JP4942038B2 - 接合方法および接合体 - Google Patents
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SiCの多孔体として、気孔率40%で気孔径15μmのもの(多孔体(1))と気孔率65%で気孔径20μmのもの(多孔体(2))を使用した。これらの形状は50mm×50mm×t10mmである。また、これらと同形状のSiC緻密体(相対密度98%)と多孔体との接合も行なった。
(AlNおよびBNの表面塗布の方法)
市販のAlN粉末およびBN粉末に有機バインダーを添加したスラリーを作製し、これをSiC多孔体の接合面に塗布する。これを複数個作製し、100℃で3時間乾燥させる。乾燥後、AlNおよびBNを塗布したものをそれぞれ一つ抽出して切断した。その結果、AlNを塗布したものは浸透深さが約75μm、BNを塗布したものの浸透深さは約80μmであった。その上に更にカーボンスプレーを塗布する。その際、カーボン成分がSiC多孔体に浸透した深さを同様の方法で測定したところ、約30〜40μmであった。
(AlNおよびBNの浸透方法)
市販のAlN粉末およびBN粉末をエタノール中で混合し、AlNもしくはBN混合液を作製する。この溶液にSiC多孔体を浸し、真空デシケーター内で3時間浸透処理を行なう。これを複数個作製し、100℃で12時間乾燥させる。乾燥後、AlNおよびBNを浸透させたものをそれぞれ1つ抽出し、切断した。その結果、AlNおよびBNが均等に内部に浸透しているのが確認された。AlNもしくはBNを浸透させたSiC多孔体の接合面には実施例1〜6と同様の方法でカーボンスプレーを塗布し、接合の駆動力とした。
接合方法は、金属シリコン粉末を有機バインダーで固めた厚さ300μmの金属シリコンシートを接合材とし、Ar中で1450℃−1hr(昇温速度100℃/hr)の条件で接合を行なった。また、接合が良好に行なわれるように荷重をかけた。具体的には、SiCの焼結体を500gのせた。なお、接合後、SiC多孔体に残っているAlNもしくはBNを除去するために界面活性剤を添加した洗浄液を用い、1MHzの超音波洗浄で2時間洗浄を行なった。
接合後の評価は、接合層の厚さと接合材としての金属シリコンがSiC多孔体に侵入した距離をマイクロスコープで観察し、その値で評価を行なった。表1は、実施例1〜6において、表面塗布品、接合体の種類、接合層の厚さ、そして金属シリコンの侵入距離との関係を示す。また、表2は、実施例7〜12において、浸透品、接合体の種類、接合層の厚さ、そして金属シリコンの侵入距離との関係を示す。
Claims (6)
- SiCで構成される多孔体と、SiCで構成される接合対象とを接合材により接合させる接合方法であって、
アルミニウムまたはホウ素の窒化物を前記多孔体内に浸透させる工程と、
前記多孔体の接合面にカーボンを塗布する工程と、
前記接合面において、前記多孔体と前記接合対象とを金属シリコンを含む接合材を用いて接合させる工程と、を少なくとも含むことを特徴とする接合方法。 - SiCで構成される多孔体と、SiCで構成される接合対象とを接合材により接合させる接合方法であって、
アルミニウムまたはホウ素の窒化物を、前記多孔体表面から100μmまでの範囲内で、前記多孔体に浸透させる工程と、
前記多孔体の接合面にカーボンを塗布する工程と、
前記接合面において、前記多孔体と前記接合対象とを金属シリコンを含む接合材を用いて接合させる工程と、を少なくとも含むことを特徴とする接合方法。 - 前記多孔体と前記接合材とを接合させた後、前記浸透させたアルミニウムまたはホウ素の窒化物を除去して多孔体部を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1または請求項2記載の接合方法。
- 前記接合材は、金属シリコンであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の接合方法。
- 前記接合材は、金属シリコン粉末を固めたシートまたは金属シリコン粉末に有機バインダーを混入させて固めたシートであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の接合方法。
- アルミニウムまたはホウ素の窒化物をSiCで構成される多孔体内に浸透させる工程と、前記多孔体の接合面にカーボンを塗布する工程と、前記接合面において、前記多孔体とSiCで構成される接合対象とを金属シリコンにより接合させる工程と、を少なくとも含む接合方法により製造され、または、
アルミニウムまたはホウ素の窒化物を、SiCで構成される多孔体表面から100μmまでの範囲内で、前記多孔体に浸透させる工程と、前記多孔体の接合面にカーボンを塗布する工程と、前記接合面において、前記多孔体とSiCで構成される接合対象とを金属シリコンにより接合させる工程と、を少なくとも含む接合方法により製造された接合体であって、
前記接合面において、前記金属シリコンの前記多孔体への侵入距離が、前記多孔体の気孔径の5倍以内であることを特徴とする接合体。
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