JP5000315B2 - 半導体製造装置用治具の製造方法及び半導体製造装置用治具 - Google Patents
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Description
このように、こうしたドライエッチングや、腐食性のフッ酸、硝酸等の液体を使用したウエットエッチングにおいては使用する各種治具自体も同時にエッチングされ、ここから微細な粉体を発生し、それがパーティクルとして半導体素子を汚染するという問題があった。
また、石英ガラスに耐食性元素を添加することにより、高純度、低コスト、良好な加工性、低発塵性といった石英ガラスの持つ優れた特性は保ちつつ、エッチングによる減肉現象を抑制しようとする試みが行われている。これは、石英ガラスの構成元素であるSiのハロゲン化物と比較して、ハロゲン化物の昇華温度あるいは沸点が著しく高い元素を、石英ガラス中に添加することによりエッチング速度の小さい石英ガラスを提供しようという試みである。
しかしながら、石英ガラスへの上述のごとき耐食性元素の添加は、エッチング速度を低下させ耐久性を向上させるという望ましい効果だけではなく、石英ガラスの構造を破壊し、逆に耐久性を低下させてしまうという望ましからざる効果をも同時に付与していることが明らかとなった。
これは、第二成分元素の導入により石英ガラスを構成するSiO2ネットワークが切断され、結合力の弱い非架橋酸素が導入されるためであると考えられる。
このような望ましからざる効果は、例えば、高エネルギーのイオン入射が相対的に多くなるエッチング条件においては特に顕著となり、元素を添加することにより、むしろ純粋な石英ガラスよりもエッチング速度が増大し、耐久性が悪化してしまうという深刻な問題があった。
DLC膜の大きな特徴としては他の硬質膜と比較した場合、微視的な表面平滑性を有するという点であると言えるが、膜厚が2μm未満のものでは基材の表面性状がそのまま維持され、DLC膜で被覆する石英ガラス面を表面粗さRa0.5μm以下とすれば、より光沢があり、平面性の高い表面性状が得られる。
DLC膜で被覆する石英ガラス基材面を表面粗さRa0.5μmを超える表面性状とした場合は、石英ガラス基材の表面を粗にすることでDLC膜の表面性状も粗となるが、基材と皮膜との密着性を高める上では効果がある。ただし粗面にした場合、基材表面を損傷したり被覆面が不均質になり強度を低下させたり、表面平滑性を損なう可能性が生じるため考慮する必要がある。
石英ガラス基材の表面を粗にする方法としては研削やサンドブラスト等による物理的処理法やフッ酸等の処理液による化学的処理法が採用できる。例えば、基材表面をサンドブラスト処理、またはパターニングを施した有機樹脂膜でマスキングし、薬液でエッチングを施すことにより谷状凹みを設け、その上にDLC膜をプラズマCVD法で作成するといった方法である。
DLC膜は、石英ガラスの表面形状に沿った形で均一に皮膜が形成されるので、石英ガラス表面の多少のうねりは構わないが、表面粗さで示される表面性状としての平滑面に修正しておくことが望ましい。DLC膜の石英ガラス表面への形成方法はスパッタ法が好ましい。
なお、石英ガラス基材を鏡面研磨した面上に、または、未研磨の粗面上に直接DLC膜を設けてもよいが、中間層としてSi化合物膜を設けてその上にDLC膜を形成してもよいし、更に中間層を複数層の皮膜としてもよい。
基材としてΦ125mm×0.5mm石英ガラスの表面を鏡面状に光学研磨したものと、#1000の砥粒でラッピング加工して表面粗さRa0.2μmに仕上げた二種類を作成した。二種類各2枚の内の1枚に幅2mmの十字状のマスキングを施した。
DLC膜が形成された石英ガラス基材を冷却後、真空チャンバから取り出し、二種類の石英ガラス基材の膜の状態をフッ酸溶液に対するエッチングレート評価試験、フッ酸浸漬前後での表面観察、高温耐久性試験、高温耐久性試験前後での表面観察、JISによる石英ガラス基材と皮膜との密着力評価試験、及び膜厚、膜表面粗さ評価を行った。
表2に、高温耐久性試験の結果を示す。
環境制御型電子顕微鏡で倍率10000倍として観察したがいずれも表面性状においては変化は認められなかった。
Claims (3)
- 石英ガラス基材の表面粗さをRa0.2μm〜Ra0.5μm以下に調整し、スパッタ法によって石英ガラス基材の表面にDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)膜を厚さ0.5μm以上2μm未満で成膜し、DLC膜の表面粗さが石英ガラス基材の表面粗さに倣った表面粗さとする半導体製造装置用治具の製造方法。
- 請求項1において、石英ガラス基材の表面粗さの調整をプラズマ溶射によっておこなうものである半導体製造装置用治具の製造方法。
- 請求項1または2のいずれかの製造方法によって製造され、そのDLC膜の表面粗さが、石英ガラス基材の表面粗さに倣った表面粗さである半導体製造装置用治具。
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