JP4977298B2 - 受動モード同期光ポンピング半導体の外部空洞共振器面発光レーザ - Google Patents
受動モード同期光ポンピング半導体の外部空洞共振器面発光レーザ Download PDFInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 40
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 2
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004061 bleaching Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094069—Multi-mode pumping
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1106—Mode locking
- H01S3/1112—Passive mode locking
- H01S3/1115—Passive mode locking using intracavity saturable absorbers
- H01S3/1118—Semiconductor saturable absorbers, e.g. semiconductor saturable absorber mirrors [SESAMs]; Solid-state saturable absorbers, e.g. carbon nanotube [CNT] based
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/041—Optical pumping
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0601—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising an absorbing region
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0657—Mode locking, i.e. generation of pulses at a frequency corresponding to a roundtrip in the cavity
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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Description
【０００１】
【発明の分野】
この発明は、パルスレーザと、パルスレーザの放射を行なうための方法とに関し、より特定的には、受動モード同期光ポンピング半導体の外部空洞共振器面発光レーザ（ＯＰＳ−ＥＸＳＥＬ）に関する。
【０００２】
【発明の背景】
半導体レーザは、当該技術において公知である。それらのレーザ利得媒体は、ＩｎＧａＡｓ等の半導体材料から成る。ほとんどの場合、それらはいかなる外部共振器も必要としない。なぜなら、半導体材料の端面を共振鏡として設計することができるからである。半導体材料に適切な電圧を印加することにより、それらを電気的にポンピングすることができる。いわゆるバンドギャップ工学は、多数ある公知の半導体材料およびレーザ設計を用いる技術であるが、赤外線および可視光の領域において射出可能である、極めて多様な波長をもたらす。半導体レーザは小さくコンパクトであり、低コストで大量に生産することができる。
【０００３】
半導体レーザを、エッジ発光レーザまたは面発光レーザのいずれかとして設計することができる。エッジ発光レーザは、半導体レーザのうちで最も一般的な形であるが、この概念が素子内のモード領域をきわめて大きく制限する。この結果、超短パルスを生成する際に、パルスエネルギーもまた、たとえば、イオンでドープされた結晶に基づいたレーザを用いて得られるものよりも、はるかに低い値に制限されてしまう。また、高品質の横ビームを有して、高平均出力（数ワット以上）を生成することができない。これらの問題を、面発光半導体レーザで解決することができ、素子に光ポンピングを行なうと、モード領域を大いに拡大することができる。
【０００４】
これまでに公知の、電気的にポンピングされた垂直空洞共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）は、その出力において、またはビームの質に関して、制限を受ける。なぜなら、小領域ＶＣＳＥＬでは、熱の放散が駆動電流を制限する一方で、大領域ＶＣＳＥＬでは、ポンピングの分布が基本横モード動作をサポートするには十分に均一でないからである。光ポンピングにより、ポンピングの均一性の問題を克服することができ、外部空洞共振器により、大きなモードサイズでも、安定した基本モード動作を確保することができる（Ｍ．クーズニエトソウフ（M. Kuznetsov）他、「円形ＴＥＭ00ビームを用いた、高出力（＞０．５−ＷＣＷ）ダイオードでポンピングした垂直外部空洞共振器面発光半導体レーザ（High-power (>0.5-WCW) diode-pumped vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor lasers with circular TEM00 beams）」ＩＥＥＥ フォトニクス・テクノロジー・レターズ（IEEE Phot. Tech. Lett.）第９巻、第８号、ｐ．１０６３、１９９７年）。半導体量子井戸レーザの広い利得バンド幅は、超短パルスの生成には魅力的である。短パルス（ナノセカンドおよびサブナノセカンド領域内）または超短パルス（サブピコセカンド領域内）を射出するレーザは、当該技術において公知である。短パルスまたは超短パルスを生成するための周知の技術がモード同期である。モード同期は、長手方向のレーザ空洞共振器モードのコヒーレントな重畳である。それは、１つのパルスに対し、空洞共振器往復時間ごとに空洞共振器内での損失を減少させる、一時的な損失変調によって強制的に行なわれる。このことにより、開いた正味利得ウィンドウが生じ、パルスは所与の時間で変調器を通過する場合のみ、利得を得る。損失の変調は、能動的または受動的態様のいずれかで行なわれ得る。
【０００５】
能動モード同期は、たとえば、空洞共振器内要素として音響光学変調器を用いて行なわれ、空洞共振器往復時間と同期化される。ダイオードでポンピングされた量子井戸レーザの能動モード同期は、たとえば、１００−１２０ｐｓのパルス長をもたらす、空洞共振器内音響光学プリズムによって得られてきた（Ｍ．Ａ．ホルム（M. A. Holm）、Ｐ．クスマノ（P. Cusumano）、Ｄ．バーンズ（D. Burns）、Ａ．Ｉ．ファーガスン（A. I. Ferguson）およびＭ．Ｄ．ドースン（M. D. Dawson）、ＣＬＥＯ’９９テクニカル・ダイジェスト（CLEO'99 Technical Digest）ボルティモア、１９９９年、論文ＣＴｕＫ６３）。
【０００６】
しかしながら、超短パルスの生成は、受動モード同期技術に依存する。なぜなら、超短パルスを形成し、安定させるのに十分高速であるのは、受動シャッターのみだからである。受動モード同期は、可飽和吸収体メカニズムに依存し、このメカニズムは、光強度を増すとともに損失を減らす。可飽和吸収体パラメータをレーザシステムに対して正しく調整すると、安定した、自己始動のモード同期が得られる。ダイオードレーザの可飽和吸収体モード同期は、元々、外部空洞共振器内において、半導体可飽和吸収体ミラー（ＳＥＳＡＭ）を用いて広く研究されてきたが（Ｙ．シルババーグ（Y. Silberberg）、Ｐ．Ｗ．スミス（P. W. Smith）、Ｄ．Ｊ．アイランバージャ（D. J. Eilenberger）、Ｄ．Ａ．Ｂ．ミラー（D. A. B. Miller）、Ａ．Ｃ．ゴサード（A. C. Gossard）、およびＷ．ワイマン（W. Woiegman）、オプティカルレターズ（Opt. Lett.）９，５０７，１９８４年）、さらに最近では、モノリシックデバイスにおいて研究されており、このデバイスは、逆バイアスをかけた接合部分を用いて可飽和吸収体を設ける（概論としては、アーテックハウス（Artech House）、ボストン、１９９５年の、Ｐ．バシーリイェット（P. Vasil'ev）による編集の、「超高速ダイオードレーザ：基本と応用（Ultrafast Diode Lasers: Fundamentals and Applications）」参照）。最大１．５４ＴＨｚまで変動可能な繰返し数でピコセカンドのパルスを生成する、調波的にモード同期を行なったモノリシックレーザも示されている（Ｓ．アラヒラ（S. Arahira）、Ｙ．マツイ（Y. Matsui）、およびＹ．オガワ（Y. Ogawa）、ＩＥＥＥジャーナル・オブ・クワンタム・エレクトロン（IEEE J. Quantum Electron）３２，１２１１，１９９６年）。しかしながら、このような装置の出力パワーは、数十ミリワットに制限される。
【０００７】
短パルスを生成するための他のアプローチは、垂直外部空洞共振器面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ）に対し、モードを同期化した色素または固体を同期光ポンピングとして用いることであった（Ｗ．Ｂ．ジャン（W. B. Jiang）、Ｒ．ミリーン（R. Mirin）、およびＪ．Ｅ．バウアズ（J. E. Bowers）、アプライド・フィジィックス・レターズ（Appl. Phys. Lett.）、６０，６７７，１９９２年）。これらのレーザは、典型的には、約２０ＰＳの長さのチャープパルスを生成し、このパルスは、サブピコセカンド、さらにはサブ１００フェムトセカンドの時間まで、外部的に圧縮された（Ｗ．Ｈ．シーアン（W. H. Xiang）、Ｓ．Ｒ．フリバーグ（S. R. Friberg）、Ｋ．ワタナベ（K. Watanebe）、Ｓ．マチダ（S. Machida）、Ｙ．サカイ（Y. Sakai）、Ｈ．イワムラ（H. Iwamura）、およびＹ．ヤマモト（Y. Yamamoto）、アプライド・フィジィックス・レターズ、５９，２０７６，１９９１年）。広範囲の適用を妨げる、このアプローチの一般的な欠点は、ポンピングレーザ自身が超短パルスを送出しなければならないことである。このことにより、複雑さ、サイズ、コスト、および達成可能なパルス繰返し数の点で、システム全体の魅力は大いに制限される。
【０００８】
米国特許第５，４６１，６３７（ムーラディアン（Mooradian）他）では、半導体基板上に形成された量子井戸領域とともに、垂直空洞共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）が開示されている。第１の反射面が量子井戸領域上に形成され、第２の反射面が基板上に、第１の反射面と反対側に形成され、レーザ空洞共振器を形成する。しかしながら、このようなＶＣＳＥＬをモード同期するためにとるべき手段についての教示はない。
【０００９】
【発明の概要】
短パルス（ピコセカンド領域内）または超短パルス（サブピコセカンド領域内）を射出し、高繰返し数（数ＧＨｚ以上の領域内）を備え、高光平均出力（少なくとも数百ミリワット）と高品質のビーム（ビーム質の係数Ｍ2≦５：Ｔ．Ｆ．ジョンストン・ジュニア（T. F. Johnston, Jr.）、「Ｍ2概念はビーム質を特徴づける（M2 concept characterizes beam quality）」、レーザ・フォーカス・ワールド（Laser Focus World）、１９９０年５月参照）とを有する、簡単で安定したレーザを提供することが、この発明の目的である。
【００１０】
光ポンピング外部空洞共振器面発光レーザ（ＥＸＳＥＬ）と半導体可飽和吸収体構造とを組合わせると、上述の問題を解決することがわかった。したがって、この発明に従ったレーザは、外部空洞共振器を備えた面発光半導体レーザを有する。このレーザは、好ましくは、高出力ダイオードレーザバーによって光ポンピングされる。最後に、このレーザは、外部空洞共振器内においてＳＥＳＡＭで受動的にモード同期されるか、代替的に、半導体レーザ構造内に組込まれた可飽和吸収体を用い、受動的にモード同期される。ＳＥＳＡＭは、この明細書においては、任意の半導体可飽和吸収体構造を意味するが、たとえば、Ａ−ＦＰＳＡ（オプティカル・レターズ１７，５０５，１９９２年）、ＳＢＲ（オプティカル・レターズ２０，１４０６，１９９５年）、Ｄ−ＳＡＭ（オプティカル・レターズ２１，４８６，１９９６年）、半導体のドープされた誘電体層（オプティカル・レターズ２３，１７６６，１９９８年）、または着色ガラスフィルタ（アプライド・フィジィックス・レターズ５７，２２９，１９９０年）と称されることもある。安定したモード同期を行なうために、動作パラメータを調整することのできる、任意の他の可飽和吸収体を用いることもできる（Ｃ．ヘンニンガー（C. Hoenninger）他、「ｃｗ受動モード同期のＱスイッチング安定性限界（Q-switching stability limits of cw passive mode locking）」、ジャーナル・オブ・ザ・オプティカル・ソサイエティ・オブ・アメリカ−Ｂ（J. Opt. Soc. Am. B）、１６，４６，１９９９年）。
【００１１】
より特定的に、この発明に従ったレーザは、
第１の反射要素と、それから分離した第２の反射要素とを含み、前記第１および第２の反射要素は、レーザ放射のための光学共振器を規定し、前記レーザはさらに、
前記レーザ放射を行なうために、本質的には表面内に広がる表面を有する、本質的には平坦な半導体利得構造と、
前記表面から前記レーザ放射を行なうのに、前記半導体利得構造を励起するための手段とを含み、前記励起手段は、前記半導体利得構造に射突するポンピング放射を行なうためのポンピングソースを有し、前記レーザはさらに、
前記レーザ放射をモード同期するための半導体可飽和吸収体構造を含む。
【００１２】
この発明に従った、パルス化された電磁レーザ放射を行なうための方法は、
ポンピング放射を行なうステップと、
前記ポンピング放射を前記半導体利得構造に射突させることにより、前記表面からレーザ放射を行なうために、本質的には表面内に広がる表面を有する、本質的には平坦な半導体利得構造を励起させるステップと、
光共振器内で前記レーザ放射を再循環させるステップと、
半導体可飽和吸収体構造により、前記レーザ放射をモード同期するステップとを含む。
【００１３】
以下に、この発明が、これまで用いられたアプローチに関連する多くの問題を、どのように解決するかを説明する。半導体利得材料を用いることにより、超短パルスの生成に対し、広い増幅バンド幅が必要に応じて得られる。半導体利得媒体の比較的小さな飽和エネルギーは、以下に説明するように、高繰返し数でのパルス生成には有益である。面発光ジオメトリにより、半導体上の光ピーク強度を減少させる比較的大きなレーザモード領域を得ることができ、したがって、大きなパルスエネルギーを得ることができる。マルチワット出力で動作を行なうために、利得媒体を電気的にポンピングすることは優れた選択肢ではない。なぜなら、この態様では、大きなモード領域にわたり、十分に均一なポンピング密度を得ることが難しいからである。光ポンピングによってこの問題は解消し、同時に、利得構造を最適化するのに、より大きな設計の自由度がもたらされる。高出力ダイオードバーは、ポンピングソースとして最適であり、コンパクトであって、数十ワットのポンピング光を極めて効率よく送出するが、ビームの低品質は重要ではない。なぜなら、利得構造の吸収長が極めて小さいからである。さらに、外部レーザ空洞共振器は、（空洞共振器長を介して）レーザ繰返し数を決定し、また、ＳＥＳＡＭを組込むことができる。ＳＥＳＡＭ（または代替的に、利得構造内に組込まれた可飽和吸収体）は、モード同期をもたらす、すなわち、レーザ空洞共振器長に従い、間隔をあけた、短パルスまたは超短パルスの生成が行なわれる。
【００１４】
半導体利得媒体の比較的小さな飽和エネルギーは、高繰返し数でパルスを生成するために非常に重要である。イオンでドープされた結晶に基づいた、他の受動モード同期レーザは、はるかに大きな利得飽和エネルギーを有する。（サブピコセカンドのパルス生成に必要とされるように、広い増幅バンド幅を有する、イオンでドープされたほとんどの利得材料の場合が特にそうである。）この理由のために、このようなレーザは、Ｑスイッチング不安定性（またはＱスイッチされたモード同期、ＱＭＬ、Ｃ．ヘンニンガー他、ジャーナル・オブ・ザ・オプティカル・ソサイエティ・オブ・アメリカ−Ｂ１６，４６，１９９９年参照）の傾向がある。高パルス繰返し数が求められる場合、特に、同時に高出力が求められる場合、この傾向を抑えることが極めて難しい。半導体レーザは、一段と小さな利得飽和エネルギーのために、実質的にはこれらの問題を呈することがなく、したがって、高繰返し数と高平均出力とを備えたパルス列を生成するのに適切である。
【００１５】
重要な設計基準は、レーザ利得構造の飽和エネルギーが、可飽和吸収体の飽和エネルギーよりも大きくなくてはならないことである。安定したモード同期を得るために、これらの２つの量子の比率は、好ましくは、２以上であるべきである。受動モード同期のためにＳＥＳＡＭを用いる場合、その飽和エネルギーは、ＳＥＳＡＭ設計およびＳＥＳＡＭ上のモード領域との両方によって調整することができ、ＳＥＳＡＭ上のモード領域は、レーザ空洞共振器設計によって制御される。典型的には、ＳＥＳＡＭ上のモード領域は、利得構造上のモードサイズよりもかなり小さい（たとえば、５分の１未満、好ましくは、１０分の１未満である）。利得構造内に組込まれた可飽和吸収体に対し、飽和エネルギーの適切な比率が適切な設計によって得られる。特に、この装置は、たとえば、構造内の定在波電界による、空間的に変動する強度を利用することにより、または、一方の空洞共振器内に利得があり、他方の空洞共振器内に吸収体がある、結合された空洞共振器により、吸収体構造の光強度が利得構造内の強度より大きくなるように設計され得る。広帯域の動作に対し、結合された空洞共振器は、反共振であるべきである。代替的に、吸収体および利得構造の、内在する飽和エネルギーは、バンドギャップ工学によって制御され得る。
【００１６】
超短パルスを生成するために、レーザ利得構造の設計は、内部反射、たとえば、レーザ利得構造の表面から生じ得る、バンド幅を制限する結合空洞共振器の影響を避けなければならない。このような反射は、装置の利得スペクトルを効果的に変調し、それにより、使用可能な利得バンド幅に制限を与えてしまう。このような反射を抑える一つの方法は、単一インターフェイスからの反射が効果的に消去されるように半導体層（または、おそらく、誘電体等の他の材料から形成された層）を配置することである。（これは、基本的には反射防止膜の原理である。）もう１つの方法は、利得構造の表面からの反射をある程度考慮しながらも、利得の存在する波長領域全体にわたって反共振であるように、構造全体の厚さを設計することである。このことにより、装置のポンピングしきい値が幾分増大するが、それは、上で説明したとおり、有益となり得る効果的な利得飽和エネルギーも増大させる。
【００１７】
半導体基板の裏面（利得構造を成長させる側）からの反射もまた、ブラッグ（Bragg）鏡構造の残存透過が極めて小さい場合でさえ、装置の性能に著しい影響を及ぼすおそれがある。この理由は、ブラッグ鏡および基板の裏面の反射から、ファブリ−ペロー（Fabry-Perot）作用が生じ得るためである。ブラッグ鏡の反射率を増大させることにより、このような作用は減少するが、基板を粗面化するか、角研磨することが、簡単で効果的な代替案である。
【００１８】
この装置は、好ましくは、空洞共振器内を単一パルスが循環することによって動作する。しかしながら、調波モード同期を用いてより高い繰返し数を得てよい。このことは、いくつかのパルスがレーザ空洞共振器内を一定の間隔で循環することを意味する。この動作の型は、たとえば、レーザ空洞共振器内に適切なスペクトルフィルタを加えるか、逆伝搬パルスが出会う、空洞共振器内の或る場所に、可飽和吸収体を置くことによって実現することができる。
【００１９】
この発明に従ったレーザの概念が、電力計測可能であることに注目されたい。たとえば、２倍のポンピング力を用いることにより、出力を２倍にすることができる一方で、利得構造上および可飽和吸収体構造上のモード領域は、同時に２倍になる。そこで、利得および吸収体構造は、元の装置と同じ強度で動作する。両方の構造における温度の上昇もまた、著しく増大しない。なぜなら、モード直径を、利得構造および吸収体構造の厚さよりも大きくすることができるからである。この場合、シミュレーションは、熱が、本質的には１次元、すなわち、構造の厚さが測定される方向に流れることを示した。また、強度が変化しないために、モード同期性能に影響はない。このスケーラビリティは、エッジ発光レーザでも、電気的ポンピング面発光レーザでももたらされない。
【００２０】
ＥＸＳＥＬ（およびＶＥＣＳＥＬもまた）半導体ウェハを用い、１つの量子井戸または量子井戸のスタックを、単一ブラッグ鏡構造または金属鏡に隣接して成長させる。利得媒体に、より厚いバルク層を考えることもできる。しかしながら、量子井戸利得層がレーザしきい値に対してはより優れていることが期待される一方で、モード同期に対しては、バルクの飽和エネルギーが量子井戸におけるものよりも大きいことが有用となり得る。１つ以上の多モード高出力ダイオードレーザからの光は、ウェハの面上に集束され、バリア領域における吸収により、井戸をポンピングする。アクティブミラー上のレーザモードの領域は、エッジ発光レーザの面（facet）上のモード領域よりも、約１０4倍大きくすることができ、高平均出力および大きなパルスエネルギーを生成する余地を与える。同時に、外部空洞共振器は、円形の、回折限界に近いビームにおいて基本モード動作を強化する。
【００２１】
この発明に従ったレーザを用い、結合された空洞共振器の影響をなくすこと、および外部パルス圧縮により、サブピコセカンドのパルス時間を得ることができる。このような装置は、高繰返し数を備えた受動モード同期誘電体層レーザシステムに固有のＱスイッチング傾向を、実質的には免れる（Ｃ．ヘンニンガー、Ｒ．パショッタ（R. Paschotta）、Ｆ．モリエ−ジェニュ（F. Morier-Genoud）、Ｍ．モーザ（M. Moser）、およびＵ．ケラー（U. Keller）、ジャーナル・オブ・ザ・オプティカル・ソサイエティ・オブ・アメリカ−Ｂ、１６，４６，１９９９年参照）。バンドギャップおよび装置構造工学により、同じレーザ技術を用いて大きな波長領域をカバーすることができ、パルスの成形、または同一ウェハ内での利得および可飽和吸収体の統合も可能になる。したがって、この発明により、回折限界のビームにおける高平均出力と、サブピコセカンドのパルス時間と、多重ＧＨｚ繰返し数を備えた、安定した、効果的なパルスレーザソースを得ることができる。
【００２２】
【好ましい実施例の説明】
図１は、この発明に従ったレーザを、概略的に、単純化して示す図である。このレーザは、第１の反射要素１１と第２の反射要素１２とによって境界設定され、レーザ放射１０を反射するための光共振器１を有する。図１の好ましい実施例では、第１の反射要素１１はブラッグ反射器４であるが、代替的に、第１の反射要素１１を金属反射層にすることができる。第２の反射要素１２は、レーザを受動モード同期するための、半導体可飽和吸収体ミラー（ＳＥＳＡＭ）５である。ＳＥＳＡＭ５の好ましい実施例は、図３を参照して以下に説明する。このレーザは、多重量子井戸（ＭＱＷ）利得構造３をさらに有する。量子井戸利得構造３およびブラッグ反射器４は、半導体基板２８上で成長させた半導体層の、隣接するスタックとして実現される。この多機能要素を「アクティブミラー要素」２と称するものとし、図２を参照して詳細に説明する。アクティブミラー要素２は、好ましくは、後面２２によってヒートシンク２９上に装着される。代替的に、この装置は、前面２１上の透明なヒートシンク、たとえば、半導体に結合されたサファイア片に、接触させることによって冷却され得る。
【００２３】
利得構造３はポンピング光７０によって光ポンピングされ、その光は、バリア領域で吸収されることにより、多重量子井戸利得構造３内の量子井戸をポンピングする。ポンピング光７０は、好ましくは、１つ以上の多モード高出力ダイオードポンピングレーザ７によって生成され、ポンピング光学器械７１によってアクティブミラー要素２の前面上に集束される。代替的に、ポンピング光７０は、光ファイバを介して送出されてもよい。たとえば、８１０ｎｍで射出する２−Ｗブロードストライプダイオードレーザ７を用い、アクティブミラー要素２の前面２１上の、約９０×９０μｍ2の面積の領域上に集束される、最大１．６Ｗを用いることにより、連続的に利得構造３をポンピングすることができる。アクティブミラー要素２は、典型的には、入射ポンピングパワーの約６０％を吸収する。アクティブミラー要素２上のレーザモード１０の領域を、エッジ発光レーザの面上のモード領域よりも約１０4倍大きくすることができ、高平均出力および大きなパルスエネルギーを生成するための余地をもたらす。同時に、外部空洞共振器１は、円形の、回折限界に近いビーム１０において基本モード動作を強化する。
【００２４】
レーザ共振器１はＶ字型であり、すなわち、球面フォールディング鏡８によって一度折曲する。フォールディング鏡８は同時に、出力カプラー鏡としても働き、たとえば、半径１０ｍｍであり、約１０３０ｎｍのレーザ波長で０．４％の透過率を有する。
【００２５】
図１に示される、この発明に従ったレーザの実施例は、ＳＥＳＡＭ５によって受動的にモード同期された、光ポンピング半導体の垂直外部空洞共振器面発光レーザ（ＯＰＳ−ＶＥＣＳＥＬ）である。予備試験では、図１のＶＥＣＳＥＬは、４.４ＧＨｚ周辺で変動可能な繰返し数で、２６ｐｓＦＷＨＭ時間のパルスを１０３０ｎｍで射出した。
【００２６】
図２は、この発明に従った、ＥＸＳＥＬのために用いることのできる、半導体のアクティブミラー要素２の一例を示す。さまざまな層を、たとえば、周知の金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）または分子線エピタキシー（ＭＢＥ）技術により、ＧａＡｓ基板２８（図２で図示せず）上に成長させることができる。ブラッグ鏡４は、たとえば、ＡｌＡｓ層４１およびＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ層４２の対の、２７重のスタックからなる。ブラッグ鏡４上の多重量子井戸利得構造３は、圧縮して歪ませたＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ量子井戸３１と、ＧａＡｓ0.94Ｐ0.06歪み補償層３２との１２のスタック（図２では４つのみを示す）からなり、その厚さは、構造内の正味歪みを０に相殺するよう調整される。ＧａＡｓＰ層３２は、半波間隔で井戸に間を分けて配置されるＧａＡｓ層３３により、ＩｎＧａＡｓ量子井戸３１から分離される。４５０ｎｍの厚さの、Ａｌ0.43Ｇａ0.57Ａｓからなるウィンドウ層２４を多重量子井戸利得構造３上に成長させ、キャリアを前面２１に寄せつけない。前面２１はＧａＡｓからなる１０ｎｍの厚さのキャッピング層２３で完成される。
【００２７】
ウェハ上に上述の層を成長させた後、約５×５ｍｍ2の面積の小板２をウェハから分割し、ラップ仕上げおよび研磨を行ない、ＧａＡｓ基板２８を約２００μｍの厚さにまで薄くし、インジウム金属を用いて銅ヒートシンク２９に取付ける（図１を参照）。このように分割された小板２のエッジから射出されるフォトルミネセンスのスペクトルは、約９８０ｎｍで強いピークを示す。小板２は１０００−１０４０ｎｍの範囲にわたる波長でレージングを呈するが、これは、温度により、およびウェハ全体にわたる層の厚さの変動によってもまた、支配される。
【００２８】
この発明に従った、ＥＸＳＥＬのために用いることのできるＳＥＳＡＭ５の実施例が図３で示される。このＳＥＳＡＭ５は、ＡｌＡｓ層５３およびＧａＡｓ層５４の対の、２５重のスタックを備えたブラッグ鏡と、低温（３００℃）分子線エピタキシー（ＭＢＥ）によって成長させた、２０ｎｍの厚さの単一Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ量子井戸５１を組込んだ、低フィネス反共振λ／２空洞共振器５２とを有する。このようなＳＥＳＡＭ５の低強度の損失は約１．３％であり、ブリーチング応答は、１３０ｆｓの高速成分と４ｐｓの回復時間とを備え、バイテンポラルである。このタイプの構造は、固体レーザ用の極めて用途の広いモード同期装置として確立される（Ｕ．ケラー（U. Keller）、Ｋ．Ｊ．ヴァインガルテン（K. J. Weingarten）、Ｆ．Ｘ．ケルトナー（F. X. Koertner）、Ｄ．コップク（D. Kopf）、Ｂ．ブローン（B. Braun）、Ｉ．Ｄ．ジュン（I. D. Jung）、Ｒ．フルック（R. Fluck）、Ｃ．ヘンニンガー、Ｎ．マーチュチェク（N. Matuschek）、およびＪ．オースデールオー（J. Aus der Au）、ＩＥＥＥ ジャーナル・オブ・セレクテッド・トピックス・イン・クワンタム・エレクトロン（IEEE J. Selected Topics in Quantum Electron）２，４３５，１９９６年参照）。
【００２９】
ウェハ上への１．４Ｗのポンピング光入射により、図１−図３によって示されるＶＥＣＳＥＬは、２つの出力ビーム１０’と１０”との間で均等に分割される、総計２１．６ｍＷのパワーを射出する。ポンピングパワーのさらなる増大により、出力が熱作用により減少する。ＶＥＣＳＥＬは、４．４３ＧＨｚの空洞共振器往復繰返し数で、安定した、自己始動のモード同期を呈する。図４は、レーザ出力をモニタリングする高速ダイオードからの、光電流の無線周波数スペクトルにおける基本ピークを示す。この信号は、５０ＧＨｚのフォトダイオードと、２６ＧＨｚの増幅器と、スペクトル分析器とによって得られた。より低い解像度のバンド幅でのスペクトル測定は、おそらく８０ｎｍのオーダでの空洞共振器長のわずかな変動によって生じた、約１０ｋＨｚのジターを示す。
【００３０】
測定されたパルスの自己相関トレースが図５で示され（実線のカーブ）、ＦＷＨＭパルス時間が２５．７ｐｓと仮定される双曲線セカントプロファイルに対する適合度（点線のカーブ）が示される。
【００３１】
図６は、図１から図３に示される、ＶＥＣＳＥＬの光学スペクトルを示し、このスペクトルは、これらのパルスに対する約１．８の時間バンド幅の積に対応する、０．２５ｎｍＦＷＨＭのバンド幅を有する。制限されたバンド幅内においても、パルスは利得飽和によって強くチャープされ、利得飽和は、パルスの自己位相変調を行なう。同期的にポンピングされたＶＥＣＳＥＬにおいて、この影響は、反対の符号からなるパルス化されたポンピングによって誘発された外部位相変調により、部分的にオフセットされてよい（アイル Ｎ．デューリング（Irl N. Duling）IIIによって編集された、「超短パルスのコンパクトソース（Compact Sources of Ultrasort Pulses）」における、Ｗ．ジャンおよびＪ．Ｅ．バウワズ、Ｃ．Ｕ．Ｐ．、１９９５年を参照）。しかしながら、３桁の、同期的にポンピングされたＶＥＣＳＥＬからのパルスを、２１ｆｓ時間に外部圧縮することが報告されている（Ｗ．Ｈ．ジャン、Ｓ．Ｒ．フリバーグ、Ｋ．ワタナベ、Ｓ．マチダ、Ｙ．サカイ、Ｈ．イワムラ、およびＹ．ヤマモト、アプライド・フィジィックス・レターズ、５９，２０７６，１９９１年参照）。
【００３２】
本来の量子井戸利得は数十ナノメータにわたって延びるが、ＶＥＣＳＥＬのバンド幅は、ブラッグ鏡４を介した残存透過および基板２８のインジウムで被覆された後面２２からの反射から生じる、結合された空洞共振器の影響により、制限されることがある。後面２２を粗面化または角研磨することにより、この影響はなくなる。さらなるサブ空洞共振器を、ブラッグ鏡４およびアクティブミラー要素２の前面２１からのフレネル反射によって形成することができ、約４０ｎｍの自由スペクトル幅を有する。このサブ空洞共振器は、レーザ波長においてほぼ共振状態で動作するため、レーザしきい値を幾分下げることがあり、効果的な利得飽和フリューエンスを、反共振ＳＥＳＡＭの吸収飽和フリューエンスより、ずっと低い値まで下げることもある。したがって、Ｖ字型空洞共振器１は、好ましくは、非対称に形成され、空洞共振器のモードをアクティブミラー要素２上よりも、ＳＥＳＡＭ５上により密に集束させる。ＳＥＳＡＭ５およびアクティブミラー要素２を有する空洞共振器の脚の長さは、たとえば、それぞれ、６ｍｍおよび２８ｍｍであり、利得構造３上のモード領域とＳＥＳＡＭ５上のモード領域との比率を約４０にする。モード領域の比率をさらに下げてしまえば、最大約８０ｐｓまでパルスを連続的に延長し、最後には、雑音パルスを有することとなる。出力の実質的な増加は、改善された熱管理およびウェハ設計とともに、ダイオードバーでポンピングされた装置によって得られる。
【００３３】
この発明に従ったレーザのさらなる実施例が図７−図９に示される。図７のレーザもまた、Ｖ字型のレーザ共振器１を有するが、図１の実施例とは異なり、アクティブミラー要素２がフォールディング鏡８として用いられる。共振器１はＳＥＳＡＭ５および出力カプラー鏡１２とによって境界設定される。
【００３４】
図８および図９は、利得構造３と吸収体構造５とが同じ要素６内に統合される実施例を示し、それを「アクティブ吸収体ミラー要素」と称する。さまざまな層は詳細に示されていない。図８では、１つの量子井戸３１または複数の量子井戸を備えた利得構造３がアクティブ吸収体ミラー要素６上に置かれる。利得構造３の次に中間要素６３が来る。この中間要素は本質的にポンピング光７０を反射するが、本質的にレーザ放射１０を透過させる。この実施例のポンピング光７０は、アクティブ吸収体ミラー要素６の前面６１から利得構造３に射突する。中間要素６３の次に、１つの量子井戸５１または複数の量子井戸を備えた吸収体構造５が来る。これらの要素すべてを基板６８上で成長させる。アクティブ吸収体ミラー要素６および外部鏡１２はレーザ空洞共振器１を形成する。図９の実施例では、利得構造３は基板６８に隣接する。ポンピング光７０は基板６８を通過し、アクティブ吸収体ミラー要素６の後面６２から、利得構造３に射突する。吸収体構造５および利得構造３はここでも中間要素６３によって分離される。中間要素は、本質的にポンピング光７０を反射するが、本質的にレーザ放射１０を透過させる。
【００３５】
図１０は、屈折率のプロフィール（上）と、たとえば、図９の実施例で用いられた、アクティブ吸収体ミラー要素６の電界パターンの計算（下）とを示す。アクティブ吸収体ミラー要素６の上に吸収体構造５を成長させる。別の要素により、吸収体構造５および利得構造３の飽和エネルギーは、レーザモードを多少とも密に集束させることによって調整される。アクティブ吸収体ミラー要素６では、強度およびそれによる飽和エネルギーを、定在波パターンを用いることによって多様にすることができる。図１０の吸収体構造５では、共振器である、ファブリ−ペロー空洞共振器を吸収体５に対して用いて強度を増し、それにより、効果的な吸収体飽和エネルギーを減少させる。ポンピング光７０の大部分は吸収体構造５を透過するが、それは、吸収体量子井戸５１が増幅量子井戸３１とは対照的に、ポンピング吸収材料に囲まれていないからである。増幅量子井戸３１は主に、周辺媒体３３で生成され、そこから量子井戸３１に運ばれるキャリアにより励起される。したがって、ポンピング光７０は、可飽和吸収体５を著しく励起させることなく、それを介して運ばれ得る一方で、循環するレーザパルス１０のより高いピーク強度は、依然として吸収体５を飽和させることができる。
【００３６】
図１０に示された、アクティブ吸収体ミラー要素６の設計の一例を表１に示す。
【００３７】
【表１】
【００３８】
この発明の精神と範囲から逸脱することなく、他の多くの実施例が考えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明に従った、ＥＸＳＥＬの好ましい実施例の概略図である。
【図２】 この発明に従った、ＥＸＳＥＬの好ましい実施例において用いられる、半導体アクティブミラー要素の概略断面図である。
【図３】 この発明に従った、ＥＸＳＥＬの好ましい実施例において用いられる、ＳＥＳＡＭの概略断面図である。
【図４】 図１のＥＸＳＥＬの出力の、無線周波数スペクトルのグラフ表示である。
【図５】 図１のＥＸＳＥＬによって射出される、モード同期パルスの自己相関トレースのグラフ表示（実線の曲線）であり、２５．７ｐｓＦＷＨＭの双曲線セカントパルスのプロフィールを想定するデータへの適合を示す。
【図６】 図１のＥＸＳＥＬのモード同期出力の、測定されたスペクトルのプロフィールのグラフ表示である。
【図７】 この発明に従った、ＥＸＳＥＬのさらなる実施例の概略図である。
【図８】 この発明に従った、ＥＸＳＥＬのさらなる実施例の概略図である。
【図９】 この発明に従った、ＥＸＳＥＬのさらなる実施例の概略図である。
【図１０】 この発明に従った、ＥＸＳＥＬの屈折率のプロフィールおよび電界パターンのグラフ表示である。
【発明の分野】
この発明は、パルスレーザと、パルスレーザの放射を行なうための方法とに関し、より特定的には、受動モード同期光ポンピング半導体の外部空洞共振器面発光レーザ（ＯＰＳ−ＥＸＳＥＬ）に関する。
【０００２】
【発明の背景】
半導体レーザは、当該技術において公知である。それらのレーザ利得媒体は、ＩｎＧａＡｓ等の半導体材料から成る。ほとんどの場合、それらはいかなる外部共振器も必要としない。なぜなら、半導体材料の端面を共振鏡として設計することができるからである。半導体材料に適切な電圧を印加することにより、それらを電気的にポンピングすることができる。いわゆるバンドギャップ工学は、多数ある公知の半導体材料およびレーザ設計を用いる技術であるが、赤外線および可視光の領域において射出可能である、極めて多様な波長をもたらす。半導体レーザは小さくコンパクトであり、低コストで大量に生産することができる。
【０００３】
半導体レーザを、エッジ発光レーザまたは面発光レーザのいずれかとして設計することができる。エッジ発光レーザは、半導体レーザのうちで最も一般的な形であるが、この概念が素子内のモード領域をきわめて大きく制限する。この結果、超短パルスを生成する際に、パルスエネルギーもまた、たとえば、イオンでドープされた結晶に基づいたレーザを用いて得られるものよりも、はるかに低い値に制限されてしまう。また、高品質の横ビームを有して、高平均出力（数ワット以上）を生成することができない。これらの問題を、面発光半導体レーザで解決することができ、素子に光ポンピングを行なうと、モード領域を大いに拡大することができる。
【０００４】
これまでに公知の、電気的にポンピングされた垂直空洞共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）は、その出力において、またはビームの質に関して、制限を受ける。なぜなら、小領域ＶＣＳＥＬでは、熱の放散が駆動電流を制限する一方で、大領域ＶＣＳＥＬでは、ポンピングの分布が基本横モード動作をサポートするには十分に均一でないからである。光ポンピングにより、ポンピングの均一性の問題を克服することができ、外部空洞共振器により、大きなモードサイズでも、安定した基本モード動作を確保することができる（Ｍ．クーズニエトソウフ（M. Kuznetsov）他、「円形ＴＥＭ00ビームを用いた、高出力（＞０．５−ＷＣＷ）ダイオードでポンピングした垂直外部空洞共振器面発光半導体レーザ（High-power (>0.5-WCW) diode-pumped vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor lasers with circular TEM00 beams）」ＩＥＥＥ フォトニクス・テクノロジー・レターズ（IEEE Phot. Tech. Lett.）第９巻、第８号、ｐ．１０６３、１９９７年）。半導体量子井戸レーザの広い利得バンド幅は、超短パルスの生成には魅力的である。短パルス（ナノセカンドおよびサブナノセカンド領域内）または超短パルス（サブピコセカンド領域内）を射出するレーザは、当該技術において公知である。短パルスまたは超短パルスを生成するための周知の技術がモード同期である。モード同期は、長手方向のレーザ空洞共振器モードのコヒーレントな重畳である。それは、１つのパルスに対し、空洞共振器往復時間ごとに空洞共振器内での損失を減少させる、一時的な損失変調によって強制的に行なわれる。このことにより、開いた正味利得ウィンドウが生じ、パルスは所与の時間で変調器を通過する場合のみ、利得を得る。損失の変調は、能動的または受動的態様のいずれかで行なわれ得る。
【０００５】
能動モード同期は、たとえば、空洞共振器内要素として音響光学変調器を用いて行なわれ、空洞共振器往復時間と同期化される。ダイオードでポンピングされた量子井戸レーザの能動モード同期は、たとえば、１００−１２０ｐｓのパルス長をもたらす、空洞共振器内音響光学プリズムによって得られてきた（Ｍ．Ａ．ホルム（M. A. Holm）、Ｐ．クスマノ（P. Cusumano）、Ｄ．バーンズ（D. Burns）、Ａ．Ｉ．ファーガスン（A. I. Ferguson）およびＭ．Ｄ．ドースン（M. D. Dawson）、ＣＬＥＯ’９９テクニカル・ダイジェスト（CLEO'99 Technical Digest）ボルティモア、１９９９年、論文ＣＴｕＫ６３）。
【０００６】
しかしながら、超短パルスの生成は、受動モード同期技術に依存する。なぜなら、超短パルスを形成し、安定させるのに十分高速であるのは、受動シャッターのみだからである。受動モード同期は、可飽和吸収体メカニズムに依存し、このメカニズムは、光強度を増すとともに損失を減らす。可飽和吸収体パラメータをレーザシステムに対して正しく調整すると、安定した、自己始動のモード同期が得られる。ダイオードレーザの可飽和吸収体モード同期は、元々、外部空洞共振器内において、半導体可飽和吸収体ミラー（ＳＥＳＡＭ）を用いて広く研究されてきたが（Ｙ．シルババーグ（Y. Silberberg）、Ｐ．Ｗ．スミス（P. W. Smith）、Ｄ．Ｊ．アイランバージャ（D. J. Eilenberger）、Ｄ．Ａ．Ｂ．ミラー（D. A. B. Miller）、Ａ．Ｃ．ゴサード（A. C. Gossard）、およびＷ．ワイマン（W. Woiegman）、オプティカルレターズ（Opt. Lett.）９，５０７，１９８４年）、さらに最近では、モノリシックデバイスにおいて研究されており、このデバイスは、逆バイアスをかけた接合部分を用いて可飽和吸収体を設ける（概論としては、アーテックハウス（Artech House）、ボストン、１９９５年の、Ｐ．バシーリイェット（P. Vasil'ev）による編集の、「超高速ダイオードレーザ：基本と応用（Ultrafast Diode Lasers: Fundamentals and Applications）」参照）。最大１．５４ＴＨｚまで変動可能な繰返し数でピコセカンドのパルスを生成する、調波的にモード同期を行なったモノリシックレーザも示されている（Ｓ．アラヒラ（S. Arahira）、Ｙ．マツイ（Y. Matsui）、およびＹ．オガワ（Y. Ogawa）、ＩＥＥＥジャーナル・オブ・クワンタム・エレクトロン（IEEE J. Quantum Electron）３２，１２１１，１９９６年）。しかしながら、このような装置の出力パワーは、数十ミリワットに制限される。
【０００７】
短パルスを生成するための他のアプローチは、垂直外部空洞共振器面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ）に対し、モードを同期化した色素または固体を同期光ポンピングとして用いることであった（Ｗ．Ｂ．ジャン（W. B. Jiang）、Ｒ．ミリーン（R. Mirin）、およびＪ．Ｅ．バウアズ（J. E. Bowers）、アプライド・フィジィックス・レターズ（Appl. Phys. Lett.）、６０，６７７，１９９２年）。これらのレーザは、典型的には、約２０ＰＳの長さのチャープパルスを生成し、このパルスは、サブピコセカンド、さらにはサブ１００フェムトセカンドの時間まで、外部的に圧縮された（Ｗ．Ｈ．シーアン（W. H. Xiang）、Ｓ．Ｒ．フリバーグ（S. R. Friberg）、Ｋ．ワタナベ（K. Watanebe）、Ｓ．マチダ（S. Machida）、Ｙ．サカイ（Y. Sakai）、Ｈ．イワムラ（H. Iwamura）、およびＹ．ヤマモト（Y. Yamamoto）、アプライド・フィジィックス・レターズ、５９，２０７６，１９９１年）。広範囲の適用を妨げる、このアプローチの一般的な欠点は、ポンピングレーザ自身が超短パルスを送出しなければならないことである。このことにより、複雑さ、サイズ、コスト、および達成可能なパルス繰返し数の点で、システム全体の魅力は大いに制限される。
【０００８】
米国特許第５，４６１，６３７（ムーラディアン（Mooradian）他）では、半導体基板上に形成された量子井戸領域とともに、垂直空洞共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）が開示されている。第１の反射面が量子井戸領域上に形成され、第２の反射面が基板上に、第１の反射面と反対側に形成され、レーザ空洞共振器を形成する。しかしながら、このようなＶＣＳＥＬをモード同期するためにとるべき手段についての教示はない。
【０００９】
【発明の概要】
短パルス（ピコセカンド領域内）または超短パルス（サブピコセカンド領域内）を射出し、高繰返し数（数ＧＨｚ以上の領域内）を備え、高光平均出力（少なくとも数百ミリワット）と高品質のビーム（ビーム質の係数Ｍ2≦５：Ｔ．Ｆ．ジョンストン・ジュニア（T. F. Johnston, Jr.）、「Ｍ2概念はビーム質を特徴づける（M2 concept characterizes beam quality）」、レーザ・フォーカス・ワールド（Laser Focus World）、１９９０年５月参照）とを有する、簡単で安定したレーザを提供することが、この発明の目的である。
【００１０】
光ポンピング外部空洞共振器面発光レーザ（ＥＸＳＥＬ）と半導体可飽和吸収体構造とを組合わせると、上述の問題を解決することがわかった。したがって、この発明に従ったレーザは、外部空洞共振器を備えた面発光半導体レーザを有する。このレーザは、好ましくは、高出力ダイオードレーザバーによって光ポンピングされる。最後に、このレーザは、外部空洞共振器内においてＳＥＳＡＭで受動的にモード同期されるか、代替的に、半導体レーザ構造内に組込まれた可飽和吸収体を用い、受動的にモード同期される。ＳＥＳＡＭは、この明細書においては、任意の半導体可飽和吸収体構造を意味するが、たとえば、Ａ−ＦＰＳＡ（オプティカル・レターズ１７，５０５，１９９２年）、ＳＢＲ（オプティカル・レターズ２０，１４０６，１９９５年）、Ｄ−ＳＡＭ（オプティカル・レターズ２１，４８６，１９９６年）、半導体のドープされた誘電体層（オプティカル・レターズ２３，１７６６，１９９８年）、または着色ガラスフィルタ（アプライド・フィジィックス・レターズ５７，２２９，１９９０年）と称されることもある。安定したモード同期を行なうために、動作パラメータを調整することのできる、任意の他の可飽和吸収体を用いることもできる（Ｃ．ヘンニンガー（C. Hoenninger）他、「ｃｗ受動モード同期のＱスイッチング安定性限界（Q-switching stability limits of cw passive mode locking）」、ジャーナル・オブ・ザ・オプティカル・ソサイエティ・オブ・アメリカ−Ｂ（J. Opt. Soc. Am. B）、１６，４６，１９９９年）。
【００１１】
より特定的に、この発明に従ったレーザは、
第１の反射要素と、それから分離した第２の反射要素とを含み、前記第１および第２の反射要素は、レーザ放射のための光学共振器を規定し、前記レーザはさらに、
前記レーザ放射を行なうために、本質的には表面内に広がる表面を有する、本質的には平坦な半導体利得構造と、
前記表面から前記レーザ放射を行なうのに、前記半導体利得構造を励起するための手段とを含み、前記励起手段は、前記半導体利得構造に射突するポンピング放射を行なうためのポンピングソースを有し、前記レーザはさらに、
前記レーザ放射をモード同期するための半導体可飽和吸収体構造を含む。
【００１２】
この発明に従った、パルス化された電磁レーザ放射を行なうための方法は、
ポンピング放射を行なうステップと、
前記ポンピング放射を前記半導体利得構造に射突させることにより、前記表面からレーザ放射を行なうために、本質的には表面内に広がる表面を有する、本質的には平坦な半導体利得構造を励起させるステップと、
光共振器内で前記レーザ放射を再循環させるステップと、
半導体可飽和吸収体構造により、前記レーザ放射をモード同期するステップとを含む。
【００１３】
以下に、この発明が、これまで用いられたアプローチに関連する多くの問題を、どのように解決するかを説明する。半導体利得材料を用いることにより、超短パルスの生成に対し、広い増幅バンド幅が必要に応じて得られる。半導体利得媒体の比較的小さな飽和エネルギーは、以下に説明するように、高繰返し数でのパルス生成には有益である。面発光ジオメトリにより、半導体上の光ピーク強度を減少させる比較的大きなレーザモード領域を得ることができ、したがって、大きなパルスエネルギーを得ることができる。マルチワット出力で動作を行なうために、利得媒体を電気的にポンピングすることは優れた選択肢ではない。なぜなら、この態様では、大きなモード領域にわたり、十分に均一なポンピング密度を得ることが難しいからである。光ポンピングによってこの問題は解消し、同時に、利得構造を最適化するのに、より大きな設計の自由度がもたらされる。高出力ダイオードバーは、ポンピングソースとして最適であり、コンパクトであって、数十ワットのポンピング光を極めて効率よく送出するが、ビームの低品質は重要ではない。なぜなら、利得構造の吸収長が極めて小さいからである。さらに、外部レーザ空洞共振器は、（空洞共振器長を介して）レーザ繰返し数を決定し、また、ＳＥＳＡＭを組込むことができる。ＳＥＳＡＭ（または代替的に、利得構造内に組込まれた可飽和吸収体）は、モード同期をもたらす、すなわち、レーザ空洞共振器長に従い、間隔をあけた、短パルスまたは超短パルスの生成が行なわれる。
【００１４】
半導体利得媒体の比較的小さな飽和エネルギーは、高繰返し数でパルスを生成するために非常に重要である。イオンでドープされた結晶に基づいた、他の受動モード同期レーザは、はるかに大きな利得飽和エネルギーを有する。（サブピコセカンドのパルス生成に必要とされるように、広い増幅バンド幅を有する、イオンでドープされたほとんどの利得材料の場合が特にそうである。）この理由のために、このようなレーザは、Ｑスイッチング不安定性（またはＱスイッチされたモード同期、ＱＭＬ、Ｃ．ヘンニンガー他、ジャーナル・オブ・ザ・オプティカル・ソサイエティ・オブ・アメリカ−Ｂ１６，４６，１９９９年参照）の傾向がある。高パルス繰返し数が求められる場合、特に、同時に高出力が求められる場合、この傾向を抑えることが極めて難しい。半導体レーザは、一段と小さな利得飽和エネルギーのために、実質的にはこれらの問題を呈することがなく、したがって、高繰返し数と高平均出力とを備えたパルス列を生成するのに適切である。
【００１５】
重要な設計基準は、レーザ利得構造の飽和エネルギーが、可飽和吸収体の飽和エネルギーよりも大きくなくてはならないことである。安定したモード同期を得るために、これらの２つの量子の比率は、好ましくは、２以上であるべきである。受動モード同期のためにＳＥＳＡＭを用いる場合、その飽和エネルギーは、ＳＥＳＡＭ設計およびＳＥＳＡＭ上のモード領域との両方によって調整することができ、ＳＥＳＡＭ上のモード領域は、レーザ空洞共振器設計によって制御される。典型的には、ＳＥＳＡＭ上のモード領域は、利得構造上のモードサイズよりもかなり小さい（たとえば、５分の１未満、好ましくは、１０分の１未満である）。利得構造内に組込まれた可飽和吸収体に対し、飽和エネルギーの適切な比率が適切な設計によって得られる。特に、この装置は、たとえば、構造内の定在波電界による、空間的に変動する強度を利用することにより、または、一方の空洞共振器内に利得があり、他方の空洞共振器内に吸収体がある、結合された空洞共振器により、吸収体構造の光強度が利得構造内の強度より大きくなるように設計され得る。広帯域の動作に対し、結合された空洞共振器は、反共振であるべきである。代替的に、吸収体および利得構造の、内在する飽和エネルギーは、バンドギャップ工学によって制御され得る。
【００１６】
超短パルスを生成するために、レーザ利得構造の設計は、内部反射、たとえば、レーザ利得構造の表面から生じ得る、バンド幅を制限する結合空洞共振器の影響を避けなければならない。このような反射は、装置の利得スペクトルを効果的に変調し、それにより、使用可能な利得バンド幅に制限を与えてしまう。このような反射を抑える一つの方法は、単一インターフェイスからの反射が効果的に消去されるように半導体層（または、おそらく、誘電体等の他の材料から形成された層）を配置することである。（これは、基本的には反射防止膜の原理である。）もう１つの方法は、利得構造の表面からの反射をある程度考慮しながらも、利得の存在する波長領域全体にわたって反共振であるように、構造全体の厚さを設計することである。このことにより、装置のポンピングしきい値が幾分増大するが、それは、上で説明したとおり、有益となり得る効果的な利得飽和エネルギーも増大させる。
【００１７】
半導体基板の裏面（利得構造を成長させる側）からの反射もまた、ブラッグ（Bragg）鏡構造の残存透過が極めて小さい場合でさえ、装置の性能に著しい影響を及ぼすおそれがある。この理由は、ブラッグ鏡および基板の裏面の反射から、ファブリ−ペロー（Fabry-Perot）作用が生じ得るためである。ブラッグ鏡の反射率を増大させることにより、このような作用は減少するが、基板を粗面化するか、角研磨することが、簡単で効果的な代替案である。
【００１８】
この装置は、好ましくは、空洞共振器内を単一パルスが循環することによって動作する。しかしながら、調波モード同期を用いてより高い繰返し数を得てよい。このことは、いくつかのパルスがレーザ空洞共振器内を一定の間隔で循環することを意味する。この動作の型は、たとえば、レーザ空洞共振器内に適切なスペクトルフィルタを加えるか、逆伝搬パルスが出会う、空洞共振器内の或る場所に、可飽和吸収体を置くことによって実現することができる。
【００１９】
この発明に従ったレーザの概念が、電力計測可能であることに注目されたい。たとえば、２倍のポンピング力を用いることにより、出力を２倍にすることができる一方で、利得構造上および可飽和吸収体構造上のモード領域は、同時に２倍になる。そこで、利得および吸収体構造は、元の装置と同じ強度で動作する。両方の構造における温度の上昇もまた、著しく増大しない。なぜなら、モード直径を、利得構造および吸収体構造の厚さよりも大きくすることができるからである。この場合、シミュレーションは、熱が、本質的には１次元、すなわち、構造の厚さが測定される方向に流れることを示した。また、強度が変化しないために、モード同期性能に影響はない。このスケーラビリティは、エッジ発光レーザでも、電気的ポンピング面発光レーザでももたらされない。
【００２０】
ＥＸＳＥＬ（およびＶＥＣＳＥＬもまた）半導体ウェハを用い、１つの量子井戸または量子井戸のスタックを、単一ブラッグ鏡構造または金属鏡に隣接して成長させる。利得媒体に、より厚いバルク層を考えることもできる。しかしながら、量子井戸利得層がレーザしきい値に対してはより優れていることが期待される一方で、モード同期に対しては、バルクの飽和エネルギーが量子井戸におけるものよりも大きいことが有用となり得る。１つ以上の多モード高出力ダイオードレーザからの光は、ウェハの面上に集束され、バリア領域における吸収により、井戸をポンピングする。アクティブミラー上のレーザモードの領域は、エッジ発光レーザの面（facet）上のモード領域よりも、約１０4倍大きくすることができ、高平均出力および大きなパルスエネルギーを生成する余地を与える。同時に、外部空洞共振器は、円形の、回折限界に近いビームにおいて基本モード動作を強化する。
【００２１】
この発明に従ったレーザを用い、結合された空洞共振器の影響をなくすこと、および外部パルス圧縮により、サブピコセカンドのパルス時間を得ることができる。このような装置は、高繰返し数を備えた受動モード同期誘電体層レーザシステムに固有のＱスイッチング傾向を、実質的には免れる（Ｃ．ヘンニンガー、Ｒ．パショッタ（R. Paschotta）、Ｆ．モリエ−ジェニュ（F. Morier-Genoud）、Ｍ．モーザ（M. Moser）、およびＵ．ケラー（U. Keller）、ジャーナル・オブ・ザ・オプティカル・ソサイエティ・オブ・アメリカ−Ｂ、１６，４６，１９９９年参照）。バンドギャップおよび装置構造工学により、同じレーザ技術を用いて大きな波長領域をカバーすることができ、パルスの成形、または同一ウェハ内での利得および可飽和吸収体の統合も可能になる。したがって、この発明により、回折限界のビームにおける高平均出力と、サブピコセカンドのパルス時間と、多重ＧＨｚ繰返し数を備えた、安定した、効果的なパルスレーザソースを得ることができる。
【００２２】
【好ましい実施例の説明】
図１は、この発明に従ったレーザを、概略的に、単純化して示す図である。このレーザは、第１の反射要素１１と第２の反射要素１２とによって境界設定され、レーザ放射１０を反射するための光共振器１を有する。図１の好ましい実施例では、第１の反射要素１１はブラッグ反射器４であるが、代替的に、第１の反射要素１１を金属反射層にすることができる。第２の反射要素１２は、レーザを受動モード同期するための、半導体可飽和吸収体ミラー（ＳＥＳＡＭ）５である。ＳＥＳＡＭ５の好ましい実施例は、図３を参照して以下に説明する。このレーザは、多重量子井戸（ＭＱＷ）利得構造３をさらに有する。量子井戸利得構造３およびブラッグ反射器４は、半導体基板２８上で成長させた半導体層の、隣接するスタックとして実現される。この多機能要素を「アクティブミラー要素」２と称するものとし、図２を参照して詳細に説明する。アクティブミラー要素２は、好ましくは、後面２２によってヒートシンク２９上に装着される。代替的に、この装置は、前面２１上の透明なヒートシンク、たとえば、半導体に結合されたサファイア片に、接触させることによって冷却され得る。
【００２３】
利得構造３はポンピング光７０によって光ポンピングされ、その光は、バリア領域で吸収されることにより、多重量子井戸利得構造３内の量子井戸をポンピングする。ポンピング光７０は、好ましくは、１つ以上の多モード高出力ダイオードポンピングレーザ７によって生成され、ポンピング光学器械７１によってアクティブミラー要素２の前面上に集束される。代替的に、ポンピング光７０は、光ファイバを介して送出されてもよい。たとえば、８１０ｎｍで射出する２−Ｗブロードストライプダイオードレーザ７を用い、アクティブミラー要素２の前面２１上の、約９０×９０μｍ2の面積の領域上に集束される、最大１．６Ｗを用いることにより、連続的に利得構造３をポンピングすることができる。アクティブミラー要素２は、典型的には、入射ポンピングパワーの約６０％を吸収する。アクティブミラー要素２上のレーザモード１０の領域を、エッジ発光レーザの面上のモード領域よりも約１０4倍大きくすることができ、高平均出力および大きなパルスエネルギーを生成するための余地をもたらす。同時に、外部空洞共振器１は、円形の、回折限界に近いビーム１０において基本モード動作を強化する。
【００２４】
レーザ共振器１はＶ字型であり、すなわち、球面フォールディング鏡８によって一度折曲する。フォールディング鏡８は同時に、出力カプラー鏡としても働き、たとえば、半径１０ｍｍであり、約１０３０ｎｍのレーザ波長で０．４％の透過率を有する。
【００２５】
図１に示される、この発明に従ったレーザの実施例は、ＳＥＳＡＭ５によって受動的にモード同期された、光ポンピング半導体の垂直外部空洞共振器面発光レーザ（ＯＰＳ−ＶＥＣＳＥＬ）である。予備試験では、図１のＶＥＣＳＥＬは、４.４ＧＨｚ周辺で変動可能な繰返し数で、２６ｐｓＦＷＨＭ時間のパルスを１０３０ｎｍで射出した。
【００２６】
図２は、この発明に従った、ＥＸＳＥＬのために用いることのできる、半導体のアクティブミラー要素２の一例を示す。さまざまな層を、たとえば、周知の金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）または分子線エピタキシー（ＭＢＥ）技術により、ＧａＡｓ基板２８（図２で図示せず）上に成長させることができる。ブラッグ鏡４は、たとえば、ＡｌＡｓ層４１およびＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ層４２の対の、２７重のスタックからなる。ブラッグ鏡４上の多重量子井戸利得構造３は、圧縮して歪ませたＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ量子井戸３１と、ＧａＡｓ0.94Ｐ0.06歪み補償層３２との１２のスタック（図２では４つのみを示す）からなり、その厚さは、構造内の正味歪みを０に相殺するよう調整される。ＧａＡｓＰ層３２は、半波間隔で井戸に間を分けて配置されるＧａＡｓ層３３により、ＩｎＧａＡｓ量子井戸３１から分離される。４５０ｎｍの厚さの、Ａｌ0.43Ｇａ0.57Ａｓからなるウィンドウ層２４を多重量子井戸利得構造３上に成長させ、キャリアを前面２１に寄せつけない。前面２１はＧａＡｓからなる１０ｎｍの厚さのキャッピング層２３で完成される。
【００２７】
ウェハ上に上述の層を成長させた後、約５×５ｍｍ2の面積の小板２をウェハから分割し、ラップ仕上げおよび研磨を行ない、ＧａＡｓ基板２８を約２００μｍの厚さにまで薄くし、インジウム金属を用いて銅ヒートシンク２９に取付ける（図１を参照）。このように分割された小板２のエッジから射出されるフォトルミネセンスのスペクトルは、約９８０ｎｍで強いピークを示す。小板２は１０００−１０４０ｎｍの範囲にわたる波長でレージングを呈するが、これは、温度により、およびウェハ全体にわたる層の厚さの変動によってもまた、支配される。
【００２８】
この発明に従った、ＥＸＳＥＬのために用いることのできるＳＥＳＡＭ５の実施例が図３で示される。このＳＥＳＡＭ５は、ＡｌＡｓ層５３およびＧａＡｓ層５４の対の、２５重のスタックを備えたブラッグ鏡と、低温（３００℃）分子線エピタキシー（ＭＢＥ）によって成長させた、２０ｎｍの厚さの単一Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ量子井戸５１を組込んだ、低フィネス反共振λ／２空洞共振器５２とを有する。このようなＳＥＳＡＭ５の低強度の損失は約１．３％であり、ブリーチング応答は、１３０ｆｓの高速成分と４ｐｓの回復時間とを備え、バイテンポラルである。このタイプの構造は、固体レーザ用の極めて用途の広いモード同期装置として確立される（Ｕ．ケラー（U. Keller）、Ｋ．Ｊ．ヴァインガルテン（K. J. Weingarten）、Ｆ．Ｘ．ケルトナー（F. X. Koertner）、Ｄ．コップク（D. Kopf）、Ｂ．ブローン（B. Braun）、Ｉ．Ｄ．ジュン（I. D. Jung）、Ｒ．フルック（R. Fluck）、Ｃ．ヘンニンガー、Ｎ．マーチュチェク（N. Matuschek）、およびＪ．オースデールオー（J. Aus der Au）、ＩＥＥＥ ジャーナル・オブ・セレクテッド・トピックス・イン・クワンタム・エレクトロン（IEEE J. Selected Topics in Quantum Electron）２，４３５，１９９６年参照）。
【００２９】
ウェハ上への１．４Ｗのポンピング光入射により、図１−図３によって示されるＶＥＣＳＥＬは、２つの出力ビーム１０’と１０”との間で均等に分割される、総計２１．６ｍＷのパワーを射出する。ポンピングパワーのさらなる増大により、出力が熱作用により減少する。ＶＥＣＳＥＬは、４．４３ＧＨｚの空洞共振器往復繰返し数で、安定した、自己始動のモード同期を呈する。図４は、レーザ出力をモニタリングする高速ダイオードからの、光電流の無線周波数スペクトルにおける基本ピークを示す。この信号は、５０ＧＨｚのフォトダイオードと、２６ＧＨｚの増幅器と、スペクトル分析器とによって得られた。より低い解像度のバンド幅でのスペクトル測定は、おそらく８０ｎｍのオーダでの空洞共振器長のわずかな変動によって生じた、約１０ｋＨｚのジターを示す。
【００３０】
測定されたパルスの自己相関トレースが図５で示され（実線のカーブ）、ＦＷＨＭパルス時間が２５．７ｐｓと仮定される双曲線セカントプロファイルに対する適合度（点線のカーブ）が示される。
【００３１】
図６は、図１から図３に示される、ＶＥＣＳＥＬの光学スペクトルを示し、このスペクトルは、これらのパルスに対する約１．８の時間バンド幅の積に対応する、０．２５ｎｍＦＷＨＭのバンド幅を有する。制限されたバンド幅内においても、パルスは利得飽和によって強くチャープされ、利得飽和は、パルスの自己位相変調を行なう。同期的にポンピングされたＶＥＣＳＥＬにおいて、この影響は、反対の符号からなるパルス化されたポンピングによって誘発された外部位相変調により、部分的にオフセットされてよい（アイル Ｎ．デューリング（Irl N. Duling）IIIによって編集された、「超短パルスのコンパクトソース（Compact Sources of Ultrasort Pulses）」における、Ｗ．ジャンおよびＪ．Ｅ．バウワズ、Ｃ．Ｕ．Ｐ．、１９９５年を参照）。しかしながら、３桁の、同期的にポンピングされたＶＥＣＳＥＬからのパルスを、２１ｆｓ時間に外部圧縮することが報告されている（Ｗ．Ｈ．ジャン、Ｓ．Ｒ．フリバーグ、Ｋ．ワタナベ、Ｓ．マチダ、Ｙ．サカイ、Ｈ．イワムラ、およびＹ．ヤマモト、アプライド・フィジィックス・レターズ、５９，２０７６，１９９１年参照）。
【００３２】
本来の量子井戸利得は数十ナノメータにわたって延びるが、ＶＥＣＳＥＬのバンド幅は、ブラッグ鏡４を介した残存透過および基板２８のインジウムで被覆された後面２２からの反射から生じる、結合された空洞共振器の影響により、制限されることがある。後面２２を粗面化または角研磨することにより、この影響はなくなる。さらなるサブ空洞共振器を、ブラッグ鏡４およびアクティブミラー要素２の前面２１からのフレネル反射によって形成することができ、約４０ｎｍの自由スペクトル幅を有する。このサブ空洞共振器は、レーザ波長においてほぼ共振状態で動作するため、レーザしきい値を幾分下げることがあり、効果的な利得飽和フリューエンスを、反共振ＳＥＳＡＭの吸収飽和フリューエンスより、ずっと低い値まで下げることもある。したがって、Ｖ字型空洞共振器１は、好ましくは、非対称に形成され、空洞共振器のモードをアクティブミラー要素２上よりも、ＳＥＳＡＭ５上により密に集束させる。ＳＥＳＡＭ５およびアクティブミラー要素２を有する空洞共振器の脚の長さは、たとえば、それぞれ、６ｍｍおよび２８ｍｍであり、利得構造３上のモード領域とＳＥＳＡＭ５上のモード領域との比率を約４０にする。モード領域の比率をさらに下げてしまえば、最大約８０ｐｓまでパルスを連続的に延長し、最後には、雑音パルスを有することとなる。出力の実質的な増加は、改善された熱管理およびウェハ設計とともに、ダイオードバーでポンピングされた装置によって得られる。
【００３３】
この発明に従ったレーザのさらなる実施例が図７−図９に示される。図７のレーザもまた、Ｖ字型のレーザ共振器１を有するが、図１の実施例とは異なり、アクティブミラー要素２がフォールディング鏡８として用いられる。共振器１はＳＥＳＡＭ５および出力カプラー鏡１２とによって境界設定される。
【００３４】
図８および図９は、利得構造３と吸収体構造５とが同じ要素６内に統合される実施例を示し、それを「アクティブ吸収体ミラー要素」と称する。さまざまな層は詳細に示されていない。図８では、１つの量子井戸３１または複数の量子井戸を備えた利得構造３がアクティブ吸収体ミラー要素６上に置かれる。利得構造３の次に中間要素６３が来る。この中間要素は本質的にポンピング光７０を反射するが、本質的にレーザ放射１０を透過させる。この実施例のポンピング光７０は、アクティブ吸収体ミラー要素６の前面６１から利得構造３に射突する。中間要素６３の次に、１つの量子井戸５１または複数の量子井戸を備えた吸収体構造５が来る。これらの要素すべてを基板６８上で成長させる。アクティブ吸収体ミラー要素６および外部鏡１２はレーザ空洞共振器１を形成する。図９の実施例では、利得構造３は基板６８に隣接する。ポンピング光７０は基板６８を通過し、アクティブ吸収体ミラー要素６の後面６２から、利得構造３に射突する。吸収体構造５および利得構造３はここでも中間要素６３によって分離される。中間要素は、本質的にポンピング光７０を反射するが、本質的にレーザ放射１０を透過させる。
【００３５】
図１０は、屈折率のプロフィール（上）と、たとえば、図９の実施例で用いられた、アクティブ吸収体ミラー要素６の電界パターンの計算（下）とを示す。アクティブ吸収体ミラー要素６の上に吸収体構造５を成長させる。別の要素により、吸収体構造５および利得構造３の飽和エネルギーは、レーザモードを多少とも密に集束させることによって調整される。アクティブ吸収体ミラー要素６では、強度およびそれによる飽和エネルギーを、定在波パターンを用いることによって多様にすることができる。図１０の吸収体構造５では、共振器である、ファブリ−ペロー空洞共振器を吸収体５に対して用いて強度を増し、それにより、効果的な吸収体飽和エネルギーを減少させる。ポンピング光７０の大部分は吸収体構造５を透過するが、それは、吸収体量子井戸５１が増幅量子井戸３１とは対照的に、ポンピング吸収材料に囲まれていないからである。増幅量子井戸３１は主に、周辺媒体３３で生成され、そこから量子井戸３１に運ばれるキャリアにより励起される。したがって、ポンピング光７０は、可飽和吸収体５を著しく励起させることなく、それを介して運ばれ得る一方で、循環するレーザパルス１０のより高いピーク強度は、依然として吸収体５を飽和させることができる。
【００３６】
図１０に示された、アクティブ吸収体ミラー要素６の設計の一例を表１に示す。
【００３７】
【表１】
この発明の精神と範囲から逸脱することなく、他の多くの実施例が考えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明に従った、ＥＸＳＥＬの好ましい実施例の概略図である。
【図２】 この発明に従った、ＥＸＳＥＬの好ましい実施例において用いられる、半導体アクティブミラー要素の概略断面図である。
【図３】 この発明に従った、ＥＸＳＥＬの好ましい実施例において用いられる、ＳＥＳＡＭの概略断面図である。
【図４】 図１のＥＸＳＥＬの出力の、無線周波数スペクトルのグラフ表示である。
【図５】 図１のＥＸＳＥＬによって射出される、モード同期パルスの自己相関トレースのグラフ表示（実線の曲線）であり、２５．７ｐｓＦＷＨＭの双曲線セカントパルスのプロフィールを想定するデータへの適合を示す。
【図６】 図１のＥＸＳＥＬのモード同期出力の、測定されたスペクトルのプロフィールのグラフ表示である。
【図７】 この発明に従った、ＥＸＳＥＬのさらなる実施例の概略図である。
【図８】 この発明に従った、ＥＸＳＥＬのさらなる実施例の概略図である。
【図９】 この発明に従った、ＥＸＳＥＬのさらなる実施例の概略図である。
【図１０】 この発明に従った、ＥＸＳＥＬの屈折率のプロフィールおよび電界パターンのグラフ表示である。
Claims (19)
- パルス化した電磁レーザ放射を行なうためのレーザであって、
第１の反射要素とそれから分離した第２の反射要素とを含み、前記第１および第２の反射要素は、レーザ放射のための光共振器を規定し、前記レーザはさらに、
本質的には表面内に広がる表面を有し、前記レーザ放射を行なうための、本質的には平坦な半導体利得構造と、
前記表面から前記レーザ放射を行なうために、前記半導体利得構造を励起させるための手段とを含み、前記励起手段は、前記半導体利得構造に射突するポンピング放射を行なうための連続波のポンピングソースを含み、前記レーザはさらに、
前記レーザ放射をモード同期するための半導体可飽和吸収体構造を含み、
前記利得構造および前記可飽和吸収体構造は、前記利得構造の飽和エネルギーが前記可飽和吸収体構造の飽和エネルギーより、少なくとも２倍大きくなるようにする、レーザ。 - 前記半導体利得構造は、１つの量子井戸または複数の量子井戸を備えた量子井戸構造である、請求項１に記載のレーザ。
- 前記レーザ放射はレーザビームの形をとり、前記レーザビームは、前記半導体利得構造上および前記半導体可飽和吸収体上の断面領域を規定し、前記光共振器は、前記半導体利得構造上の断面領域が、前記半導体可飽和吸収体上の断面領域よりも大きくなるように設計される、請求項１に記載のレーザ。
- 前記半導体吸収体構造は、量子井戸構造である、請求項１に記載のレーザ。
- 前記半導体可飽和吸収体は、前記光共振器を規定する、前記２つの反射要素のうちの１つとして、または、前記光共振器内に置かれる第３の反射要素として働く半導体可飽和吸収体ミラーである、請求項１に記載のレーザ。
- ブラッグ反射器を含み、前記ブラッグ反射器は、前記光共振器を規定する、前記２つの反射要素のうちの１つとして働く、請求項１に記載のレーザ。
- 前記ブラッグ反射器および前記半導体利得構造は、共通の基板上の半導体層のスタックとして実現される、請求項６に記載のレーザ。
- 前記光共振器はＶ字型であり、好ましくは非対称である、請求項１に記載のレーザ。
- 前記光共振器は、調波モード同期のためのスペクトルフィルタを含む、請求項１に記載のレーザ。
- 調波モード同期のために、前記可飽和吸収体は、逆伝搬パルスが出会う、前記光共振器内の或る位置に置かれる、請求項１に記載のレーザ。
- 前記ポンピングソースは、ダイオードレーザ、好ましくは、高出力ダイオードポンピングレーザまたは高輝度ダイオードポンピングレーザを含む、請求項１に記載のレーザ。
- 前記半導体利得構造は、ヒートシンク上に装着される、請求項１に記載のレーザ。
- 前記半導体利得構造および前記半導体可飽和吸収体は、共通の基板上の半導体層のスタックとして認識される、請求項１に記載のレーザ。
- パルス化された電磁レーザ放射を行なうための方法であって、
連続的なポンピング放射を行なうステップと、
前記ポンピング放射を、本質的には表面内に広がる表面を有する、本質的には平坦な半導体利得構造に射突させることにより、前記表面からレーザ放射を発光させるよう、前記半導体利得構造を励起させるステップと、
光共振器内で前記レーザ放射を再循環させるステップと、
半導体可飽和吸収体構造によって前記レーザ放射をモード同期するステップとを含み、
前記利得構造および前記可飽和吸収体構造は、前記利得構造の飽和エネルギーが前記可飽和吸収体構造の飽和エネルギーより、少なくとも２倍大きくなるように選択される、方法。 - 前記半導体利得構造は量子井戸構造である、請求項１４に記載の方法。
- 前記半導体吸収体構造は量子井戸構造である、請求項１４に記載の方法。
- 前記レーザ放射はレーザビームの形をとって生成され、前記レーザビームは、前記半導体利得構造上および前記半導体可飽和吸収体構造上の断面領域を規定し、前記光共振器は、前記半導体利得構造上の断面領域が、前記半導体可飽和吸収体構造上の断面領域よりも大きくなるように設計される、請求項１４に記載の方法。
- 前記レーザ放射は前記半導体吸収体構造から反射される、請求項１４に記載の方法。
- 調波モード同期が行なわれる、請求項１４に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/502,959 | 2000-02-11 | ||
| US09/502,959 US6735234B1 (en) | 2000-02-11 | 2000-02-11 | Passively mode-locked optically pumped semiconductor external-cavity surface-emitting laser |
| PCT/CH2001/000088 WO2001059895A1 (en) | 2000-02-11 | 2001-02-09 | Passively mode-locked optically pumped semiconductor external-cavity surface-emitting laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003523092A JP2003523092A (ja) | 2003-07-29 |
| JP4977298B2 true JP4977298B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=24000157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001559112A Expired - Lifetime JP4977298B2 (ja) | 2000-02-11 | 2001-02-09 | 受動モード同期光ポンピング半導体の外部空洞共振器面発光レーザ |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6735234B1 (ja) |
| EP (1) | EP1264373B1 (ja) |
| JP (1) | JP4977298B2 (ja) |
| AT (1) | ATE330347T1 (ja) |
| AU (1) | AU2994401A (ja) |
| CA (1) | CA2399661A1 (ja) |
| DE (1) | DE60120651T2 (ja) |
| IL (1) | IL150788A0 (ja) |
| WO (1) | WO2001059895A1 (ja) |
Families Citing this family (66)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030112843A1 (en) * | 2001-01-19 | 2003-06-19 | Siros Technology, Inc. | Method and apparatus for mode-locked vertical cavity laser with equalized mode response |
| DE10147888A1 (de) * | 2001-09-28 | 2003-04-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisch gepumpter vertikal emittierender Halbleiterlaser |
| FR2835065B1 (fr) * | 2002-01-22 | 2004-04-02 | Centre Nat Rech Scient | Composant a absorbant saturable et procede de fabrication de composant a absorbant saturable |
| DE10214120B4 (de) * | 2002-03-28 | 2007-06-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisch pumpbare oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung |
| TW595059B (en) * | 2002-05-03 | 2004-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optically pumped semiconductor laser device |
| US7756172B2 (en) * | 2002-05-29 | 2010-07-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optically pumped semi-conductive laser |
| DE10223879A1 (de) * | 2002-05-29 | 2003-12-11 | Univ Stuttgart Strahlwerkzeuge | Laserverstärkersystem |
| US6859481B2 (en) * | 2002-07-16 | 2005-02-22 | Applied Optoelectronics, Inc. | Optically-pumped multiple-quantum well active region with improved distribution of optical pumping power |
| JP2004253800A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | レーザーパルス形成用レーザー装置 |
| GB2399941A (en) * | 2003-03-24 | 2004-09-29 | Univ Strathclyde | Vertical cavity semiconductor optical devices |
| DE10339980B4 (de) * | 2003-08-29 | 2011-01-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser mit reduzierter Verlustwärme |
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| ATE445244T1 (de) * | 2003-10-24 | 2009-10-15 | Koheras As | Optisches system zur bereitstellung von kurzen laserimpulsen |
| US6947466B2 (en) | 2004-01-29 | 2005-09-20 | Coherent, Inc. | Optically pumped edge-emitting semiconductor laser |
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| US9112331B2 (en) * | 2012-03-22 | 2015-08-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Surface emitting laser incorporating third reflector |
| GB2500676B (en) | 2012-03-29 | 2015-12-16 | Solus Technologies Ltd | Self mode-locking semiconductor disk laser (SDL) |
| WO2013152447A2 (en) | 2012-04-11 | 2013-10-17 | Time-Bandwidth Products Ag | Pulsed semiconductor laser |
| US9112332B2 (en) | 2012-06-14 | 2015-08-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Electron beam pumped vertical cavity surface emitting laser |
| WO2014015337A2 (en) * | 2012-07-20 | 2014-01-23 | The Regents Of The University Of California | Structure and method for the fabrication of a gallium nitride vertical cavity surface emitting laser |
| CN104521078B (zh) | 2012-07-27 | 2018-03-20 | 统雷有限公司 | 宽范围可调谐的放大短腔激光器 |
| DK2789061T3 (en) | 2013-02-27 | 2017-02-20 | Wavelight Gmbh | WASTE DEVICE AND METHOD FOR LASER PROCESSING A TARGET MATERIAL |
| GB2519773C (en) * | 2013-10-29 | 2018-01-03 | Solus Tech Limited | Mode-locking semiconductor disk laser (SDL) |
| GB2521140B (en) | 2013-12-10 | 2018-05-09 | Solus Tech Limited | Improved self mode-locking semiconductor disk laser (SDL) |
| GB2525252B (en) | 2014-04-18 | 2016-08-17 | Solus Tech Ltd | Improved passively mode-locking semiconductor disk laser (SDL) |
| GB2526063B (en) * | 2014-04-28 | 2016-10-26 | Solus Tech Ltd | Optical amplifier |
| US10530115B2 (en) | 2014-10-02 | 2020-01-07 | ETH Zürich | Pulsed laser |
| DE102016104602A1 (de) * | 2016-03-14 | 2017-09-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlichtquelle |
| DE102017112235A1 (de) * | 2017-06-02 | 2018-12-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiode und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode |
| CN109193342B (zh) * | 2018-10-15 | 2019-11-15 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种半导体激光器 |
| DE102020115133A1 (de) * | 2020-06-08 | 2021-12-09 | Laser Zentrum Hannover E.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Laserpulses |
| JP7541725B2 (ja) | 2020-11-20 | 2024-08-29 | 国立大学法人 東京大学 | 半導体レーザ素子、およびエピタキシャル基板 |
| EP4131674A1 (en) | 2021-08-06 | 2023-02-08 | ETH Zurich | Radiation source |
| CN114725771B (zh) * | 2022-03-22 | 2024-08-09 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种离轴半导体激光器 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2760451B2 (ja) | 1990-06-25 | 1998-05-28 | 松下電子工業株式会社 | 超短パルスレーザ光発生装置 |
| EP0567693A1 (en) * | 1992-04-27 | 1993-11-03 | BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company | Optical clock recovery |
| US5461637A (en) * | 1994-03-16 | 1995-10-24 | Micracor, Inc. | High brightness, vertical cavity semiconductor lasers |
| US5469454A (en) * | 1994-05-02 | 1995-11-21 | University Of Central Florida | Mode locked laser diode in a high power solid state regenerative amplifier and mount mechanism |
| US6243407B1 (en) * | 1997-03-21 | 2001-06-05 | Novalux, Inc. | High power laser devices |
| US5987049A (en) * | 1998-04-24 | 1999-11-16 | Time-Bandwidth Products Ag | Mode locked solid-state laser pumped by a non-diffraction-limited pumping source and method for generating pulsed laser radiation by pumping with a non-diffraction-limited pumping beam |
| US6327293B1 (en) * | 1998-08-12 | 2001-12-04 | Coherent, Inc. | Optically-pumped external-mirror vertical-cavity semiconductor-laser |
| US6252892B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-06-26 | Imra America, Inc. | Resonant fabry-perot semiconductor saturable absorbers and two photon absorption power limiters |
| US6192058B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-02-20 | Sarnoff Corporation | Multiwavelength actively mode-locked external cavity semiconductor laser |
| US6393035B1 (en) * | 1999-02-01 | 2002-05-21 | Gigatera Ag | High-repetition rate passively mode-locked solid-state laser |
| WO2001043242A1 (en) * | 1999-12-08 | 2001-06-14 | Time-Bandwidth Products Ag | Mode-locked thin-disk laser |
-
2000
- 2000-02-11 US US09/502,959 patent/US6735234B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-02-09 CA CA002399661A patent/CA2399661A1/en not_active Abandoned
- 2001-02-09 WO PCT/CH2001/000088 patent/WO2001059895A1/en active IP Right Grant
- 2001-02-09 DE DE60120651T patent/DE60120651T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-09 AU AU29944/01A patent/AU2994401A/en not_active Abandoned
- 2001-02-09 IL IL15078801A patent/IL150788A0/xx unknown
- 2001-02-09 JP JP2001559112A patent/JP4977298B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-09 EP EP01902228A patent/EP1264373B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-09 AT AT01902228T patent/ATE330347T1/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2399661A1 (en) | 2001-08-16 |
| EP1264373A1 (en) | 2002-12-11 |
| ATE330347T1 (de) | 2006-07-15 |
| IL150788A0 (en) | 2003-02-12 |
| DE60120651T2 (de) | 2007-05-31 |
| WO2001059895A1 (en) | 2001-08-16 |
| AU2994401A (en) | 2001-08-20 |
| US6735234B1 (en) | 2004-05-11 |
| EP1264373B1 (en) | 2006-06-14 |
| JP2003523092A (ja) | 2003-07-29 |
| DE60120651D1 (de) | 2006-07-27 |
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| Roberts | ueete Q W353 | |
| Häring et al. | Passively mode-locked diode-pumped surface-emitting diode laser | |
| Häring et al. | SJeAAAS S a SBBBSS |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080118 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110222 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110520 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110527 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110802 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120327 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120416 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4977298 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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