JP4998150B2 - 半導体集積回路のフロアプラン編集装置 - Google Patents
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Description
前記ネットリストは、座標領域に配置された複数の端子と、前記複数の端子のうちの第1端子と第2端子間に配置されたM個の経路(Mは1以上の整数)と、前記M個の経路の各々に配置されたN個の順序回路(Nは0以上の整数)と、前記M個の経路の各々に配置されたm個の論理ゲート素子(mは0以上の整数)と、を含んでいる。
前記M個の経路における順序回路数N、論理ゲート素子数mは各々異なる。
本発明の半導体集積回路のフロアプラン編集装置は、更に、端子間経路検索部と、ラッツネスト生成部と、ラッツネスト表示制御部と、を具備している。
前記端子間経路検索部は、前記M個の経路の中から、前記順序回路数Nが最も小さい経路を選択経路として検索する最短経路検索処理を実行する。
前記ラッツネスト生成部は、前記第1端子、前記第2端子及び前記選択経路を表すラッツネストと、前記選択経路に対する前記論理ゲート素子数m、及び、前記選択経路に対する前記順序回路数Nである最小順序回路数を表す文字列とを生成する。
前記ラッツネスト表示制御部は、前記ラッツネストと前記文字列とを対応付けて表示装置に表示する。
図1は、本発明の半導体集積回路のフロアプラン編集装置(以下、本発明のフロアプラン編集装置)の構成を示している。本発明のフロアプラン編集装置は、コンピュータであり、入力装置301と、データ処理装置302と、記憶装置303と、表示装置304と、を具備している。
図2は、本発明のフロアプラン編集装置の動作を示すフローチャートである。
本発明のフロアプラン編集装置の効果について説明する。
102 階層モジュール、
103 接続端子、
104 ハードマクロ、
105 接続端子、
301 入力装置、
302 データ処理装置、
3021 入力制御部、
3022 検索部、
30221 部分経路検索部、
30222 端子間経路検索部、
3023 ラッツネスト生成部、
3024 ラッツネスト表示制御部、
303 記憶装置、
3031 接続情報記憶部、
3032 部分接続情報記憶部、
3033 配置距離指標記憶部、
304 表示装置、
F01〜F03 順序回路(フリップフロップ又はラッチ回路)、
T01〜T03 端子、
Claims (8)
- 半導体集積回路をレイアウトするためのネットリストを入力する入力装置、
を具備し、
前記ネットリストは、
座標領域に配置された複数の端子と、
前記複数の端子のうちの第1端子と第2端子間に配置されたM個の経路(Mは1以上の整数)と、
前記M個の経路の各々に配置されたN個の順序回路(Nは0以上の整数)と、
前記M個の経路の各々に配置されたm個の論理ゲート素子(mは0以上の整数)と、
を含み、
前記M個の経路における順序回路数N、論理ゲート素子数mは各々異なり、
更に、
前記M個の経路の中から、前記順序回路数Nが最も小さい経路を選択経路として検索する最短経路検索処理を実行する端子間経路検索部と、
前記第1端子、前記第2端子及び前記選択経路を表すラッツネストと、前記選択経路に対する前記論理ゲート素子数m、及び、前記選択経路に対する前記順序回路数Nである最小順序回路数を表す文字列とを生成するラッツネスト生成部と、
前記ラッツネストと前記文字列とを対応付けて表示装置に表示するラッツネスト表示制御部と、
を具備する半導体集積回路のフロアプラン編集装置。 - 前記M個の経路の各々は、
前記第1端子と前記N個の順序回路のうちの1番目の順序回路(Nが1以上である場合)との間に前記m個の論理ゲート素子のうちのx個の論理ゲート素子(xはx<mを満たす整数)が配置されたX個の始点部分経路(Xは1以上の整数)と、
前記N個の順序回路のうちのJ番目の順序回路{Nが2以上である場合、Jは、1≦J≦(N−1)を満たす整数}と(J+1)番目の順序回路との間に前記m個の論理ゲート素子のうちのy個の論理ゲート素子(yはy<mを満たす整数)が配置されたY個の中間部分経路(Yは1以上の整数)と、
前記N個の順序回路のうちのN番目の順序回路(Nが1以上である場合)と前記第2端子との間に前記m個の論理ゲート素子のうちのz個の論理ゲート素子(zはz<mを満たす整数)が配置されたZ個の終点部分経路(Zは1以上の整数)と、
を含み、
前記M個の経路における部分論理ゲート素子数x、y、zは各々異なり、
更に、
前記M個の経路の各々に対して、前記X個の始点部分経路、前記Y個の中間部分経路、前記Z個の終点部分経路の中から、それぞれ、前記部分論理ゲート素子数x、y、zが最も大きい部分経路を選択始点経路、選択中間経路、選択終点経路として検索する最長経路検索処理を実行する部分経路検索部、
を具備し、
前記ラッツネスト生成部は、
前記第1端子、前記第2端子及び前記選択経路を表すラッツネストと、前記選択経路の前記選択始点経路、前記選択中間経路、前記選択終点経路のそれぞれに対する部分論理ゲート素子数x、y、zの合計値である前記論理ゲート素子数m、及び、前記選択経路に対する前記順序回路数Nである前記最小順序回路数を表す文字列とを生成する
請求項1に記載の半導体集積回路のフロアプラン編集装置。 - 更に、
前記入力装置により入力された前記ネットリストが格納される接続情報記憶部と、
部分接続情報記憶部と、
を具備し、
前記部分経路検索部は、
前記接続情報記憶部を参照して、前記M個の経路の各々に対して、前記最長経路検索処理を実行し、
前記M個の経路の各々の前記選択始点経路、前記選択中間経路、前記選択終点経路と、それに対応する論理ゲート素子数x、y、zとを前記部分接続情報記憶部に格納し、
前記端子間経路検索部は、
前記部分接続情報記憶部を参照して、前記最短経路検索処理を実行する
請求項2に記載の半導体集積回路のフロアプラン編集装置。 - 更に、
配置距離指標記憶部、
を具備し、
前記端子間経路検索部は、
前記最短経路検索処理を実行した後、前記選択経路と、前記選択経路に対する前記論理ゲート素子数mと、前記選択経路に対する前記最小順序回路数とを前記配置距離指標記憶部に格納し、
前記ラッツネスト生成部は、
前記接続情報記憶部と前記配置距離指標記憶部とを参照して、前記ラッツネストと前記文字列とを生成する
請求項3に記載の半導体集積回路のフロアプラン編集装置。 - 前記入力装置は、前記第2端子に対するラッツネスト表示要求を入力し、
前記ラッツネスト生成部は、前記ラッツネスト表示要求に応じて、前記ラッツネストと前記文字列とを生成する
請求項1〜4のいずれかに記載の半導体集積回路のフロアプラン編集装置。 - 前記半導体集積回路は、
チップに設けられ、接続端子を有する階層モジュールと、
前記チップ又は前記階層モジュールに設けられ、接続端子を有するハードマクロと、
を具備し、
前記複数の端子の各々は、前記階層モジュールの接続端子、前記ハードマクロの接続端子のいずれかを表している
請求項1〜5のいずれかに記載の半導体集積回路のフロアプラン編集装置。 - 前記N個の順序回路は、フリップフロップである
請求項1〜6のいずれかに記載の半導体集積回路のフロアプラン編集装置。 - 前記N個の順序回路は、ラッチ回路である
請求項1〜6のいずれかに記載の半導体集積回路のフロアプラン編集装置。
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