JP4933480B2 - 操作位置検出装置及びシフト装置 - Google Patents

Description

本発明は、磁束の方向の変化を検出する磁気検出素子を用いた操作位置検出装置及びシフト装置に関する。

従来、シフト装置には、自動変速機の変速位置（接続状態）を切り換える際にユーザにより操作される操作部材としてのシフトレバーのシフト位置を電気信号として検出するとともに、その検出信号に基づいて車両の変速機の接続状態を電子的に切り替える所謂バイワイヤ方式のものがある。このようなシフト装置には、例えば特許文献１に示されるような操作位置検出装置を用いてシフトレバーのシフト位置を検知することが考えられる。

この操作位置検出装置は、略円柱状に形成された磁石と、自身に付与される磁束の方向に応じた検出信号を出力する磁気検出素子とを備えている。磁石は、その軸方向に着磁されており、その着磁方向一側の面から他側の面に回り込む磁束を形成する。シフトレバーの操作に伴い磁石が一方向に移動すると磁気検出素子に付与される磁束の方向が連続的に変化する。シフト装置は、磁気検出素子から出力される検出信号の値と、シフトレバーのシフト位置に対応して予め設定された閾値とを比較し、該比較結果に基づいてシフトレバーのシフト位置を検出する。
特開平３−１３８５０１号公報

ところで、この操作位置検出装置では、磁石の各位置に応じて磁気検出素子から出力される検出信号の値の差が小さい場合、磁気検出素子からの検出信号にノイズが重畳されたり、磁気検出素子に外乱磁場が付与されたりすることにより、磁気検出素子からの検出信号が前記閾値を越えて変化してしまうことが懸念される。従って、シフトレバーのシフト位置を安定して検出するためには、シフトレバーが各シフト位置に保持されている状態において磁気検出素子から出力される検出信号の値の差を充分確保してノイズや外乱磁場に対する耐力を向上させる必要がある。その一方で、車両に搭載される車載機器への小型化の要求は依然として高く、シフト装置についても、その車両への搭載性の観点から小型化に対する要望がある。

ところが、従来の操作位置検出装置では、磁石の移動に伴って磁気抵抗素子から出力される検出信号は正弦波波形を示すことから、ノイズや外乱磁場に対する耐力を向上させるためには、シフトレバーが各シフト位置の間を操作される際の磁石の移動量を充分確保する必要がある。従って、操作位置検出装置における磁石の移動スペースが大きくなり、このことは該操作位置検出装置を用いたシフト装置の小型化の妨げとなってしまう。なお、このような操作位置検出装置は、シフト装置以外の車載機器に対応する入力装置や、車載機器以外の各種装置に対応する入力装置の操作部材の操作位置を検出する操作位置検出装置として適用可能であり、この場合にも前述と同様の課題がある。

本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、被検出体の移動量に関わらずノイズや外乱磁場に対する耐力を向上させることができる操作位置検出装置及びシフト装置を提供することにある。

請求項１に記載の発明は、操作部材の操作に伴い複数の所定位置間を移動可能に設けられるとともにその移動方向に交差する方向に着磁された被検出体と、該被検出体の移動方向において隣り合う前記所定位置の間に配置され、前記被検出体の移動に伴う磁束の変化に応じた検出信号を出力する磁気検出手段とを備え、前記検出信号に基づいて前記被検出体がその移動方向において前記磁気検出手段の一側の前記所定位置にあるか他側の前記所定位置にあるかを検出する操作位置検出装置であって、前記被検出体は、前記着磁方向から見てその前記移動方向に直交する方向に延設され、前記移動方向に沿った磁束を形成する延設部を有するとともに、前記被検出体は、前記着磁方向から見てその前記移動方向両側に延設され、前記移動方向に直交する方向の磁束を形成する第２の延設部をさらに備えることをその要旨とする。

本発明によれば、被検出体の着磁方向から見て被検出体の移動方向に直交する方向に延設された延設部の着磁方向一側から出た磁束の一部は、被検出体の移動方向に沿って延設部の着磁方向他側へと回り込むため、当該被検出体の移動方向に沿った磁束が形成される。従って、被検出体の延設部が磁気検出手段の一側から他側へ移動する際に磁気検出手段に付与される磁束の方向が大きく変化する。このため、被検出体が各所定位置に配置された場合の検出信号の値の差を大きくすることができる。よって、被検出体の移動量に関わらず、ノイズや外乱磁場に対する耐力を向上させることができる。
また、被検出体の着磁方向から見て被検出体の移動方向両側に延設された第２の延設部の着磁方向一側から出た磁束の一部は、被検出体の移動方向に直交する方向に沿って第２の延設部の着磁方向他側へと回り込むため、当該被検出体の移動方向に直交する方向の磁束が形成される。被検出体が磁気検出手段から離間するほど、磁気検出手段に対する第２の延設部の影響が、磁気検出手段に対する被検出体の他の部分の影響よりも大きくなるため、被検出体の移動量に対する磁気検出手段に付与される磁束の変化が小さくなる。よって、被検出体の移動に伴って磁気検出手段に付与される磁束の方向が磁気検出手段から出力される検出信号が徐々に閾値に近づく方向へ変化してしまうことを抑制して検出信号の値と閾値との差を充分確保することが可能となり、被検出体の移動量に関わらずノイズや外乱磁場に対する耐力を向上させることができる。

請求項２に記載の発明は、操作部材の操作に伴い複数の所定位置間を移動可能に設けられるとともにその移動方向に交差する方向に着磁された被検出体と、該被検出体の移動方向において隣り合う前記所定位置の間に配置され、前記被検出体の移動に伴う磁束の変化に応じた検出信号を出力する磁気検出手段とを備え、前記検出信号に基づいて前記被検出体がその移動方向において前記磁気検出手段の一側の前記所定位置にあるか他側の前記所定位置にあるかを検出する操作位置検出装置であって、前記被検出体には、前記着磁方向から見て、当該被検出体の移動中心から前記移動方向に直交する方向にずれた位置であって前記移動方向に延びて前記被検出体の移動中心を通る軸線を挟んだ両側の位置に、前記被検出体と一体移動可能に設けられ当該被検出体の着磁方向一側の面から他側の面に回り込む磁束を引き寄せる強磁性体が付属されていることをその要旨とする。

本発明によれば、強磁性体によって、被検出体の着磁方向一側の面から他側の面に回り込む磁束が、被検出体の移動中心から移動方向に直交する方向にずれた位置であって移動方向に延びて被検出体の移動中心を通る軸線を挟んだ両側の位置に引き寄せられるため、被検出体の移動中心が磁気検出手段の一側から他側へ移動する際に磁気検出手段に付与される磁束の方向が大きく変化する。このため、被検出体が各所定位置に配置された場合の検出信号の値の差を大きくすることができる。よって、被検出体の移動量に関わらず、ノイズや外乱磁場に対する耐力を向上させることができる。

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の操作位置検出装置において、前記被検出体は、前記着磁方向から見て、当該被検出体の前記移動方向に直交する方向に延設されるとともに前記移動方向に沿った磁束を形成する延設部を有することをその要旨とする。

本発明によれば、請求項１及び請求項２の作用が得られることにより、被検出体が各所定位置に配置された場合の検出信号の値の差を大きくすることができる。よって、被検出体の移動量に関わらず、ノイズや外乱磁場に対する耐力を向上させることができる。

請求項４に記載の発明は、請求項１〜３の何れか１項に記載の操作位置検出装置において、前記被検出体は、前記着磁方向から見て、前記移動方向に直交する中心線に関して対称に形成されることをその要旨とする。
本発明によれば、被検出体の着磁方向から見て、被検出体の周辺に移動方向に直交する中心線に関して対称な磁束が形成されるため、被検出体の移動方向略中央部が磁気検出手段を通過する前後で磁気検出手段から出力される検出信号が大きく変化する。即ち、被検出体の移動に伴い検出信号が大きく変化するタイミングと、被検出体の中心が磁気検出手段を通過するタイミングとが略一致する。よって、被検出体の移動に伴い検出信号が大きく変化するタイミングを被検出体の形状から把握することが可能となり、操作位置検出装置の設計が容易となる。

請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の操作位置検出装置において、前記被検出体は、前記着磁方向から見て、前記移動方向に沿った中心線に関して対称に形成されることをその要旨とする。
本発明によれば、被検出体の着磁方向から見て、被検出体の周辺に移動方向に沿った中心線と移動方向に直交する中心線とに関して対称な磁束が形成される。このため、被検出体が互いに直交する二方向に移動する場合において、その移動方向にかかわらず、被検出体がその移動方向において磁気検出手段の一側若しくは他側に保持されている状態を安定して検出することができる。

請求項６に記載の発明は、請求項１〜５の何れか１項に記載の操作位置検出装置において、前記磁気検出手段は、前記被検出体の移動方向に沿って複数設けられることをその要旨とする。
本発明によれば、複数の磁気検出手段からの検出信号に基づいて、被検出体の位置をその移動方向に沿って複数箇所で段階的に検出することができる。

請求項７に記載の発明は、シフトゲートに沿って設定された複数の操作位置に操作される操作部材と、前記操作部材の操作位置を検出する操作位置検出装置とを備え、該操作位置検出装置の検出結果に基づいて車両の変速機の接続状態を切り替えるシフト装置であって、請求項１〜６の何れか１項に記載の前記操作位置検出装置を備えることをその要旨とする。

本発明によれば、請求項１と同様の作用が得られることにより、当該シフト装置の小型化を図ることができる。

本発明によれば、被検出体の移動量に関わらずノイズや外乱磁場に対する耐力を向上させることができる操作位置検出装置及びシフト装置を得ることができる。

＜第１の実施の形態＞
以下、本発明を、電気制御によって車両の自動変速機の接続状態を切り換えるバイワイヤ方式のシフト装置に具体化した第１の実施の形態を図面に従って説明する。

図１に示すように、シフト装置１は、ステアリングホイールＷが設置されるステアリングコラム２に設置されている。このシフト装置１は、ステアリングコラム２の左側面の開口部２ａから突出する操作部材としてのシフトレバー３と、ステアリングコラム２の内部において開口部２ａに対応するように配設されるシフト装置本体４とを備えている。シフトレバー３の基端部はシフト装置本体４に支持され、その先端部には運転者が把持する操作ノブ３ａが形成されている。操作ノブ３ａには、パーキングスイッチ３ｂが設けられている。

シフトレバー３は、前記開口部２ａを覆うようにして前記ステアリングコラム２に固定されたシフトパネル５を備えている。シフトレバー３は、シフトパネル５に穿設されたシフトゲート６に沿って、同シフトゲート６内の複数箇所に設定された各シフト位置の間を移動可能に設けられている。具体的には、図２に示すように、シフトゲート６は、Ｔ型のものであり、前記ステアリングコラム２の周方向に沿って上下方向（以下、シフト方向という。）に延びる第１ゲート６ａと、該第１ゲート６ａの略中央部分から車両前側へ同第１ゲート６ａと直交する方向（以下、セレクト方向という。）に延びる第２ゲート６ｂとからなる。第２ゲート６ｂの長さは、第１ゲート６ａの略半分程度の長さとなっている。なお、シフト方向が第１の方向に相当し、セレクト方向が第２の方向に相当する。

本実施形態では、第２ゲート６ｂの車両前側の端部に相当する位置Ａが中立位置「Ｔ」、第２ゲート６ｂと第１ゲート６ａとが交差する位置Ｂがニュートラル位置「Ｎ」、第１ゲート６ａの上側の端部に相当する位置Ｃがリバース位置「Ｒ」、第１ゲート６ａの下端部に相当する位置Ｄがドライブ位置「Ｄ」に設定されている。シフトレバー３は、シフト装置本体４によって中立位置Ａに弾性保持されており、該中立位置Ａから各シフト位置Ｂ〜Ｄへ操作された後その操作力が解除されると、再び中立位置Ａに復帰する。運転者は、該操作ノブ３ａを把持してシフトレバー３を運転者側へ引き寄せ、中立位置Ａからニュートラル位置Ｂに操作してから、同シフトレバー３を上側のリバース位置Ｃ若しくは下側のドライブ位置Ｄに操作する。

図３に示すように、シフト装置本体４は、ステアリングコラム２の内部に固定されるケース７を備えている。このケース７は、車両前側に開口する略箱体状に形成され当該ケース７の車両後側（ステアリングホイールＷ側）の部位を構成するロアケース７ａと、該ロアケース７ａの車両前側に該ロアケース７ａの開口部を覆うようにして固着される車両後側に開口する略箱体状に形成されたアッパケース７ｂとから構成されている。ロアケース７ａ及びアッパケース７ｂは、マグネシウムダイキャストにより形成されている。図４に示すように、運転席側から見てケース７内の右下側（図４において左下側）の部位には、コネクタ部８が設けられている。このコネクタ部８は、ケース７の外部に開口する有底角筒状をなすとともに、アッパケース７ｂの下側の部位に設けられた開口部７ｃを介して車両前側に突出している。コネクタ部８には、その底面から導出される態様にてコネクタ端子８ａが設けられている。

次に、ケース７内に設けられたシフトレバー３の支持構造について説明する。
図５に示すように、シフトレバー３の基端部には、当該シフトレバー３の軸方向に沿って伸びる略直方体状のブロック１１が当該シフトレバー３と一体的に設けられている。ブロック１１は、左右方向に開口した略四角筒状のブラケット１２を介してケース７に支持されている。

具体的には、このブロック１１は、ブラケット１２に左右方向に挿入配置されている。ブロック１１には、断面円形状の挿通孔１１ａがシフト方向に貫通形成されている。挿通孔１１ａは、ブロック１１の中央よりも左側（図５において右側）の部位に設けられている。ブラケット１２の上側と下側の壁部１２ａ，１２ｂには、断面円形状の貫通孔１２ｃが設けられている。各貫通孔１２ｃは、ブラケット１２にブロック１１が収容された状態において前記挿通孔１１ａに対応する部位にそれぞれ設けられている。そして、ブロック１１がブラケット１２内に挿通孔１１ａと貫通孔１２ｃとが一致するように配置された状態で、これらに第１回転軸１３が図中下側から挿通されている。第１回転軸１３は、ブロック１１の挿通孔１１ａに固定され、ブラケット１２の貫通孔１２ｃに回動自在に支持されている。このため、ブロック１１（シフトレバー３）は、ブラケット１２に対して第１回転軸１３の中心軸である第１軸線Ｌ１を中心にセレクト方向に回動自在とされている（図６参照）。

ここで、図６に示すように、ブロック１１の後側面において第１回転軸１３よりも右側（図６において左側）の部位には、車両後側に突出するストッパー部１１ｂが設けられている。このため、該ストッパー部１１ｂがブラケット１２の後側の壁部１２ｄの内側面に当接することにより、ブロック１１の、第１回転軸１３を中心とした車両後側（図６において反時計回り方向）への回動が規制される。また、ブラケット１２の前側（図６において上側）の壁部の右側の部位には、切り欠き部１２ｅが形成されている。このため、ブロック１１の、前記第１軸線Ｌ１を中心とした車両前側（図６において時計回り方向）への回動が許容される。

同図６に示すように、ブラケット１２の後外側面の左側（図６において右側）の部位には、車両後側に延びる略円柱状の第２回転軸部１２ｆが立設されている。第２回転軸部１２ｆは、その中心軸が前記第１回転軸１３の中心軸である第１軸線Ｌ１と直角に交わるように形成されている。また、同ブラケット１２の後外側面において第２回転軸部１２ｆよりも右側（図６において左側）の部位には、前記第２軸線Ｌ２を中心とする円弧状の弧状凸部１２ｇが形成されている。一方、ケース７（ロアケース７ａ）の後側の底部７ｄには、第２回転軸部１２ｆに対応する断面円形状の軸受凹部７ｅが形成されている。また、ケース７（アッパケース７ｂ）の前側の底部において、弧状凸部１２ｇに対応する部位には、該弧状凸部１２ｇよりも広い範囲の弧状凹部７ｆが形成されている。そして、アッパケース７ｂ及びロアケース７ａが互いに固定された状態で、第２回転軸部１２ｆ及び弧状凸部１２ｇがそれぞれ軸受凹部７ｅ及び弧状凹部７ｆに支持されることで、ブラケット１２は第２回転軸部１２ｆの中心軸である第２軸線Ｌ２を中心にシフト方向に回動自在に支持されている（図５参照）。

従って、シフトレバー３は、ケース７に対してシフトゲート６に沿って第１軸線Ｌ１を中心にセレクト方向に回動すると共に、該第１軸線Ｌ１と直交する第２軸線Ｌ２を中心にシフト方向（ステアリングコラムの周方向）に回動する。また、上述したように第１回転軸１３を中心としたケース７に対するブロック１１の車両後側への回動が規制されるため、シフトレバー３の第１軸線Ｌ１を中心としたセレクト方向における車両前側への回動が規制されている。

また、図５に示すように、ブロック１１の右側（図５において左側）の端部には、シフトレバー３とは反対側に開口するディテントピン保持部１４が凹設されている。ディテントピン保持部１４は、断面円形状に形成されており、その内周面には、その軸方向に沿って延びる直線状の線状溝部１４ａが凹設されている。ディテントピン保持部１４には、スプリング１５とディテントピン１６とが、当該ディテントピン保持部１４の底側から順に配置されている。

スプリング１５の一端部は、ディテントピン保持部１４の底部に設けられたスプリング保持部１４ｂに保持され、その他端部は、ディテントピン１６の端面に設けられた保持凹部１６ａに保持されている。ディテントピン１６は、スプリング１５の弾性力により、ディテントピン保持部１４から突出する方向へ常時付勢されている。

ディテントピン１６においてスプリング保持部１４ｂが設けられた部位は、ディテントピン保持部１４の内径と略等しい外径を有する断面円形状に形成されている。ディテントピン１６は、前記ブロック１１のストッパー部１１ｂがブラケット１２の後側の壁部１２ｄの内側面に当接した状態で、当該ディテントピン１６の中心軸線が前記第１軸線Ｌ１及び第２軸線Ｌ２の交点でそれらに対して直交するように、ディテントピン保持部１４に保持されている。ディテントピン１６においてスプリング保持部１４ｂが設けられた部位の外周面には、当該ディテントピン１６の軸方向に沿って延びる直線状の線状凸部１６ｂが設けられている。ディテントピン１６は、該線状凸部１６ｂが前記線状溝部１４ａに配置された状態でディテントピン保持部１４に保持される。これにより、ディテントピン１６は、ブロック１１に対する回転を規制される。ディテントピン１６は、同ブロック１１に対してその軸方向で摺動可能に保持されている。

同図５に示すように、ディテントピン１６の先端側（図５において左側）の部分には、前記スプリング保持部１４ｂが設けられた部位よりも小さな外径を有する断面円形状の嵌合部１６ｃが設けられている。嵌合部１６ｃの先端面１６ｄは、先端側に突出する半球状に形成されており、該先端面１６ｄの頂部に対応する部位には、当該ディテントピン１６の軸方向に沿って延びる四角柱状の連結部１６ｅが設けられている。

嵌合部１６ｃは、前記ケース７の底部７ｄに固定されたディテント１７のガイド凹部１７ａ内に挿入されており、該ガイド凹部１７ａの底面１７ｂに対して摺動可能に当接している。連結部１６ｅは、該ガイド凹部１７ａの底面１７ｂに設けられたガイド孔１７ｃに挿通されており、その先端側の部位は該ガイド孔１７ｃを介してディテント１７のブラケット１２とは反対側に突出している。

図７に示すように、ガイド凹部１７ａは、ディテントピン１６側から見て略Ｔ型に形成されており、シフトレバー３の前記第２軸線Ｌ２を中心とした回動方向に沿ってシフト方向に延びるシフト方向案内部１８ａと、該シフト方向案内部１８ａの略中央部分からシフトレバー３の前記第１回転軸１３を中心とした回動方向に沿って後側へ延びるセレクト方向案内部１８ｂとを備えている。ガイド孔１７ｃは、該ガイド凹部１７ａと同様略Ｔ型に形成されている。

ガイド凹部１７ａの底面１７ｂは、図８に示すようにシフト方向案内部１８ａの中央に向かうほど、また、図９に示すようにセレクト方向案内部１８ｂの先端側（後側）に向かうほど前記ブロック１１から離間するように傾斜している。

ここで、例えば、図１０に示すように、シフトレバー３が前記中立位置Ａからセレクト方向にあるニュートラル位置Ｂに操作され、ブロック１１のシフトレバー３とは反対側の端部が前記第１回転軸１３を中心として前側に回転すると、ディテントピン１６の嵌合部１６ｃがセレクト方向案内部１８ｂに沿って前記ブロック１１の内端部の変位方向へ変位する。このとき、嵌合部１６ｃがセレクト方向案内部１８ｂに沿ってブロック１１の内端部の変位方向へ変位するにつれて、該ガイド凹部１７ａの底面１７ｂにおいて嵌合部１６ｃの先端面１６ｄが当接する部位と、ブロック１１との間の距離がしだいに小さくなる。このため、ディテントピン１６は、スプリング１５の付勢力に抗してブロック１１のディテントピン保持部１４に進入する側へ変位する。この状態において操作力が解除されると、ディテントピン１６の嵌合部１６ｃは、スプリング１５の弾性力により、ガイド凹部１７ａの底面１７ｂにおいて嵌合部１６ｃの先端面１６ｄが当接する部位と、ブロック１１との間の距離が大きくなるよう、セレクト方向案内部１８ｂに沿って、セレクト方向案内部１８ｂの先端部へ移動する。これにより、シフトレバー３が中立位置Ａに復帰する。

一方、図１１に示すように、シフトレバー３がニュートラル位置Ｂからシフト方向にあるリバース位置Ｃ若しくはドライブ位置Ｄにさらに操作され、ブロック１１が前記第２軸線Ｌ２を中心として下側若しくは上側に回転すると、ディテントピン１６の嵌合部１６ｃがシフト方向案内部１８ａに沿って前記ブロック１１の内端部の変位方向へ変位する。このとき、嵌合部１６ｃがシフト方向案内部１８ａに沿って、ブロック１１の内端部の変位方向へ変位するにつれて、該ガイド凹部１７ａの底面１７ｂにおいて嵌合部１６ｃの先端面１６ｄが当接する部位と、ブロック１１との間の距離がしだいに小さくなる。このため、ディテントピン１６は、スプリング１５の付勢力に抗してブロック１１のディテントピン保持部１４に進入する側へ変位する。この状態において操作力が解除されると、ディテントピン１６の嵌合部１６ｃは、スプリング１５の弾性力により、ガイド凹部１７ａの底面１７ｂにおいて嵌合部１６ｃの先端面１６ｄが当接する部位と、ブロック１１との間の距離が大きくなるよう、シフト方向案内部１８ａに沿って、シフト方向案内部１８ａとセレクト方向案内部１８ｂとが交わる位置へ移動し、さらにセレクト方向案内部１８ｂの先端部へ移動する。これにより、シフトレバー３が中立位置Ａに復帰する。つまり、スプリング１５で弾性支持されたディテントピン１６と、ディテント１７のガイド凹部１７ａとによって、シフトレバー３を中立位置Ａに保持するとともにシフトレバー３への操作力が解除された際に、同シフトレバー３を中立位置Ａに復帰させる復帰機構が構成されている。

また、シフトレバー３が中立位置Ａからリバース位置Ｃ及びドライブ位置Ｄへ操作される際、シフトレバー３は、シフトゲート６のニュートラル位置Ｂを通過し、ディテントピン１６はシフト方向案内部１８ａとセレクト方向案内部１８ｂとの間の角部を乗り越える。このため、運転者は、シフトレバー３の操作時に節度感を得ることができる。つまり、スプリング１５で弾性支持されたディテントピン１６と、ディテント１７のガイド凹部１７ａとによって、シフトレバー３の各シフト位置に操作する際の操作感を与える節度機構とが構成されている。

次に、上記のように構成したシフトレバー３の操作位置としてのシフト位置を検出する位置検出手段としての操作位置検出装置２０について説明する。
図５及び図６に示すように、前記ディテントピン１６の先端部には、マグネットホルダ２１が連結されている。マグネットホルダ２１は、略四角形板状に形成されており、ケース７の底部７ｄにおいて前記ディテント１７よりも右側（図６において左側）に固定されたスライダー２２により、ディテントピン１６の軸方向に交差する平面方向に沿って移動可能に支持されている。

マグネットホルダ２１には、ディテントピン挿通孔２１ａが形成されている。マグネットホルダ２１のディテントピン１６側の面においてディテントピン挿通孔２１ａの周囲には、略円筒状のディテントピン連結部２１ｂが設けられている。ディテントピン連結部２１ｂの先端側の部位には、その開口部を覆うようにして係合部材２１ｃが固定されている。係合部材２１ｃには、前記ディテントピン挿通孔２１ａに対応する部位に係合孔２１ｄが設けられている。係合孔２１ｄは、ディテントピン１６の連結部１６ｅに対応する断面四角形状に形成されており、該連結部１６ｅは、係合部材２１ｃに対する回転が規制された状態で係合孔２１ｄに沿って軸方向に変位可能に挿通される。ディテントピン１６の連結部１６ｅは係合孔２１ｄに挿通されている。このため、ディテントピン１６は、その移動平面Ｑに沿った方向においてマグネットホルダ２１と係合する。従って、シフトレバー３が操作され、ディテントピン１６の連結部１６ｅが変位すると、前記移動平面Ｑに沿った方向においてマグネットホルダ２１がその変位方向へ変位する。

マグネットホルダ２１のディテントピン１６とは反対側の面には、マグネット保持部２１ｅが設けられている。マグネット保持部２１ｅには、操作位置検出装置２０を構成する被検出体としてのマグネット２３が固定されている。

ケース７の底部７ｄにおいてスライダー２２のシフトレバー３とは反対側の部位には、操作位置検出装置２０を構成する磁気センサモジュール２４が設けられている。磁気センサモジュール２４は、略四角形板状に形成された基板３０上に実装されている。なお、基板３０は、スライダー２２を介してケース７（ロアケース７ａ）に固定されている。磁気センサモジュール２４は、略平板状に形成され、マグネット２３の移動平面Ｑと平行に設けられている。

図１２（ａ）に示すように、マグネット２３は、前記移動平面Ｑに直交する方向から見て、略円柱状に形成された基部２３ａと、該基部２３ａからシフト方向両側に延びる延設部としてのシフト方向延設部２３ｂと、同じく基部２３ａからセレクト方向両側に延びる第２の延設部としてのセレクト方向延設部２３ｃとを備えており、全体として略十字状に形成されている。各シフト方向延設部２３ｂ及びセレクト方向延設部２３ｃは、それらの延設方向に沿って延びる中心線Ｍ１，Ｍ２が基部２３ａの中心で直交するように形成されている。シフト方向延設部２３ｂ及びセレクト方向延設部２３ｃは、基部２３ａからの延設長さが等しくなるように形成されている。即ち、マグネット２３は、移動平面Ｑに直交する方向から見て、セレクト方向に沿った中心線Ｍ１とシフト方向に沿った中心線Ｍ２とに関して対称に形成されている。マグネット２３は、前記移動平面Ｑに直交する方向に着磁されている。なお、マグネット２３は、磁気センサモジュール２４側がＳ極、それとは反対側がＮ極となっている（図１２（ｂ）参照）。

同図１２（ａ）に示すように、磁気センサモジュール２４は、磁気検出手段としての４つの磁気抵抗素子３１〜３４を、その周辺回路とともにパッケージ化したものであり、全体として略四角形板状に形成されている。磁気センサモジュール２４は、図１２（ａ）における左右方向がセレクト方向になるように、また、同図１２（ａ）における上下方向がシフト方向となるように設けられている。また、磁気センサモジュール２４は、ケース７内において、当該磁気センサモジュール２４の中心位置とシフトレバー３が中立位置Ａに配置された場合のマグネット２３の中心（この場合、移動中心）Ｍとが一致するように配置されている。各磁気抵抗素子３１〜３４は、マグネット２３が移動する際のその移動中心（中心Ｍの移動軌跡）を挟んで対をなすように配置されている。即ち、第１〜第４磁気抵抗素子３１〜３４は、略四角形板状に形成されたリードフレーム３０ａの角部にそれぞれ設けられている。具体的には、第１磁気抵抗素子３１は同図１２（ａ）における左上側の角部に、第２磁気抵抗素子３２は同図１２（ａ）における左下側の角部に、第３磁気抵抗素子３３は同図１２（ａ）における右上側の角部に、第４磁気抵抗素子３４は同図１２（ａ）における右下側の角部にそれぞれ設けられている。第１〜第４磁気抵抗素子３１〜３４は、セレクト方向若しくはシフト方向で互いに隣り合う第１〜第４磁気抵抗素子３１〜３４の間の距離が、セレクト方向若しくはシフト方向におけるマグネット２３の長さよりも小さくなるように配置されている。

本実施の形態では、上述したように、マグネット２３は、移動平面Ｑに直交する方向から見て、基部２３ａからシフト方向両側に延びるシフト方向延設部２３ｂと、同じく基部２３ａからセレクト方向両側に延びるセレクト方向延設部２３ｃとを備えており、移動平面Ｑに直交する方向に着磁されている。基部２３ａからシフト方向両側に延設されたシフト方向延設部２３ｂの着磁方向一側から出た磁束の一部は、セレクト方向に沿ってシフト方向延設部２３ｂの着磁方向他側へと回り込む。このため、マグネット２３のシフト方向延設部２３ｂによって、セレクト方向に沿った磁束が各磁気抵抗素子３１〜３４に付与される。また、基部２３ａからセレクト方向両側に延設されたセレクト方向延設部２３ｃの着磁方向一側から出た磁束の一部は、シフト方向に沿ってセレクト方向延設部２３ｃの着磁方向他側へと回り込むため、マグネット２３のセレクト方向延設部２３ｃによって、シフト方向の磁束が各磁気抵抗素子３１〜３４に付与される。各磁気抵抗素子３１〜３４には、マグネット２３のシフト方向延設部２３ｂにより形成される磁界とセレクト方向延設部２３ｃにより形成される磁界との合成磁界が付与される。従って、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、マグネット２３の中心軸に対して右上側の領域にある第３磁気抵抗素子３３と左下側の領域にある第２磁気抵抗素子３２には、矢印Ａ１方向に沿った方向の磁界が付与される。また、マグネット２３の中心軸に対して左上側の領域にある第１磁気抵抗素子３１と右下側の領域にある第４磁気抵抗素子３４には、矢印Ａ２方向に沿った方向の磁界が付与される。即ち、磁気抵抗素子３１〜３４の検知面３１ａ〜３４ａを含む平面Ｑ１においてマグネット２３の移動中心を挟んで対をなす２つの領域において、マグネット２３によって付与される磁束の方向が、その中心Ｍよりもその移動方向一側の領域と他側の領域とでそれぞれ異なる。

また、マグネット２３は、移動平面Ｑに直交する方向から見て、セレクト方向に沿った中心線Ｍ１に関して対称に形成されているとともに、シフト方向に沿った中心線Ｍ２に関しても対称に形成されているため、マグネット２３の移動平面Ｑに直交する方向から見て、マグネット２３の周辺に、シフト方向及びセレクト方向に沿った中心線Ｍ１，Ｍ２に関して対称な磁束（磁界）が形成される。

各磁気抵抗素子３１〜３４は、例えば４つの磁気抵抗がブリッジ状に接続されてなるいわゆるＭＲセンサとして構成されている。磁気抵抗の抵抗値は、与えられる磁界（正確には、磁束の向き）に応じて変化する。各磁気抵抗素子３１〜３４は、前述したブリッジ状の回路の中点電位を図示しないコンパレータに入力することにより、二値化する。本実施の形態では、各磁気抵抗素子３１〜３４は、自身に付与される磁束の方向がシフト方向へ延びる軸線に対して反時計回り方向へ４５度の角度をなす時に最大値（ピーク）を、シフト方向へ延びる軸線に対して時計回り方向へ４５度の角度をなす時に最小値（ボトム）をとる、周期が１８０度のアナログ信号を出力する。従って、各磁気抵抗素子３１〜３４は、図１２（ａ）において矢印Ａ１方向に沿った磁束が付与された場合に最小値（ボトム）を、逆に同図１２（ａ）において矢印Ａ２方向に沿った磁束が付与された場合に最大値（ピーク）をとる。図示しないコンパレータは、各磁気抵抗素子３１〜３４から出力された中点電位と予め設定された閾値ＴＨとを比較し、二値化する。本実施の形態では、各磁気抵抗素子３１〜３４に対してシフト方向若しくはセレクト方向に沿った方向の磁束が付与された場合の中点電位が、閾値ＴＨとして予め設定されている（図１７参照）。前記コンパレータは、各磁気抵抗素子３１〜３４の中点電位と、予め設定された閾値ＴＨとを比較し、中点電位が閾値ＴＨよりも大きい場合はＨレベルの検出信号を出力し、中点電位が閾値ＴＨよりも小さい場合はＬレベルの検出信号を出力する。即ち、各磁気抵抗素子３１〜３４は、マグネット２３の中心Ｍがその移動方向において各磁気抵抗素子３１〜３４の一側にあるか他側にあるかで二値化した検出信号を出力する。

図１３に示すように、各磁気抵抗素子３１〜３４は、車両側のコネクタに対する前記コネクタ部８の連結に基づきそのコネクタ端子８ａが車両側のコネクタ端子に接続されることで、ケース７の外部に設けられた検出手段としてのコントローラ３５に個別に電気的に接続される。また、前記パーキングスイッチ３ｂは、磁気抵抗素子３１と同様、車両側のコネクタに対する前記コネクタ部８の連結に基づき、コントローラ３５に電気的に接続される。

コントローラ３５は、具体的には図示しないＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等からなるコンピュータユニットであり、各磁気抵抗素子３１〜３４から出力された検出信号Ｓ１〜Ｓ４の組み合わせに基づいて、前記移動平面Ｑにおけるマグネット２３の位置を検出し、シフトレバー３の位置を検出する。また、コントローラ３５は、パーキングスイッチ３ｂから出力される操作信号Ｓ５に基づいて該パーキングスイッチ３ｂの押圧操作を検出する。そして、コントローラ３５は、その押圧操作の検出結果に基づいて、図示しない車両の自動変速機の接続状態を切り替える。

また、コントローラ３５は、各磁気抵抗素子３１〜３４の検出信号の変化がシフトレバー３の操作によるものか、或いはノイズ等の外乱によるものかを、各磁気抵抗素子３１〜３４からの検出信号（二値化信号）の組み合わせに基づいて判断する。そして、該検出信号の変化がシフトレバー３によるものでないと判断した場合、コントローラ３５は、前記自動変速機の接続状態をニュートラルに切り替える旨の制御信号を前記自動変速機に出力する。

次に、このように構成されるシフト装置の作用について説明する。
本実施の形態のマグネット２３は、基部２３ａからシフト方向両側に延びるシフト方向延設部２３ｂと、同じく基部２３ａからセレクト方向両側に延びるセレクト方向延設部２３ｃとを備えており、移動平面Ｑに直交する方向に着磁されている。磁気抵抗素子３１〜３４は、マグネット２３が移動する際のその移動中心（中心Ｍの移動軌跡）を挟んで対をなすように配置されているため、当該マグネット２３の移動に伴い、マグネット２３の移動中心を挟んで対をなす磁気抵抗素子３１〜３４に付与される磁束の方向が変化する。第１〜第４磁気抵抗素子３１〜３４は、マグネット２３の中心Ｍの位置に応じた値の二値化信号を出力する。

例えばシフトレバー３が中立位置Ａにある場合、図１４に示すように、マグネット２３の中心Ｍは、セレクト方向において第１磁気抵抗素子３１と第３磁気抵抗素子３３との間であって、シフト方向において第３磁気抵抗素子３３と第４磁気抵抗素子３４との間の位置Ｐ５に配置される。この場合、第１磁気抵抗素子３１の検出信号Ｓ１はＨレベル、第２磁気抵抗素子３２の検出信号Ｓ２はＬレベル、第３磁気抵抗素子３３の検出信号Ｓ３はＬレベル、第４磁気抵抗素子３４の検出信号Ｓ４はＨレベルとなる。

また、シフトレバー３がニュートラル位置Ｂに操作されると、マグネット２３の中心Ｍは、セレクト方向において第１磁気抵抗素子３１及び第２磁気抵抗素子３２よりも前側であって、シフト方向において第３磁気抵抗素子３３と第４磁気抵抗素子３４との間の位置Ｐ２に配置される。この場合、第１磁気抵抗素子３１の検出信号Ｓ１はＬレベル、第２磁気抵抗素子３２の検出信号Ｓ２はＨレベル、第３磁気抵抗素子３３の検出信号Ｓ３はＬレベル、第４磁気抵抗素子３４の検出信号Ｓ４はＨレベルとなる。

また、シフトレバー３がリバース位置Ｃに操作されると、マグネット２３の中心Ｍは、セレクト方向において第１磁気抵抗素子３１及び第２磁気抵抗素子３２よりも前側であって、シフト方向において第２磁気抵抗素子３２及び第４磁気抵抗素子３４よりも下側の位置Ｐ３に配置される。この場合、第１磁気抵抗素子３１の検出信号Ｓ１はＬレベル、第２磁気抵抗素子３２の検出信号Ｓ２はＬレベル、第３磁気抵抗素子３３の検出信号Ｓ３はＬレベル、第４磁気抵抗素子３４の検出信号Ｓ４はＬレベルとなる。

また、シフトレバー３がドライブ位置Ｄに操作されると、マグネット２３の中心Ｍは、セレクト方向において第１磁気抵抗素子３１及び第２磁気抵抗素子３２よりも前側であって、シフト方向において第１磁気抵抗素子３１及び第３磁気抵抗素子３３よりも上側の位置Ｐ１に配置される。この場合、第１磁気抵抗素子３１の検出信号Ｓ１はＨレベル、第２磁気抵抗素子３２の検出信号Ｓ２はＨレベル、第３磁気抵抗素子３３の検出信号Ｓ３はＨレベル、第４磁気抵抗素子３４の検出信号Ｓ４はＨレベルとなる。

このように、図１５に示すように、シフトレバー３の位置Ａ〜Ｄのそれぞれにおいて、各磁気抵抗素子３１〜３４から出力される検出信号（二値化信号）Ｓ１〜Ｓ４の組み合わせが全て異なるため、コントローラ３５は、各磁気抵抗素子３１〜３４からの検出信号の組み合わせに基づいて、シフトレバー３の操作位置を検知可能となる。

また、シフトレバー３が各位置へ操作される際、４つの磁気抵抗素子３１〜３４の内、２つの磁気抵抗素子３１〜３４の検出信号Ｓ１〜Ｓ４が変化する。このため、例えばシフトレバー３が中立位置Ａにある状態で磁気抵抗素子３１〜３４の故障や、ノイズ等によって、各磁気抵抗素子３１〜３４から出力される検出信号Ｓ１〜Ｓ４のうち１つの検出信号Ｓ１〜Ｓ４だけが変化した場合は、コントローラ３５は、各磁気抵抗素子３１〜３４からの検出信号に基づいて、該検出信号の変化がシフトレバー３の操作によるものではないと判断することができるようになる。検出信号の変化がシフトレバー３の操作によるものではないと判断した場合、コントローラ３５は、前記自動変速機の接続状態をニュートラルに切り替える。このように、シフト装置１は、安全側に動作する。このため、例えば磁気抵抗素子３１〜３４の故障や、ノイズ等による検出誤差によって磁気抵抗素子３１〜３４の検出信号が変化することによりシフト位置が誤判断されて前記変速機が不用意に切り替えられてしまうことを防止することができる。

また、セレクト方向及びシフト方向においてそれぞれ複数箇所におけるマグネット２３の位置毎に各磁気抵抗素子３１〜３４から出力される検出信号Ｓ１〜Ｓ４の組み合わせが全て異なる。具体的には、図１５に示すように、マグネット２３を７つの位置に配置した場合において第１〜第４磁気抵抗素子３１〜３４から出力される検出信号Ｓ１〜Ｓ４の組み合わせがそれぞれ異なる。このため、コントローラ３５に、マグネット２３の位置Ｐ１〜Ｐ７と、その位置Ｐ１〜Ｐ７に対応する第１〜第４磁気抵抗素子３１〜３４からの検出信号Ｓ１〜Ｓ４の組み合わせとを関連付けて記憶することにより、シフトレバー３の操作位置を最大で７箇所設定することができる。なお、この７箇所（Ｐ１〜Ｐ７）の内からシフトレバー３の操作パターンに応じて該操作位置に対応するマグネット２３の位置を選択することにより、本実施の形態のようなＴ型のみに限らず、ｈ型、Ｈ型、十字型等の複数種類の操作パターンに対応することができる。

ところで、第１〜第４磁気抵抗素子３１〜３４は、予め設定された閾値ＴＨに基づいて二値化された検出信号Ｓ１〜Ｓ４を出力する。そして、コントローラ３５は、該二値化された検出信号Ｓ１〜Ｓ４の組み合わせに基づいてシフトレバー３の位置を判断する。このため、例えばマグネット２３の各位置Ｐ１〜Ｐ７に応じて各磁気抵抗素子３１〜３４から出力される検出信号（中点電位）の値の差が小さい場合、ノイズが重畳されたり、外乱磁場が付与されたりすることにより、該検出信号（中点電位）が前記閾値ＴＨを越えて変化し易くなるため、検出信号Ｓ１〜Ｓ４が反転し、シフトレバー３のシフト位置が誤判断されてしまうことが懸念される。従って、シフトレバー３のシフト位置を安定して検出するためには、マグネット２３が各位置Ｐ１〜Ｐ７に保持されている状態において磁気抵抗素子３１〜３４から出力される検出信号（中点電位）の値と閾値との差が充分確保されることが望ましい。即ち、図１６において実線で示すように、マグネット２３がその移動方向において各磁気抵抗素子３１〜３４の一側から他側に移動する際の検出信号（中点電位）の変化が急峻であり、また、マグネット２３の移動中心Ｍが各磁気抵抗素子３１〜３４を越えてその一側若しくは他側を移動している状態においても検出信号（中点電位）の値が広い範囲で一定に保たれるような検出信号（理想電位）が出力されることが望ましい。

本実施の形態では、マグネット２３は、基部２３ａからシフト方向に延設されたシフト方向延設部２３ｂを有しており、当該シフト方向延設部２３ｂの着磁方向一側から出た磁束の一部は、セレクト方向に沿ってシフト方向延設部２３ｂの着磁方向他側へと回り込むため、セレクト方向に沿った磁束が形成される。また、マグネット２３は、基部２３ａからセレクト方向に延設されたセレクト方向延設部２３ｃを有しており、当該セレクト方向延設部２３ｃの着磁方向一側から出た磁束の一部は、マグネット２３のシフト方向に沿ってセレクト方向延設部２３ｃの着磁方向他側へと回り込むため、シフト方向に沿った磁束が形成される。各磁気抵抗素子３１〜３４には、マグネット２３のシフト方向延設部２３ｂにより形成される磁界とセレクト方向延設部２３ｃにより形成される磁界との合成磁界が付与される。従って、図１６に示すように、マグネット２３がセレクト方向に沿って各磁気抵抗素子３１〜３４の一側から他側へ移動する際に各磁気抵抗素子３１〜３４に付与される磁束の方向が大きく変化する。また、マグネット２３がシフト方向に沿って各磁気抵抗素子３１〜３４の一側から他側へ移動する際に各磁気抵抗素子３１〜３４に付与される磁束の方向が大きく変化する。このため、図１７に示すように、断面円形状（円柱状）のマグネット４１や、断面四角形状（四角柱状）のマグネット４２と比較して、マグネット２３がその移動方向において各磁気抵抗素子３１〜３４の一側から他側に移動する際の、マグネット２３の移動量に対する検出信号（中点電位）の変化が大きくなり、シフトレバー３の操作に伴いマグネット２３が各位置Ｐ１〜Ｐ７に配置された場合の検出信号（中点電位）の値の差が大きくなる。

また、図１６に示すように、マグネット２３が、セレクト方向に移動しシフト方向延設部２３ｂが磁気抵抗素子３１〜３４から離間する場合、各磁気抵抗素子３１〜３４に対するセレクト方向延設部２３ｃの影響が、各磁気抵抗素子３１〜３４に対するシフト方向延設部２３ｂの影響よりも大きくなる。このため、図１７に示すように、断面円形状のマグネット４１や、断面四角形状のマグネット４２と比較して、マグネット２３の移動中心Ｍが磁気抵抗素子３１〜３４を越えて移動する際の当該マグネット２３の移動量に対する各磁気抵抗素子３１〜３４に付与される磁束の変化が小さくなる。また、マグネット２３が、シフト方向に移動しセレクト方向延設部２３ｃが磁気抵抗素子３１〜３４から離間する場合、各磁気抵抗素子３１〜３４に対するシフト方向延設部２３ｂの影響が、各磁気抵抗素子３１〜３４に対するセレクト方向延設部２３ｃの影響よりも大きくなる。このため、この場合においても、同図１７に示される断面円形状のマグネット４１や、断面四角形状のマグネット４２と比較して、マグネット２３の移動中心Ｍが磁気抵抗素子３１〜３４を越えて移動する際の当該マグネット２３の移動量に対する各磁気抵抗素子３１〜３４に付与される磁束の変化が小さくなる。よって、マグネット２３の移動に伴って各磁気抵抗素子３１〜３４に付与される磁束の方向が各磁気抵抗素子３１〜３４から出力される検出信号（中点電位）が徐々に閾値に近づく方向へ変化してしまうことが抑制され、マグネット２３の移動中心Ｍが各磁気抵抗素子３１〜３４を越えてその一側若しくは他側を移動している状態においても検出信号（中点電位）の値が広い範囲で一定に保たれる。即ち、マグネット２３の移動に伴い磁気抵抗素子３１〜３４から出力される検出信号（中点電位）が、図１６において実線で示す理想的な検出信号（理想電位）に近づく。従って、シフトレバー３のシフト位置を安定して検出することができる。

次に、上記実施の形態の作用効果を以下に記載する。
（１）マグネット２３は、その基部２３ａからシフト方向に延びるシフト方向延設部２３ｂとセレクト方向に延びるセレクト方向延設部２３ｃとを備えている。移動平面Ｑに直交する方向から見てマグネット２３の移動方向に直交する方向に延設されたシフト方向延設部２３ｂ及びセレクト方向延設部２３ｃの着磁方向一側から出た磁束の一部は、マグネット２３の移動方向に沿ってシフト方向延設部２３ｂの着磁方向他側へと回り込むため、マグネット２３のシフト方向延設部２３ｂ及びセレクト方向延設部２３ｃによって、当該マグネット２３の移動方向に沿った磁束が各磁気抵抗素子３１〜３４に付与される。このため、マグネット２３のシフト方向延設部２３ｂが各磁気抵抗素子３１〜３４の一側から他側へ移動する際に各磁気抵抗素子３１〜３４に付与される磁束の方向が大きく変化する。従って、マグネット２３が各位置に配置された場合の検出信号（中点電位）の値の差を大きくすることができる。よって、マグネット２３の移動量に関わらずノイズや外乱磁場に対する耐力を向上させることができる。

（２）マグネット２３は、移動平面Ｑに直交する方向から見てその移動方向両側に延設されたシフト方向延設部２３ｂ及びセレクト方向延設部２３ｃを備えているため、マグネット２３の移動中心Ｍが各磁気抵抗素子３１〜３４を越えて移動すると、各磁気抵抗素子３１〜３４にはマグネット２３の移動に関わらず一定方向の磁束が付与されるようになる。従って、マグネット２３の移動量に対する磁気抵抗素子３１〜３４に付与される磁束の変化が小さくなる。このため、マグネット２３の移動中心Ｍが各磁気抵抗素子３１〜３４を越えて移動する際に各磁気抵抗素子３１〜３４から出力される検出信号（中点電位）が徐々に閾値ＴＨに近づく方向へ変化してしまうことを抑制して検出信号（中点電位）の値と閾値ＴＨとの差を充分確保することができる。よって、このことによっても、マグネット２３の移動量に関わらずノイズや外乱磁場に対する耐力を向上させることができる。

（３）マグネット２３は、その移動平面Ｑに直交する方向から見て、セレクト方向に沿った中心線Ｍ１とシフト方向に沿った中心線Ｍ２とに関して対称に形成されているため、マグネット２３の周辺には、マグネット２３の移動平面Ｑに直交する方向から見て、セレクト方向に沿った中心線Ｍ１とシフト方向に沿った中心線Ｍ２とに関して対称な磁束が形成される。このため、マグネット２３の移動方向略中央部が各磁気抵抗素子３１〜３４を通過する前後で各磁気抵抗素子３１〜３４から出力される検出信号（中点電位）が大きく変化する。即ち、マグネット２３の移動に伴い検出信号（中点電位）が大きく変化するタイミングと、マグネット２３の中心が各磁気抵抗素子３１〜３４を通過するタイミングとが略一致する。よって、マグネット２３の移動に伴い検出信号（中点電位）が大きく変化するタイミングをマグネット２３の形状から把握することが可能となり、操作位置検出装置２０の設計が容易となる。

（４）また、マグネット２３が互いに直交する二方向に移動する場合において、その移動方向にかかわらず、マグネット２３がその移動方向において各磁気抵抗素子３１〜３４の一側若しくは他側に保持されている状態を安定して検出することができる。このため、複数種類の操作パターンに対応することが可能となり、汎用性が向上する。

（５）各磁気抵抗素子３１〜３４が、マグネット２３の移動方向に沿って複数設けられているため、複数の磁気抵抗素子３１〜３４からの検出信号Ｓ１〜Ｓ４に基づいて、マグネット２３の位置をその移動方向に沿って複数箇所で段階的に検出することができる。

（６）シフトレバー３を支持する支持機構（ブラケット１２等）と復帰機構（スプリング１５、ディテントピン１６、ディテント１７）とが、シフトレバー３の軸方向に並んで設けられ、集中化が図られているため、シフト装置１のより一層の小型化が可能となる。

＜第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態を説明する。本実施の形態は、マグネットの形状と、該マグネットにヨーク（強磁性体）を付属させた点で前記第１の実施の形態と異なる。

図１８（ａ）に示すように、被検出体５０は、前記移動平面Ｑに直交する方向から見て、略円筒状に形成されたヨーク５１と、該ヨーク５１の内側に設けられたマグネット５２とを備えている。ヨーク５１及びマグネット５２は、それらの間に設けられた非磁性材料からなるモールド部材５３によって一体に形成されている。

ヨーク５１は、磁性材料よりなる板状の複数の磁性板５１ａが軸方向に積層されてなり、前記移動平面Ｑに直交する方向から見て、環状の環状部５１ｂと、該環状部５１ｂから先端が径方向内側を向くように突出した４つの延出部５１ｃとを備えている。前記移動平面Ｑに直交する方向から見て、延出部５１ｃは、環状部５１ｂの内周面５１ｄから移動方向（シフト方向及びセレクト方向）に沿った中心線Ｍ１，Ｍ２に対して略４５°傾斜した方向に延出されている。即ち、延出部５１ｃは、前記移動平面Ｑに直交する方向から見て、当該被検出体５０の移動中心Ｍからその移動方向に直交する方向にずれた位置であって、移動方向に延びて被検出体５０の移動中心Ｍを通る軸線（この場合、中心線）Ｍ１，Ｍ２を挟んだ両側の位置に設けられている。

マグネット５２は、前記ヨーク５１の径方向で対向する延出部５１ｃの先端の間の距離よりも小さい直径を有する円柱状に形成されており、その磁気センサモジュール２４側の端部がモールド部材５３から突出した状態で同モールド部材５３に保持されている（図１８（ｂ）参照）。マグネット５２は、前記移動平面Ｑに直交する方向から見て、当該マグネット５２の中心とヨーク５１の中心とが一致するように設けられている。マグネット５２は、前記移動平面Ｑに直交する方向に着磁されている。なお、マグネット５２は、前記磁気センサモジュール２４側（図１８（ｂ）において右側）がＳ極、それとは反対側がＮ極となっている。

マグネット５２の着磁方向一側の面から他側の面に回り込む磁束の一部は、ヨーク５１の延出部５１ｃが設けられている位置、即ち当該被検出体５０の移動中心Ｍからその移動方向に直交する方向にずれた位置であって移動方向に延びて被検出体５０の移動中心Ｍを通る軸線Ｍ１，Ｍ２を挟んだ両側の位置に引き寄せられる。従って、図１９に示すように、被検出体５０がセレクト方向に沿って各磁気抵抗素子３１〜３４の一側から他側へ移動する際に各磁気抵抗素子３１〜３４に付与される磁束の方向が大きく変化する。また、被検出体５０がシフト方向に沿って各磁気抵抗素子３１〜３４の一側から他側へ移動する際に各磁気抵抗素子３１〜３４に付与される磁束の方向が大きく変化する。このため、同図１９に示すように、断面円形状（円柱状）のマグネット４１と比較して、被検出体５０がその移動方向において各磁気抵抗素子３１〜３４の一側から他側に移動する際の、被検出体５０の移動量に対する検出信号（中点電位）の変化が大きくなり、シフトレバー３の操作に伴い被検出体５０が各位置Ｐ１〜Ｐ７に配置された場合の検出信号（中点電位）の値の差が大きくなる。

また、ヨーク５１の延出部５１ｃにより、被検出体５０の移動方向に沿ってマグネット５２の着磁方向一側の面から他側の面に回り込む磁束が、当該被検出体５０の移動中心Ｍからその移動方向に直交する方向にずれた位置であって移動方向に延びて被検出体５０の移動中心Ｍを通る軸線Ｍ１，Ｍ２を挟んだ両側の位置に引き寄せられる。このため、断面円形状のマグネット４１と比較して、被検出体５０の移動中心Ｍが磁気抵抗素子３１〜３４を越えて移動する際の当該被検出体５０の移動量に対する各磁気抵抗素子３１〜３４に付与される磁束の変化が小さくなる。よって、被検出体５０の移動に伴って各磁気抵抗素子３１〜３４に付与される磁束の方向が各磁気抵抗素子３１〜３４から出力される検出信号（中点電位）が徐々に閾値に近づく方向へ変化してしまうことが抑制され、被検出体５０の移動中心Ｍが各磁気抵抗素子３１〜３４を越えてその一側若しくは他側を移動している状態においても検出信号（中点電位）の値が広い範囲で一定に保たれる。即ち、被検出体５０の移動に伴い磁気抵抗素子３１〜３４から出力される検出信号（中点電位）が、図１９において実線で示す理想的な検出信号（理想電位）に近づく。従って、シフトレバー３のシフト位置を安定して検出することができる。

次に、上記実施の形態の作用効果を以下に記載する。
（１）ヨーク５１によって、被検出体５０の着磁方向一側の面から他側の面に回り込む磁束が、被検出体５０の移動中心Ｍから移動方向に直交する方向にずれた位置であって移動方向においてその移動中心Ｍを挟んだ両側の位置に引き寄せられるため、被検出体５０の移動中心Ｍが第１〜第４磁気抵抗素子３１〜３４の一側から他側へ移動する際に第１〜第４磁気抵抗素子３１〜３４に付与される磁束の方向が大きく変化する。このため、被検出体５０が各所定位置に配置された場合の検出信号の値の差を大きくすることができる。よって、被検出体５０の移動量に関わらず、ノイズや外乱磁場に対する耐力を向上させることができる。

（２）また、被検出体５０の移動中心Ｍが各磁気抵抗素子３１〜３４を越えて移動すると、各磁気抵抗素子３１〜３４には被検出体５０の移動に関わらず一定方向の磁束が付与されるようになる。従って、被検出体５０の移動量に対する磁気抵抗素子３１〜３４に付与される磁束の変化が小さくなる。このため、被検出体５０の移動中心Ｍが各磁気抵抗素子３１〜３４を越えて移動する際に各磁気抵抗素子３１〜３４から出力される検出信号（中点電位）が徐々に閾値ＴＨに近づく方向へ変化してしまうことを抑制して検出信号（中点電位）の値と閾値ＴＨとの差を充分確保することができる。よって、このことによっても、ノイズや外乱磁場に対する耐力を向上させることができる。

尚、本実施の形態は、以下のように変更してもよい。
・上記第１の実施の形態のマグネット２３と上記第２の実施の形態のヨーク５１とを組み合わせて被検出体６０を構成してもよい。この場合、図２０に示すように、マグネット２３のシフト方向延設部２３ｂ及びセレクト方向延設部２３ｃを、ヨーク５１の延出部５１ｃの間にそれぞれ配置する。このような構成によれば、上記第１の実施の形態の作用と第２の実施の形態の作用とが得られる。このため、上記第１及び第２の実施の形態と同様、被検出体６０が各位置に配置された場合の検出信号の値の差を大きくすることが可能となり、被検出体６０の移動量に関わらず、ノイズや外乱磁場に対する耐力を向上させることができる。

・上記第１の実施の形態では、略十字状に形成したマグネット２３を用いたが、マグネット２３の形状はこのような態様に限定されない。例えばマグネットを断面ひし形や正方形状に形成し、その対角線に沿った方向へ移動するように構成してもよい。なお、この場合、マグネットの頂部が、それぞれ延設部若しくは第２の延設部に相当する。

・上記第１の実施の形態では、シフト方向延設部２３ｂ及びセレクト方向延設部２３ｃは、それらの基部２３ａからの延設長さが等しくなるように形成したが、シフト方向延設部２３ｂ及びセレクト方向延設部２３ｃの基部２３ａからの延設長さは異なっていてもよい。

・上記第１の実施の形態では、基部２３ａから互いに直交する方向へ延びるシフト方向延設部２３ｂとセレクト方向延設部２３ｃとを有するマグネット２３を用いたが、シフト方向延設部２３ｂ及びセレクト方向延設部２３ｃの何れか一方だけを有するマグネットを用いてもよい。

・上記第１の実施の形態では、マグネット２３のシフト方向延設部２３ｂ及びセレクト方向延設部２３ｃを基部２３ａと一体的に形成したが、例えば図２１（ａ）に示すように、マグネット７０の基部７１と延設部７２とをそれぞれ別部材から構成し、それらを非磁性材料からなるモールド部材７３によって一体に形成してもよい。なお、この場合、例えば同図２１（ａ）において括弧内に示すように、基部７１の磁気センサモジュール２４側をＳ極、各延設部７２の磁気センサモジュール２４側をＮ極としてもよい。即ち、基部７１及び延設部７２の着磁方向が逆であってもよい。

・上記第２の実施の形態では、ヨーク５１に環状部５１ｂを設けたが、例えば図２１（ｂ）に示すように、該環状部５１ｂを省略し、マグネット５２の着磁方向から見て、当該被検出体８０の移動中心Ｍから移動方向に直交する方向にずれた位置であって移動方向に延びて被検出体８０の移動中心Ｍを通る軸線Ｍ１，Ｍ２を挟んだ両側の位置に、それぞれ強磁性体８１を設け、それらを非磁性材料からなるモールド部材８２によって一体に形成してもよい。

・上記第１の実施の形態では、マグネット２３をセレクト方向に沿った中心線Ｍ１とシフト方向に沿った中心線Ｍ２とに関して対称に形成したがこのような態様に限定されない。例えば、基部２３ａの両側にシフト方向延設部２３ｂとセレクト方向延設部２３ｃとをそれぞれ設けたが、基部２３ａの片側だけにシフト方向延設部２３ｂとセレクト方向延設部２３ｃを設けてもよい。また、上記第２の実施の形態では、被検出体５０をセレクト方向に沿った中心線Ｍ１とシフト方向に沿った中心線Ｍ２とに関して対称に形成したがこのような態様に限定されない。例えば、ヨーク５１に延出部５１ｃを４つ設けたが、３つでもよく、また、中心線Ｍ１，Ｍ２に関して対象とならない位置に２つ設けてもよい。

・上記第１及び第２の実施の形態では、複数の磁気抵抗素子３１〜３４から出力された検出信号Ｓ１〜Ｓ４の組み合わせに基づいてシフトレバー３のシフト位置を検出する操作位置検出装置２０として具体化したが、このような態様に限定されない。例えば、シフトレバー３の一方向への操作を、１つの磁気抵抗素子から出力される検出信号と予め設定した閾値とを比較することによって検出する操作位置検出装置として具体化してもよい。

・上記第１及び第２の実施の形態では、各磁気抵抗素子３１〜３４から出力された検出信号をコンパレータによって二値化した二値化信号をコントローラ３５に入力したが、コントローラ３５自身が各磁気抵抗素子３１〜３４から出力された検出信号を二値化するようにしてもよい。

・上記第１及び第２の実施の形態では、４つの磁気抵抗素子３１〜３４を１つのパッケージとして一体に構成したが、個別にパッケージされた４つの磁気抵抗素子３１〜３４を用いてもよい。

・上記第１及び第２の実施の形態では、磁気抵抗素子３１〜３４を同一平面上に配置したが、このような態様に限定されない。例えば、基板３０の表側と裏側とに設けてもよい。

・上記第１及び第２の実施の形態では、各磁気抵抗素子３１〜３４の間の間隔が一定となるように配置したが、このような態様に限定されず、シフトパターンに応じて適宜変更してもよい。

・上記第１及び第２の実施の形態では、４つの磁気抵抗素子３１〜３４を用いたが、２つ以上の複数であれば、磁気抵抗素子の数は、適宜変更可能である。
・上記第１及び第２の実施の形態では、シフトレバー３が中立位置にある場合に、マグネット２３の中心Ｍと磁気センサモジュール２４の中心位置とが一致するように設けたが、このような態様に限定されず、例えば、シフトレバー３がニュートラル位置にある場合にマグネット２３の中心Ｍと磁気センサモジュール２４の中心位置とが一致するように設けてもよい。

・上記第１及び第２の実施の形態では、マグネット２３を移動平面Ｑに直交する方向に着磁したが、移動平面Ｑに交差する方向に着磁すれば、必ずしも移動平面Ｑに直交していなくてもよい。

・上記第１及び第２の実施の形態では、マグネット２３の磁気センサモジュール２４側をＳ極、それとは反対側をＮ極としたが、逆方向に着磁してもよい。
・上記第１及び第２の実施の形態では、磁気センサモジュール２４をスライダー２２に固定したが、このような態様に限定されず、例えばケース７に固定してもよい。

・上記第１及び第２の実施の形態では、シフトパターンがＴ型となるシフト装置１に具体化したが、例えばシフトパターンがｈ型、Ｈ型、十字型となるシフト装置１に具体化してもよい。

・上記第１及び第２の実施の形態では、シフト装置１のシフトレバー３にパーキングスイッチ３ｂを設けたが、例えばインストルメントパネル等にパーキングスイッチを設けるようにしてもよい。

・上記第１及び第２の実施の形態では、コラムシフト装置に具体化したが、フロアシフト装置や、センターコンソールやインストルメントパネル等に設けられるシフト装置に具体化してもよい。また、シフト装置１以外の各種車載機器に対応する入力装置や、車載機器以外の装置に対応する入力装置に具体化してもよい。

シフト装置の配設態様を示す斜視図。 シフトゲートとシフトポジションとの関係を概略的に示す模式図。 シフト装置の概略斜視図。 シフト装置本体を車両前側から見た平面図。 シフト装置本体の一部の断面図。 図５のＥ−Ｅ線断面図。 図５のＦ−Ｆ線断面図。 図７のＧ−Ｇ線断面図。 シフト装置本体の一部の拡大図。 シフト装置の動作を説明するための断面図。 シフト装置の動作を説明するための断面図。 （ａ）は磁気センサモジュール及びマグネットの平面図、（ｂ）は磁気センサモジュール及びマグネットの位置関係を説明するための側面図。 シフト装置の電気的構成を示すブロック図。 操作位置検出装置の作用を説明するための平面図。 マグネットの位置と各磁気抵抗素子から出力される検出信号の組み合わせとの関係を示す説明図。 本実施の形態のマグネットの移動量と磁気抵抗素子から出力される検出信号（中点電位）との関係を示す説明図。 マグネットの移動量と磁気抵抗素子から出力される検出信号（中点電位）との関係をマグネットの形状毎に示した説明図。 （ａ）は磁気センサモジュール及び第２の実施の形態の被検出体の平面図、（ｂ）は同じく第２の実施の形態の被検出体及び磁気センサモジュールの位置関係を説明するための側面図。 第２の実施の形態の被検出体及びマグネットの移動量と磁気抵抗素子から出力される検出信号（中点電位）との関係を被検出体及びマグネット毎に示した説明図。 別例の被検出体の平面図。 （ａ）及び（ｂ）は、別例の被検出体の平面図。

符号の説明

１…シフト装置、３…操作部材としてのシフトレバー、６…シフトゲート、２０…操作位置検出装置、２３，７０…被検出体としてのマグネット、５０，６０，８０…被検出体、２３ｂ…延設部としてのシフト方向延設部、２３ｃ…第２の延設部としてのセレクト方向延設部、３１〜３４…磁気検出手段としての第１〜第４磁気抵抗素子、５１…ヨーク（強磁性体）、７２…延設部、８１…強磁性体、Ｍ…移動中心、Ｍ１，Ｍ２…中心線、Ｐ１〜Ｐ７…位置、Ｓ１〜Ｓ４…検出信号（二値化信号）。

Claims (7)

1. 操作部材の操作に伴い複数の所定位置間を移動可能に設けられるとともにその移動方向に交差する方向に着磁された被検出体と、
   該被検出体の移動方向において隣り合う前記所定位置の間に配置され、前記被検出体の移動に伴う磁束の変化に応じた検出信号を出力する磁気検出手段とを備え、前記検出信号に基づいて前記被検出体がその移動方向において前記磁気検出手段の一側の前記所定位置にあるか他側の前記所定位置にあるかを検出する操作位置検出装置であって、
   前記被検出体は、前記着磁方向から見てその前記移動方向に直交する方向に延設され、前記移動方向に沿った磁束を形成する延設部を有するとともに、
   前記被検出体は、前記着磁方向から見てその前記移動方向両側に延設され、前記移動方向に直交する方向の磁束を形成する第２の延設部をさらに備えることを特徴とする操作位置検出装置。
2. 操作部材の操作に伴い複数の所定位置間を移動可能に設けられるとともにその移動方向に交差する方向に着磁された被検出体と、
   該被検出体の移動方向において隣り合う前記所定位置の間に配置され、前記被検出体の移動に伴う磁束の変化に応じた検出信号を出力する磁気検出手段とを備え、前記検出信号に基づいて前記被検出体がその移動方向において前記磁気検出手段の一側の前記所定位置にあるか他側の前記所定位置にあるかを検出する操作位置検出装置であって、
   前記被検出体には、前記着磁方向から見て、当該被検出体の移動中心から前記移動方向に直交する方向にずれた位置であって前記移動方向に延びて前記被検出体の移動中心を通る軸線を挟んだ両側の位置に、前記被検出体と一体移動可能に設けられ当該被検出体の着磁方向一側の面から他側の面に回り込む磁束を引き寄せる強磁性体が付属されていることを特徴とする操作位置検出装置。
3. 前記被検出体は、前記着磁方向から見て、当該被検出体の前記移動方向に直交する方向に延設されるとともに前記移動方向に沿った磁束を形成する延設部を有することを特徴とする請求項２に記載の操作位置検出装置。
4. 前記被検出体は、前記着磁方向から見て、前記移動方向に直交する中心線に関して対称に形成されることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の操作位置検出装置。
5. 前記被検出体は、前記着磁方向から見て、前記移動方向に沿った中心線に関して対称に形成されることを特徴とする請求項４に記載の操作位置検出装置。
6. 前記磁気検出手段は、前記被検出体の移動方向に沿って複数設けられることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の操作位置検出装置。
7. シフトゲートに沿って設定された複数の操作位置に操作される操作部材と、前記操作部材の操作位置を検出する操作位置検出装置とを備え、該操作位置検出装置の検出結果に基づいて車両の変速機の接続状態を切り替えるシフト装置であって、
   請求項１〜６の何れか１項に記載の前記操作位置検出装置を備えることを特徴とするシフト装置。

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