JP4952202B2 - 力検知装置 - Google Patents
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Description
一般的に、電極227の厚みの差は僅かなものであり、力検知装置200の特性に与える影響は小さい。したがって、電極227の厚みの差を考慮しなくても力検知装置200を利用可能な場面も多い。しかしながら、より高精度に力を検知したいという要求もあり、この場合は電極227の厚みの差さえも考慮することが望まれる。さらに、力検知装置200の小型化が進むと、電極227の厚みの差の影響が相対的に大きくなり、電極227の厚みの差も考慮することが望まれる。
本発明は、所望の特性を安定して得ることができる力検知装置を提供することを目的としている。
上記の力検知装置では、メサ段差が溝を横断して形成されている。さらに、そのメサ段差を通過して不純物導入領域が形成されている。したがって、不純物導入領域は、メサ段差と溝の境界から側方に張り出して形成されている。このため、メサ段差の端部と不純物導入領域の一端の間には距離が確保されている。上記の力検知装置では、溝の周囲に位置する半導体基板の表面と不純物導入領域の一端に当接してブロックが溝を封止している。このため、ブロックと不純物導入領域の一端の間に空間が形成されたとしても、その空間はメサ段差と溝の境界から不純物導入領域の一端の間の距離内に留まることができる。したがって、ブロックは、メサ段差の頂面の全体に接することができる。この結果、不純物導入領域の抵抗値の変化における空間の影響を小さくすることができる。本明細書で開示される力検知装置は、所望の特性を安定して得ることができる。また、この力検知装置では、外部電流源と表面側からの電気的な接続はブロックを介して実現することができ、外部電流源との裏面側からの電気的な接続は裏面電極を利用して実現することができる。外部電流源は、ワイヤボンディングを利用しないで、不純物導入領域の両端に電気的に接続することができる。この接続方法は、力検知装置の水平方向で外部電流源と電気的に接続する場合に比して、力検知装置を小型化することができる。
メサ段差と溝の境界から側方に張り出している不純物導入領域は、圧縮応力が相対的に弱く加わる領域であるとともに、ブロックとの間に空間が形成されたときはブロックとの間の接触面積が変動する領域でもある。したがって、メサ段差と溝の境界から側方に張り出している不純物導入領域は、その抵抗値が小さいのが望ましい。上記の力検知装置では、メサ段差と溝の境界から側方に張り出している不純物導入領域の幅を大きくすることによって、その領域の抵抗値を低減している。この結果、不純物導入領域の抵抗値の変化における空間の影響をさらに小さくすることができる。
上記の力検知装置によると、不純物導入領域の一端と外部電流源の電気的な接続は、ブロックの表面に露出している導電体領域を利用して実現することができる。ブロックの表面に露出している導電体領域は、簡単な構成の接続方法で電気的な接続を実現することができる。導電体領域を利用すれば、ワイヤボンディングを利用しないで外部電流源から電力を容易に供給することができる。
この力検知装置によると、不純物導入領域とウェル領域の間にはpn接合が形成され、不純物導入領域の他端以外がウェル領域によって周囲から電気的に分離される。ウェル領域に取り囲まれていない不純物導入領域の他端は、半導体基板と接している。不純物導入領域と半導体基板が同一導電型であるので、不純物導入領域の他端は、半導体基板を介して裏面電極と電気的に接続することができる。
この力検知装置によると、ブロックと半導体基板の表面が接合する面積を最大で確保することができ、ブロックと半導体基板の接合力を向上させることができる。その一方で、力検知装置の検知感度は、顕著に悪化しない。この力検知装置によると、検知感度を顕著に悪化させないで、ブロックと半導体基板の接合力を向上させることができる。
(第1特徴) 溝を横断するメサ段差は1つであるのが好ましい。
(第2特徴) 第1特徴において、溝の平面形状は円形であり、その円形の溝内をメサ差が横断しているのが好ましい。
(第3特徴) ブロックには、接合を利用できる材料が用いられるのが好ましい。陽極接合の場合には、ブロックの材料にパイレックス(登録商標)ガラス、テンパックス等が用いられるのが好ましい。
図1に、力検知装置10の斜視図を模式的に示す。図2に、図1のII-II線の縦断面図を模式的に示す。図3に、図1のIII-III線の縦断面図を模式的に示す。
力検知装置10は、n型の不純物を含む単結晶シリコンの半導体基板20を備えている。半導体基板20に含まれるn型の不純物濃度は、約1×1014〜1×1017cm-3である。半導体基板20の表面には、酸化シリコンの絶縁層30が形成されている。半導体基板20の表面には、矩形状の溝40が形成されている。溝40は、絶縁層30の厚みよりも深く形成されている。溝40は、エッチング技術を利用して半導体基板20の表面に形成することができる。溝40は、隣接する分散溝42、44によって構成されており、その分散溝42と分散溝44の間にメサ段差24が形成されている。メサ段差24は、溝40を横断して伸びている。分散溝42と分散溝44は、メサ段差24を対称軸とする線対称な形状を有している。半導体基板20の表面は(110)面である。メサ段差24は、ピエゾ抵抗効果が大きく現れる<110>方向に伸びている。
図2に示すように、不純物導入領域22の一端は、第1コンタクト領域32に電気的に接続している。第1コンタクト領域32は、絶縁層30を貫通して絶縁層30の表面に露出している。さらに、不純物導入領域22の他端は、第2コンタクト領域34に電気的に接続している。第2コンタクト領域34は、絶縁層30を貫通して絶縁層30の表面に露出している。第1コンタクト領域32と第2コンタクト領域34には、アルミニウムが用いられている。
図4には、陽極接合を実施する前の段階が示されている。図4に示すように、第1コンタクト領域32と第2コンタクト領域34は、絶縁層30に形成されている貫通孔よりも幅狭で貫通孔から突出した状態で形成されている。次に、ブロック50を絶縁層30の表面に接触させると、第1コンタクト領域32と第2コンタクト領域34は押し圧され、貫通孔内を伸展する。第1コンタクト領域32と第2コンタクト領域34の材料はアルミニウムであり、柔らかい。この結果、図2に示すように、第1コンタクト領域32と第2コンタクト領域34は、絶縁層30の貫通孔内に充填された状態になる。次に、高温下において、ブロック50と半導体基板20の間に高静電界を印加する。これにより、ブロック50と絶縁層30の間には共有結合が形成され、ブロック50と絶縁層30が強固に接合される。
この結果、力検知装置10は、絶縁層30とブロック50の間の空間の影響を排除することができ、製造毎に均一な特性を得ることができる。
図9に示すように、力検知装置10は、ブロック50を下向きにして金属ハーメ端子60に固定されている。ブロック50と金属ハーメ端子60は、接着剤66を利用して固定されている。ブロック50と金属ハーメ端子60は、接合を利用して固定されていてもよい。ブロック50と金属ハーメ端子60は、陽極接合を利用して固定されていてもよい。金属ハーメ端子60の材料には、低膨張金属を用いるのが好ましく、ここではコバールが用いられている。
金属ハーメ端子60は、表面から裏面まで貫通している一対の封入ガラス63を備えている。正極ピン62は、一方の封入ガラス63の表面から裏面まで貫通して形成されている。負極ピン64は、他方の封入ガラス63の表面から裏面まで貫通して形成されている。正極ピン62は、ブロック50の第1導電体領域52に電気的に接続している。負極ピン64は、ブロック50の第2導電体領域54に電気的に接続している。正極ピン62と第1導電体領域52、及び負極ピン64と第2導電体領域54の電気的な接続は、はんだ、導電性接着剤などを利用することができる。あるいは、正極ピン62と第1導電体領域52、及び負極ピン64と第2導電体領域54の電気的な接続は、単に物理的に接触しているだけでもよい。
図10に示すように、金属ハーメ端子60は、隔壁70の貫通孔の内壁に形成された段差面71を利用して貫通孔内に狭持される。ハーメ固定ネジ74は、その外面に形成されたネジ部72を利用して貫通孔の内壁に螺嵌され、金属ハーメ端子60を内燃機関内の方向に向けて押し込んでいる。
図10に示すように、正極リード線66は、正極ピン62の端部からハーメ固定ネジ74の中空内を通過してハーメ固定ネジ74の外にまで伸びている。負極リード線68は、負極ピン64の端部からハーメ固定ネジ74の中空内を通過してハーメ固定ネジ74の外にまで伸びている。
図11に、ブロック50と絶縁層30の接合面積比に対する検知感度の比を表す。なお、ここでいう感度とは、作用する力に対する電圧値の変動量をいう。図中符号10は、参考例の力検知装置10の結果である。図中11は比較例の力検知装置の結果である。比較例の力検知装置は、半導体基板の表面に凸状のメサ段差が形成され、その周囲に形成された支柱を介してブロックと接触している形態である。支柱は、メサ段差の周囲を一巡しておらず、メサ段差を外部から封止していない。なお、接合比が「1」の結果は、参考例の力検知装置10と比較例の力検知装置の接合面積が同一の場合を示している。
図11に示すように、接合面積が同一の場合、参考例の力検知装置10は、比較例の力検知装置よりも高感度である。さらに、接合面積が増加した場合、参考例の力検知装置10の感度比は直線的に減少するのに対し、比較例の力検知装置の感度比は逆比例の関係で減少する。したがって、接合面積を増加させた場合、参考例の力検知装置10の感度は、比較例の力検知装置よりも顕著に悪化しない。
この結果から、封止型のメサ段差24を有する力検知装置10は、接触面積を大きく確保しても、検知感度が顕著に悪化しないという特徴を備えていると評価できる。換言すれば、封止型のメサ段差24を有する力検知装置10は、検知感度が顕著に悪化させないで、ブロック50と絶縁層30の接合力を向上させることができる。
図12に示すように、分散溝42、44の幅W42、W44と感度比の間には、ほぼ直線的な関係が存在している。力検知装置10では、図1に示すように、ブロック50と半導体基板20は、溝40の側方において広い面積で接合しており、分散溝42、44の幅W42、W44を変化させても接合面積はそれほど変化しない。しかし、図12に示すように、分散溝42、44の幅W42、W44を変化させると、感度は変化する。即ち、分散溝42、44の幅W42、W44を大きくすることによって、接合面積を十分に確保しながら、感度を向上させることができる。換言すると、半導体基板20の表面のうち、メサ段差24の長手方向に直交する方向は検知感度に敏感であり、メサ段差24の長手方向であって溝40の側方は検知感度に鈍感である。力検知装置10は、その特性を有効に利用しており、メサ段差24の長手方向に直交する方向に分散溝42、44を形成し、メサ段差24の長手方向であって溝40の側方にブロック50と接合するために大面積を確保している。この結果、力検知装置10は、高い検知感度と強い接合力を兼ね備えた特性を有することができる。
図13に、固定基板80を利用した力検知装置10の固定方式12を示す。図13(A)は縦断面図であり、図13(B)は平面図(但し、力検知装置10が存在している範囲を破線で示す)であり、図13(C)は底面図(但し、力検知装置10が存在している範囲を破線で示す)である。なお、図13(A)の縦断面図は、図13(B)のA-A線に対応している。
この固定方式12では、力検知装置10は、ブロック50を下向きにして固定基板80の表面に固定されている。固定基板80の表面には第1端子86が形成されている。第1端子86は、ブロック50の第1導電体領域52と電気的に接続している。第1端子86の材料には、銅又はニッケルが用いられている。
半導体基板80の裏面には第2端子84が形成されている。半導体基板80にはさらに、表面から裏面まで貫通している貫通導電体領域83が形成されている。その貫通導電体領域83の表面には、コンタクト端子82が形成されている。第2端子84は、その貫通導電体領域83及びコンタクト端子82を介してブロック50の第2導電体領域54と電気的に接続している。第2端子84の材料には、銅、ニッケル又ははんだ等が用いられている。コンタクト端子82には、銅又はニッケルが用いられている。
力検知装置10と固定基板80の固定は、第1端子86と力検知装置10の間のはんだ付け、及びコンタクト端子82力検知装置10の間のはんだ付けが利用されている。なお、力検知装置10と固定基板80の固定は、電気的な接続部に導電性の半田や接着剤を利用してもよい。
固定方式12の場合も同様に、ブロック50を貫通して第1導電体領域52が形成されているので、不純物導入領域22の一端と外部電流源の電気的な接続は、第1導電体領域52と第1端子86を介して実現することができる。さらに、ブロック50を貫通して第2導電体領域54が形成されているので、不純物導入領域22の他端と外部電流源の電気的な接続は、第2導電体領域54、コンタクト端子82、貫通導電体領域83及び第2端子84を介して実現することができる。ブロック50を貫通している第1導電体領域52と第2導電体領域54を利用すれば、ワイヤボンディングを利用しないで外部電流源から不純物導入領域22に対して電力を容易に供給することができる。
この固定方式13では、力検知装置10の第1導電体領域52に正極リード92が固定されている。さらに、力検知装置10の第2導電体領域54に負極リード94が固定されている。第1導電体領域52と正極リード92、及び第2導電体領域54と負極リード94の固定は、はんだが利用されている(図示しないが、はんだは破線の範囲に融着されている)。なお、第1導電体領域52と正極リード92、及び第2導電体領域54と負極リード94の固定は、導電性の接着剤を利用してもよい。
この固定方式13では、力検知装置10の全体がコート剤で被覆されている(図示しない)。コート剤の材料には、シリコン系材料又はフッ素系材料が用いられる。正極リード92の一部、及び負極リード94の一部は、そのコート剤から外に伸びている。
図15に、力検知装置100の斜視図を模式的に示す。図16に、図15のXVI-XVI線の縦断面図を模式的に示す。
力検知装置100は、p型の不純物を含む単結晶シリコンの半導体基板120を備えている。半導体基板120に含まれるp型の不純物濃度は、約1×1018又は1×1020cm-3に調整している。半導体基板120の表面には、酸化シリコンの絶縁層130が形成されている。半導体基板120の表面には、円形状の溝140が形成されている。溝140は、絶縁層130の厚みよりも深く形成されている。溝140は、エッチング技術を利用して半導体基板120の表面に形成することができる。溝140は、隣接する分散溝142と分散溝144で構成されており、その分散溝142と分散溝144の間にメサ段差124が形成されている。分散溝142と分散溝144は、メサ段差124を対称軸とする線対称な形状を有している。力検知装置100では、分散溝142、144の側面において、溝140を平面視したときに多角形の項点に相当するコーナー部が形成されていない。したがって、溝140の周囲の半導体基板120とブロック150が、幾何学的に安定した状態で接合している。この結果、ブロック150に作用する荷重とメサ段差124の圧縮応力の間の比例関係が向上する。半導体基板20の表面は(110)面である。メサ段差124は、ピエゾ抵抗効果が大きく現れる<110>方向に伸びている。
力検知装置100にはさらに、ブロック150の表面に形成されている表面電極156を備えている。表面電極156の材料には、アルミニウム又はニッケルが用いられている。表面電極156は、ブロック150の表面全体に形成されており、第1導電体領域152と電気的に接続している。
図17に示すように、力検知装置100は、ダイアフラム160の内部に狭持されている。なお、力検知装置100は、はんだを介してダイアフラム160に固定されていてもよい。
ダイアフラム160は、正極端子162と負極端子164を備えている。正極端子162と負極端子164は、絶縁分離されている。正極端子162は、力検知装置100の裏面電極126に電気的に接続している。負極端子164は、ダイアフラム160の側壁163、薄層部165及び厚層部167を介して力検知装置100の表面電極156に電気的に接続している。
この固定方式110では、力検知装置100の裏面電極126に正極リード192が固定されている。さらに、力検知装置100の表面電極156に負極リード194が固定されている。裏面電極126と正極リード192、及び表面電極156と負極リード194の固定は、はんだが利用されている(図示しないが、はんだは破線の範囲に溶着されている)。なお、裏面電極126と正極リード192、及び表面電極156と負極リード194の固定は、導電性の接着剤を利用してもよい。
この固定方式110では、力検知装置100の全体がコート剤で被覆されている(図示しない)。コート剤の材料には、シリコン系材料又はフッ素系材料が用いられる。正極リード192の一部、及び負極リード194の一部は、そのコート剤から外に伸びている。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
22、122:不純物導入領域
24、124:メサ段差
30、130:絶縁層
32、132:第1コンタクト領域
34:第2コンタクト領域
42、44、142、144:分散溝
40、140:溝
50、150:ブロック
52、152:第1導電体領域
54:第2導電体領域
126:裏面電極
128:ウェル領域
156:表面電極
Claims (5)
- 力検知装置であって、
表面に溝が形成されており、その溝を横断するメサ段差が形成されており、そのメサ段差を通過してメサ段差と溝の境界を越えて伸びている不純物導入領域が形成されている半導体基板と、
少なくとも溝の周囲に位置する前記表面と前記表面に露出している不純物導入領域の一端に当接して溝を封止しているブロックと、
半導体基板の裏面に形成されている裏面電極と、を備えており、
半導体基板は、不純物導入領域の他端以外を取り囲むことによってその不純物導入領域の他端以外を周囲から電気的に分離しているウェル領域を有しており、
不純物導入領域の一端は、ブロックを介して外部電流源に電気的に接続されており、
ウェル領域に取り囲まれていない不純物導入領域の他端は、半導体基板を介して裏面電極に電気的に接続されていることを特徴とする力検知装置。 - メサ段差と溝の境界から前記一端までの不純物導入領域の少なくとも一部の幅が、メサ段差に形成されている不純物導入領域の幅よりも広いことを特徴とする請求項1の力検知装置。
- ブロックは、絶縁性材料で形成されているとともに、表面から裏面まで貫通して不純物導入領域の一端と電気的に接続している導電体領域を有していることを特徴とする請求項1又は2の力検知装置。
- 不純物導入領域と半導体基板には、第1導電型の不純物が導入されており、
ウェル領域は、第2導電型の不純物が導入されている半導体領域であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかの力検知装置。 - ブロックは、半導体基板の表面全体に接合していることを特徴とする請求項1〜4のいずれかの力検知装置。
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