JP4961529B2 - 極端紫外光源用ターゲット - Google Patents
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Description
c/λ=[(e2ncr)/(ε0me)]1/2 …(1)
ここで、λ, c, e,ε0, me, ncr はそれぞれ、レーザ光の波長、光速、単位電荷量、真空の誘電率、電子質量、電子密度である。このカットオフ電子密度領域は、ターゲットの初期密度が低いほどターゲット表面15に近い方に移動する(矢印17)。一方、プラズマが極端紫外光を発光する条件もターゲットの初期密度に依存し、極端紫外光発光領域12は、ターゲット初期密度が低いほどターゲット面に近くなる。すなわち、ターゲットの密度を小さくすると、レーザ吸収領域11及び極端紫外光発光領域12は共にターゲット面の方に近づくが、その度合いはレーザ吸収領域11の方が大きい。従って、ターゲットの密度を小さくすることにより、結果的に、レーザ吸収領域11と極端紫外光発光領域12を近づけ、エネルギー輸送損失を低減することができる。また、ターゲットの初期密度を低下させることにより、膨張プラズマの量が減少し、極端紫外光の膨張プラズマによる再吸収が減少するため、取り出せる極端紫外光の量が増加する。
四塩化スズ又はテトラアルコキシスズを、該四塩化スズ又はテトラアルコキシスズの4倍以下のモル数のエタノールに溶解させた後に、これに水を混合させた溶液を微粒子薄膜の隙間に染み込ませて、重金属酸化物を含むゲル薄膜を生成する方法により製造することができる。
a) 四塩化スズを、該四塩化スズの4倍以下のモル数の脱水エタノールに溶解させた後に、これに水を混合することにより重金属酸化物を含むゲルを生成するゲル生成工程と、
b)前記ゲルをナノパーティクルポリスチレンに混合した後、240℃以上且つ重金属酸化物の分解温度以下に加熱するターゲット形成工程と、
を有する方法によっても製造することができる。
四塩化スズ又はテトラアルコキシスズを、該四塩化スズ又はテトラアルコキシスズの5倍以上のモル数のエタノールに溶解させた後に、これに水を混合させた溶液を微粒子薄膜の隙間に染み込ませて、重金属酸化物を含むゲル薄膜を生成する方法により製造することができる。
a) 四塩化スズを、該四塩化スズの5倍以上のモル数の脱水エタノールに溶解させた後に、これに水を混合することにより重金属酸化物を含むゲルを生成するゲル生成工程と、
b)前記ゲルをナノパーティクルポリスチレンに混合した後、240℃以上且つ重金属酸化物の分解温度以下に加熱するターゲット形成工程と、
を有する方法によっても製造することができる。
あるいは、スズ化合物のアルコール/水溶液とリオトロピック液晶溶液を混合させ、膜状に伸ばして乾燥させることにより、配向した酸化スズ微結晶を生成してもよい。この場合、スズ化合物には四塩化スズやテトラアルコキシスズ等を用いることができ、リオトロピック液晶にはヒドロキシプロピルセルロース等を用いることができる。
酸化スズ(SnO2)から成る極端紫外光源用ターゲットの製造方法の実施例を、図2を用いて説明する。まず、エタノール(C2H5OH)中に四塩化スズ(SnCl4)を溶解させる(1)。(a)〜(c)におけるCH3CH2OHとSnCl4のモル比は、それぞれ(a)2:1、(b)6:1、(c)10:1となる。この溶液10mlに更に純水10mlを混合してSnO2を含む溶液21を得た(2)。
12…極端紫外光発光領域
15…ターゲット表面
18、19…分布曲線
20…極端紫外光源用ターゲット
21…SnO2含有ゲル
22…ガラス基板
23…容器
24…ナノパーティクルポリスチレン
25…空洞
31、31a、31b、31c…セル(微粒子)
41…ターゲットの表面
42…ターゲットの表面に対する法線
43…微粒子の表面に対する法線
44…θが60°〜90°である領域
45…θが0°〜60°である領域
Claims (14)
- 重金属又は重金属化合物の微粒子の集合体から成るターゲットにレーザ光を照射することにより極端紫外光を生成する方法であって、
前記レーザ光の照射方向に対する角度が60°〜90°である微粒子表面の該照射方向に垂直な面への射影がターゲット全体の該照射方向に垂直な面への射影に占める面積の割合が25%以上であるターゲットを用いることを特徴とする極端紫外光発光方法。 - 重金属又は重金属化合物の微粒子の集合体から成るターゲットにレーザ光を照射することにより極端紫外光を生成する方法であって、
前記レーザ光の照射方向に対する角度が60°〜90°である微粒子表面の該照射方向に垂直な面への射影がターゲット全体の該照射方向に垂直な面への射影に占める面積の割合が20%以下であるターゲットを用いることを特徴とする極端紫外光発光方法。 - 前記ターゲットが薄膜状であり、レーザ光照射方向が薄膜の表面に垂直な方向であることを特徴とする請求項1又は2に記載の極端紫外光発光方法。
- 前記重金属又は重金属化合物の質量をターゲット全体の体積で除した値で定義される密度が、該重金属又は重金属化合物の結晶密度の0.5〜80%であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の極端紫外光発光方法。
- 前記重金属又は重金属化合物がスズ又はスズ化合物であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の極端紫外光発光方法。
- 重金属又は重金属化合物の微粒子の集合体から成る薄膜状のターゲットであって、
薄膜表面の法線方向に対する角度が60°〜90°である微粒子表面の該薄膜表面への射影が該薄膜表面に占める面積の割合が25%以上である極端紫外光源用ターゲット。 - 重金属又は重金属化合物の微粒子の集合体から成る薄膜状のターゲットであって、
薄膜表面の法線方向に対する角度が60°〜90°である微粒子表面の該薄膜表面への射影が該薄膜表面に占める面積の割合が20%以下である極端紫外光源用ターゲット。 - 前記重金属又は重金属化合物の質量をターゲット全体の体積で除した値で定義される密度が、該重金属又は重金属化合物の結晶密度の0.5〜80%であることを特徴とする請求項6又は7に記載の極端紫外光源用ターゲット。
- 前記重金属又は重金属化合物がスズ又はスズ化合物であることを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載の極端紫外光源用ターゲット。
- 四塩化スズ又はテトラアルコキシスズを、該四塩化スズ又はテトラアルコキシスズの4倍以下のモル数のエタノールに溶解させた後に、これに水を混合させた溶液を微粒子薄膜の隙間に染み込ませて、重金属酸化物を含むゲル薄膜を生成することを特徴とする極端紫外光源用ターゲット製造方法。
- a) 四塩化スズを、該四塩化スズの4倍以下のモル数の脱水エタノールに溶解させた後に、これに水を混合することにより重金属酸化物を含むゲルを生成するゲル生成工程と、
b)前記ゲルをナノパーティクルポリスチレンに混合した後、240℃以上且つ重金属酸化物の分解温度以下に加熱するターゲット形成工程と、
を有することを特徴とする極端紫外光源用ターゲット製造方法。 - 四塩化スズ又はテトラアルコキシスズを、該四塩化スズ又はテトラアルコキシスズの5倍以上のモル数のエタノールに溶解させた後に、これに水を混合させた溶液を微粒子薄膜の隙間に染み込ませて、重金属酸化物を含むゲル薄膜を生成することを特徴とする極端紫外光源用ターゲット製造方法。
- a) 四塩化スズを、該四塩化スズの5倍以上のモル数のエタノールに溶解させた後に、これに水を混合することにより重金属酸化物を含むゲルを生成するゲル生成工程と、
b)前記ゲルをナノパーティクルポリスチレンに混合した後、240℃以上且つ重金属酸化物の分解温度以下に加熱するターゲット形成工程と、
を有することを特徴とする極端紫外光源用ターゲット製造方法。 - スズ化合物のアルコール/水溶液とリオトロピック液晶溶液を混合させ、膜状に伸ばして乾燥させることにより、配向した酸化スズ微結晶を生成することを特徴とする極端紫外光源用ターゲット製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005274623A JP4961529B2 (ja) | 2005-09-21 | 2005-09-21 | 極端紫外光源用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005274623A JP4961529B2 (ja) | 2005-09-21 | 2005-09-21 | 極端紫外光源用ターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007087750A JP2007087750A (ja) | 2007-04-05 |
JP4961529B2 true JP4961529B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=37974523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005274623A Active JP4961529B2 (ja) | 2005-09-21 | 2005-09-21 | 極端紫外光源用ターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4961529B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5234448B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2013-07-10 | 国立大学法人東京工業大学 | 放射線源用ターゲット、その製造方法及び放射線発生装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10208998A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-07 | Hitachi Ltd | レーザプラズマx線発生装置とそれを用いた微細パターン転写方法および装置 |
JPH11345698A (ja) * | 1998-06-04 | 1999-12-14 | Hitachi Ltd | レーザプラズマx線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法 |
JP2000091095A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | X線発生装置 |
JP2001133597A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-18 | Toyota Macs Inc | X線装置 |
TW502559B (en) * | 1999-12-24 | 2002-09-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of generating extremely short-wave radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, extremely short-wave radiation source unit and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit |
US6972421B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-12-06 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
JP2002214400A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-31 | Toyota Macs Inc | レーザープラズマeuv光源装置及びそれに用いられるターゲット |
JP2004214013A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Toyota Macs Inc | 軟x線光源装置 |
JP2004213993A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Toyota Macs Inc | 軟x線光源装置 |
US7521702B2 (en) * | 2003-03-26 | 2009-04-21 | Osaka University | Extreme ultraviolet light source and extreme ultraviolet light source target |
JP2005032510A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Nikon Corp | Euv光源、露光装置及び露光方法 |
-
2005
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007087750A (ja) | 2007-04-05 |
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