JP4986118B2 - 透明電極の形成方法 - Google Patents
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Description
Thin Solid Films,290-291, pp.1-5 (1996).
(1)基板上にZnOにMgが添加された透明導電膜を形成する工程と、HClを含むエッチング液を用いて上記透明導電膜をパターンニングする工程とを含む透明電極の形成において、Mgの濃度を10〜30%に調整することにより、エッチング速度を低下させることを特徴とするエッチング速度の調整方法。
(2)上記透明導電膜は、さらにAl、B、Gaから選定された1種又は2種以上が添加されているものであることを特徴とする上記(1)記載のエッチング速度の調整方法。
スパッタリング、パルスレーザ堆積法、MOCVD法、反応性プラズマ堆積法などの方法を用いて、デバイスが形成された半導体基板、セラミック等の絶縁基板等の基板上にZnO系透明電極を作製する。
基板上にZnO系透明電極が作製された模式図を図1に示す。ここでは、ガラス基板上にスパッタリング法で成膜した場合を例に説明する。
またAlは導電性を追加するために必要に応じて添加されるドーパントであり、本発明の実施に際し必須のものではない。なお導電性を追加するために、Alに代えて、又はAlとともにB、Gaを添加してもよい。
2 基板
Claims (2)
- 基板上にZnOにMgが添加された透明導電膜を形成する工程と、HClを含むエッチング液を用いて上記透明導電膜をパターニングする工程とを含む透明電極の形成において、Mgの濃度を10〜30%に調整することにより、エッチング速度を低下させることを特徴とするエッチング速度の調整方法。
- 上記透明導電膜は、さらにAl、B、Gaから選定された1種又は2種以上が添加されているものであることを特徴とする請求項1記載のエッチング速度の調整方法。
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