領域32は、発光素子アレイ11の列方向の中心から列方向一方側に形成されていれば良い。たとえば発光素子アレイに含まれる複数の発光素子の中で、最も列方向一方には、いくつかの発光素子を含んで定常寸法領域が形成され、この定常寸法領域よりも列方向他方側に小形発光部領域が形成され、この小形発光部領域と発光素子アレイの列方向の中心位置との間に、定常寸法領域が形成されていてもよい。また列方向他方における他の密集領域についても、同様の構成とすることが可能である。
第1実施形態において発光部13の列方向の寸法は、いずれも同じであり、また第2実施形態の小形発光部領域32において、列方向に隣接する各発光素子10の芯−芯間の距離は、いずれも同じに設定されるものとしたが、第1実施形態と同様の密集領域が形成され、かつ密集領域において発光部の列方向の寸法が、第2実施形態と同様に列方向一方または他方に向かうにつれて小さくなる構成とすることも可能である。
第1および第2実施形態において、発光体は、エッチングを行って削る行程を経て作製したけれども、発光体は、イオン注入を行って、不純物を予め定める濃度とし、これによってPN接合を形成する方法によって作製することも可能である。