JP4984561B2 - 半導体基板欠陥検出方法 - Google Patents
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Description
前記表面からの散乱光の特定方向における特定散乱光情報を取得し、
前記特定散乱光情報に含まれる、クロス状パターンの散乱光の強度情報に基づき、前記半導体結晶における、結晶すべり面に沿って発生する結晶欠陥の密度を検出することを特徴とする半導体基板欠陥検出方法、により可能となる。
前記光束をレーザ光とし、前記レーザ光を前記表面上において一方向に所要回数走査する手段と、
前記半導体ウエハを、前記表面と同一面で、前記表面中心を軸として所要回数回転する手段と、
を、有することを特徴とする。
本発明の方法を適用する装置構成としては、例えば、特許文献2に開示された機構を適用できる。図1に本発明の方法を適用するための、基本的な装置構成例の模式図を示す。図1において、図示しない回転モータを有する回転テーブル1と、これを直線方向に移動させるスライダ2と、回転テーブル1上の被検査物(例えば、半導体ウエハ)を照射する光束3を発生させる図示しない照射光学系、および光束3による被検査物からの散乱光を一定方向から検出する光検出器4からなる。この構成を用い、回転テーブル1上にウエハを搭載し、一定方向に直線的に移動させつつ、ウエハを(回転テーブル1を回転することによって)回転させながら、光束3(例えばレーザ光)をこのウエハ表面上に照射し、一定角度方向に設けられた光検出器4により、ウエハ表面で散乱された光を観察する。こうすることによって、レーザ光はウエハ上を、端から端までほぼ全域をらせん状に走査しつつウエハ表面での散乱された光を観察することができる。この方法は、ウエハ方向(回転テーブル上の結晶方向の設置位置)やレーザ光の走査方向の設定を、その都度変えて、ウエハ表面の全体における光散乱データを取得するなどといった、面倒な方法を回避することが可能となる。
以下に、具体的な、本発明の方法の実施例を、図面を参照しながら説明する。
系列1・膜厚A : 106〜107 lines/cm2
系列1・膜厚1.3A : >108 lines/cm2
系列2・膜厚A : <104 lines/cm2
(TEM像では転位は観察されず、上記数値はTEMの検出限界数値。な お、このTEM像に見られるラインは菊池線であって転位でないことは確 認済みである。)
系列2・膜厚1.3A : 106〜107 lines/cm2
これらの観察用サンプルの表面散乱を測定した結果を、図4に示す。用いた測定器は、上述の本発明の測定のための基本的な構成を有する、レーザ散乱を用いたウエハ表面上のパーティクルなどの有無を検査するための市販装置(株式会社トプコン製、商品名「ウエーハ表面検査装置、WM―2500、またはWM−3000」。両者の違いは、搭載可能なウエハサイズの違いのみ。)を用いた。
2 スライダ
3 光束
4 光検出器
5 Siウエハ
6 SiGe膜
7 ミスフィット転位
8 凹凸(表面の段差)
Claims (3)
- 半導体結晶基板の表面を光束でらせん状に走査する光束らせん状走査手段により前記表面を走査し、
前記表面からの散乱光の特定方向における特定散乱光情報を取得し、
前記特定散乱光情報に含まれる、クロス状パターンの散乱光の強度情報に基づき、前記半導体結晶における、結晶すべり面に沿って発生する結晶欠陥の密度を検出することを特徴とする半導体基板欠陥検出方法。 - 前記半導体結晶基板は、半導体の単結晶基板上に成長された半導体結晶膜を有することを特徴とする請求項1記載の半導体基板欠陥検出方法。
- 前記光束らせん状走査手段は、少なくとも、
前記光束をレーザ光とし、前記レーザ光を前記表面上において一方向に所要回数走査する手段と、
前記半導体結晶基板を、前記表面と同一面で、前記表面中心を軸として所要回数回転する手段と、
を、有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体基板欠陥検出方法。
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