JP4983448B2 - サージアブソーバ及びサージアブソーバの実装構造 - Google Patents

Description

本発明は、サージから様々な機器を保護し、事故を未然に防ぐために使用するサージアブソーバ及びサージアブソーバの実装構造に関する。

電話機、ファクシミリ、モデムなどの通信機器用の電子機器が通信線との接続する部分、電源線、アンテナあるいはＣＲＴ駆動回路など、雷サージや静電気などのサージ電圧による電撃を受けやすい部分には、このサージ電圧によって電子機器やこの機器を搭載するプリント基板の熱的損傷または発火などによる破壊を防止するために、サージアブソーバが接続されている。

従来、例えばマイクロギャップを有するサージ吸収素子を用いたサージアブソーバが提案されている。このサージアブソーバは、一対の放電電極がマイクロギャップを介して対向配置されたサージ吸収素子を、封止ガスと共にガラス管内に封止した放電型のサージアブソーバである。
このような放電型のサージアブソーバでは、サージが入力されると、サージ吸収素子で放電を行うことでサージを吸収する。異常電圧である過電圧が入力された場合であっても、サージが入力されたときと同様に、サージ吸収素子で放電を行うことによってサージを吸収するが、過電圧が長時間入力されると、放電によってサージアブソーバが発熱によって加熱される。そして、この発熱によってサージ吸収素子が損傷したり、サージアブソーバが実装されている実装基板に熱的な損傷を与えたりするという問題がある。そこで、実装基板への熱的な損傷を回避するために、サージ吸収素子にヒューズを接続することや、サージアブソーバにヒューズを設けることなどが行われている（例えば、特許文献１参照）。これにより、過電圧を長時間印加された際にその電流をヒューズによって遮断することで、実装基板の熱的損傷の発生を回避することが可能となる。
特許第２８７６５３４号公報

しかしながら、上記従来のサージアブソーバにおいても、以下の課題が残されている。すなわち、上記従来のサージアブソーバでは、ヒューズを別途接続したり、ヒューズとしての機構を組み込んだりする必要があるため、部品点数が増大したり、サージアブソーバの大型化したりするという問題がある。

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、大型化することなく過電圧が入力されることによる実装基板の熱的損傷の発生を回避可能なサージアブソーバ及びサージアブソーバの実装構造を提供することを目的とする。

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のサージアブソーバは、絶縁性部材と、該絶縁性部材上に放電間隙を介して対向配置された一対の放電電極とを有するサージ吸収素子と、該一対の放電電極と接触し、前記サージ吸収素子を挟持する一対の端子電極と、該端子電極に接続されるリード線と、前記サージ吸収素子を封止ガスと共に封入し、熱膨張係数が前記サージ吸収素子の熱膨張係数よりも大きいガラス管とを備え、前記リード線のうち少なくともサージ吸収素子の軸方向の長さよりも長い部分が、前記ガラス管よりも高い耐熱性を有する絶縁性管で被覆され、前記一対の端子電極間に過電圧が印加されると、前記ガラス管の温度がガラス転移点に達し、溶融することを特徴とする。

この発明では、過電圧が印加されて放電を行っているときにガラス管を溶融させることで、サージ吸収素子を一対の端子電極による挟持状態から開放させ、電流を遮断する。これにより、別途ヒューズを接続したり、ヒューズの機構を組み込んだりすることなく、過電圧が入力されることによる実装基板の熱的損傷の発生を回避するサージアブソーバとすることができる。
すなわち、過電圧が印加されると放電電極の間で放電が行われ、サージアブソーバが加熱される。このとき、過電圧の印加によって長時間放電が行われると、放電によってガラス管が加熱してガラス転移点に至り、溶融する。このようにガラス管が溶融すると、ガラス管が導電性を有することになり、ガラス管にも過電圧による電流が流れる。そして、ガラス管は、発熱し、粘性が低下することでその自重により落下する。このとき、一対の端子電極によって挟持されていたサージ吸収素子の挟持状態が開放され、この溶融したガラス管と共にサージ吸収素子が落下する。ここで、リード線の少なくとも一部を絶縁性管で被覆した状態でサージアブソーバを実装基板に実装することで、実装基板の実装面とガラス管との間には空隙が発生することになる。このため、ガラス管が端子電極から離間した状態で落下する。
これにより、一対の端子電極間の空隙が、サージ吸収素子の落下前ではマイクロギャップと同等の距離であったのに対して、サージ吸収素子と同等の距離となる。また、ガラス管の内部に封止されていた封止ガス雰囲気ではなく、大気雰囲気となる。このため、一対の端子電極間における放電を停止し、一対の端子電極間における電流の流れを遮断する。
以上より、サージ吸収素子が一対の端子電極間から抜け落ちることでヒューズとしての機能を有することとなる。したがって、サージアブソーバを大型化することなく、ヒューズとしての機能を設けることができる。
また、リード線の少なくとも一部をガラス管よりも高い耐熱性を有する絶縁性管で被覆することで、溶融して落下したガラス管がリード線を被覆する絶縁性管に付着したときに、リード線にガラス管が付着することと比較して、付着したガラス管を短時間で冷却することができる。これにより、冷却させたガラス管が絶縁性を有することとなり、落下したガラス管が端子電極と接触している場合であっても、過電圧による電流がガラス管内を流れることを防止する。したがって、端子電極からガラス管を経由して実装基板に電流が流れて実装基板が加熱されることを防止する。
ここで、リード線のうち少なくともサージ吸収素子の軸方向の長さと同等の領域にわたって絶縁性管で被覆することで、落下したサージ吸収素子がリード線に付着することを抑制できる。
そして、隣接して配置された複数のサージアブソーバに対して過電圧が印加された場合において、一のサージアブソーバにおけるガラス管が溶融し、この溶融したガラス管が隣接する他のサージアブソーバに付着して、この他のサージアブソーバにおけるガラス管の溶融、落下が妨害されることを回避する。これにより、他のサージアブソーバにおけるサージ吸収素子も溶融したガラス管と共に落下して一対の端子電極間おける電流の流れを遮断する。したがって、複数のサージアブソーバを隣接して配置した場合であっても、サージ吸収素子が加熱することによる障害を回避することができる。

また、本発明のサージアブソーバの実装構造は、絶縁性部材と、該絶縁性部材上に放電間隙を介して対向配置された一対の放電電極とを有するサージ吸収素子と、該一対の放電電極と接触し、前記サージ吸収素子を挟持する一対の端子電極と、該端子電極に接続されるリード線と、前記サージ吸収素子を封止ガスと共に封入するガラス管とを備えるサージアブソーバを実装基板に実装したサージアブソーバの実装構造であって、前記リード線のうち少なくともサージ吸収素子の軸方向の長さよりも長い部分が、前記ガラス管よりも高い耐熱性を有する絶縁性管で被覆され、前記ガラス管は、その軸線が実装基板に対してほぼ平行であると共に、該実装基板との距離が３．５ｍｍ以上であることを特徴とする。

この発明では、上述と同様に、過電圧が印加されて放電を行っているときにガラス管を溶融させることで、サージ吸収素子を一対の端子電極による挟持状態から開放させ、電流を遮断する。これにより、溶融して落下したガラス管によって実装基板も加熱されることを確実に防止できる。
すなわち、溶融したガラス管が落下する際、ガラス管が一対の端子電極の一方と実装基板とに付着して双方を接続することにより、上述したように、溶融して導電性を有するガラス管によって過電圧が上記一方の端子電極と実装基板との間に流れ、実装基板が加熱されることがある。ここで、放電時にガラス管のうち最も加熱されやすい箇所は、放電間隙の近傍となっている。これは、放電電極のうち放電間隙の近傍において放電が開始することによる。このとき、ガラス管と実装基板との距離を３．５ｍｍ以上とすることで、ガラス管の加熱による熱的影響が実装基板に及ぶことを抑制すると共に、溶融したガラス管が一対の端子電極の一方と実装基板との双方に付着することを回避できる。ここで、リード線のうち少なくともサージ吸収素子の軸方向の長さと同等の領域にわたって絶縁性管で被覆することで、落下したサージ吸収素子がリード線に付着することを抑制できる。

また、本発明のサージアブソーバの実装構造は、絶縁性部材と、該絶縁性部材上に放電間隙を介して対向配置された一対の放電電極とを有するサージ吸収素子と、該一対の放電電極と接触し、前記サージ吸収素子を挟持する一対の端子電極と、該端子電極に接続されるリード線と、前記サージ吸収素子を封止ガスと共に封入するガラス管とを備えるサージアブソーバを実装基板に実装したサージアブソーバの実装構造であって、前記リード線のうち少なくともサージ吸収素子の軸方向の長さよりも長い部分が、前記ガラス管よりも高い耐熱性を有する絶縁性管で被覆され、前記ガラス管は、その軸線が実装基板に対してほぼ垂直であると共に、該実装基板との距離が１．５ｍｍ以上であることを特徴とする。

この発明では、上述と同様に、溶融して落下したガラス管によって実装基板も加熱されることを確実に防止できる。
すなわち、ガラス管の軸線を実装基板と垂直となるようにサージアブソーバを配置したときにおいて溶融したガラス管が落下する際、ガラス管と実装基板との距離を１．５ｍｍ以上とすることで、ガラス管の加熱による熱的影響が実装基板に及ぶことを抑制すると共に、溶融したガラス管が一対の端子電極の一方と実装基板との双方に付着することを回避できる。

本発明のサージアブソーバ及びサージアブソーバの実装構造によれば、過電圧が印加されて放電を行っているときにガラス管を溶融、落下させることで、別途ヒューズを接続したり、ヒューズの機構を組み込んだりすることなく、過電圧が入力されることによる実装基板の熱的損傷の発生を回避するサージアブソーバとすることができる。また、落下したガラス管が端子電極と接触している場合であっても、絶縁性管によって過電圧による電流がガラス管内を流れることを防止することで、端子電極からガラス管を経由して実装基板に電流が流れ、実装基板が加熱されることを防止する。

以下、本発明にかかるサージアブソーバ及びサージアブソーバの実装構造の一実施形態を、図１及び図２を参照しながら説明する。ここで、図１はサージアブソーバの実装構造の軸方向断面図、図２はガラス管及びサージ吸収素子が落下した状態を示す図である。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。

本実施形態におけるサージアブソーバ１は、いわゆるマイクロギャップを使用した放電型のサージアブソーバである。そして、サージアブソーバ１は、図１に示すように、円柱状のサージ吸収素子２と、サージ吸収素子２を封止ガス３と共に封入するガラス管４と、サージ吸収素子２の両端に配置されてサージ吸収素子２を挟持する一対の端子電極５、６と、一対の端子電極５、６のそれぞれに接続される一対のリード線７、８とを備えている。なお、サージアブソーバ１の実装位置は後述するようにガラス管４の軸線が実装基板Ｂと平行となるようにしているが、実装基板Ｂの配置位置は実装基板Ｂが搭載される電子機器などの設計に応じて適宜変更してもよいものであって、水平面に対して平行でなくてもよく、垂直であってもよい。ただし、ガラス管４が溶融してその自重により落下することから、サージアブソーバ１の実装位置はガラス管４の落下位置や、実装基板Ｂ上の他の回路を考慮することが望ましい。

サージ吸収素子２は、円柱状セラミックス（絶縁性部材）１１と、放電間隙１２を介して対向配置された一対の放電電極１３、１４とを備えている。そして、サージ吸収素子２は、その軸線がサージアブソーバ１を実装する実装基板Ｂの実装面と平行となっている。
円柱状セラミックス１１は、例えばムライト焼結体などのセラミックス材料で構成されている。
一対の放電電極１３、１４は、円柱状セラミックス１１の表面に放電間隙１２を介して分割形成された一対のトリガ電極１５、１６と、円柱状セラミックス１１の両端に対向配置されてトリガ電極１５、１６にそれぞれ接触する一対のキャップ電極１７、１８とを備えている。

一対のトリガ電極１５、１６は、物理蒸着（ＰＶＤ）法や化学蒸着（ＣＶＤ）法などの薄膜形成技術によって円柱状セラミックス１１の表面に形成された導電性の薄膜であるって、例えばＴｉＮ（窒化チタン）などの導電性材料で構成されている。そして、トリガ電極１５、１６の間に放電間隙１２が形成されている。
この放電間隙１２は、例えばレーザカットやダイシング、エッチングなどの加工によって形成されており、０．０１ｍｍから１．５ｍｍの幅で１本から１００本形成されるが、本実施形態では、１１０μｍのものを１本形成している。

一対のキャップ電極１７、１８は、円柱状セラミックス１１よりも硬度の低い、例えばステンレスなどの金属からなり、断面ほぼＵ字状の椀状に形成されている。そして、一対のキャップ電極１７、１８は、円柱状セラミックス１１の両端に係合されている。キャップ電極１７、１８を円柱状セラミックス１１よりも硬度の低い材料で構成することにより、円柱状セラミックス１１の表面に微細な凹凸が形成されている場合であっても、キャップ電極１７、１８と円柱状セラミックス１１との接触面積を十分に確保でき、キャップ電極１７、１８とトリガ電極１５、１６との電気的な導通が良好に確保される。

ガラス管４は、例えばガラス転移点Ｔｇが６２５℃で融点が７００〜８００℃であり、円筒形状を有している。そして、ガラス管４の両端近傍において端子電極５、６の外周面がガラス管４の内周面と溶着されている。
また、ガラス管４は、その軸線が実装基板Ｂの実装面と平行であると共に、その外周面と実装基板Ｂの実装面との距離が３．５ｍｍ以上となるように配置されている。すなわち、ガラス管４の外周面のうちサージ吸収素子２の軸線に対して垂直であると共に放電間隙１２を含む面と交差する位置と、実装基板Ｂの実装面との距離が、３．５ｍｍ以上となっている。
封止ガス３は、放電開始電圧などの電気特性が所望の値となるように組成などが調整されたガスであって、例えばＡｒ（アルゴン）によって構成されている。

一対の端子電極５、６は、例えば、Ｆｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）合金の表面を酸化銅で被覆した金属で形成され、円板状となっている。そして、端子電極５、６は、サージ吸収素子２のキャップ電極１７、１８とそれぞれ接触しており、サージ吸収素子２を挟持している。ここで、サージ吸収素子２の両端に円柱状セラミックス１１よりも硬度の低いキャップ電極１７、１８が設けられているため、端子電極５、６とサージ吸収素子２との接触面積がキャップ電極１７、１８を設けずに端子電極５、６と円柱状セラミックス１１とを接触させた場合における接触面積と比較して大きくなり、サージ吸収素子２と端子電極５、６との接触状態を良好にすることができる。
また、端子電極５、６の表面が酸化銅で被覆されていることにより、ガラス管４と端子電極５、６とのヌレ性が良好となっている。このため、ガラス管４の内周面と端子電極５、６の外周面との溶着が強固になり、より確実に封止することが可能となっている。

リード線７、８は、例えば銅覆鋼線（以下、ＣＰ線と称する）で形成されており、端子電極５、６のそれぞれに溶接されている。そして、リード線７、８には、サージ吸収素子２の軸線に対してほぼ垂直に屈曲された屈曲部が形成されている。この屈曲部によるリード線７、８の屈曲方向は、互いに同方向となっている。そして、リード線７、８は、端子電極５、６から離間した先端が実装基板Ｂ上に例えばハンダなどによって固定されている。ここで、リード線７、８のうち実装基板Ｂに固定された上記先端と上記屈曲部との長さは、サージ吸収素子２の軸線及びガラス管４の軸線がそれぞれ実装基板Ｂの実装面と平行となると共に、ガラス管４の外周面と実装基板Ｂの実装面との距離Ｌ１が３．５ｍｍ以上となるような長さとなっている。
また、リード線７、８のうち上記先端と上記屈曲部との間は、それぞれ絶縁性管２１、２２で被覆されている。この絶縁性管２１、２２は、例えばセラミックスなどのようにガラス管４よりも高い耐熱性を有する材料で構成されている。なお、リード線７、８のうち上記先端と上記屈曲部との距離は、サージ吸収素子２の軸方向の長さよりも長くなっている。そして、リード線７、８のうち絶縁性管２１、２２によって被覆される領域の長さは、それぞれサージ吸収素子２の軸方向の長さよりも長くなっている。

このような構成のサージアブソーバ１のリード線７、８からサージ吸収素子２にサージが侵入すると、放電間隙１２を介して分割形成されたトリガ電極１５、１６のうち放電間隙１２の近傍においてグロー放電を行う。その後、キャップ電極１７、１８の間で発生するアーク放電に移行する。このとき、サージ吸収素子２には、放電によって発生した電流が流れる。このようにしてサージが吸収される。

また、リード線７、８間に過電圧が印加されると、上述と同様に、サージ吸収素子２で放電を行うことによってこの過電圧の吸収が行われるが、放電によって発生した熱により、ガラス管４が加熱され、例えば１、２秒のような長時間で放電が行われることによりガラス管４の温度がガラス転移点に達し、溶融する。そして、このようにガラス管４が溶融することで、ガラス管４が導電性を有することになる。この状態で、過電圧がさらに入力されると、端子電極５、６を経由してガラス管４にも過電圧による電流が流れることで、ガラス管４がさらに加熱される。その後、ガラス管４の粘性が低下し、落下する。

ここで、上述したように、サージ吸収素子２は一対の端子電極５、６によって挟持されている。また、ガラス管４の熱膨張係数がサージ吸収素子２の熱膨張係数よりも大きくなっている。このため、サージ吸収素子２及びガラス管４が加熱されてその粘性が低下すると、ガラス管４の熱膨張係数の方が大きいことから、ガラス管４が加熱されるにしたがって端子電極５、６間の間隔が広がり、端子電極５、６によるサージ吸収素子２の挟持力が小さくなる。これにより、ガラス管４の粘性が低下すると、端子電極５、６によるサージ吸収素子２の挟持状態が解除され、ガラス管４と共にサージ吸収素子２がその自重により落下する。ここで、リード線７、８のうち絶縁性管２１、２２によって被覆される領域の長さは、サージ吸収素子２の軸方向の長さよりも長くなっているので、落下したサージ吸収素子２がリード線７、８に付着することが防止される。

このようにサージ吸収素子２が実装基板Ｂ上に落下すると、図２に示すように、端子電極５、６間の空隙が、サージ吸収素子２の落下前では放電間隙１２と同等であったのに対して、サージ吸収素子２と同等の距離となる。また、ガラス管４によって封止ガス３が封止されていたのに対して、端子電極５、６間が大気雰囲気となる。このため、一対の端子電極５、６間において放電が発生しなくなり、端子電極５、６間における電流の流れが遮断される。このとき、過電圧が長時間印加されることによる端子電極５、６の加熱温度によっては、ガラス管４の溶融によるガラス管４及びサージ吸収素子２の落下と共に端子電極５、６も落下する場合もある。このような場合であっても、リード線７、８の間において放電が発生しなくなり、リード線７、８間における電流の流れが遮断される。

ここで、ガラス管４の軸線を実装基板Ｂの実装面と平行となるようにサージアブソーバ１を実装したときに、実装基板Ｂの実装面とガラス管４の外周面との距離Ｌ１を３．５ｍｍ以上とすることで、溶融したガラス管４が落下するときに、ガラス管４が実装基板Ｂと端子電極５、６の一方との間を接続することが確実に防止される。すなわち、実装基板Ｂの実装面とガラス管４の外周面との距離Ｌ１を３．５ｍｍ未満とすると、溶融したガラス管４が落下するとき、図３に示すように、ガラス管４が実装基板Ｂと端子電極５との双方を接続する場合がある。この状態で過電圧が印加され続けると、溶融したガラス管４が導電性を有していることから、端子電極５と実装基板Ｂとの間で電流が流れる。このため、実装基板Ｂが加熱され、その加熱の影響が実装基板Ｂに及ぶ。また、距離Ｌ１を３．５ｍｍ未満とすることで、サージアブソーバ１が加熱されたときにその熱がガラス管４と実装基板Ｂとの空間を介して伝導し、その影響が実装基板Ｂに及ぶ。

また、このようなサージアブソーバ１を例えばモデムなどの通信線に接続する場合には、回線の上りと下りとの２箇所に平行して配置することがある。ここで、２箇所に配置されたサージアブソーバ１の間隔は、例えば３ｍｍ程度となっており、両者が近接して配置されている。この状態で一方のサージアブソーバ１におけるガラス管４が溶融して落下するとき、ガラス管４が他方のサージアブソーバ１におけるリード線７、８に付着することがある。ここで、他方のサージアブソーバ１におけるリード線７、８を絶縁性管２１、２２で被覆しているため、溶融したガラス管４がこの絶縁性管２１、２２に付着することになる。そして、絶縁性管２１、２２に付着したガラス管４が冷却されて絶縁性を有することになる。このため、他方のサージアブソーバ１に過電圧が印加されても、絶縁性管２１、２２に付着したガラス管４が絶縁性を有しているため、他方のサージアブソーバ１におけるガラス管４の加熱には影響を及ぼすことがない。

このように構成されたサージアブソーバ１及びサージアブソーバ１の実装構造によれば、サージ吸収素子２に過電圧が印加されて放電を行っているときにガラス管４を溶融させることで、別途ヒューズを接続したりヒューズとしての機能を組み込んだりする必要がなく、過電圧が入力されることによる実装基板Ｂの熱的損傷の発生を回避することができる。
また、落下したガラス管４が端子電極５、６と接触している場合であっても、絶縁性管２１、２２によって過電圧による電流がガラス管４内を流れることを防止することで、端子電極５、６からガラス管４を経由して実装基板Ｂに電流が流れて実装基板Ｂが加熱されることを回避する。
そして、ガラス管４の軸線を実装基板Ｂと平行となるようにサージアブソーバを配置したときにガラス管４と実装基板Ｂとの距離Ｌ１を３．５ｍｍ以上とすることで、溶融したガラス管４が落下する際、溶融したガラス管４が端子電極５、６の一方と実装基板Ｂとの双方に付着することを回避できる。これにより、溶融して落下したガラス管４によって実装基板Ｂも加熱されることをより確実に回避できる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、距離Ｌ１を３．５ｍｍ以上としているが、溶融したガラス管４が落下する際、溶融したガラス管４が端子電極５、６の一方と実装基板Ｂとの双方に付着することを回避できれば、距離Ｌ１は３．５ｍｍ未満であってもよい。

また、サージ吸収素子２の軸線を実装基板の表面とほぼ平行となるようにサージアブソーバ１を実装基板に固定しているが、図４に示すように、ガラス管４の軸線を実装基板Ｂに対して垂直となるようにサージアブソーバ１を実装基板Ｂに固定してもよい。ここで、実装基板Ｂの表面とガラス管４との距離Ｌ２は、１．５ｍｍ以上となっている。このように配置しても、上述した実施形態と同様の作用、効果を奏する。このとき、上述と同様に、溶融したガラス管４が落下する際、溶融したガラス管４が端子電極５、６の一方と実装基板Ｂとの双方に付着することを回避できれば、距離Ｌ２は１．５ｍｍ未満であってもよい。

また、ガラス管及びサージ吸収素子の落下方向に、落下したガラス管及びサージ吸収素子を受ける受け部材を設けてもよい。ここで、サージアブソーバを実装した実装基板を金属で構成された筐体内に収容する場合には、この金属で構成された筐体を受け部材として用いてもよい。
また、トリガ電極をＴｉＮで構成しているが、ＴｉＮに限らず、例えばＡｇ（銀）、Ａｇ／Ｐｄ（パラジウム）合金、ＳｎＯ_２（酸化スズ）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、ＳｉＣ（炭化シリコン）、Ｂａ（バリウム）あるいはＢａ化合物、Ｃ（炭素）、Ａｇ／Ｐｔ（白金）合金、ＴｉＣ（炭化チタン）、ＴｉＣＮ（炭窒化チタン）などの導電性材料、もしくはこれらにＴｉＮを加えた中から選択した混合物で構成してもよい。
また、キャップ電極をステンレスで構成しているが、円柱状セラミックスよりも硬度の低い材料であれば、ステンレスに限らず、ＣｕやＮｉ系の合金でもよい。
また、放電電極は、トリガ電極とキャップ電極とを有しているが、円柱状セラミックスと端子電極との電気的な接触が十分に確保されるのであれば、キャップ電極を設けない構成としてもよい。
また、サージ吸収素子の構造は、絶縁性部材に放電間隙を介して対向配置された一対の放電電極を有していて一対の端子電極によって挟持されていれば、他の構造であってもよい。
また、端子電極として鉄ニッケル銅線を用い、リード線としてＣＰ線を用いているが、他の材料を用いてもよい。
また、絶縁性管としてセラミックスを用いているが、ガラス管よりも高い耐熱性を有していれば、他の材料を用いてもよい。そして、リード線に複数の絶縁性管を複数段積層した構成としてもよい。
また、封止する際の雰囲気、すなわち内部の不活性ガスは、放電特性に応じて決定され、例えば、Ｎ_２（窒素）、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｘｅ（キセノン）、Ｈ_２（水素）、ＳＦ_６、ＣＦ_４（四フッ化炭素）、Ｃ_２Ｆ_６（六フッ化二炭素）、Ｃ_３Ｆ_８（八フッ化三炭素）、ＣＯ_２（二酸化炭素）及びこれらにＡｒを加えた中から選択した混合ガスでもよい。

本発明の一実施形態におけるサージアブソーバの実装構造を示す軸方向断面図である。 図１において、ガラス管及びサージ吸収素子が落下した状態を示す図である。 ガラス管及びサージ吸収素子が端子電極と実装基板とを接続した状態を示す図である。 本発明を適用可能な、他のサージアブソーバの実装構造を示す軸方向断面図である。

符号の説明

１ サージアブソーバ
２ サージ吸収素子
３ 封止ガス
４ ガラス管
５，６ 端子電極
７，８ リード線
１１ 円柱状セラミックス（絶縁性部材）
１２ 放電間隙
１３，１４ 放電電極
１５，１６ トリガ電極
１７，１８ キャップ電極
２１，２２ 絶縁性管
Ｂ 実装基板
Ｌ１〜Ｌ３ 距離

Claims (3)

1. 絶縁性部材と、該絶縁性部材上に放電間隙を介して対向配置された一対の放電電極とを有するサージ吸収素子と、
   該一対の放電電極と接触し、前記サージ吸収素子を挟持する一対の端子電極と、
   該端子電極に接続されるリード線と、
   前記サージ吸収素子を封止ガスと共に封入し、熱膨張係数が前記サージ吸収素子の熱膨張係数よりも大きいガラス管とを備え、
   前記リード線のうち少なくともサージ吸収素子の軸方向の長さよりも長い部分が、前記ガラス管よりも高い耐熱性を有する絶縁性管で被覆され、
   前記一対の端子電極間に過電圧が印加されると、前記ガラス管の温度がガラス転移点に達し、溶融することを特徴とするサージアブソーバ。
2. 絶縁性部材と、該絶縁性部材上に放電間隙を介して対向配置された一対の放電電極とを有するサージ吸収素子と、
   該一対の放電電極と接触し、前記サージ吸収素子を挟持する一対の端子電極と、
   該端子電極に接続されるリード線と、
   前記サージ吸収素子を封止ガスと共に封入するガラス管とを備えるサージアブソーバを実装基板に実装したサージアブソーバの実装構造であって、
   前記リード線のうち少なくともサージ吸収素子の軸方向の長さよりも長い部分が、前記ガラス管よりも高い耐熱性を有する絶縁性管で被覆され、
   前記ガラス管は、その軸線が実装基板に対してほぼ平行であると共に、該実装基板との距離が３．５ｍｍ以上であることを特徴とするサージアブソーバの実装構造。
3. 絶縁性部材と、該絶縁性部材上に放電間隙を介して対向配置された一対の放電電極とを有するサージ吸収素子と、
   該一対の放電電極と接触し、前記サージ吸収素子を挟持する一対の端子電極と、
   該端子電極に接続されるリード線と、
   前記サージ吸収素子を封止ガスと共に封入するガラス管とを備えるサージアブソーバを実装基板に実装したサージアブソーバの実装構造であって、
   前記リード線のうち少なくともサージ吸収素子の軸方向の長さよりも長い部分が、前記ガラス管よりも高い耐熱性を有する絶縁性管で被覆され、
   前記ガラス管は、その軸線が実装基板に対してほぼ垂直であると共に、該実装基板との距離が１．５ｍｍ以上であることを特徴とするサージアブソーバの実装構造。

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