JP4996840B2 - 半導体デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Description
詳しくは、半導体基板の表面に不純物拡散領域を選択的に形成した半導体デバイス及びその製造方法に関する。
更に、その他の例として、先ず半導体基板を酸化雰囲気中で加熱して表面に酸化膜を形成し、次に電極形成予定位置以外をレジストで覆い、薬液で処理することによって酸化膜の電極形成予定位置に窓を開け、この窓を用いて不純物を拡散することにより不純物拡散領域を選択的に形成し、その後、表面側の酸化膜のみを除去して表面電極を形成する方法もある(例えば、特許文献1参照)。
また、選択的に濃度が異なる不純物拡散領域を形成する場合には、先ず半導体基板を不純物ガスを含む酸性ガス中で一回目の熱処理を行うことにより、半導体基板の表面に不純物元素を含む酸化膜が形成されると同時に、この酸化膜からの不純物拡散で低濃度の不純物拡散領域(第一の不純物拡散領域)が形成され、次に不純物元素を含む酸化膜の上から不純物拡散剤を電極形成予定位置に塗布した後、二回目の熱処理を行うことにより、高濃度の不純物拡散領域(第二の不純物拡散領域)が上記低濃度の不純物拡散領域とは異なる深さに形成されると同時に、上記半導体基板表面の不純物元素を含む酸化膜が不純物のバリア層となって不純物が半導体基板の内部に拡散することを抑制させ、最後に、薬液処理により酸化膜とその上に余剰に残った不純物拡散剤を除去してから、上記高濃度の第二不純物拡散領域に表面電極を形成した太陽電子素子の製造方法がある(例えば、特許文献1参照)。
更に、酸化膜を形成するための高温プロセスが増えるため、半導体基板に与えるダメージが増大して半導体基板の割れが発生し易くなったり、半導体デバイスの出力特性の低下を招くといった問題があった。
また、選択的に濃度が異なる不純物拡散領域を形成する場合には、低濃度の不純物拡散領域の形成と高濃度の不純物拡散領域の形成に二回の熱処理が必要になるため、その分だけ作業に手間がかかって製造コストの高騰を招くという問題があった。
請求項2、4記載の発明は、請求項1、3に記載の発明の目的に加えて、一回の熱処理で濃度が異なる複数の不純物拡散領域を所望の深さに夫々同時形成することを目的としたものである。
請求項5記載の発明は、請求項3または4に記載の発明の目的に加えて、均一形状の加工歪を簡単で確実に作ることを目的としたものである。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明の構成に、半導体デバイスが太陽電池素子であり、その平坦な受光面の電極設置予定位置に前記加工歪を形成し、前記加工歪を含む前記受光面の略全体にアルミニウムとボロンからなるドーパントを塗布し、前記ドーパントを酸化雰囲気で熱処理することによって前記加工歪及びその周辺に部分的に形成された高濃度で深さの深い不純物拡散領域を前記受光面に有すると共に、該高濃度で深い前記不純物拡散領域を除く前記受光面の略全体に形成された低濃度で深さの浅い不純物拡散領域を前記受光面に有する構成を加えたことを特徴とする。
また請求項3記載の発明は、半導体基板の表面に不純物拡散領域を選択的に形成する半導体デバイスの製造方法であって、前記半導体基板の平坦な前記表面の所定位置に加工歪を部分的に形成する工程と、前記加工歪を含む前記表面の略全体にアルミニウムからなるドーパントを塗布する工程と、前記ドーパントを酸化雰囲気で熱処理することにより、前記加工歪を除く前記表面では、前記ドーパントのアルミニウムが酸化して外部へ出され、前記加工歪及びその周辺の表面では、前記ドーパントのアルミニウムが熱拡散して前記不純物拡散領域を部分的に形成する工程からなることを特徴とすることを特徴とする。
請求項4記載の発明は、請求項3記載の発明の構成に、半導体デバイスが太陽電池素子であり、その平坦な受光面の電極設置予定位置に前記加工歪を形成する工程と、前記加工歪を含む前記受光面の略全体にアルミニウムとボロンからなるドーパントを塗布する工程と、前記ドーパントを酸化雰囲気で熱処理して前記加工歪及びその周辺に高濃度で深さの深い前記不純物拡散領域を選択的に形成すると共に、該高濃度で深い前記不純物拡散領域を除く前記受光面の略全体に低濃度で深さの浅い不純物拡散領域を形成する工程からなる構成を加えたことを特徴とする。
請求項5記載の発明は、請求項3または4記載の発明の構成に、前記加工歪の形成手段としてサンドブラストにより細かい傷を作った構成を加えたことを特徴とする。
従って、半導体基板の表面に対してレジスト又はマスク材や拡散バリア材などを使用せずに、一回の熱処理のみで選択的に不純物拡散領域を部分形成することができる。
その結果、酸化膜の形成や不純物拡散のために熱処理が必要になると共にレジストを用いる従来のものに比べ、工程数を減らして短時間に半導体デバイスを簡単に製造できると共に、それにより製造コストを大幅に低減できる。
更に、レジスト以外にマスク材や拡散バリア材などを使用する必要もないから、更なるコストの低減化も図れる。
また、酸化膜を形成するための高温プロセスが減るため、半導体基板に与えるダメージが減少して半導体基板の割れが発生し難くなったり、半導体デバイスの出力特性の低下を防止できる。
従って、一回の熱処理で濃度が異なる複数の不純物拡散領域を所望の深さに夫々同時形成することができる。
その結果、低濃度の不純物拡散領域の形成と高濃度の不純物拡散領域の形成に二回の熱処理が必要になる従来のものに比べ、工程数を減らして短時間に高効率の太陽電池素子を簡単に製造できると共に、それにより製造コストを大幅に低減できる。
また、電極設置予定位置に表面電極を形成した場合には、表面電極との接触抵抗が減り、電力の損失が減少すると共に表面電極の形成時におけるリーク不良が低減し、更にそれ以外の受光面略全体に形成された不純物拡散領域の深さを浅く保つことにより、進入深さが浅い短波長光が電力に変換される。
その結果、変換効率が高くしかも電極形成工程でリーク不良が発生し難い太陽電池セルを安価に製造することができる。
従って、均一形状の加工歪を簡単で確実に作ることができる。
その結果、高品質な半導体デバイスを低コストで製作できる。
以下、本発明の各実施例を図面に基づいて説明する。
この加工歪1bの形成手段としては、例えばサンドブラストで砥粒材を吹き付けるか、グラインダーで直接研削するか、その他の方法により表面1aを部分的に粗面にする。
その他の例として図示せぬが、表面1aの複数箇所に適宜間隔をあけて加工歪1bが形成されるようにすることも可能である。
先ず、図1(a)に示す如く、半導体基板1の平坦な表面1aの所定位置に、加工歪1bを形成する。
図示例の場合には、上記加工歪1bを受光面1aの一箇所だけ形成しているが、実施例1と同様に図示せぬが、受光面1aの複数箇所に適宜間隔をあけて加工歪1bが形成されるようにすることも可能である。
従って、変換効率が高くしかも電極形成工程でリーク不良が発生し難い太陽電池素子Aを安価に製造できる。
この場合にも、上述した実施例1、2と同様な作用効果が得られる。
1a 平坦な表面、受光面 1b 加工歪
2 ドーパント 3 不純物拡散領域、高濃度の不純物拡散領域
4 低濃度の不純物拡散層 5 表面電極
Claims (5)
- 半導体基板の表面に不純物拡散領域を選択的に形成する半導体デバイスであって、
前記半導体基板の平坦な前記表面の所定位置に加工歪を部分的に形成し、前記加工歪を含む前記表面の略全体にアルミニウムからなるドーパントを塗布し、且つ前記ドーパントを酸化雰囲気で熱処理することにより、前記加工歪を除く前記表面では、前記ドーパントのアルミニウムが酸化して外部へ出され、前記加工歪及びその周辺の表面には、前記ドーパントのアルミニウムが熱拡散して部分的に形成された前記不純物拡散領域を有することを特徴とする半導体デバイス。 - 前記半導体デバイスが太陽電池素子であり、その平坦な受光面の電極設置予定位置に前記加工歪を形成し、前記加工歪を含む前記受光面の略全体にアルミニウムとボロンからなるドーパントを塗布し、前記ドーパントを酸化雰囲気で熱処理することによって前記加工歪及びその周辺に部分的に形成された高濃度で深さの深い不純物拡散領域を前記受光面に有すると共に、該高濃度で深い前記不純物拡散領域を除く前記受光面の略全体に形成された低濃度で深さの浅い不純物拡散領域を前記受光面に有することを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス。
- 半導体基板の表面に不純物拡散領域を選択的に形成する半導体デバイスの製造方法であって、
前記半導体基板の平坦な前記表面の所定位置に加工歪を部分的に形成する工程と、前記加工歪を含む前記表面の略全体にアルミニウムからなるドーパントを塗布する工程と、前記ドーパントを酸化雰囲気で熱処理することにより、前記加工歪を除く前記表面では、前記ドーパントのアルミニウムが酸化して外部へ出され、前記加工歪及びその周辺の表面では、前記ドーパントのアルミニウムが熱拡散して前記不純物拡散領域を部分的に形成する工程からなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記半導体デバイスが太陽電池素子であり、その平坦な受光面の電極設置予定位置に前記加工歪を形成する工程と、前記加工歪を含む前記受光面の略全体にアルミニウムとボロンからなるドーパントを塗布する工程と、前記ドーパントを酸化雰囲気で熱処理して前記加工歪及びその周辺に高濃度で深さの深い前記不純物拡散領域を選択的に形成すると共に、該高濃度で深い前記不純物拡散領域を除く前記受光面の略全体に低濃度で深さの浅い不純物拡散領域を形成する工程からなることを特徴とする請求項3記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記加工歪の形成手段としてサンドブラストにより細かい傷を作ったことを特徴とする請求項3または4記載の半導体デバイスの製造方法。
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