CN109425619A - 光学测量系统及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了光学测量系统及方法。该系统包括：入射光产生单元，其被配置为产生用于测量待测物的入射光；反射光检测单元，其被配置为接收来自待测物的反射光，并确定相应的测量结果；以及处理单元，并被配置为利用入射光在待测物表面上形成的光斑以指定测量路径对待测物进行测量，处理单元基于测量结果来确定缺陷在待测物中的分布。本发明的测量系统结构简单、检测速度快、成本低，并且杂散光较少，具有更高的检测灵敏度。

Description

光学测量系统及方法

技术领域

本发明属于封装技术检测领域，尤其涉及一种涉及检测晶圆缺陷的光学测量系统及方法。

背景技术

芯片裂痕是集成电路最致命的失效模式之一，芯片加工中收到较大应力或者工作时温度不断改变均会导致芯片裂痕不断延伸直至产品失效。因此，制造商往往试图在芯片裂痕产生之初就发现它，并将具有裂痕的产品筛选掉，以降低成本，提高产品合格率。

芯片裂痕最初发生在芯片背面硅基底部分，以晶圆裂痕形式存在，由于硅片非常薄且脆，因此打薄、切割、封装等加工工艺过程均可能造成晶圆裂痕。因此，对应于不同的加工工艺，裂痕的分布也有不同特点。例如，晶圆裂痕可以是内部隐裂、边缘裂痕、chipping缺角或是边缘缺角。可以发现，部分裂痕完全隐藏在晶圆内部，即使是用高倍显微镜也无法分辨。因此，工业生产中如何快速检测晶圆裂痕成为了半导体生产需要解决的重要问题。

目前使用的晶圆裂痕检测方法可以分为非光学方法以及光学方法。非光学方法的典型示例是超声波检测法，该方法基于裂痕存在影响超声波波形波幅实现，具有较好的效果。然而，超声波检测法需要将芯片放置至液体中，可能造成芯片污染，并且检测速度较慢。光学方法一般可以分为三类：(1)背光式检测法，光源和探测器分别位于芯片的两侧，通过探测透过芯片的信号光实现裂痕检测，然而它对被测芯片透过率要求较高，仅能测裸片，常用于研磨过程中检测；(2)光/电致发光检测法，该方法要求被测样品有相应发光媒介，一般用于太阳能芯片检测；(3)红外显微成像检测法，该方法通过红外波段光源垂直照明、接收反射光进行成像，然而面阵探测器是成像式测量的必要组成元件，而现有红外波段面阵探测器皆具有响应速度慢、照价昂贵的缺点，加上需要使用大数值孔径的物镜以保证成像精度，致使单次成像视野较小，因此红外显微成像的速度及成本严重制约了其应用。另外，采用圆形光斑成像的技术方案会存在大量杂散光，它们非常容易将裂痕成像覆盖，导致无法检测

因此，亟需一种能够速度快、定位准的裂痕检测方法。

发明内容

本发明针对上述问题，提出一种基于线光束来对待测物进行测量的光学测量系统以及方法。

本发明一方面提出了一种光学测量系统，其包括：入射光产生单元，其被配置为产生用于测量待测物的入射光；反射光检测单元，其被配置为接收来自所述待测物的反射光，并确定相应的测量结果；以及处理单元，并被配置为利用所述入射光在所述待测物表面上形成的光斑以指定测量路径对所述待测物进行测量，所述处理单元基于所述测量结果来确定所述缺陷在所述待测物中的分布。

在一种实施方式中，所述测量系统还包括承载单元，其被配置为承载所述待测物。

在一种实施方式中，所述入射光为线光束。

在一种实施方式中，所述入射光相对于所述待测物透明。

在一种实施方式中，所述处理单元通信耦合至所述承载单元和/或所述入射光产生单元，以调整所述承载单元和所述入射光产生单元之间的相对角度，从而按照至少一种指定测量路径对待测物进行测量。

在一种实施方式中，所述反射光检测单元包括至少一个线阵检测器，以接收所述反射光。

在一种实施方式中，所述指定测量路径包括第一指定测量路径和第二指定测量路径，并且所述处理单元被配置为通过以所述第一指定测量路径对所述待测物进行测量，进而确定第一测量值组；以所述第二指定测量路径对所述待测物进行测量，进而获得第二测量值组。

在一种实施方式中，所述入射光按照所述第一指定测量路径测量时在所述待测物表面形成第一光斑，所述入射光按照所述第二指定测量路径测量时在所述待测物表面形成第二光斑，所述第一光斑在所述待测物表面的分布与所述第二光斑在所述待测物表面的分布之间的角度α大于0°且小于180°。

在一种实施方式中，所述角度α大于0°且小于等于90°。

第一光斑在所述待测物表面的分布与第二光斑在所述待测物表面的分布的角度α是通过所述承载单元相对所述入射光产生单元旋转角度α产生的，或是通过所述入射光产生单元相对所述承载单元旋转角度α产生的。

在一种实施方式中，所述处理单元被配置为至少基于所述第一测量值组和所述第二测量值组来确定所述缺陷在所述待测物中的分布。譬如，可以根据测量路径以及数据存储顺序，确定每次检测存在的缺陷及相对应晶圆位置。通过对比两次检测裂痕存在位置，剔除重复信号，给出晶圆中的裂痕分布。

在一种实施方式中，所述缺陷在所述待测物中的分布包括：所述缺陷在所述待测物中的位置、所述缺陷的尺寸。

在一种实施方式中，所述光斑的延伸方向平行于所述缺陷的延展方向。一般而言，缺陷在不同材料中的分布具有不同的特征，因此，在测量前，可以根据待测物中缺陷在指定的平面上的延展特征来确定入射光在待测物表面的分布，进而提高测量分辨率。这里的指定平面可以根据缺陷的特征而定。对于本发明而言，缺陷可以包括裂痕、气泡、缺角等等。以裂痕为例，裂痕一般沿着晶格的轴向进行延展，因此，通过两次检测，每次检测均使得线光斑的延伸方向平行晶格的一个轴向，从而可以确定晶圆中是否存在裂痕。

本发明另一方面提出了一种光学测量方法，其包括：通过入射光以指定路径对所述待测物进行检测；以及根据由所述待测物基于所述入射光而产生的反射光来确定所述待测物是否包括缺陷。

在一种实施方式中，所述入射光为线光束。

在一种实施方式中，所述入射光相对于所述待测物透明。

在一种实施方式中，所述指定路径包括第一指定路径和第二指定路径。

在一种实施方式中，所述入射光按照所述第一指定测量路径测量时在所述待测物表面形成第一光斑，所述入射光按照所述第二指定测量路径测量时在待测物表面形成第二光斑，所述第一光斑在所述待测物表面的分布与所述第二光斑在所述待测物表面的分布之间的角度α大于0°且小于180°。

在一种实施方式中，所述角度α大于0°且小于等于90°。可以理解的，当待测物为晶圆时，由于晶格的轴向相互垂直，此时，第一光斑与第二光斑之间的角度α可以等于90°。

在一种实施方式中，以所述第一指定路径对所述待测物进行测量，进而确定第一测量值组；以所述第二指定路径对所述待测物进行测量，进而确定第二测量值组。

在一种实施方式中，至少基于所述缺陷在所述待测物中的延展特征、所述第一测量值组和所述第二测量值组来确定所述缺陷在所述待测物中的分布。

在一种实施方式中，所述入射光在所述待测物表面形成的光斑的延伸方向平行于所述缺陷在所述待测物中的延展方向。

通过采用本发明的技术方案，能够非接触式地对待测物进行测量，并且测量速度非常快，能用于生产过程中工艺监测。另外，由于本发明采用反射光作为信号光，因此，晶圆上方图形分布对检测结果影响不大，可以测量任意类型、任意工艺过程中的晶圆裂痕。

附图说明

参考附图示出并阐明实施例。这些附图用于阐明基本原理，从而仅仅示出了对于理解基本原理必要的方面。这些附图不是按比例的。在附图中，相同的附图标记表示相似的特征。

图1a为晶圆中无裂痕的反射示意图；

图1b为晶圆中有裂痕的反射示意图；

图2a为裂痕延展方向和线光束方向相平行的光路示意图；

图2b为裂痕延展方向和线光束方向相垂直的光路示意图；

图3为依据本发明实施例的测量系统架构示意图；

图4为依据本发明实施例的裂痕检测方法的流程图；

图5为无裂痕时线探测器平面反射光分布示意图；

图6a为依据本发明实施例的线光束方向与裂痕延展方向相平行时的反射光分布示意图；

图6b为依据本发明实施例的线光束方向与裂痕延展方向相垂直时的反射光分布示意图。

具体实施方式

在以下优选的实施例的具体描述中，将参考构成本发明一部分的所附的附图。所附的附图通过示例的方式示出了能够实现本发明的特定的实施例。示例的实施例并不旨在穷尽根据本发明的所有实施例。可以理解，在不偏离本发明的范围的前提下，可以利用其他实施例，也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此，以下的具体描述并非限制性的，且本发明的范围由所附的权利要求所限定。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在本申请中，透镜组件可以包括任何所需要的扩束准直透镜、物镜、管镜、分束器以及具有特定功能的光学镜组。发明人通过研究发现，半导体工艺中晶圆基底可能出现各种缺陷，譬如，裂痕、气泡、缺角。这些裂痕将发生分裂，引起整片芯片失效。由于某些缺陷常常隐藏在晶圆内部，发明人提出采用对硅材料透明的红外光源进行检测，然后对反射光进行分析，进而确定晶圆内部是否存在缺陷。下面以缺陷为裂痕为例进行阐述。。

图1a为晶圆中无裂痕的反射示意图，图1b为晶圆中有裂痕的反射示意图。

如图1a所示，当晶圆中没有裂痕时，入射光束S1将从硅基底的下表面入射，并在硅基底的上部产生反射后，从硅基底的下表面出射。因此，入射光束S1与出射光束S2水平对称。可以理解的，在硅基底中的所产生的反射是否为全反射，将取决于硅基底上部材料的折射率，即使不发生全反射，也有部分光反射，换而言之，即使不存在裂痕，出射光束S2的强度也小于入射光束S1。

如图1b所示，当晶圆中具有裂痕时，入射光束S1将从硅基底的下表面入射，然后，晶圆中的狭缝结构(裂痕)将对入射光束S1的反射光以及入射光束S1产生遮挡。该狭缝结构将对入射光束S1进行反射，以产生反射光束S3。因此，相较于图1a中的出射光束S2，图1b中的来自硅基底内部的出射光束S2’的强度将小于出射光束S2。由此，可以通过产生遮挡的信号与未经狭缝遮挡的信号之间的比对，来判断是否存在裂缝。

如前述的，由于红外面探测器具有反应慢、造价高等缺点，因此，采用面阵红外探测器将导致减慢整个系统探测速度。另外，尽管理论上裂痕存在就会影响反射光分布，但实际检测中，由于硅片底面粗糙、上面芯片分布不均匀等因素，部分光将发生散射和二次反射等，当用普通圆光斑斜入射照明时，裂痕产生的反射光阴影信号很容易被光斑照明其它位置杂散光所掩盖，无法探测到裂痕信号。因此，发明人提出采用线光束照明扫描探测，然后利用线阵探测器进行检测的技术方案。

发明人通过进一步的研究发现，对于晶圆而言，裂痕通常呈现长宽高三维分布，而在平行于晶圆表面的平面上，裂痕一般沿硅晶格方向延展并呈现线状分布，换句话说，晶圆平面上裂痕一般沿着相互垂直的两个方向延展。

图2a为裂痕延展方向和线光束延伸方向相平行的光路示意图，图2b为裂痕延展方向和线光束延伸方向相垂直的光路示意图。在本发明的实施例中，线光束形式的入射光在待测物表面上将形成线光斑。

晶圆平面上裂痕延展方向与线光斑延伸方向之间的角度关系是影响检测精度的重要因素：当晶圆平面上线光束延伸方向平行于裂痕的延展方向时，大量的反射光被遮挡，此时线探测器所接收到的光束为S2；当线光束延伸方向垂直于裂痕延伸方向时，被遮挡的光较少，此时线探测器所接收到的光束为S2’；当线光束入射方向与裂痕长向呈现0至90°夹角时，被遮挡光在两种情况之间。由上可知，当线光斑在平面上的延伸方向平行于裂痕长向时，线探测器对于光束S2的测量值要小于线探测器对于光束S2’的测量值，换而言之，图2a中的暗信号相较于图2b更多。另外，理论上任意小尺寸裂痕的存在均会影响反射光分布，但是被测信号较弱时容易被系统杂散光淹没。由于在平行于晶圆表面平面上，晶格仅有两个相互垂直的方向，因此，本发明提出对同一被测物进行两次扫描测量，每次测量分别使线光斑延伸方向与晶格的一个轴向相平行，保证在其中一次测量中能获取最大信号，从而扩展了所能探测到的最小尺寸。

基于前述，本发明提出了一种测量系统，该系统其包括：入射光产生单元，其被配置为产生相对于待测物透明且为线光束的入射光(譬如，对于晶圆透明的红外光)；反射光检测单元，其被配置为接收来自待测物的反射光，并确定相应的测量结果；以及处理单元，其基于测量结果以及延展特征来确定裂痕在待测物中的分布。该测量系统还可以包括承载单元以用于承载待测物。另外，处理单元还可以通信耦合至承载单元和/或入射光产生单元，以调整承载单元和入射光产生单元之间的相对角度，从而按照至少一种指定测量路径对待测物进行测量。

在一种实施方式中，指定测量路径可以包括第一指定测量路径和第二指定测量路径，并且处理单元被配置为通过以第一指定测量路径对待测物进行测量，进而确定第一测量值组；以第二指定测量路径对待测物进行测量，进而获得第二测量值组。对于不同缺陷和/或待测物，入射光按照第一指定测量路径测量时在待测物表面形成第一光斑，入射光按照第二指定测量路径测量时在待测物表面形成第二光斑，并且第一光斑在待测物表面的分布与第二光斑在待测物表面的分布之间的角度α大于0°且小于180°。譬如，角度α可以大于0°且小于等于90°。当待测物为晶圆时，由于晶格的轴向相互垂直，此时，第一光斑在待测物表面的分布与第二光斑在待测物表面的分布之间的角度α可以等于90°。在确定上述的第一测量值组和第二测量值组后，处理单元至少基于第一测量值组和第二测量值组来确定缺陷在待测物中的分布，譬如缺陷在待测物中的位置、缺陷的尺寸。

基于上述，请参阅图3，图3为依据本发明实施例的测量系统架构示意图。

测量系统100包括光源组件110、光束整形镜组120、机台130、集光镜组140、线阵探测组件150以及处理器(未示出)，其中处理器至少和机台130以及探测组件150形成通信连接。在本实施例中，光源组件110为红外光源，其出射光经由光束整形镜组120以斜入射方式到达机台130上的晶圆200。可以理解的，光源组件110可以直接产生线光束，或者通过光束整形镜组120对光源组件110所产的出射光进行整形，进而形成线光束，该线光束在晶圆200的表面上的光斑为线光斑。

晶圆200将对该线光束进行反射，所反射的光束经由集光镜组140到达探测组件150。处理器将对探测组件150所接收到的信号进行分析，进而确定晶圆200中裂痕的分布，譬如，裂痕在晶圆200中的位置、大小、延展方向等。线阵探测组件150可以包括至少一个线阵检测器，以平面接收所述反射光。譬如，线阵探测组件150可以包括多个平行排列的线探测器，从而提升了测量系统能够应用的范围。

在检测时，将晶圆200底面朝上放置于机台130之上，机台130的环形结构的晶圆卡盘131可以防止晶圆200的正面被污染。红外波段光束斜入射至硅基底，在晶圆200的底面呈线光斑分布。该红外波段的入射光穿透进入硅基底内部，并在硅基底-芯片界面发生反射。集光镜组140收集来自硅基底-芯片界面的反射光，当晶圆200中无裂痕存在时，该反射光经集光镜组140收集后全部入射至线阵探测组件150上，线阵探测组件150的接收面的法线方向与光轴方向相垂直。当晶圆200中有裂痕时，部分反射光将发生偏转，处理器可以根据线阵探测组件150接收到的光斑完整性来判断裂痕是否存在。

本发明还提出了一种裂痕检测方法，该方法包括：通过入射光以指定路径对待测物进行检测；以及根据由待测物基于入射光而产生的反射光来确定待测物是否包括缺陷。入射光按照第一指定路径测量时在待测物表面形成第一光斑，入射光按照第二测量路径测量时在待测物表面形成第二光斑，并且该第一光斑在待测物表面的分布与该第二光斑在待测物表面的分布之间的角度α大于0°且小于180°。譬如，角度α可以大于0°且小于等于90°。当待测物为晶圆时，由于晶格的轴向相互垂直，此时，第一光斑在晶圆表面的分布与第二光斑在晶圆表面的分布之间的角度α可以等于90°。通过以第一指定路径对待测物进行测量，可以确定第一测量值组；通过以第二指定路径对待测物进行测量，进而确定第二测量值组。如此，可以至少基于缺陷在待测物中的延展特征、第一测量值组和第二测量值组来确定缺陷在待测物中的分布。

为了进一步阐述本发明的构思，请同时参阅图3和4，其中，图4为依据本发明实施例的裂痕检测方法的流程图，并且示例性的待测物为晶圆。

步骤S401：基于裂痕的分布特征确定入射光在待测物表面上的分布。

在该步骤中，将晶圆200放置在机台130上，晶圆的豁口对准指定位置，从而确定硅晶格方向。然后，打开光源组件110并旋转机台130，使得晶圆的豁口与测量平面上的线光斑的延伸方向相平行。换而言之，基于硅晶格方向来确定入射光在待测物表面的分布。

步骤S402：在晶格的第一轴向上，以第一测量路径对晶圆的进行单侧检测。

由于在平行于晶圆200表面的平面上，晶格仅有两个相互垂直的方向，对入射光进行配置，使得线光斑平行于晶格的第一轴向。将线光斑照明至扫描检测起点(如晶圆的中心处)，使机台130按第一路径(譬如，可以指定为蛇行路径)移动，从而在晶格的第一轴向上完成对晶圆的检测，获得第一测量值组。可以理解的，该第一测量值组可以包括机台130的移动路径以及对应于该移动路径的线阵探测组件150所测得的反射光数据。若裂痕存在且在晶格的第一轴向上延展，则线阵探测组件150将接收到较强的暗信号。反之，若裂痕在晶格的与第一轴向相垂直的第二轴向上延展，则线阵探测组件150将接收到较弱的暗信号。

步骤S403：在晶格的第二轴向上，以第二测量路径对晶圆进行单侧检测。

在该步骤中，以90°旋转机台130，此时使晶圆豁口与测量平面上光线方向相垂直，然后再使机台130按第二路径(譬如，可以指定为与第一路径相同或不同)移动，从而在晶格的第二轴向上完成对晶圆的检测，以获得第二测量值组。由前述可知，若裂痕在晶格的第二轴向上延展，则线阵探测组件150将检测到较强的暗信号。

步骤S404：基于两次单侧检测的结果确定晶圆是否存在裂痕。

由前述可知，步骤S403和S404中的检测能够确保在与裂痕延展的方向相平行的方向上对裂痕进行检测，因此，基于上述的两次单侧检测的结果(即，第一测量值组和第二测量值组)，能够确定裂痕的存在。换而言之，若两次的检测结果均指示没有裂痕，说明在该检测位置处并不存在裂痕；若两次的检测结果中至少有一次的检测结果指示存在裂痕，则能够确定在该检测位置处所存在的裂痕以及该裂痕的延展方向。

具体而言，可以根据机台130的指定轨迹以及数据存储顺序，确定每次检测存在的缺陷及相对应晶圆位置。通过对比两次检测裂痕存在位置，剔除重复信号，给出整个晶圆中的裂痕分布。在本实施例中，“剔除重复的信号”是指当两次检测结果中所指的裂痕位置很靠近，则结合系统误差，将位置很靠近的两个裂痕位置确定为一个裂痕位置。

虽然本实施例中仅对两次测量的情形进行了详细的阐述，但本领域技术人员能够理解的是，在其它实施例中，还可以对待测物进行多次测量。同样，若裂痕在待测物中仅有一种延展方向，只需要对待测物以一个入射方向进行测量。

发明人基于图3中的测量系统，利用Lightools软件进行了仿真分析。在本次仿真中，测量系统参数为：光源为波长1550纳米，线光斑尺寸为17*0.08毫米；集光镜组140数值孔径为0.25，全视场为3.4毫米，5倍放大倍率。待测晶圆参数为：晶圆厚度750微米，裂痕尺寸为2*10*100(高度)微米，位于晶圆底部，呈隐裂分布。

图5为晶圆中不存在裂痕时的线探测器接收面的平面反射光分布示意图。此时反射光呈现近均匀的线性分布，由于表面散射等因素，线光斑下方存在一些杂散光，即颜色略浅的部分。

图6a为依据本发明实施例的线光斑延伸方向与裂痕延展方向相平行时的反射光分布示意图；图6b为依据本发明实施例的线光斑延伸方向与裂痕延展方向相垂直时的反射光分布示意图。

由前述可知，当晶圆中存在裂痕时，该裂痕将对入射光进行反射，从而减少出射光的强度。当线光斑延伸方向与裂痕延展相平行时，暗信号对比比同一裂痕入射光与裂痕长向相垂直时要强很多，这是因为当入射光的入射方向与裂痕长向相垂直时，该裂痕能够反射更多的入射光。

如图6a所示，在光斑中有明显的暗信号(中央黑色部分)，而对于图6b中的光斑，暗信号则相对较弱。由此，可以确定裂痕在晶圆中的位置。通过多次测量，还可以确定裂痕的大小。

实际测量中，晶圆上的材料折射率、结构分布等因素会引起反射角度的微小变化。

可以理解的是，本方案也能应用于其它裂痕的检测，根据被测的材料，来设置不同的光源，更改光源波长(譬如，紫外、可见、红外等波段)，实现检测。另外，虽然上述实施例是以裂痕作为检测对象来阐述的，但是本领域技术人员能够理解的是，本发明所提出的测量系统、测量方法还适用于其它类型的缺陷，譬如，待测物内部的气泡、待测物的缺角等等。此时检测方法与裂痕检测相似，也就是说，气泡的存在将改变部分入射光反射光路，从而使接收到的反射信号产生阴影，进而被测量系统所检测到，确定存在气泡。

本发明采用光学方法测量，是一种非接触式非破坏无污染测量方法，同时测量速度非常快，能用于生产过程中工艺监测。另外，由于本发明采用反射光作为信号光，因此晶圆上方图形分布对检测结果影响不大，可以测量任意类型、任意工艺过程中的晶圆缺陷；与反射光成像测量方法比较，本发明的测量系统结构简单、检测速度快、成本低，并且杂散光较少，具有更高的检测灵敏度。

因此，虽然参照特定的示例来描述了本发明，其中这些特定的示例仅仅旨在是示例性的，而不是对本发明进行限制，但对于本领域普通技术人员来说显而易见的是，在不脱离本发明的精神和保护范围的基础上，可以对所公开的实施例进行改变、增加或者删除。

Claims (21)

1.一种光学测量系统，其特征在于，包括：

入射光产生单元，其被配置为产生用于测量待测物的入射光；

反射光检测单元，其被配置为接收来自所述待测物的反射光，并确定相应的测量结果；以及

处理单元，并被配置为利用所述入射光在所述待测物表面上形成的光斑以指定测量路径对所述待测物进行测量，所述处理单元基于所述测量结果来确定所述缺陷在所述待测物中的分布。

2.如权利要求1所述的测量系统，其特征在于，还包括承载单元，其被配置为承载所述待测物。

3.如权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述入射光为线光束。

4.如权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述入射光相对于所述待测物透明。

5.如权利要求2所述的测量系统，其特征在于，所述处理单元通信耦合至所述承载单元和/或所述入射光产生单元，以调整所述承载单元和所述入射光产生单元之间的相对角度，从而按照至少一种指定测量路径对待所述测物进行测量。

6.如权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述反射光检测单元包括至少一个线阵检测器，以接收所述反射光。

7.如权利要求5所述的测量系统，其特征在于，所述指定测量路径包括第一指定测量路径和第二指定测量路径，并且所述处理单元被配置为通过以所述第一指定测量路径对所述待测物进行测量，进而确定第一测量值组；以所述第二指定测量路径对所述待测物进行测量，进而获得第二测量值组。

8.如权利要求7所述的测量系统，其特征在于，所述入射光按照所述第一指定测量路径测量时在所述待测物表面形成第一光斑，所述入射光按照所述第二指定测量路径测量时在所述待测物表面形成第二光斑之间，所述第一光斑在所述待测物表面的分布与所述第二光斑在所述待测物表面的分布之间的角度α大于0°且小于180°。

9.如权利要求8所述的测量系统，其特征在于，所述角度α大于0°且小于等于90°。

10.如权利要求7所述的测量系统，其特征在于，

所述处理单元被配置为至少基于所述第一测量值组和所述第二测量值组来确定所述缺陷在所述待测物中的分布。

11.如权利要求10所述的测量系统，其特征在于，所述缺陷在所述待测物中的分布包括：所述缺陷在所述待测物中的位置、所述缺陷的尺寸。

12.如权利要求1至11任一项所述的测量系统，其特征在于，所述光斑的延伸方向平行于所述缺陷的延展方向。

13.一种光学测量方法，其特征在于，包括：

通过入射光以指定路径对待测物进行检测；以及

根据由所述待测物基于所述入射光而产生的反射光来确定所述待测物是否包括缺陷。

14.如权利要求13所述的测量方法，其特征在于，所述入射光为线光束。

15.如权利要求13所述的测量方法，其特征在于，所述入射光相对于所述待测物透明。

16.如权利要求13所述的测量方法，其特征在于，所述指定路径包括第一指定路径和第二指定路径。

17.如权利要求16所述的测量方法，其特征在于，所述入射光按照第一指定路径测量时在所述待测物表面形成第一光斑，所述入射光按照第二指定路径测量时在所述待测物表面形成第二光斑，所述第一光斑在所述待测物表面的分布与所述第二光斑在所述待测物表面的分布之间的角度α大于0°且小于180°。

18.如权利要求17所述的测量方法，其特征在于，所述角度α大于0°且小于等于90°。

19.如权利要求16所述的测量方法，其特征在于，以所述第一指定路径对所述待测物进行测量，进而确定第一测量值组；以所述第二指定路径对所述待测物进行测量，进而确定第二测量值组。

20.如权利要求19所述的测量方法，其特征在于，至少基于所述缺陷在所述待测物中的延展特征、所述第一测量值组和所述第二测量值组来确定所述缺陷在所述待测物中的分布。

21.如权利要求13至20任一项所述的测量方法，其特征在于，所述入射光在所述待测物表面形成的光斑的延伸方向平行于所述缺陷在所述待测物中的延展方向。