JP4984408B2 - Magnetic sensor and manufacturing method thereof - Google Patents

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この発明は、磁気センサおよびその製法に関し、特に１枚の基板に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得るようにしたものである。   The present invention relates to a magnetic sensor and a method for manufacturing the same, and more particularly, to obtain a small magnetic sensor in which three or more giant magnetoresistive elements are arranged on one substrate and can detect the strength of a magnetic field in three axial directions. It is a thing.

本出願人は、既に特開２００４−６７５２号公報により、１枚の基板上に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置してなり、三軸方向の磁界の強さを測定することができる磁気センサを提案している。   The present applicant has already disclosed three or more giant magnetoresistive elements on a single substrate according to Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-6752, and can measure the strength of a magnetic field in three axial directions. A sensor is proposed.

この先行発明では、シリコン基板に溝を形成し、この溝の斜面にＺ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置し、基板平坦面にＸ軸検知用の巨大磁気抵抗素子とＹ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置したもので、小型化が可能なものである。
また、これに引き続いて、基板上に酸化ケイ素からなる山部を形成し、この山部の斜面にＺ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置し、基板の平坦面にＸ軸検知用の巨大磁気抵抗素子とＹ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置した三軸磁気センサを提案している。
特開２００４−６７５２号公報 In this prior invention, a groove is formed in a silicon substrate, a giant magnetoresistive element for Z-axis detection is arranged on the slope of the groove, and a giant magnetoresistive element for X-axis detection and a Y-axis detection element are arranged on a flat surface of the substrate. A giant magnetoresistive element is arranged and can be miniaturized.
Following this, a peak made of silicon oxide is formed on the substrate, a giant magnetoresistive element for Z-axis detection is arranged on the slope of the peak, and a giant for X-axis detection is placed on the flat surface of the substrate. A three-axis magnetic sensor is proposed in which a magnetoresistive element and a giant magnetoresistive element for Y-axis detection are arranged.
JP 2004-6752 A

本出願は、これら先行発明の延長線上にあるもので、その課題とするところは、同様に、１枚の基板に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得ることにある。   The present application is an extension of these prior inventions, and the problem is that, similarly, three or more giant magnetoresistive elements are arranged on one substrate, and the strength of the magnetic field in the three-axis direction is set. It is to obtain a small magnetic sensor capable of detecting the above.

かかる課題を解決するため、
請求項１にかかる発明は、配線層を有し回路が形成された基板と、前記配線層を覆う酸化膜からなる厚膜に形成された複数の溝と、前記溝の斜面に形成された感磁部を有する複数の巨大磁気抵抗効果素子と、前記厚膜上に設けられた感磁部を有する複数の巨大磁気抵抗効果素子とを備え、前記配線層の最上層には下層の配線層と接続するビア部が形成されており、前記ビア部と前記巨大磁気抵抗効果素子は配線部で接続され、前記複数の巨大磁気抵抗効果素子は前記配線層によりブリッジ結線されていることを特徴とする磁気センサである。 To solve this problem,
According to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate having a wiring layer and a circuit formed thereon, a plurality of grooves formed in a thick film made of an oxide film covering the wiring layer, and a feeling formed on a slope of the groove. A plurality of giant magnetoresistive elements having a magnetic part, and a plurality of giant magnetoresistive elements having a magnetosensitive part provided on the thick film, wherein the uppermost layer of the wiring layer includes a lower wiring layer and A via portion to be connected is formed, the via portion and the giant magnetoresistive effect element are connected by a wiring portion, and the plurality of giant magnetoresistive effect elements are bridge-connected by the wiring layer. It is a magnetic sensor.

請求項２にかかる発明は、上記溝の斜面の中央部に上記感磁部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気センサである。
請求項３にかかる発明は、基板にビア部が形成されており、このビア部と基板に設けられた巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部とが配線で接続されており、この配線がバイアス磁石部を構成するマグネット膜からなり、ビア部においては、このマグネット膜上に感磁部を構成する巨大磁気抵抗素子膜がさらに積層されていることを特徴とする請求項１記載の磁気センサである。 The invention according to claim 2 is the magnetic sensor according to claim 1, wherein the magnetically sensitive portion is formed at a central portion of the slope of the groove.
According to a third aspect of the present invention, a via portion is formed in a substrate, the via portion is connected to a bias magnet portion of a giant magnetoresistive element provided on the substrate, and the wiring is connected to the bias magnet portion. 2. The magnetic sensor according to claim 1, wherein a giant magnetoresistive element film constituting a magnetically sensitive part is further laminated on the magnet film in the via part.

請求項４にかかる発明は、上記巨大磁気抵抗素子の感磁部のピンニング方向が、感磁部の長手方向に対して３０〜６０度となっていることを特徴とする請求項２記載の磁気センサである。
請求項５にかかる発明は、上記感磁部は、溝方向に長手方向を持つ帯状部材からなることを特徴とする請求項１記載の磁気センサである。 The invention according to claim 4 is characterized in that the pinning direction of the magnetic sensitive part of the giant magnetoresistive element is 30 to 60 degrees with respect to the longitudinal direction of the magnetic sensitive part. It is a sensor.
The invention according to claim 5 is the magnetic sensor according to claim 1, wherein the magnetically sensitive portion is formed of a band-shaped member having a longitudinal direction in the groove direction.

請求項６にかかる発明は、基板の最上層の配線層上に、この配線層を覆うとともに平坦面を形成する平坦化層を形成し、この上にパッシベーション膜を成膜したのち、
この上に厚膜を形成し、さらにこの厚膜上にレジスト膜を形成し、
このレジスト膜のうち、一部を除去し、残ったレジスト膜に加熱処理を施して、レジスト膜の側面を傾斜面となし、
ついで、レジスト膜と厚膜とを、そのエッチング選択比がほぼ１：１となるエッチング条件でエッチングし、溝を厚膜に形成し、
次ぎに、厚膜の平坦面と上記溝の斜面ならびに頂部または底部に巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部を形成し、この上に巨大磁気抵抗素子膜を成膜したのち、基板をマグネットアレー上に置いて熱処理を施し、
ついで、巨大磁気抵抗素子膜の一部をエッチングにより除去して、厚膜の平坦面および溝の斜面に巨大磁気抵抗素子素子の感磁部を形成し、この上に保護膜を成膜することを特徴とする磁気センサの製法である。 In the invention according to claim 6, on the uppermost wiring layer of the substrate, a flattening layer that covers the wiring layer and forms a flat surface is formed, and a passivation film is formed thereon,
A thick film is formed on this, and a resist film is further formed on this thick film.
Part of this resist film is removed, the remaining resist film is subjected to heat treatment, and the side surface of the resist film is formed as an inclined surface.
Next, the resist film and the thick film are etched under an etching condition in which the etching selectivity is approximately 1: 1, and a groove is formed in the thick film.
Next, a giant magnetoresistive element bias magnet is formed on the flat surface of the thick film, the slope and top or bottom of the groove, and after the giant magnetoresistive element film is formed thereon, the substrate is placed on the magnet array. Put and heat-treat,
Next, a part of the giant magnetoresistive element film is removed by etching to form a magnetosensitive part of the giant magnetoresistive element element on the flat surface of the thick film and the slope of the groove, and a protective film is formed thereon. This is a method for manufacturing a magnetic sensor.

請求項７にかかる発明は、基板の最上層の配線層上に、この配線層を覆うとともに平坦面を形成する平坦化層を形成し、この平坦化層の一部を除去して、ビア部およびパッド部を露出させ、この上に上層と下層からなるパッシベーション膜を成膜したのち、ビア部およびパッド部に相当する部分の上層を除去し、
この上に厚膜を形成し、さらにこの厚膜上にレジスト膜を形成し、
このレジスト膜のうち、一部を除去し、残ったレジスト膜に加熱処理を施して、レジスト膜の側面を傾斜面となし、
ついで、レジスト膜と厚膜とを、そのエッチング選択比がほぼ１：１となるエッチング条件でエッチングし、厚膜に溝を形成すると同時にビア部およびパッド部に薄くなった厚膜を残し、
ついで、ビア部の中央部分に残った厚膜とパッシベーション膜の下層を除去して、ビア部の導体部を露出させ、
次ぎに、厚膜の平坦面と上記溝の斜面ならびに頂部または底部に巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部を形成するとともにこの巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部とビア部の導体部とを接続する配線を形成し、この上に巨大磁気抵抗素子膜を成膜したのち、基板をマグネットアレー上に置いて熱処理を施し、
ついで、巨大磁気抵抗素子膜の一部をエッチングにより除去して、厚膜の平坦面および溝の斜面に巨大磁気抵抗素子の感磁部を形成するとともにビア部にも巨大磁気抵抗素子膜を残し、この上にパッド部を残して保護膜を成膜したのち、パッド部を覆う厚膜とパッシベーション膜の下層を除去してパッド部の導体部を露出することを特徴とする磁気センサの製法である。
請求項８にかかる発明は、配線層を有し回路が形成された基板を備えた磁気センサの製造方法であって、
前記配線層の最上層にビア部が形成され、前記ビア部を含む前記配線層上に酸化膜からなる厚膜を形成する工程と、
前記厚膜にレジストを塗布し、前記レジストの一部をエッチング処理してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンに加熱処理を施し溶融させる工程と、
溶融させた前記レジストパターンと前記厚膜とを選択エッチングし前記厚膜の一部に複数の溝を形成するとともに、前記ビア部の上方の厚膜を前記選択エッチングによりエッチングする工程と、
エッチングされて薄くなった厚膜に開口部を設け前記ビア部を露出し、前記ビア部と接続する配線部を酸化膜上に形成する工程と、
前記溝の斜面を含む酸化膜上に前記配線部と接続し前記磁気センサの感磁部となる複数の素子を形成する工程とからなる磁気センサの製法。
請求項９にかかる発明は、前記複数の素子は前記配線層によりブリッジ結線されていることを特徴とする請求項８に磁気センサの製法。
請求項１０にかかる発明は、前記配線層と前記厚膜との間に酸化ケイ素膜からなる平坦化膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項８または９に記載の磁気センサの製法である。
請求項１１にかかる発明は、前記レジストパターンに加熱処理を施し溶融させる工程は、前記レジストパターンを斜面を有する山状とすることを特徴とする請求項８から１０に記載の磁気センサの製法である。
請求項１２にかかる発明は、前記複数の素子を形成する工程の後、少なくとも前記複数の素子を覆う保護膜を形成することを特徴とする請求項８から１１に記載の磁気センサの製法である。
請求項１３にかかる発明は、前記配線層の最上層には、ビア部とともにパッド部が形成され、
前記保護膜を形成する工程の後に前記パッド部を露出させるために前記保護膜の一部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の磁気センサの製法である。 According to a seventh aspect of the present invention, a planarizing layer that covers the wiring layer and forms a flat surface is formed on the uppermost wiring layer of the substrate, and a part of the planarizing layer is removed to form a via portion. And after exposing the pad portion and forming a passivation film composed of an upper layer and a lower layer thereon, the upper layer corresponding to the via portion and the pad portion is removed,
A thick film is formed on this, and a resist film is further formed on this thick film.
Part of this resist film is removed, the remaining resist film is subjected to heat treatment, and the side surface of the resist film is formed as an inclined surface.
Next, the resist film and the thick film are etched under an etching condition in which the etching selection ratio is approximately 1: 1, and a groove is formed in the thick film, and at the same time, the thin film is left in the via portion and the pad portion,
Next, the thick film remaining in the central part of the via part and the lower layer of the passivation film are removed to expose the conductor part of the via part,
Next, the bias magnet part of the giant magnetoresistive element is formed on the flat surface of the thick film, the slope of the groove, and the top or bottom, and the wiring connecting the bias magnet part of the giant magnetoresistive element and the conductor part of the via part After forming a giant magnetoresistive element film on this, the substrate is placed on a magnet array and subjected to heat treatment,
Next, a part of the giant magnetoresistive element film is removed by etching to form the magnetoresistive part of the giant magnetoresistive element on the flat surface of the thick film and the slope of the groove and leave the giant magnetoresistive element film also in the via part. In this method of manufacturing a magnetic sensor, a protective film is formed leaving a pad portion thereon, and then a thick film covering the pad portion and a lower layer of the passivation film are removed to expose a conductor portion of the pad portion. is there.
The invention according to claim 8 is a method of manufacturing a magnetic sensor including a substrate having a wiring layer and a circuit formed thereon,
Forming a via part on the uppermost layer of the wiring layer, and forming a thick film made of an oxide film on the wiring layer including the via part;
Applying a resist to the thick film and etching a part of the resist to form a resist pattern;
A step of subjecting the resist pattern to heat treatment and melting;
Selectively etching the melted resist pattern and the thick film to form a plurality of grooves in a part of the thick film, and etching the thick film above the via portion by the selective etching;
Providing an opening in the thick film that has been etched to expose the via portion, and forming a wiring portion connected to the via portion on the oxide film;
A method of manufacturing a magnetic sensor comprising: forming a plurality of elements that are connected to the wiring portion on the oxide film including the slope of the groove and serve as a magnetic sensitive portion of the magnetic sensor.
The invention according to claim 9 is the method of manufacturing a magnetic sensor according to claim 8, wherein the plurality of elements are bridge-connected by the wiring layer.
The invention according to claim 10 includes the step of forming a planarizing film made of a silicon oxide film between the wiring layer and the thick film. It is.
According to an eleventh aspect of the present invention, in the method of manufacturing a magnetic sensor according to any one of the eighth to tenth aspects, the step of applying heat treatment to the resist pattern to melt the resist pattern forms the resist pattern in a mountain shape having an inclined surface. is there.
The invention according to claim 12 is the method of manufacturing a magnetic sensor according to claim 8, wherein a protective film that covers at least the plurality of elements is formed after the step of forming the plurality of elements. .
In the invention according to claim 13, a pad portion is formed together with a via portion in the uppermost layer of the wiring layer,
13. The method of manufacturing a magnetic sensor according to claim 12, further comprising a step of removing a part of the protective film to expose the pad portion after the step of forming the protective film.

請求項１に記載の発明によれば、１枚の基板にＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向の磁界の強さを検知できる巨大磁気抵抗素子を搭載でき、小型の三軸磁気センサを得ることができる。
請求項２に記載の発明によれば、溝の斜面の平坦性の良好な部分に巨大磁気抵抗素子の感磁部を形成することができ、性能のよい磁気センサが得られる。 According to the first aspect of the present invention, it is possible to mount a giant magnetoresistive element capable of detecting the strength of the magnetic field in the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions on a single substrate, and obtain a small three-axis magnetic sensor. Can do.
According to the second aspect of the present invention, it is possible to form the magnetosensitive portion of the giant magnetoresistive element in the portion where the flatness of the slope of the groove is good, and to obtain a magnetic sensor with good performance.

請求項３に記載の発明によれば、ビア部の開口縁部でのマグネット膜からなる配線の上に巨大磁気抵抗素子膜が積層され、段差部分の隅部での配線の切れが生じる恐れが少なくなる。
請求項４に記載の発明によれば、得られる巨大磁気抵抗素子の耐強磁界性が良好となる。 According to the third aspect of the present invention, the giant magnetoresistive element film is laminated on the wiring made of the magnet film at the opening edge of the via portion, and there is a possibility that the wiring breaks at the corner of the step portion. Less.
According to the invention described in claim 4, the magnetic field resistance of the obtained giant magnetoresistive element is improved.

請求項５に記載の発明によれば、溝の形成と、この溝の斜面への巨大磁気抵抗素子の形成が一連のプロセスとして行え、本発明の磁気センサを製造することができる。
請求項６に記載の発明によれば、溝の形成と、この溝の斜面への巨大磁気抵抗素子の形成と、ビア部およびパッド部の形成が一連のプロセスとして行えることになる。 According to the fifth aspect of the present invention, the formation of the groove and the formation of the giant magnetoresistive element on the slope of the groove can be performed as a series of processes, and the magnetic sensor of the present invention can be manufactured.
According to the sixth aspect of the present invention, the formation of the groove, the formation of the giant magnetoresistive element on the slope of the groove, and the formation of the via part and the pad part can be performed as a series of processes.

図１は、本発明の磁気センサの一例を模式的に示すもので、基板上の巨大磁気抵抗素子の配置を示すものである。
図１において、符号１は基板を示す。この基板１は、シリコンなどの半導体基板に磁気センサの駆動回路、信号処理回路などの半導体集積回路、配線層などが予め形成されており、この上に平坦化膜、パッシベーション膜、酸化ケイ素膜などからなる厚膜が順次積層されたものであり、これらの各膜は図示を省略してある。 FIG. 1 schematically shows an example of a magnetic sensor of the present invention, and shows the arrangement of giant magnetoresistive elements on a substrate.
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a substrate. In this substrate 1, a semiconductor integrated circuit such as a magnetic sensor driving circuit, a signal processing circuit, a wiring layer, and the like are formed in advance on a semiconductor substrate such as silicon, and a planarization film, a passivation film, a silicon oxide film, and the like are formed thereon. The thick films are sequentially stacked, and these films are not shown.

この基板の厚膜上には、Ｘ軸センサ２とＹ軸センサ３とＺ軸センサ４とが設けられている。Ｘ軸センサ２は、図１に示した座標軸において、Ｘ方向に、Ｙ軸センサ３は、同じくＹ方向に感知軸を有するもので、Ｚ軸センサ４は、Ｚ方向の磁場の強さを感知しうるものである。
Ｘ軸センサ２は、４個の巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄから構成され、Ｙ軸センサ３は、４個の巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈから構成され、Ｚ軸センサ４は、４個の巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊ、４ｋ、４ｌから構成されている。
Ｘ軸センサ２およびＹ軸センサ３は、基板１の厚膜の平坦面に設けられ、Ｚ軸センサ４は、後述するように、厚膜に形成された溝の斜面に設けられている。 An X-axis sensor 2, a Y-axis sensor 3, and a Z-axis sensor 4 are provided on the thick film of the substrate. The X axis sensor 2 has a sensing axis in the X direction and the Y axis sensor 3 has a sensing axis in the Y direction in the coordinate axes shown in FIG. 1. The Z axis sensor 4 senses the strength of the magnetic field in the Z direction. It is possible.
The X-axis sensor 2 is composed of four giant magnetoresistive elements 2a, 2b, 2c and 2d, and the Y-axis sensor 3 is composed of four giant magnetoresistive elements 3e, 3f, 3g and 3h. The sensor 4 is composed of four giant magnetoresistive elements 4i, 4j, 4k, and 4l.
The X-axis sensor 2 and the Y-axis sensor 3 are provided on the flat surface of the thick film of the substrate 1, and the Z-axis sensor 4 is provided on the slope of the groove formed in the thick film, as will be described later.

Ｘ軸センサ２をなす４個の巨大磁気抵抗素子の内、巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂは、基板１のほぼ中央部並んで設けられ、残りの２個の巨大磁気抵抗素子２ｃ、２ｄは、これらからやや離れた基板１の端部に互い並んで、巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂと対峙するように設けられている。   Of the four giant magnetoresistive elements constituting the X-axis sensor 2, the giant magnetoresistive elements 2a and 2b are provided side by side in the substantially central portion of the substrate 1, and the remaining two giant magnetoresistive elements 2c and 2d are They are provided so as to face the giant magnetoresistive elements 2a and 2b alongside each other at the end of the substrate 1 slightly separated from these.

Ｙ軸センサ３をなす４個の巨大磁気抵抗素子の内、巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆは、基板１の一方の端部側に互いに並んで配され、残りの２個の巨大磁気抵抗素子３ｇ、３ｈは、基板１の他方の端部側に互いに並んで、巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆと対峙するように配置されている。   Among the four giant magnetoresistive elements constituting the Y-axis sensor 3, the giant magnetoresistive elements 3e and 3f are arranged side by side on one end side of the substrate 1, and the remaining two giant magnetoresistive elements 3g. 3h are arranged on the other end side of the substrate 1 so as to face the giant magnetoresistive elements 3e and 3f.

Ｚ軸センサ４をなす４個の巨大磁気抵抗素子の内、２個の巨大磁気抵抗素子４ｋ、４ｌは、巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆに近い位置に互いに並んで配され、残りの２個の巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊは、巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂからやや離れた位置に互いに並んで配置されている。   Of the four giant magnetoresistive elements forming the Z-axis sensor 4, the two giant magnetoresistive elements 4k, 4l are arranged side by side at positions close to the giant magnetoresistive elements 3e, 3f, and the remaining two The giant magnetoresistive elements 4i and 4j are arranged side by side at a position slightly away from the giant magnetoresistive elements 2a and 2b.

また、これら各Ｘ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４をなす巨大磁気抵抗素子の配置に関して、ある規則性がある。
図１において、破線で示す線イ、ロ、ハは、基板１をその長手方向に四等分する仮想線であり、線ニは、基板１をその短手方向に二等分する仮想線である。また、線イと線ニとの交点をＡとし、線ロと線ニとの交点をＢとする。 Further, there is a certain regularity with respect to the arrangement of the giant magnetoresistive elements forming the X-axis sensor 2, the Y-axis sensor 3 and the Z-axis sensor 4.
In FIG. 1, lines a, b, and c indicated by broken lines are virtual lines that divide the substrate 1 into four equal parts in the longitudinal direction, and lines D are virtual lines that bisect the substrate 1 in the short direction. is there. Also, let A be the intersection of line A and line D, and B be the intersection of line B and line D.

このとき、Ｘ軸センサ２をなす巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂと巨大磁気抵抗素子２ｃ、２ｄとは点Ａに対して点対称になっている。また、Ｙ軸センサ３をなす巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆと巨大磁気抵抗素子３ｇ、３ｈとは点Ａに対して点対称になっている。さらに、Ｚ軸センサ４をなす４ｉ、４ｊと巨大磁気抵抗素子４ｋ、４ｌとは点Ｂに対して点対称になっている。   At this time, the giant magnetoresistive elements 2a and 2b and the giant magnetoresistive elements 2c and 2d constituting the X-axis sensor 2 are point-symmetric with respect to the point A. The giant magnetoresistive elements 3e and 3f and the giant magnetoresistive elements 3g and 3h constituting the Y-axis sensor 3 are point symmetric with respect to the point A. Further, 4i and 4j forming the Z-axis sensor 4 and the giant magnetoresistive elements 4k and 4l are point-symmetric with respect to the point B.

これらの巨大磁気抵抗素子は、基本的には従来の巨大磁気抵抗素子と同様のもので、この例では図２に示すように、４個の感磁部５、５・・と、これらの感磁部５、５・・を電気的に直列に接続する３個のバイアス磁石部６、６・とから構成されている。
感磁部５は、巨大磁気抵抗素子の本体をなす部分であり、細長い帯状の平面形状を有するもので、後述する溝部の長手方向にその長手方向が平行になるように配置されている。 These giant magnetoresistive elements are basically the same as conventional giant magnetoresistive elements. In this example, as shown in FIG. 2, four magnetosensitive parts 5, 5,. The magnetic parts 5, 5... Are composed of three bias magnet parts 6, 6.
The magnetosensitive portion 5 is a portion that forms the main body of the giant magnetoresistive element, has an elongated strip-like planar shape, and is arranged so that the longitudinal direction thereof is parallel to the longitudinal direction of a groove portion to be described later.

感磁部５は、磁化の向きが所定の向きに固定されたピンド層と、磁化の向きが外部磁界の向きに応じて変化するフリー層を備えたもので、具体的にはフリー層上に導電性のスペーサ層、ピンド層、キャッピング層を順次積層してなる多層金属薄膜積層物から構成されている。   The magnetic sensing unit 5 includes a pinned layer in which the magnetization direction is fixed in a predetermined direction, and a free layer in which the magnetization direction changes according to the direction of the external magnetic field. Specifically, on the free layer It is composed of a multilayer metal thin film laminate formed by sequentially laminating a conductive spacer layer, a pinned layer, and a capping layer.

例えば、フリー層には、コバルト−ジルコニウム−ニオブのアモルファス磁性層とニッケル−鉄の磁性層とコバルト−鉄の磁性層との三層からなるものが、スペーサ層には、銅からなるものが、ピンド層には、コバルト−鉄の強磁性層と白金−マンガンの反磁性層との二層からなるものが、キャピング層にはタンタルからなるものが用いられる。   For example, the free layer includes a cobalt-zirconium-niobium amorphous magnetic layer, a nickel-iron magnetic layer, and a cobalt-iron magnetic layer, and the spacer layer includes copper. The pinned layer is composed of two layers of a cobalt-iron ferromagnetic layer and a platinum-manganese diamagnetic layer, and the capping layer is composed of tantalum.

バイアス磁石部６は、４個の感磁部５、５・・を電気的に直列に接続するとともに感磁部５の磁気特性を整えるためのバイアス磁界を感磁部５に印加するためのものである。また、このバイアス磁石部５は、例えば、コバルト−白金−クロム層とクロム層との二層からなる薄膜金属積層物から構成されている。   The bias magnet unit 6 is used to electrically connect the four magnetic sensing units 5,... In series and to apply a bias magnetic field for adjusting the magnetic characteristics of the magnetic sensing unit 5 to the magnetic sensing unit 5. It is. Moreover, this bias magnet part 5 is comprised from the thin film metal laminated body which consists of two layers of a cobalt-platinum-chromium layer and a chromium layer, for example.

基板１の平坦面に設けられたＸ軸センサ２およびＹ軸センサ３をなす巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈについての構造は、図２に示すように、４個の感磁部５、５・・と３個のバイアス磁石部６、６・とから構成され、感磁部５、５・・のうち、両外側の２個の感磁部５、５のバイアス磁石部６が接続されていない端部には、配線層７、７が接続され、この配線層７、７は、図示しないビア部に接続されている。   The structures of the giant magnetoresistive elements 2a, 2b, 2c, 2d, 3e, 3f, 3g, 3h constituting the X-axis sensor 2 and the Y-axis sensor 3 provided on the flat surface of the substrate 1 are as shown in FIG. 4 magnetic sensing parts 5, 5... And 3 bias magnet parts 6, 6. Two of the magnetic sensing parts 5, 5,. Wiring layers 7 and 7 are connected to the end portions of the 5 bias magnet portions 6 not connected, and the wiring layers 7 and 7 are connected to via portions (not shown).

図３ないし図５は、Ｚ軸センサ４をなす巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊ、４ｋ、４ｌの構造を示すもので、これらの図において、Ｚ軸センサ４をなす４個の巨大磁気抵抗素子のうち、巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊについて、詳しく描いたもので、他の巨大磁気抵抗素子４ｋ、４ｌについても同様の構造となっているので、これについては説明を省略する。   3 to 5 show the structures of giant magnetoresistive elements 4i, 4j, 4k, and 4l forming the Z-axis sensor 4. In these drawings, the four giant magnetoresistive elements forming the Z-axis sensor 4 are shown. Of these, the giant magnetoresistive elements 4i and 4j are drawn in detail, and the other giant magnetoresistive elements 4k and 4l have the same structure, and thus the description thereof is omitted.

図３は、巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊの概略平面図であり、図４は、図３において破断線ＩＶ−ＩＶで切断した概略断面図であり、図５は、巨大磁気抵抗素子の感磁部５とバイアス磁石部６の配置状態を模式的に示した斜視図である。   3 is a schematic plan view of the giant magnetoresistive elements 4i and 4j, FIG. 4 is a schematic sectional view taken along the broken line IV-IV in FIG. 3, and FIG. FIG. 6 is a perspective view schematically showing an arrangement state of a portion 5 and a bias magnet portion 6.

図４において、符号１は基板で示し、符号１１は基板１上に堆積された酸化ケイ素などからなる厚膜を示す。
この厚膜１１には、この厚膜１１を部分的に削り取って形成された４個のＶ字状の溝８、８・・・が互いに並んで平行に設けられている。 In FIG. 4, reference numeral 1 denotes a substrate, and reference numeral 11 denotes a thick film made of silicon oxide or the like deposited on the substrate 1.
The thick film 11 is provided with four V-shaped grooves 8, 8... Formed parallel to each other in parallel, which are formed by partially scraping the thick film 11.

この溝８は、その深さが３〜８μｍ、長さが２００〜４００μｍとされる細長い形状の凹部となっており、その斜面の幅が３〜１６μｍとなっており、斜面と厚膜１１表面とのなす角度は３０〜８０度、好ましくは７０度程度となっている。
なお、図４では、溝８の斜面を平坦面として描いているが、実際には製造プロセス上、外方（基板１の上側）に向けてやや張り出した湾曲面となっている。 The groove 8 is an elongated recess having a depth of 3 to 8 [mu] m and a length of 200 to 400 [mu] m. The slope has a width of 3 to 16 [mu] m. Is 30 to 80 degrees, preferably about 70 degrees.
In FIG. 4, the inclined surface of the groove 8 is depicted as a flat surface, but in actuality, it is a curved surface that slightly protrudes outward (upper side of the substrate 1) in the manufacturing process.

また、これらの溝８、８・・・の互いに隣接する８つの斜面には、斜面の長手方向に沿い、かつ斜面の中央部分の平坦性が良好な位置に、８個の巨大磁気抵抗素子の感磁部５、５・・が設けられている。
また、これら８つの斜面の内、第１の斜面に形成された感磁部５の一方の端部から溝の底部を経て隣の第２の斜面に形成された感磁部５の一方の端部にかけてバイアス磁石部６が設けられて、電気的に接続されている。 Further, the eight slopes adjacent to each other of these grooves 8, 8... Are arranged along the longitudinal direction of the slopes and at positions where the flatness of the central portion of the slopes is good. Magnetic sensing portions 5, 5,... Are provided.
Of these eight slopes, one end of the magnetic sensing portion 5 formed on the second slope adjacent to the first through the bottom of the groove from one end of the magnetic sensing portion 5 formed on the first slope. A bias magnet portion 6 is provided over the portion and is electrically connected.

さらに、第２の斜面に形成された感磁部５の他方の端部から溝の頂部を跨ぐようにして隣の第３の斜面に形成された感磁部５の一方の端部にかけてバイアス磁石部６が設けられ、以下同様にして４個の感磁部５が３個のバイアス磁石部６で電気的に接続され、１個の巨大磁気抵抗素子４ｉが構成されている。
そして、同様にして残りの４個の感磁部５・・・が３個のバイアス磁石部６・・によって直列に接続され、１個の巨大磁気抵抗素子４ｊが構成されている。 Further, the bias magnet extends from the other end of the magnetic sensing portion 5 formed on the second slope to one end of the magnetic sensing portion 5 formed on the adjacent third slope so as to straddle the top of the groove. In the same manner, the four magnetic sensing parts 5 are electrically connected by the three bias magnet parts 6 to form one giant magnetoresistive element 4i.
Similarly, the remaining four magnetic sensing parts 5... Are connected in series by three bias magnet parts 6... To constitute one giant magnetoresistive element 4j.

また、厚膜１１の平坦部に設けられたＸ軸センサ２、Ｙ軸センサ３をなす巨大磁気抵抗素子と同様に、これら感磁部５、５・・のうち、両外側の２個の感磁部５、５のバイアス磁石部６が接続されていない端部には、配線層７、７が接続され、この配線層７、７は、図示しないビア部に接続されている。この配線層７は、この例では巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部６を構成するマグネット膜で形成されており、これによりバイアス磁石部６と配線層７を同時に作製することができる。   Similarly to the giant magnetoresistive elements forming the X-axis sensor 2 and the Y-axis sensor 3 provided on the flat portion of the thick film 11, two of the magnetic sensing parts 5, 5. Wiring layers 7 and 7 are connected to ends of the magnetic portions 5 and 5 where the bias magnet portion 6 is not connected, and the wiring layers 7 and 7 are connected to via portions (not shown). In this example, the wiring layer 7 is formed of a magnet film that constitutes the bias magnet portion 6 of the giant magnetoresistive element, whereby the bias magnet portion 6 and the wiring layer 7 can be manufactured simultaneously.

また、Ｘ軸センサ２をなす巨大磁気抵抗素子およびＹ軸センサ３をなす巨大磁気抵抗素子においては、図２に示すように、その感知軸は感磁部５の長手方向に直交方向で基板１の表面に平行に向けられており、感磁部５のピニング方向およびバイアス磁石部６のバイアス磁界の着磁方向は、感磁部５の長手方向に対して３０〜６０度、好ましくは４５度で、基板１の表面に平行となっている。   Further, in the giant magnetoresistive element forming the X-axis sensor 2 and the giant magnetoresistive element forming the Y-axis sensor 3, as shown in FIG. 2, the sensing axis of the substrate 1 is perpendicular to the longitudinal direction of the magnetic sensing portion 5. The pinning direction of the magnetic sensing part 5 and the magnetization direction of the bias magnetic field of the bias magnet part 6 are 30 to 60 degrees, preferably 45 degrees with respect to the longitudinal direction of the magnetic sensing part 5. Thus, it is parallel to the surface of the substrate 1.

また、Ｚ軸センサ４をなす巨大磁気抵抗素子においては、巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊでは、図５に示すように、その感知軸は、感磁部５の長手方向に対して直交方向で溝８の斜面に平行でかつ斜面の上向きに向けられており、感磁部５のピニング方向およびバイアス磁石部６のバイアス磁界の着磁方向は、感磁部５の長手方向に対して３０〜６０度、好ましくは４５度で、溝８の斜面に平行で斜面の上向きとなっている。   Further, in the giant magnetoresistive elements forming the Z-axis sensor 4, in the giant magnetoresistive elements 4 i and 4 j, the sensing axes are grooves in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the magnetic sensing portion 5, as shown in FIG. The pinning direction of the magnetic sensing part 5 and the magnetization direction of the bias magnetic field of the bias magnet part 6 are 30 to 60 with respect to the longitudinal direction of the magnetic sensing part 5. The angle is preferably 45 degrees, and is parallel to the slope of the groove 8 and faces upward.

また、巨大磁気抵抗素子４ｋ、４ｌでは、図６に示すように、その感知軸は、感磁部５の長手方向に対して直交方向で溝８の斜面に平行でかつ斜面の下向きに向けられており、感磁部５のピニング方向およびバイアス磁石部６のバイアス磁界の着磁方向は、感磁部５の長手方向に対して３０〜６０度、好ましくは４５度で、溝８の斜面に平行で斜面の下向きとなっている。   Further, in the giant magnetoresistive elements 4k and 4l, as shown in FIG. 6, the sensing axis is oriented in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the magnetic sensing part 5 and parallel to the slope of the groove 8 and downward on the slope. The pinning direction of the magnetic sensing part 5 and the magnetization direction of the bias magnetic field of the bias magnet part 6 are 30 to 60 degrees, preferably 45 degrees with respect to the longitudinal direction of the magnetic sensing part 5, and Parallel and downward on the slope.

このような感知軸方向を得るためには、マグネットアレイを基板上方から接近させた状態で基板を２６０〜２９０℃で、３〜５時間加熱する加熱処理を行えばよく、これは従来のピニング処理と同様である。   In order to obtain such a sense axis direction, the substrate may be heated at 260 to 290 ° C. for 3 to 5 hours with the magnet array approached from above, which is a conventional pinning process. It is the same.

通常の巨大磁気抵抗素子では、感知軸方向とピニング方向とは、ともに感磁部５の長手方向に対して直交方向で、基板表面に平行とされているが、上述のように、感知軸方向とピニング方向とを異ならせることで、巨大磁気抵抗素子の耐強磁界性が向上することになる。   In a normal giant magnetoresistive element, the sensing axis direction and the pinning direction are both orthogonal to the longitudinal direction of the magnetic sensing portion 5 and parallel to the substrate surface. By making the pinning direction different from that of the giant magnetoresistive element, the strong magnetic field resistance of the giant magnetoresistive element is improved.

図７は、上述のＸ軸センサ２をなす４個の巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、Ｙ軸センサ３をなす４個の巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈおよびＺ軸センサ４をなす４個の巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊ、４ｋ、４ｌの結線方法を示すもので、各軸センサの４個の巨大磁気抵抗素子の出力をブリッジ結線したものが示されている。   FIG. 7 shows four giant magnetoresistive elements 2a, 2b, 2c and 2d forming the X-axis sensor 2 described above, four giant magnetoresistive elements 3e, 3f, 3g, 3h forming the Y-axis sensor 3 and the Z-axis. This shows a method of connecting the four giant magnetoresistive elements 4i, 4j, 4k, and 4l constituting the sensor 4, and shows a bridge connection of the outputs of the four giant magnetoresistive elements of each axis sensor.

このようなブリッジ結線を行うことで、図１の座標軸のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の正方向に磁界を印加した時に、それぞれのＸ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４からの出力が増加し、逆方向に磁界を印加したときには各センサ２、３、４からの出力が低下する特性が得られることになる。   By performing such bridge connection, when a magnetic field is applied in the positive direction of the X-axis, Y-axis, and Z-axis of the coordinate axes in FIG. 1, the respective X-axis sensor 2, Y-axis sensor 3, and Z-axis sensor 4 When the magnetic field is applied in the opposite direction, the output from each of the sensors 2, 3, 4 is reduced.

また、図１ないし図６では、図示していないが、Ｘ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４を構成するすべての巨大磁気抵抗素子を含む基板１全面には、窒化ケイ素などのパッシベーション膜、ポリイミドなどの保護膜が被覆されており、外界から保護されている。   Although not shown in FIGS. 1 to 6, the entire surface of the substrate 1 including all the giant magnetoresistive elements constituting the X-axis sensor 2, the Y-axis sensor 3, and the Z-axis sensor 4 is made of silicon nitride or the like. A protective film such as a passivation film or polyimide is coated to protect the film from the outside.

図８は、基板１に設けられたビア部の構造の例を示すもので、図８において符号２１ａは、ビア部を構成するアルミニウムなどからなる導体部を示し、この導体部２１ａは、下層の配線部に電気的に接続されている。
この導体部２１ａの表面の周辺部は、上述の平坦化膜２２、第１のパッシベーション膜２３、厚膜１１で覆われている。厚膜１１の端縁部は、図示のように傾斜面となっている。 FIG. 8 shows an example of the structure of the via portion provided in the substrate 1. In FIG. 8, reference numeral 21a denotes a conductor portion made of aluminum or the like constituting the via portion, and this conductor portion 21a is formed on the lower layer. It is electrically connected to the wiring part.
The peripheral portion of the surface of the conductor portion 21 a is covered with the above-described planarization film 22, first passivation film 23, and thick film 11. The edge portion of the thick film 11 is an inclined surface as illustrated.

さらに、導体部２１ａの表面の中央部分は、配線膜２５で被覆されており、この配線膜２５は、上述の巨大磁気抵抗素子の配線層７に接続されている。この配線膜２５も配線層７と同様にバイアス磁石部６をなすマグネット膜から構成されており、バイアス磁石部６と同時に作製することができる。   Furthermore, the central portion of the surface of the conductor portion 21a is covered with a wiring film 25, and this wiring film 25 is connected to the wiring layer 7 of the giant magnetoresistive element described above. Similarly to the wiring layer 7, the wiring film 25 is also composed of a magnet film that forms the bias magnet portion 6, and can be manufactured simultaneously with the bias magnet portion 6.

この配線膜２５は、図示のように、厚膜１１の端縁部において、階段状の段差が形成されている。この段差部分の隅部では、プロセス上、配線膜２５の厚さが薄くなって断線の恐れがある。このため、この段差部分および中央部分を覆うように、保護導体膜２６が積層されている。   As shown in the figure, the wiring film 25 has a stepped step at the edge of the thick film 11. At the corner of the stepped portion, the thickness of the wiring film 25 becomes thin due to the process, and there is a risk of disconnection. For this reason, the protective conductor film 26 is laminated so as to cover the stepped portion and the central portion.

この保護導体膜２６としては、この例では、巨大磁気抵抗素子の感磁部５をなす巨大磁気抵抗素子膜が用いられており、これによれば感磁部５の作製と同時に配線膜２５上に保護導体膜２６を積層できる。これによって、配線膜２５の断線の恐れを回避できることになる。
さらに、このようなビア部には、窒化ケイ素などのパッシベーション膜２７、ポリイミドなどの保護膜２８が被覆され、外界から保護されている。 As this protective conductor film 26, in this example, a giant magnetoresistive element film forming the magnetosensitive part 5 of the giant magnetoresistive element is used. According to this, on the wiring film 25 simultaneously with the production of the magnetosensitive part 5 The protective conductor film 26 can be laminated on the substrate. As a result, the fear of disconnection of the wiring film 25 can be avoided.
Furthermore, such a via portion is covered with a passivation film 27 such as silicon nitride and a protective film 28 such as polyimide, and is protected from the outside.

このような磁気センサにあっては、１枚の基板１に、Ｘ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４が配置されているので、小型の三軸磁気センサとして機能する。また、溝８の斜面の平坦性の良好な部分に巨大磁気抵抗素子の感磁部を形成することができ、性能のよい磁気センサが得られる。   In such a magnetic sensor, since the X-axis sensor 2, the Y-axis sensor 3, and the Z-axis sensor 4 are arranged on one substrate 1, it functions as a small three-axis magnetic sensor. In addition, the magnetosensitive element of the giant magnetoresistive element can be formed in a portion having good flatness on the slope of the groove 8, and a magnetic sensor with good performance can be obtained.

また、ビア部では、その開口縁部でのバイアス磁石膜からなる配線膜２５の上に巨大磁気抵抗素子膜からなる保護導体膜２６が積層され、段差部分の隅部での配線膜２５の断線が生じる恐れが少なくなる。
さらに、感磁部５のピニング方向を、感磁部５の長手方向に対して３０〜６０度としたことで、得られる巨大磁気抵抗素子の耐強磁界性が良好となる。 Further, in the via portion, a protective conductor film 26 made of a giant magnetoresistive element film is laminated on the wiring film 25 made of a bias magnet film at the opening edge thereof, and the wiring film 25 is disconnected at the corner of the step portion. Less likely to occur.
Furthermore, by setting the pinning direction of the magnetic sensitive part 5 to 30 to 60 degrees with respect to the longitudinal direction of the magnetic sensitive part 5, the strong magnetic field resistance of the obtained giant magnetoresistive element becomes good.

つぎに、このような磁気センサの製法について説明する。
以下の説明においては、溝８、８・・の斜面に形成されたＺ軸センサ４を構成する巨大磁気抵抗素子、ビア部、パッド部の作製についで、主に説明する。
まず、基板１を用意する。この基板１には、上述のように、シリコンなどの半導体基板に磁気センサの駆動回路、信号処理回路などの半導体集積回路、配線層などが予め形成されたものである。 Next, a method for manufacturing such a magnetic sensor will be described.
In the following description, the production of the giant magnetoresistive element, via portion, and pad portion constituting the Z-axis sensor 4 formed on the slopes of the grooves 8, 8,.
First, the substrate 1 is prepared. As described above, the substrate 1 is formed by previously forming a semiconductor integrated circuit such as a drive circuit of a magnetic sensor, a signal processing circuit, a wiring layer, etc. on a semiconductor substrate such as silicon.

図９（ａ）に示すように、この基板１の最上層の配線層の一部をなすビア部Ａのアルミニウムなどからなる導体部２１ａとパッド部Ｂのアルミニウムなどからなる導体部２１ｂが設けられている。   As shown in FIG. 9A, a conductor portion 21a made of aluminum or the like of via portion A and a conductor portion 21b made of aluminum or the like of pad portion B, which form part of the uppermost wiring layer of substrate 1, are provided. ing.

この基板１上に、まず平坦化膜３１を成膜する。この平坦化膜３１には、例えば、プラズマＣＶＤ法による厚さ３００ｎｍの酸化ケイ素膜、厚さ６００ｎｍのＳＯＧ膜、厚さ５０ｎｍのトリエトキシシランを原料として製膜した酸化ケイ素膜を順次積層したものなどが用いられる。   A planarizing film 31 is first formed on the substrate 1. For example, a silicon oxide film having a thickness of 300 nm formed by plasma CVD, a SOG film having a thickness of 600 nm, and a silicon oxide film formed using triethoxysilane having a thickness of 50 nm as a raw material are sequentially stacked on the planarizing film 31. Etc. are used.

次ぎに、図９（ｂ）に示すように、ビア部Ａ、パッド部Ｂの導体部２１ａ、２１ｂ上の平坦化膜３１をエッチングして取り除き、それらの導体部２１ａ、２１ｂを開口させる。さらに、図９（ｃ）に示すように、基板１全面に第１のパッシベーション膜３２（２３）を成膜する。この第１のパッシベーション膜３２（２３）としては、例えば、厚さ２５０ｎｍのプラズマＣＶＤ法による酸化ケイ素膜３３と、厚さ６００ｎｍのプラズマＣＶＤ法による窒化ケイ素膜３４との積層膜などが用いられる。   Next, as shown in FIG. 9B, the planarizing film 31 on the conductor portions 21a and 21b of the via portion A and the pad portion B is removed by etching, and the conductor portions 21a and 21b are opened. Further, as shown in FIG. 9C, a first passivation film 32 (23) is formed on the entire surface of the substrate 1. As the first passivation film 32 (23), for example, a laminated film of a silicon oxide film 33 by a plasma CVD method having a thickness of 250 nm and a silicon nitride film 34 by a plasma CVD method having a thickness of 600 nm is used.

ついで、図９（ｄ）に示すように、ビア部Ａ、パッド部Ｂの導体部２１ａ、２１ｂの上方に堆積している窒化ケイ素膜３４をエッチングして除去する。この際、酸化ケイ素膜３３は残し、窒化ケイ素膜３４の除去の範囲は、平坦化膜３１の開口幅よりも小さくされる。このようにすることにより、ビア部Ａおよびパッド部Ｂの開口部分において、平坦化膜３１の端面が露出して、水分が配線層や半導体集積回路などに侵入することが防止される。   Next, as shown in FIG. 9D, the silicon nitride film 34 deposited above the conductor portions 21a and 21b of the via portion A and the pad portion B is removed by etching. At this time, the silicon oxide film 33 is left, and the removal range of the silicon nitride film 34 is made smaller than the opening width of the planarizing film 31. By doing so, the end surfaces of the planarization film 31 are exposed at the opening portions of the via portion A and the pad portion B, and moisture is prevented from entering the wiring layer, the semiconductor integrated circuit, and the like.

ついで、図１０（ａ）に示すように、この上に厚さ５μｍ程度のプラズマＣＶＤ法による酸化ケイ素からなる厚膜３５を形成する。この厚膜３５は、後述するように、上記溝８、８・・が形成されるもので、図４、図８において符号１１で示したものである。   Next, as shown in FIG. 10A, a thick film 35 made of silicon oxide is formed thereon by a plasma CVD method having a thickness of about 5 μm. As will be described later, the thick film 35 is formed with the grooves 8, 8,..., And is indicated by reference numeral 11 in FIGS.

次ぎに、図１０（ｂ）に示すように、この厚膜３５上に厚さ３μｍ程度のレジスト膜３６を全面に形成する。このレジスト膜３６の一部をエッチング処理して、除去して、レジストパターンを形成する。このレジストパターンは、溝形成部Ｃの各溝に相当する部分、ビア部Ａおよびパッド部Ｂのみが開口するようにする。   Next, as shown in FIG. 10B, a resist film 36 having a thickness of about 3 μm is formed on the entire surface of the thick film 35. A part of the resist film 36 is etched and removed to form a resist pattern. In this resist pattern, only the portion corresponding to each groove of the groove forming portion C, the via portion A, and the pad portion B are opened.

つぎに、図１０（ｃ）にあるように、残っているレジスト膜３６に温度１５０℃、時間１０分程度の加熱処理を施し、レジスト膜３６を溶融させる。この加熱処理によりレジストが溶融し、溶融液の表面張力に起因して、図示のように、レジスト３６膜の上面が盛り上がり、同時に端面が傾斜面となる。特に、溝形成部Ｃに対応する部分のレジスト膜３６では、断面形状が山状となって、その高さが約５μｍ程度に盛り上がる。   Next, as shown in FIG. 10C, the remaining resist film 36 is heated at a temperature of 150 ° C. for about 10 minutes to melt the resist film 36. By this heat treatment, the resist is melted, and due to the surface tension of the melt, the upper surface of the resist 36 film rises as shown in the figure, and at the same time, the end surface becomes an inclined surface. In particular, in the resist film 36 corresponding to the groove forming portion C, the cross-sectional shape is a mountain shape, and the height rises to about 5 μm.

こののち、レジストと酸化ケイ素とのエッチング選択比がほぼ１対１となるような条件でレジスト膜３６と厚膜３５に対してドライエッチングを行う。
このドライエッチング条件は、例えば以下の通りである。
エッチングガスには、ＣＦ４／ＣＨＦ３／Ｎ２／Ｏ２の混合ガスを、以下の割合、６０／１８０／１０／１００ｓｃｃｍで用いた。
処理圧力：４００ｍトール（５３．２Ｐａ）、ＲＦパワー：７５０Ｗ、電極温度：１５℃、チャンバー温度：１５℃ After that, dry etching is performed on the resist film 36 and the thick film 35 under the condition that the etching selectivity between the resist and silicon oxide is approximately 1: 1.
The dry etching conditions are, for example, as follows.
As an etching gas, a mixed gas of CF 4 / CHF 3 / N 2 / O 2 was used at the following ratio, 60/180/10/100 sccm.
Processing pressure: 400 mTorr (53.2 Pa), RF power: 750 W, electrode temperature: 15 ° C., chamber temperature: 15 ° C.

このドライエッチングの際に、図１１（ａ）にあるように、ビア部Ａおよびパッド部Ｂでは、その開口の広さがパッシベーション膜３２の開口の広さよりも大きくならないようにする。
この後、厚膜３５上に残っているレジスト膜３６を除去する。 At the time of this dry etching, as shown in FIG. 11A, the opening area of the via part A and the pad part B is made not to be larger than the opening area of the passivation film 32.
Thereafter, the resist film 36 remaining on the thick film 35 is removed.

これにより、図１１（ａ）に示すように、厚膜３５の溝形成部Ｃには、溝８、８・・が形成される。さらに、図１１（ｂ）に示すように、ビア部Ａの導体部２１ａを覆っている厚膜３５および酸化ケイ素膜３３を取り除き、導体部２１ａを露出する。   As a result, as shown in FIG. 11A, grooves 8, 8,... Are formed in the groove forming portion C of the thick film 35. Further, as shown in FIG. 11B, the thick film 35 and the silicon oxide film 33 covering the conductor part 21a of the via part A are removed to expose the conductor part 21a.

ついで、基板１全面に、巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部６となるマグネット膜をスパッタにより成膜し、レジストワーク、エッチングにより不要部分を除去し、図１１（ｃ）に示すように、溝８、８・・の斜面上にバイアス磁石部６を形成し、これと同時にビア部Ａの導体部２１ａ上に配線膜２５を形成し、この配線膜２５と巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部６とを繋ぐ配線層７を形成する。   Next, a magnet film to be the bias magnet portion 6 of the giant magnetoresistive element is formed on the entire surface of the substrate 1 by sputtering, and unnecessary portions are removed by resist work and etching. As shown in FIG. , 8... Are formed on the slope of the bias magnet portion 6, and at the same time, a wiring film 25 is formed on the conductor portion 21 a of the via portion A. The wiring film 25 and the bias magnet portion 6 of the giant magnetoresistive element Is formed.

このマグネット膜には、先に述べたとおりの、例えばＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔなどの多層金属薄膜が用いられる。
この際に、厚膜３５の平坦面にも、Ｘ軸センサ２、Ｙ軸センサ３を構成する各巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部６とこれの配線層７も形成する。 As this magnet film, a multilayer metal thin film such as Co—Cr—Pt as described above is used.
At this time, the bias magnet portion 6 and the wiring layer 7 of each giant magnetoresistive element constituting the X-axis sensor 2 and the Y-axis sensor 3 are also formed on the flat surface of the thick film 35.

このバイアス磁石部６の形成のためのレジストワークの際に、溝８の斜面でのマグネット膜のエッチングを適切に行うため、パターン形成後のレジスト膜に加熱処理を施して、レジスト膜の端面を傾斜面とすることが好ましい。   At the time of resist work for forming the bias magnet portion 6, in order to appropriately etch the magnet film on the slope of the groove 8, the resist film after pattern formation is subjected to heat treatment so that the end face of the resist film is removed. It is preferable to use an inclined surface.

ついで、この上に巨大磁気抵抗素子の感磁部５となる巨大磁気抵抗素子膜をスパッタにより全面に成膜する。この巨大磁気抵抗素子膜としては、先に述べた通りの多層金属薄膜が用いられる。
さらに、この状態の基板１をマグネットアレー上にセットして、温度２６０〜２９０℃、時間３〜５時間の熱処理を行って、巨大磁気抵抗素子膜に対して、ピニング処理を行う。このピニング処理については後述する。 Next, a giant magnetoresistive element film to be the magnetosensitive part 5 of the giant magnetoresistive element is formed on the entire surface by sputtering. As this giant magnetoresistive element film, the multilayer metal thin film as described above is used.
Further, the substrate 1 in this state is set on a magnet array, and heat treatment is performed at a temperature of 260 to 290 ° C. for 3 to 5 hours to perform a pinning process on the giant magnetoresistive element film. This pinning process will be described later.

こののち、巨大磁気抵抗素子膜に対してレジストワーク、エッチングを行い、不要部分を除去して、図１２（ａ）に示すように、溝８、８・・の斜面上に感磁部５、５・・を形成し、巨大磁気抵抗素子を作製する。これにより、Ｚ軸センサ４が完成する。   Thereafter, resist work and etching are performed on the giant magnetoresistive element film, unnecessary portions are removed, and as shown in FIG. 5 ··· to form a giant magnetoresistive element. Thereby, the Z-axis sensor 4 is completed.

同時にビア部Ａの導体部２１ａ上に先に形成されたマグネット膜からなる配線膜２５上にも巨大磁気抵抗素子膜を残し、保護導体膜２６とする。これにより図８に示すビア部Ａの構造が得られる。
さらにこれと同時に厚膜３５の平坦面にも、感磁部５を形成し、巨大磁気抵抗素子を作製する。これによりＸ軸センサ２と、Ｙ軸センサ３が完成する。 At the same time, the giant magnetoresistive element film is also left on the wiring film 25 made of a magnet film previously formed on the conductor part 21 a of the via part A, thereby forming the protective conductor film 26. Thereby, the structure of the via part A shown in FIG. 8 is obtained.
At the same time, the magnetosensitive portion 5 is formed on the flat surface of the thick film 35 to produce a giant magnetoresistive element. Thereby, the X-axis sensor 2 and the Y-axis sensor 3 are completed.

ついで、図１２（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法による厚さ１μｍ程度の窒化ケイ素膜からなるパッシベーション膜２７を成膜し、さらにこの上にポリイミドからなる保護膜２８を設ける。さらに、この保護膜２８、パッシベーション膜２７のうち、パッド部Ｂに存在する部分を除去し、開口する。   Next, as shown in FIG. 12B, a passivation film 27 made of a silicon nitride film having a thickness of about 1 μm is formed by plasma CVD, and a protective film 28 made of polyimide is further provided thereon. Further, portions of the protective film 28 and the passivation film 27 existing in the pad portion B are removed and opened.

ついで、図１２（ｃ）に示すように、保護膜２８をマスクとして、エッチングを行い、パッド部Ｂの導体部２１ｂを覆っているパッシベーション膜３２と厚膜３５を除去し、パッド部Ｂの導体部２１ｂを露出させて、目的とする磁気センサとする。   Next, as shown in FIG. 12C, etching is performed using the protective film 28 as a mask to remove the passivation film 32 and the thick film 35 covering the conductor part 21b of the pad part B, and the conductor of the pad part B The part 21b is exposed to obtain a target magnetic sensor.

図１３および図１４は、上述のピニング処理を具体的に示すもので、基板１に対してマグネットアレーの各磁石の配置状態を示すものである。
マグネットアレーは、基板１の巨大磁気抵抗素子が形成される面（表面）の上方に配置される。 FIG. 13 and FIG. 14 specifically show the pinning process described above, and show the arrangement state of each magnet of the magnet array with respect to the substrate 1.
The magnet array is disposed above the surface (surface) on which the giant magnetoresistive element of the substrate 1 is formed.

図１３（ａ）は、基板１の表面での巨大磁気抵抗素子と、マグネットアレーの各磁石の極性の位置関係を示し、図に示した極性は基板表面に面する側のものである。
図１３（ｂ）は、図１３（ａ）における破線Ｑで示した断面での磁性の位置関係を示すものである。 FIG. 13A shows the positional relationship between the polarities of the giant magnetoresistive element on the surface of the substrate 1 and each magnet of the magnet array, and the polarities shown in the figure are those facing the substrate surface.
FIG. 13B shows the positional relationship of magnetism in the cross section indicated by the broken line Q in FIG.

図１３（ｃ）は、図１３（ａ）における破線Ｒで示した断面での磁性の位置関係を示したものである。
図１４は、図１３（ｂ）の拡大図であって、１個の巨大磁気抵抗素子に作用する磁力線の方向を示したものである。 FIG. 13 (c) shows the positional relationship of magnetism in the cross section indicated by the broken line R in FIG. 13 (a).
FIG. 14 is an enlarged view of FIG. 13B, showing the direction of magnetic lines of force acting on one giant magnetoresistive element.

このような磁気センサの製法によれば、１枚の基板にＸ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４を作り込むことができ、しかもビア部、パッド部もこれと同時に作製することができ、一連の連続したプロセスで小型の三軸磁気センサを一挙に製造することが可能になる。   According to such a magnetic sensor manufacturing method, the X-axis sensor 2, the Y-axis sensor 3, and the Z-axis sensor 4 can be formed on a single substrate, and the via portion and the pad portion are also manufactured at the same time. Thus, a small three-axis magnetic sensor can be manufactured at once by a series of continuous processes.

本発明の磁気センサの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the magnetic sensor of this invention. 本発明での巨大磁気抵抗素子の例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the example of the giant magnetoresistive element in this invention. 本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗素子の例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the example of the giant magnetoresistive element which comprises the Z-axis sensor in this invention. 本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗素子の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the example of the giant magnetoresistive element which comprises the Z-axis sensor in this invention. 本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗素子の例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the example of the giant magnetoresistive element which comprises the Z-axis sensor in this invention. 本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗素子の他の例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the other example of the giant magnetoresistive element which comprises the Z-axis sensor in this invention. 本発明での各軸センサをなす巨大磁気抵抗素子の結線方法の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the example of the connection method of the giant magnetoresistive element which comprises each axis | shaft sensor in this invention. 本発明の磁気センサのビア部の構造の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the example of the structure of the via part of the magnetic sensor of this invention. 本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the magnetic sensor of this invention in process order. 本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the magnetic sensor of this invention in process order. 本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the magnetic sensor of this invention in process order. 本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the magnetic sensor of this invention in process order. 本発明の磁気センサの製法におけるピニング処理でのマグネットアレーの各磁石の位置関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the positional relationship of each magnet of the magnet array in the pinning process in the manufacturing method of the magnetic sensor of this invention. 本発明の磁気センサの製法におけるピニング処理での巨大磁気抵抗素子に対する磁力線の方向を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the direction of the magnetic force line with respect to the giant magnetoresistive element in the pinning process in the manufacturing method of the magnetic sensor of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１・・基板、５・・感磁部、６・・バイアス磁石部、７・・配線層、Ａ・・ビア部、８・・溝、２１ａ・・導体部、２１ｂ・・導体部、３１・・平坦化膜、３２・・第１のパッシベーション膜、３５・・厚膜、３６・・レジスト膜
1 .. Substrate 5.. Magnetosensitive part 6.. Bias magnet part 7.. Wiring layer A A Via part 8 Groove 21 a Conductor part 21 b Conductor part 31 -Planarization film, 32-First passivation film, 35-Thick film, 36-Resist film

Claims (13)

配線層を有し回路が形成された基板と、  A substrate having a wiring layer and a circuit formed thereon;
前記配線層を覆う酸化膜からなる厚膜に形成された複数の溝と、  A plurality of grooves formed in a thick film made of an oxide film covering the wiring layer;
前記溝の斜面に形成された感磁部を有する複数の巨大磁気抵抗効果素子と、  A plurality of giant magnetoresistive elements having a magnetic sensing portion formed on the slope of the groove;
前記厚膜上に設けられた感磁部を有する複数の巨大磁気抵抗効果素子とを備え、  A plurality of giant magnetoresistive elements having a magnetic sensing portion provided on the thick film,
前記配線層の最上層には下層の配線層と接続するビア部が形成されており、前記ビア部と前記巨大磁気抵抗効果素子は配線部で接続され、前記複数の巨大磁気抵抗効果素子は前記配線層によりブリッジ結線されていることを特徴とする磁気センサ。  A via part connected to a lower wiring layer is formed in the uppermost layer of the wiring layer, the via part and the giant magnetoresistive effect element are connected by a wiring part, and the plurality of giant magnetoresistive effect elements are A magnetic sensor that is bridge-connected by a wiring layer. 上記溝の斜面の中央部に上記感磁部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。   The magnetic sensor according to claim 1, wherein the magnetically sensitive portion is formed at a central portion of the slope of the groove. 基板にビア部が形成されており、このビア部と基板に設けられた巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部とが配線で接続されており、この配線がバイアス磁石部を構成するマグネット膜からなり、ビア部においては、このマグネット膜上に感磁部を構成する巨大磁気抵抗素子膜がさらに積層されていることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。   A via portion is formed on the substrate, and the via portion and the bias magnet portion of the giant magnetoresistive element provided on the substrate are connected by wiring, and the wiring is made of a magnet film constituting the bias magnet portion, 2. The magnetic sensor according to claim 1, wherein in the via portion, a giant magnetoresistive element film constituting the magnetosensitive portion is further laminated on the magnet film. 上記巨大磁気抵抗素子の感磁部のピンニング方向が、感磁部の長手方向に対して３０〜６０度となっていることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。   2. The magnetic sensor according to claim 1, wherein the pinning direction of the magnetic sensitive part of the giant magnetoresistive element is 30 to 60 degrees with respect to the longitudinal direction of the magnetic sensitive part. 上記感磁部は、溝方向に長手方向を持つ帯状部材からなることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。   The magnetic sensor according to claim 1, wherein the magnetically sensitive portion is formed of a belt-like member having a longitudinal direction in the groove direction. 基板の最上層の配線層上に、この配線層を覆うとともに平坦面を形成する平坦化層を形成し、この上にパッシベーション膜を成膜したのち、
この上に厚膜を形成し、さらにこの厚膜上にレジスト膜を形成し、
このレジスト膜のうち、一部を除去し、残ったレジスト膜に加熱処理を施して、レジスト膜の側面を傾斜面となし、
ついで、レジスト膜と厚膜とを、そのエッチング選択比がほぼ１：１となるエッチング条件でエッチングし、溝を厚膜に形成し、
次ぎに、厚膜の平坦面と上記溝の斜面ならびに頂部または底部に巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部を形成し、この上に巨大磁気抵抗素子膜を成膜したのち、基板をマグネットアレー上に置いて熱処理を施し、
ついで、巨大磁気抵抗素子膜の一部をエッチングにより除去して、厚膜の平坦面および溝の斜面に巨大磁気抵抗素子の感磁部を形成し、この上に保護膜を成膜することを特徴とする磁気センサの製法。 On the uppermost wiring layer of the substrate, a flattening layer that covers the wiring layer and forms a flat surface is formed, and after a passivation film is formed thereon,
A thick film is formed on this, and a resist film is further formed on this thick film.
Part of this resist film is removed, the remaining resist film is subjected to heat treatment, and the side surface of the resist film is formed as an inclined surface.
Next, the resist film and the thick film are etched under an etching condition in which the etching selectivity is approximately 1: 1, and a groove is formed in the thick film.
Next, a giant magnetoresistive element bias magnet is formed on the flat surface of the thick film, the slope and top or bottom of the groove, and after the giant magnetoresistive element film is formed thereon, the substrate is placed on the magnet array. Put and heat-treat,
Next, a part of the giant magnetoresistive element film is removed by etching to form a magnetosensitive part of the giant magnetoresistive element on the flat surface of the thick film and the slope of the groove, and a protective film is formed thereon. Characteristic magnetic sensor manufacturing method. 基板の最上層の配線層上に、この配線層を覆うとともに平坦面を形成する平坦化層を形成し、この平坦化層の一部を除去して、ビア部およびパッド部を露出させ、この上に上層と下層からなるパッシベーション膜を成膜したのち、ビア部およびパッド部に相当する部分の上層を除去し、
この上に厚膜を形成し、さらにこの厚膜上にレジスト膜を形成し、
このレジスト膜のうち、一部を除去し、残ったレジスト膜に加熱処理を施して、レジスト膜の側面を傾斜面となし、
ついで、レジスト膜と厚膜とを、そのエッチング選択比がほぼ１：１となるエッチング条件でエッチングし、厚膜に溝を形成すると同時にビア部およびパッド部に薄くなった厚膜を残し、
ついで、ビア部の中央部分に残った厚膜とパッシベーション膜の下層を除去して、ビア部の導体部を露出させ、
次ぎに、厚膜の平坦面と上記溝の斜面ならびに頂部または底部に巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部を形成するとともにこの巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部とビア部の導体部とを接続する配線を形成し、この上に巨大磁気抵抗素子膜を成膜したのち、基板をマグネットアレー上に置いて熱処理を施し、
ついで、巨大磁気抵抗素子膜の一部をエッチングにより除去して、厚膜の平坦面および溝の斜面に巨大磁気抵抗素子の感磁部を形成するとともにビア部にも巨大磁気抵抗素子膜を残し、この上にパッド部を残して保護膜を成膜したのち、パッド部を覆う厚膜とパッシベーション膜の下層を除去してパッド部の導体部を露出することを特徴とする磁気センサの製法。 A planarizing layer that covers the wiring layer and forms a flat surface is formed on the uppermost wiring layer of the substrate, and a part of the planarizing layer is removed to expose the via portion and the pad portion. After forming a passivation film consisting of an upper layer and a lower layer on top, the upper layer corresponding to the via portion and the pad portion is removed,
A thick film is formed on this, and a resist film is further formed on this thick film.
Part of this resist film is removed, the remaining resist film is subjected to heat treatment, and the side surface of the resist film is formed as an inclined surface.
Next, the resist film and the thick film are etched under an etching condition in which the etching selection ratio is approximately 1: 1, and a groove is formed in the thick film, and at the same time, the thin film is left in the via portion and the pad portion,
Next, the thick film remaining in the central part of the via part and the lower layer of the passivation film are removed to expose the conductor part of the via part,
Next, the bias magnet part of the giant magnetoresistive element is formed on the flat surface of the thick film, the slope of the groove, and the top or bottom, and the wiring connecting the bias magnet part of the giant magnetoresistive element and the conductor part of the via part After forming a giant magnetoresistive element film on this, the substrate is placed on a magnet array and subjected to heat treatment,
Next, a part of the giant magnetoresistive element film is removed by etching to form the magnetoresistive part of the giant magnetoresistive element on the flat surface of the thick film and the slope of the groove and leave the giant magnetoresistive element film also in the via part. A method of manufacturing a magnetic sensor, comprising forming a protective film on the pad portion, leaving a thick film covering the pad portion and a lower layer of the passivation film, and exposing a conductor portion of the pad portion. 配線層を有し回路が形成された基板を備えた磁気センサの製造方法であって、  A method of manufacturing a magnetic sensor comprising a substrate having a wiring layer and a circuit formed thereon,
前記配線層の最上層にビア部が形成され、前記ビア部を含む前記配線層上に酸化膜からなる厚膜を形成する工程と、  Forming a via part on the uppermost layer of the wiring layer, and forming a thick film made of an oxide film on the wiring layer including the via part;
前記厚膜にレジストを塗布し、前記レジストの一部をエッチング処理してレジストパターンを形成する工程と、  Applying a resist to the thick film and etching a part of the resist to form a resist pattern;
前記レジストパターンに加熱処理を施し溶融させる工程と、  A step of subjecting the resist pattern to heat treatment and melting;
溶融させた前記レジストパターンと前記厚膜とを選択エッチングし前記厚膜の一部に複数の溝を形成するとともに、前記ビア部の上方の厚膜を前記選択エッチングによりエッチングする工程と、  Selectively etching the melted resist pattern and the thick film to form a plurality of grooves in a part of the thick film, and etching the thick film above the via portion by the selective etching;
エッチングされて薄くなった厚膜に開口部を設け前記ビア部を露出し、前記ビア部と接続する配線部を酸化膜上に形成する工程と、  Providing an opening in the thick film that has been etched to expose the via portion, and forming a wiring portion connected to the via portion on the oxide film;
前記溝の斜面を含む酸化膜上に前記配線部と接続し前記磁気センサの感磁部となる複数の素子を形成する工程とからなる磁気センサの製法。  A method of manufacturing a magnetic sensor comprising: forming a plurality of elements that are connected to the wiring portion on the oxide film including the slope of the groove and serve as a magnetic sensitive portion of the magnetic sensor. 前記複数の素子は前記配線層によりブリッジ結線されていることを特徴とする請求項８に磁気センサの製法。  The method of manufacturing a magnetic sensor according to claim 8, wherein the plurality of elements are bridge-connected by the wiring layer. 前記配線層と前記厚膜との間に酸化ケイ素膜からなる平坦化膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項８または９に記載の磁気センサの製法。  10. The method for manufacturing a magnetic sensor according to claim 8, further comprising a step of forming a planarizing film made of a silicon oxide film between the wiring layer and the thick film. 前記レジストパターンに加熱処理を施し溶融させる工程は、前記レジストパターンを斜面を有する山状とすることを特徴とする請求項８から１０に記載の磁気センサの製法。  The method of manufacturing a magnetic sensor according to claim 8, wherein the step of applying heat treatment to the resist pattern to melt the resist pattern forms the resist pattern in a mountain shape having a slope. 前記複数の素子を形成する工程の後、少なくとも前記複数の素子を覆う保護膜を形成することを特徴とする請求項８から１１に記載の磁気センサの製法。  The method for manufacturing a magnetic sensor according to claim 8, wherein a protective film that covers at least the plurality of elements is formed after the step of forming the plurality of elements. 前記配線層の最上層には、ビア部とともにパッド部が形成され、  In the uppermost layer of the wiring layer, a pad portion is formed together with a via portion,
前記保護膜を形成する工程の後に前記パッド部を露出させるために前記保護膜の一部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の磁気センサの製法。  The method of manufacturing a magnetic sensor according to claim 12, further comprising a step of removing a part of the protective film to expose the pad portion after the step of forming the protective film.
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