JP4927483B2 - ハードディスクドライブのバイアスの算出方法、バイアスの補償方法、バイアステーブルの作成方法、記録媒体及びハードディスクドライブ - Google Patents

ハードディスクドライブのバイアスの算出方法、バイアスの補償方法、バイアステーブルの作成方法、記録媒体及びハードディスクドライブ Download PDF

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Description

本発明は、ハードディスクドライブ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ：ＨＤＤ）の効率的なサーボ制御のためのバイアスの補償方法に係り、特に、簡単かつ速かにバイアスを算出する方法、これを利用したバイアスの補償方法、このためのバイアステーブルの作成方法、それに適した記録媒体及びそれに適したＨＤＤに関する。
ＨＤＤは、回転する磁気ディスク上にデータを磁気的に記録して読み取る装置であって、大量のデータを高速でアクセスできるため、コンピュータシステムの補助記憶装置として広く使用されている。
ＨＤＤにおいてデータは、磁気ディスク上に同心円の形態に形成されたトラックに保存される。これらのトラックは、磁気ディスク上にデータを読み取りまたは記録するための磁気ヘッドによりアクセスされる。磁気ヘッドを磁気ディスク上で移動させて、トラックのうち一つに位置させることをトラック探索と言う。
ＨＤＤのトラック探索において、磁気ヘッドに作用する外乱をバイアスという。ＨＤＤにおいては、ディスクの回転時に発生する空気流動がヘッドの横面を押して発生する気圧差、ヘッドに連結されるフレキシブルケーブルの張力、ボイスコイルモータ（Ｖｏｉｃｅ Ｃｏｉｌ Ｍｏｔｏｒ：ＶＣＭ）の軸受中心軸の特性などがバイアスに主要な影響を及ぼすと知られている。
また、このようなバイアスは、磁気ヘッドの位置、移動距離及び移動方向などによって変わると知られている。具体的に、探索動作における磁気ヘッドの位置及び移動方向によってボイスコイルの初期駆動力が変わり、移動距離によって磁気ヘッドの初期移動速度が変わるため、磁気ヘッドの位置、移動距離及び移動方向などによってバイアスを補償する。このようなバイアスの補償については、特許文献１、特許文献２、特許文献３及び特許文献４などに開示されている。
従来のバイアスの補償方法によれば、ディスクを内周から外周まで複数の領域に分割し、それぞれの領域でのバイアスを測定してバイアステーブルに保存した後、トラックの探索時これを参照して補償した。
大韓民国特許第１０−０４０３０３７号明細書 大韓民国特許第１０−０２６０４１１号明細書 米国特許第５,７７３,９４８号明細書 米国特許第６,７３８,２２０号明細書
しかし、バイアスは、使用環境によって変わりうるので、実際には、ヘッドの位置によってバイアスを測定し、バイアステーブルに保存された既存のバイアスと差が大きい場合には、当該位置の周辺部または全体領域でのバイアスを更新する方法が多く使用される。
しかしながら、バイアステーブルで周辺部のバイアスのみを更新する場合、他の領域は、既存のバイアスをそのまま維持している状態であるので、それだけ偏差が大きいという問題点がある。したがって、バイアステーブルにおいてディスク全域のバイアスを全て更新することが望ましい。
しかし、バイアステーブルにおいてディスク全域のバイアスを更新する場合、それぞれの領域における新たなバイアスを求め難いだけでなく、長い演算時間がかかるという問題がある。また、バイアスが非線形的に変化する場合には、ディスク上でのヘッドの位置による比例定数を適用する作業が必要であるため、さらに長い時間がかかるという問題がある。
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ＨＤＤにおいて簡単かつ速かにディスク全域のバイアスを算出できる方法に提供することをその目的とする。
また、本発明の他の目的は、ＨＤＤにおいて簡単かつ速かにバイアスを補償できる方法を提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、ＨＤＤにおいて初期バイアステーブルの作成方法を提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、前記のバイアスの補償方法に適したＨＤＤを提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、前記方法に適したプログラムを保存するコンピュータで読み取り可能な記録媒体を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、ハードディスクドライブのヘッドに印加されるバイアスの算出方法において、ディスク全域にわたってバイアスを測定する過程と、測定されたバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を抽出する過程と、ハードディスクドライブの動作条件の変化によって、前記ディスク上の二つの基準点でバイアスを測定する過程と、前記二つの基準点で測定されたバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分を推定する過程と、推定されたバイアスの線形成分と抽出されたバイアスの非線形成分とに基づいて、前記ハードディスクドライブの動作条件の変化による前記ディスクの一つの地点でバイアスを算出する過程と、を含むハードディスクドライブのバイアスの算出方法が提供される。
また、前記動作条件は、前記ハードディスクドライブに電源が印加された以後の使用時間であっても良い。
また、前記動作条件は、前記ハードディスクドライブの動作温度であっても良い。
また、前記バイアスの非線形成分を抽出する過程は、前記ディスク全域にわたったバイアスを近似化する直線を設定する過程と、前記ディスク全域にわたったバイアスと前記直線との差により前記バイアスの非線形成分を抽出する過程と、を含むものであっても良い。
また、前記直線は、前記ディスク全域にわたったバイアスと前記直線との差の総和が最小になるように設定されるものであっても良い。
また、前記直線は、前記ディスク全域にわたったバイアスと前記直線との差の二乗根の総和が最小になるように設定されるものであっても良い。
また、前記ディスク全域にわたってバイアスを測定する過程及びバイアスの非線形成分を抽出する過程は、前記ハードディスクドライブの製造工程で行われるものであっても良い。
また、前記ディスク全域にわたってバイアスを測定する過程は、前記ハードディスクドライブに電源が印加された直後に行われるものであっても良い。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、ハードディスクドライブのヘッドに印加されるバイアスの補償方法において、ディスク全域にわたってバイアスを測定し、測定されたバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分、及び前記ディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を抽出する過程と、前記バイアスの線形成分及び非線形成分をバイアステーブルに保存する過程と、ハードディスクドライブがパワーオンになれば、前記バイアステーブルを参照してバイアスを補償する過程と、を含むハードディスクドライブのバイアスの補償方法が提供される。
ここで、前記バイアスの補償方法は、前記ハードディスクドライブの動作条件が変化すれば、ディスク上の二つの基準点でバイアスを測定する過程と、前記二つの基準点で測定されたバイアスに基づいて、ディスク全域にわたって変化するバイアスの線形成分を推定する過程と、推定されたバイアスの線形成分により、前記バイアステーブルに保存されたバイアスの線形成分を更新する過程と、更新されたバイアステーブルを参照してバイアスを補償する過程とをさらに含むものであっても良い。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、ハードディスクドライブのヘッドに印加されるバイアスを補償するためのバイアステーブルの作成方法において、ディスク全域にわたってバイアスを測定し、測定されたバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分、及び前記ディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を抽出する過程と、前記バイアスの線形成分及び非線形成分を保存するバイアステーブルを作成する過程とを含むバイアステーブルの作成方法が提供される。
ここで、前記バイアステーブルの作成方法は、ハードディスクドライブの動作条件が変化すれば、ディスク上の二つの基準点でバイアスを測定する過程と、前記二つの基準点で測定されたバイアスに基づいて、ディスク全域にわたって変化する前記バイアスの線形成分を推定する過程と、前記推定されたバイアスの線形成分により、前記バイアステーブルに保存された前記バイアスの線形成分を更新する過程とをさらに含むものであっても良い。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、ハードディスクドライブのヘッドに印加されるバイアスの算出方法が記録されたコンピュータで読み取り可能な記録媒体において、ディスク全域にわたってバイアスを測定する過程と、測定されたバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を抽出する過程と、前記ハードディスクドライブの動作条件の変化によって、前記ディスク上の二つの基準点でバイアスを測定する過程と、前記二つの基準点で測定されたバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分を推定する過程と、推定されたバイアスの線形成分と、前記抽出されたバイアスの非線形成分とに基づいて、前記ハードディスクドライブの動作条件の変化による前記ディスクの一つの地点でバイアスを算出する過程とを実行させるためのプログラムが記録された記録媒体が提供される。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、ハードディスクドライブのヘッドに印加されるバイアスの補償方法を行うプログラムが記録されたコンピュータで読み取り可能な記録媒体において、ディスク全域にわたってバイアスを測定し、測定されたバイアスに基づいて、ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分、及びディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を抽出する過程と、前記バイアスの線形成分及び非線形成分をバイアステーブルに保存する過程と、ハードディスクドライブがパワーオンになれば、前記バイアステーブルを参照してバイアスを補償する過程とを実行させるためのプログラムが記録された記録媒体が提供される。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、ＨＤＤのヘッドに印加されるバイアスを補償するためのバイアステーブルの作成方法を行うプログラムが記録されたコンピュータで読み取り可能な記録媒体において、ディスク全域にわたってバイアスを測定し、測定されたバイアスに基づいて、ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分、及びディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を抽出する過程と、前記バイアスの線形成分及び非線形成分を保存するバイアステーブルの作成過程を実行させるためのプログラムが記録された記録媒体が提供される。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、情報を保存するディスクと、前記ディスクを回転させるスピンドルモータと、前記ディスクに情報を記録し、前記ディスクから情報を読み取るヘッドと、前記ヘッドを移動させるボイスコイルモータ（ＶＣＭ）と、前記ヘッドに印加されるバイアスを補償するためのバイアステーブルを保存するメモリと、トラック追従動作でバイアスを測定し、トラック探索モードで前記メモリに保存されたバイアステーブルを参照してバイアスを補償するコントローラと、を備え、ここで、前記メモリは、ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分、及びディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を保存し、前記コントローラは、ハードディスクドライブがパワーオンになれば、前記バイアステーブルを参照してバイアスを補償し、ハードディスクドライブの動作条件が変化すれば、ディスク上の基準点でバイアスを測定し、前記測定された基準点でのバイアスに基づいて、ディスク全域にわたって変化するバイアスの線形成分を推定し、前記推定されたバイアスの線形成分により、前記バイアステーブルに保存されたバイアスの線形成分を更新するハードディスクドライブが提供される。
本発明によれば、ハードディスクドライブの動作条件が変化すれば、ディスク上の任意の２箇所で測定したバイアスにより、ディスク上の任意の位置でのバイアスを簡単に推定できるので、バイアス補償を簡単かつ迅速に行うことが可能となる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態の構成及び動作について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図１は、ＨＤＤで測定されたバイアスプロファイルの例を示すグラフである。図１において横軸は、ディスク上のヘッドの位置トラック番号、すなわち、ディスクの内周からの距離を表し、縦軸は、バイアストルクの大きさを表す。図１に示すように、バイアスプロファイルは、ディスク上のヘッドの位置によるバイアスの変化を表す。
図１に示すバイアスプロファイルは、使用時間の経過によって作成されたものである。例えば、最上側のバイアスプロファイルは、ＨＤＤがパワーオンになった直後に得られたものであり、最下側のバイアスプロファイルは、ＨＤＤの使用時間が最も長い状態で得られたものである。
図１に示すように、バイアスは、ＨＤＤの使用時間の経過と共に、一定の値に収斂する特性を表す。
バイアスは、図１に示すように、ディスク上のヘッドの位置及び使用時間によって変化するだけでなく、ヘッドの移動方向、すなわち、ヘッドが内周方向に動くか、または外周方向に移動するかによっても変わる。
図２は、ＨＤＤにおいて、ディスク上の領域分割の例を示す図面である。周知のように、ＨＤＤは、ディスクの内周から外周までの領域を複数の領域（ｚｏｎｅ０〜ｚｏｎｅＮ）に分割して管理する。各領域ごとにトラックピッチ、トラック当りセクター数、記録／再生パラメータなどが異なって設定される。バイアスも、領域別に測定されて補償される。
従来のバイアスの補償方法によれば、測定により得られるか、または推定により得られるバイアスを有するバイアステーブルをメモリに保存させ、トラックの探索時にこれを参照する。また、使用時間の経過や動作温度の変化のような動作条件の変化がある度に、バイアスを再測定または再算出してバイアステーブルを更新する。
しかし、バイアステーブルにおいてディスク全域のバイアスを全て更新する場合、それぞれの領域ごとに新たにバイアスを求めねばならないので、長い時間がかかる。また、バイアスが非線形的に変化する場合には、ディスク上でのヘッドの位置による比例定数を適用する作業が必要であるため、さらに長い計算時間がかかる。
本発明に係るバイアスの補償方法によれば、バイアスをディスク全域にわたって、線形的に変化する線形成分と非線形的に変化する非線形成分とに分けて補償するが、動作条件の変化によってバイアスの線形成分のみを更新する。
観察によれば、バイアスの線形成分及び非線形成分が何れも動作条件の変化によって変化するが、バイアスの線形成分は、変化が非常に大きい一方、バイアスの非線形成分は、無視しても良いほどに小さい。
したがって、バイアスの非線形成分を予め求め、動作条件の変化によって線形成分のみを推定してバイアスを補償できる。ここで、バイアスの線形成分は、ディスク全域にわたって線形的に変化するので、ディスク上の二つの基準点で測定されたバイアスを参照して簡単かつ速かに推定されうる。
バイアスを誘発する最も主要な原因は、アクチュエータに搭載されたヘッドと、ＨＤＤの回路部品が搭載された基板とを連結するフレキシブル印刷回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ：ＰＣＢ）の張力及び、アクチュエータ及びヘッドの機構的な形状であると知らされている。
フレキシブルＰＣＢは、アクチュエータの稼動と共に伸縮するので、その張力がヘッドの動きに影響を及ぼし、アクチュエータ及びヘッドの形状も、ディスクの回転時に発生する空気流動と結合して、ヘッドの動きに影響を及ぼす。
フレキシブルＰＣＢの張力は、アクチュエータの位置（すなわち、ディスク上のヘッドの位置）、アクチュエータの移動方向（すなわち、ヘッドの移動方向）などによっても変わるが、主要なものは、ＨＤＤの動作温度である。すなわち、ＨＤＤの動作温度が変わるにつれて、フレキシブルＰＣＢの張力が変化し、これにより、ヘッドに印加されるバイアスも変わる。ＨＤＤの動作温度は、ＨＤＤの使用時間と深い関係を有する。
一方、アクチュエータ及びヘッドの機構的な形状によるバイアスは、ＨＤＤの動作温度よりはディスク上のヘッドの位置、ヘッドの移動方向などにより影響を受ける。
前述したところを参照すれば、ＨＤＤのバイアスは、使用時間及び動作温度に大きく影響を受ける成分と、そうでない部分とに分けて考えうる。使用時間及び動作温度に大きく影響を受ける成分は、アクチュエータ及びヘッドの機構的形状、ディスク上のヘッドの位置、ヘッドの移動方向などによってはあまり影響を受けず、ディスク全域にわたって線形的に変化すると見なされうる。
一方、バイアスにおいて使用時間及び動作温度により大きく影響を受けない成分は、アクチュエータ及びヘッドの機構的な形状、ディスク上のヘッドの位置、ヘッドの移動方向などにより影響を受けるが、影響を受ける程度は、使用時間及び動作温度の変化によって大きく変化せず、ディスク全域にわたって非線形的に変化すると見なされうる。
図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ及び図４Ｂは、バイアスの非線形成分を図式的に示すためのグラフである。図３Ａは、ヘッドを内周から外周に移動させつつ測定されたバイアスプロファイルを表し、図４Ａは、ヘッドを外周から内周に移動させつつ測定されたバイアスプロファイルを表す。各図面において、横軸は、ディスク上のヘッドの位置トラック番号を表し、縦軸は、バイアストルクの大きさを表す。
また、それぞれのバイアスプロファイルは、ＨＤＤを使用し始めた時点、すなわち、ＨＤＤがパワーオンになった後から一定時間の間隔を空けて測定されたものである。
図３Ａ及び図４Ａに示すバイアスプロファイルは、非線形成分及び線形成分が何れも含まれたものである。一方、図３Ｂ及び図４Ｂに示すバイアスプロファイルは、それぞれ図３Ａ及び図４Ａに示すバイアスプロファイルに対応するバイアスの非線形成分を示すものである。図３Ｂ及び図４Ｂから分かるように、バイアスの非線形成分は、ＨＤＤの使用時間による差が非常に微小であるということが分かる。
バイアスの非線形成分が、使用時間が経過しても非常に微小な差を示すということは、使用時間の経過によって非線形成分を更新せずとも、十分なバイアスの補償性能を得ることができるということを意味する。
図５は、バイアスプロファイルからバイアスの線形成分及び非線形成分を求めることを図式的に示すグラフである。図５において、横軸は、ディスク上のヘッドの位置トラック番号を表し、縦軸は、バイアス補償値を表す。図５には、バイアスプロファイル５０２と、これを近似化する直線５０４とが示される。図５に示すように、バイアスプロファイル５０２は、直線５０４、及びバイアスプロファイル５０２と直線５０４との差により示されうる。
すなわち、バイアスＦは、Ｆ＝ｆ（ｐ）＋ａ０＋ａ１ｐで表される。ここで、ｐは、ディスク上の位置を表し、ｆ（ｐ）は、差値を表し、ａ０は、直線５０４の切片、そして、ａ１は、直線５０４の傾斜度を表す。
前記数式においてｆ（ｐ）は、バイアスの非線形成分になり、ａ０＋ａ１ｐは、バイアスの線形成分になる。
正確度を高めるために、直線５０４は、バイアスプロファイル５０２との差値が最も小さくなるように設定される。すなわち、ディスク上の各位置で、差値の二乗根の総和が最も小さくなるように設定される。
図６は、ＨＤＤの使用時間の経過によって測定されたバイアスプロファイルと、それぞれのバイアスプロファイルに相応する線形成分とを示すグラフである。図６において、横軸は、ディスク上のヘッドの位置トラック番号を表し、縦軸は、バイアストルクの大きさを表す。図６において、バイアスプロファイル６０２ａないし６０２ｄは、ＨＤＤの使用時間の経過によって測定されたものであり、直線６０４ａないし６０４ｄは、それぞれのバイアスプロファイル６０２ａないし６０２ｄに相応するバイアスの線形成分を表す。
図６に示すように、使用時間の経過によって、バイアスプロファイルは、非常に大きな差を表すが、バイアスの非線形成分は、図３Ｂ及び図４Ｂに示すように、差が非常に微小である。
したがって、バイアスの非線形成分を予め求めておき、動作条件の変化、すなわち、使用時間、動作温度などの変化によってバイアスの線形成分を推定して、バイアスの非線形成分と線形成分とを組合わせることによって、ディスク上の任意の位置でのバイアスを算出できる。
図７は、本発明の一実施形態に係るＨＤＤのバイアスの算出方法を示すフローチャートである。
図７に示すように、まず、ディスク全域にわたってバイアスを測定してバイアスプロファイルを得る（Ｓ７０２）。
測定されたバイアスプロファイルに基づいて、ディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を抽出する（Ｓ７０４）。バイアスの非線形成分の抽出については、図５を参照して詳細に説明されている。そして、Ｓ７０２及びＳ７０４は、ＨＤＤの製造工程、特に、バーンインテストの工程で行われることが望ましい。得られたバイアスの非線形成分は、バイアステーブルに収録され、バイアステーブルは、ディスクのメンテナンスシリンダーに保存される。
ディスク上の二つの基準点でバイアスを測定する（Ｓ７０６）。ここで、二つの基準点は、任意的に選択されうる。
ｓ７０６で測定されたバイアスに基づいて、ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分を推定する（Ｓ７０８）。
図８は、図７に示す本発明の一実施形態に係るバイアスの算出方法において、バイアスの線形成分を推定する方法を図式的に示すグラフである。図８において、横軸は、ディスク上のヘッドの位置トラック番号を表し、縦軸は、バイアス補償値を表す。
図８に示すように、バイアスの線形成分は、ディスク上の二つの基準点Ｐ＿ａ、Ｐ＿ｂで測定されたバイアスを連結する直線８０２により示される。ここで、二つの基準点Ｐ＿ａ、Ｐ＿ｂは、任意的に選択されうる。
Ｓ７０８で推定されたバイアスの線形成分と、Ｓ７０４で抽出されたバイアスの非線形成分とに基づいて、ディスク上の所望の位置でのバイアスを算出する（Ｓ７１０）。
図９は、本発明の一実施形態に係るバイアスの算出方法の効果を示すグラフである。 図９において、横軸は、ディスク上のヘッドの位置トラック番号を表し、縦軸は、バイアストルクの大きさを表す。図９において９０２は、初期バイアスプロファイル、例えば、ＨＤＤのパワーオン直後に測定されたバイアスプロファイルを表し、９０４は、ＨＤＤを使用した後に一定時間、例えば、３分が経過した後に本発明によるバイアスの算出方法により算出されたバイアスプロファイルを示し、９０６は、算出されたバイアスプロファイル９０４に相応する実際に測定されたバイアスプロファイルを示す。本発明に係るバイアスの算出方法により算出されたバイアスプロファイル９０４と、実際に測定されたバイアスプロファイル９０６との誤差が非常に小さいということが分かる。
一方、使用時間がさらに経過した後に得られたバイアスプロファイル９１２、及びこれに基づいて一定時間が経過した後に算出及び測定されたバイアスプロファイル９１４、９１６を参照すれば、算出されたバイアスプロファイル９１４と、測定されたバイアスプロファイル９１６との差がさらに小さくなっているということが分かる。これは、バイアスが使用時間の経過によって収斂するためであり、本発明のバイアスの算出方法も、使用時間の経過によってさらに正確になるということが分かる。
図１０は、本発明の一実施形態に係るバイアスの補償方法を示すフローチャートである。図１０に示すように、ＨＤＤがパワーオンになれば、ディスクのメンテナンスシリンダーに記録されたバイアステーブルを読み取ってメモリに保存する（Ｓ１００２）。
ここで、バイアステーブルは、バイアスの非線形成分及び初期使用に相応する線形成分を有する。バイアスの非線形成分及び線形成分を求めることについては後述する。
メモリに保存された初期バイアステーブルを参照してバイアス補償を行う（Ｓ１００４）。バイアス補償において、エラーが所定の範囲を逸脱するかを検査する（Ｓ１００６）。すなわち、一般的なディスクトラッキング中に、閉ループ制御器が、例えば、エラーを０にするための集積制御を利用してバイアスを連続的に測定し、前記連続的に測定されたバイアスと、メモリに保存されたバイアスとの差を計算する。エラーが所定の範囲を逸脱しなければ、Ｓ１００４過程を通じてバイアス補償を行い続ける。
バイアス補償のためのバイアス補償値は、バイアステーブルのバイアスの線形成分と非線形成分とを組合わせることによって得られる。バイアステーブルには、バイアスの線形成分を示すための直線の方程式が保存されており、ディスク上のヘッドの位置を代入することによって、当該位置でのバイアスの線形成分を得る。
一方、バイアステーブルにおいてバイアスの非線形成分は、ディスク上のヘッドの位置によって保存される。すなわち、図３Ｂ及び図４Ｂに示すようなグラフが、バイアステーブルに保存されている。
当該位置でのバイアスの線形成分が得られれば、これを当該位置でのバイアスの非線形成分と組合わせ、例えば、加算することによって当該位置でのバイアスを得る。得られたバイアスを適用してバイアス補償を行う。
もし、エラーが所定の範囲を逸脱したならば、バイアステーブルを更新する。エラーが所定の範囲を逸脱するということは、バイアス補償のために使用するバイアスプロファイルが、以前に使用されたものに比べて大きく変わっているということを意味し、また、バイアスの線形成分を更新する必要があるということを意味する。
ディスク上の任意の２箇所でバイアスを測定し、測定されたバイアスを参照してバイアスの線形成分を推定する（Ｓ１００８）。
以後、推定されたバイアスの線形成分で、メモリに保存されたバイアステーブルのバイアス線形成分を更新する（Ｓ１０１０）。以後、更新されたバイアステーブルによりバイアス補償が行われる。
図１１は、本発明の一実施形態に係るバイアステーブルの作成方法を示すフローチャートである。
図１１に示すように、バイアスプロファイルが作成される（Ｓ１１０２）。バイアスプロファイルは、ヘッドをディスク上で移動させつつ、ディスク全域にわたって測定して得られる。バイアスの測定方法は、種々あり、簡単には、トラックの追従時にＶＣＭに印加される駆動電流の直流（ｄｃ）成分を測定することにより得られる。
測定されたバイアスプロファイルを参照して、バイアスの線形成分及び非線形成分を求める（Ｓ１１０４）。バイアスの線形成分及び非線形成分を求めることについては、図５を参照して詳細に説明した。
求められたバイアスの線形成分及び非線形成分をバイアステーブルに収録する（Ｓ１１０６）。バイアスの線形成分は、図５を参照して求められる直線の方程式、すなわち、切片ａ０及び傾斜度ａ１で表される方程式として保存され、バイアスの非線形成分は、ディスク上のヘッドの位置によって保存される。
バイアステーブルは、ディスクのメンテナンスシリンダーまたは不活性メモリに保存され、以後にＨＤＤにより使用される。例えば、トラックの探索時のバイアスの補償のために使用される。
図１２は、本発明に係るバイアステーブルの作成方法の他の実施形態を示すフローチャートである。
図１２に示すように、バイアスプロファイルが作成される（Ｓ１２０２）。バイアスプロファイルは、ヘッドをディスク上で移動させつつ、ディスク全域にわたって測定して得られ、ＨＤＤの使用時間によって測定される。
それぞれのバイアスプロファイルに対するバイアスの非線形成分を求める（Ｓ１２０４）。それぞれのバイアスプロファイルに対するバイアスの非線形成分を平均することによって、バイアス補償のために使用されるバイアスの非線形成分を算出する（Ｓ１２０６）。
ＨＤＤがパワーオンになった直後に求められたバイアスプロファイルの線形成分、及びＳ１２０６で求められたバイアスの非線形成分をバイアステーブルに収録する（Ｓ１２０８）。バイアステーブルにＨＤＤがパワーオンになった直後に求められたバイアスプロファイルの線形成分を保存することは、ＨＤＤの使用初期において、ＨＤＤがパワーオンになった後、初期化動作中にメンテナンスシリンダーから読み取られてメモリに保存されたバイアステーブルが、バイアスの補償のために使用されるためである。
図１２に示す方法では、使用時間の経過によって測定された多様なバイアスプロファイルから得られるバイアスの非線形成分により、補償のために使用されるバイアスの非線形成分を算出するという特徴がある。
図１１及び図１２に示す本発明に係るバイアステーブルの作成方法は、ＨＤＤの製造工程、特に、バーンインテスト工程で行われることが望ましい。
図１３は、本発明が適用されるＨＤＤ １０の構成を示す図面である。ＨＤＤ １０は、スピンドルモータ１４によって回転される少なくとも一つの磁気ディスク１２を備えている。ＨＤＤ １０は、ディスク１２の表面に隣接して位置したヘッド１６をさらに備えている。
ヘッド１６は、それぞれのディスク１２の磁界を感知し、それを磁化させることによって回転するディスク１２に／から情報を記録かつ／または読み取ることができる。たとえ、単一のヘッド１６で図示されて説明されているが、これは、ディスク１２を磁化させるための記録用ヘッドと、ディスク１２の磁界を感知するための分離された読み取り用ヘッドとを事実上備えると理解されねばならない。読み取り用ヘッドは、磁気抵抗（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ：ＭＲ）素子から構成される。
ヘッド１６は、スライダー２０に統合されうる。スライダー２０は、ヘッド１６とディスク１２との間に空気軸受を生成させる構造になっている。スライダー２０は、ヘッドジンバルアセンブリ（Ｈｅａｄ Ｇｉｍｂａｌ Ａｓｓｅｍｂｌｙ：ＨＧＡ）２２に結合されている。ＨＧＡ ２２は、ボイスコイル２６を有するアクチュエータアーム２４に付着されている。ボイスコイル２６は、ＶＣＭ ３０を特定するマグネチックアセンブリ２８に隣接して位置している。ボイスコイル２６に供給される電流は、軸受アセンブリ３２に対してアクチュエータアーム２４を回転させるトルクを発生させる。アクチュエータアーム２４の回転は、ディスク１２を横切ってヘッド１６を移動させる。
情報は、典型的にディスク１２の環状トラック３４内に保存される。各トラック３４は、一般的に、複数のセクターを備えている。各セクターは、データフィールド及び識別フィールドを備えている。識別フィールドは、セクター及びトラック（シリンダー）を識別するグレーコードから構成されている。ヘッド１６は、他のトラックにある情報を読み取るか、または記録するために、ディスク１２を横切って移動する。他のトラックを横切ってヘッドを移動させることを、一般的に、トラック探索ルーチンという。
図１４は、図１３に示す装置の回路構成を示すブロック図である。図１４に示すように、ＨＤＤは、ディスク１２、磁気ヘッド１６、プリアンプ２１０、記録／読み取りチャンネル２２０、バッファ２３０、コントローラ２４０、ＲＯＭ
２５０Ａ、ＲＡＭ ２５０Ｂ、ホストインターフェース２６０及びＶＣＭ駆動部２７０を備える。
ＲＯＭ ２５０Ａには、ソフトウェアルーチンを実行させるために、コントローラ２４０によって使用される各種の命令語及びデータが保存されている。ソフトウェアルーチンの一つとして、ＨＤＤのバイアステーブルを参照してバイアスを補償しつつ、一つのトラックから他のトラックにヘッド１６を移動させる探索制御ルーチンがある。また、ＲＯＭ
２５０Ａには、一例として、トラックの探索のためのサイン波形の加速度、速度及び位置軌跡を生成させるための方程式が保存されている。
ＲＡＭ ２５０Ｂには、ドライブの駆動初期にＲＯＭ ２５０Ａまたはディスク１２で読み取ったＨＤＤの駆動に必要な情報が保存される。特に、ＲＡＭ ２５０Ｂには、トラックの探索時にバイアスの補償のために参照するバイアステーブルが保存されている。
コントローラ２４０は、ホストインターフェース２６０を通じてホスト機器（図示せず）から受信されるコマンドを分析し、分析された結果に相応する制御を実行する。コントローラ２４０は、ＶＣＭの励起及び磁気ヘッド１６の動きを制御するために、ＶＣＭ駆動回路２７０に制御信号を供給する。
まず、一般的なＨＤＤの動作を説明すれば、次の通りである。データ読み取りモードで、ＨＤＤは、ディスク１２から磁気ヘッド１６の読み取り用ヘッドによって感知された電気的な信号をプリアンプ２１０で一次的に増幅する。その後、記録／読み取りチャンネル２２０では、自動利得制御回路（図示せず）によって利得を制御して、プリアンプ２１０で増幅された信号を一定のレベルに増幅し、自動利得制御回路によって一定のレベルに増幅されたアナログ信号を、ホスト機器（図示せず）が読み取り可能なデジタル信号に符号化させ、ストリームデータに変換してバッファ２３０に一時保存させた後、ホストインターフェース２６０を通じてホスト機器に伝送する。
次に、書き込みモードで、ＨＤＤは、ホストインターフェース２６０を通じてホスト機器からデータを入力されてバッファ２３０に一時保存させた後に、バッファ２３０に保存されたデータを順次に出力して、記録／読み取りチャンネル２２０によって記録チャンネルに適したバイナリデータストリームに変換させた後、プリアンプ２１０によって増幅された記録電流を磁気ヘッド１６の記録用ヘッドを通じてディスク１２に記録させる。
では、コントローラ２４０で行われるトラックの探索方法について詳細に説明する。トラック探索動作において、コントローラ２４０は、探索距離による探索時間を計算し、計算された探索時間に基づいて加速度、速度及び位置軌跡を生成させて、ＶＣＭの駆動電流を制御するプロセスを実行する。このとき、コントローラ２４０は、ＲＡＭ ２５０Ｂに保存されたバイアステーブルを参照してＶＣＭの駆動電流を補償する。
図１５は、図１４に示すコントローラ２４０によって行われるハードウェア及びソフトウェアから構成された典型的なトラック探索サーボ制御システムを示す。
シーク軌跡生成器６０は、ヘッド１６がトラック３４に記録されたグレーコードを読み取る度に、正弦波の加速度軌跡、加速度軌跡を積分して得た速度及び位置軌跡からヘッド１６の設計位置ｘｄ（ｎ）、設計速度ｖｄ（ｎ）及び設計加速度ａｄ（ｎ）を計算する。
状態推定器６２は、入力される位置エラー信号及び制御信号ｕｋから状態方程式を利用して、ヘッドの実際位置及び実際速度情報を含むヘッド動きの状態変数値を推定するプロセスを実行する。
第１合算器６４は、設計位置値ｘｄ（ｎ）から実際位置値ｘｒ（ｎ）を減算する。そして、位置制御利得補償器６６は、第１合算器６４で演算された設計位置値と実際位置値との差に、位置補正のための位置利得ｋｐを乗算した位置補正値を生成させる。
次に、第２合算器６８は、位置制御利得補償器６６で生成された位置補正値に、設計速度値ｖｄ（ｎ）を合算した後、実際速度値ｖｒ（ｎ）を減算する。
速度制御利得補償器７０は、第２合算器６８で演算された値に、速度補正のための速度利得ｋｖを乗算した速度補正値を生成する。
次に、第３合算器７２は、速度補正値と設計加速度値とを合算して、シーク駆動電流制御値ｕｋ（ｎ）を生成する。
バイアスフォース補償器７４は、ＲＡＭ ２５０Ｂに保存されたバイアステーブルを参照して、シーク駆動電流制御値ｕｋ（ｎ）でのヘッド１６の位置によるバイアスが補償されたシーク駆動電流制御値を生成し、これをＶＣＭドライバ７６に印加する。それにより、ＶＣＭドライバ７６は、バイアスが補償されたシーク駆動電流制御値に相応する電流をヘッドディスクアセンブリ１０のボイスコイルに供給することによって、ＶＣＭを回転させてヘッド１６を移動させる。
サイン波形の探索サーボアルゴリズムによる加速度、速度、位置軌跡及び電流軌跡は、次の数式１から求めることができる。
Figure 0004927483
ここで、ＴＳＫは、探索時間であり、ＩＭは、ボイスコイルに供給される最大電流であり、ＫＡは、加速度定数をそれぞれ表す。
所定の探索長さＸＳＫに対して、時間ｔは、探索時間ＴＳＫと同じであり、次のような関係を有する。
Figure 0004927483
数式２及び数式３を利用して、所定の探索長さＸＳＫに対して必要とする探索時間ＴＳＫを求めることができる。
Figure 0004927483
数式３によれば、ＶＣＭに印加される電流ＩＭによって限定されるサイン波形の計算されたシーク軌跡を生成させるという点を表す。
しかし、実際にヘッド１６の動きは、それに作用するバイアスにより撹乱されるので、これを補償する必要がある。
コントローラ２４０は、ＲＡＭ ２５０Ｂに保存されたバイアステーブルを参照して、ＶＣＭに印加される電流ＩＭを補償する。
このために、図９のフローチャートを参照して説明されたように、コントローラ２４０は、ＨＤＤに電源が印加されるとき、ディスク１２のメンテナンスシリンダーに記録されたバイアステーブルをＲＡＭ ２５０Ｂに保存させる。
以後、コントローラ２４０は、トラックの探索時にＲＡＭ ２５０Ｂに保存されたバイアステーブルを参照してバイアス補償を行う。もし、バイアス補償において、エラー値が所定の範囲を逸脱すれば、コントローラ２４０は、ディスク１２上の二つの基準点でバイアスを測定し、測定されたバイアスによりバイアスの線形成分を推定し、推定されたバイアスの線形成分で、ＲＡＭ ２５０Ｂに保存されたバイアスの線形成分を更新する。
以後、トラック探索動作が開始されれば、コントローラ２４０は、ＲＡＭ ２５０Ｂに保存されたバイアスプロファイルを参照してバイアスを補償する。
添付された図面に図示されて説明された特定の実施形態は、単に本発明の例として理解され、本発明の範囲を限定するものではなく、当業界で本発明に記述された技術的思想の範囲でも多様な他の変更が発生しうるので、本発明は、表示されるか、または記述された特定の構成及び配列に制限されないということは明らかである。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は、ハードディスクドライブに関連した技術分野に好適に適用されうる。
ＨＤＤで測定されたバイアスプロファイルの例を示すグラフである。 ＨＤＤにおいて、ディスク上の領域分割の例を示す図面である。 バイアスの非線形成分を図式的に示すグラフである。 バイアスの非線形成分を図式的に示すグラフである。 バイアスの非線形成分を図式的に示すグラフである。 バイアスの非線形成分を図式的に示すグラフである。 バイアスプロファイルからバイアスの線形成分及び非線形成分を求めることを図式的に示すグラフである。 ＨＤＤの使用時間の経過によって測定されたバイアスプロファイルと、それぞれのバイアスプロファイルに相応する線形成分とを示すグラフである。 本発明の一実施形態に係るＨＤＤのバイアスの算出方法を示すフローチャートである。 図７に示す本発明の一実施形態に係るバイアスの算出方法において、バイアスの線形成分を推定する方法を図式的に示すグラフである。 本発明の一実施形態に係るバイアスの算出方法の効果を示すグラフである。 本発明の一実施形態に係るバイアスの補償方法を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態に係るバイアステーブルの作成方法を示すフローチャートである。 本発明に係るバイアステーブルの作成方法の他の実施形態を示すフローチャートである。 本発明が適用されるＨＤＤの構成を示す図面である。 図１３に示す装置の回路構成を示すブロック図である。 図１４に示すコントローラによって行われるハードウェア及びソフトウェアから構成された典型的なトラック探索サーボ制御システムを示すブロック図である。
符号の説明
１０ ＨＤＤ
１２ 磁気ディスク
１４ スピンドルモータ
１６ ヘッド
２０ スライダー
２２ ＨＧＡ
２４ アクチュエータアーム
２６ ボイスコイル
２８ マグネチックアセンブリ
３０ ＶＣＭ
３２ 軸受アセンブリ
３４ 環状トラック
６０ シーク軌跡生成器
６２ 状態推定器
６４ 第１合算器
６６ 位置制御利得補償器
６８ 第２合算器
７０ 速度制御利得補償器
７２ 第３合算器
７４ バイアスフォース補償器
７６ ＶＣＭドライバ

Claims (14)

  1. 予め抽出されたディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を読み出す過程と、
    ハードディスクドライブの動作条件の変化によって、前記ディスク上の二つの基準点でバイアスを測定する過程と、
    前記二つの基準点で測定されたバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分を推定する過程と、
    推定されたバイアスの線形成分と抽出されたバイアスの非線形成分とを組み合わせて、前記ハードディスクドライブの動作条件の変化による前記ディスクの一つの地点でバイアスを算出する過程と、
    を含むことを特徴とする、ハードディスクドライブのバイアスの算出方法。
  2. 前記動作条件は、前記ハードディスクドライブに電源が印加された以後の使用時間であることを特徴とする、請求項１に記載のハードディスクドライブのバイアスの算出方法。
  3. 前記動作条件は、前記ハードディスクドライブの動作温度であることを特徴とする、請求項１に記載のハードディスクドライブのバイアスの算出方法。
  4. 前記バイアスの非線形成分を抽出する過程は、
    前記ディスク全域にわたったバイアスを近似化する直線を設定する過程と、
    前記ディスク全域にわたったバイアスと前記直線との差により前記バイアスの非線形成分を抽出する過程と、を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のハードディスクドライブのバイアスの算出方法。
  5. 前記直線は、前記ディスク全域にわたったバイアスと前記直線との差の総和が最小になるように設定されることを特徴とする、請求項４に記載のハードディスクドライブのバイアスの算出方法。
  6. 前記直線は、前記ディスク全域にわたったバイアスと前記直線との差の二乗根の総和が最小になるように設定されることを特徴とする、請求項５に記載のハードディスクドライブのバイアスの算出方法。
  7. 前記ディスク全域にわたってバイアスを測定する過程及びバイアスの非線形成分を抽出する過程は、前記ハードディスクドライブの製造工程で行われることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のハードディスクドライブのバイアスの算出方法。
  8. 前記ディスク全域にわたってバイアスを測定する過程は、前記ハードディスクドライブに電源が印加された直後に行われることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載のハードディスクドライブのバイアスの算出方法。
  9. ディスク全域にわたってバイアスを測定し、測定されたバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分、及び前記ディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を抽出する過程と、
    前記バイアスの線形成分及び非線形成分をバイアステーブルに保存する過程と、
    ハードディスクドライブがパワーオンになれば、前記バイアステーブルを参照してバイアスを補償する過程と、を含み、
    前記バイアスを補償する過程は、
    前記ハードディスクドライブの動作条件が変化すれば、前記ディスク上の二つの基準点でバイアスを測定する過程と、
    前記測定された２箇所のバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって変化するバイアスの線形成分を推定する過程と、
    推定されたバイアスの線形成分により、前記バイアステーブルに保存された前記バイアスの線形成分を更新する過程と、
    前記更新されたバイアステーブルを参照して、推定されたバイアスの線形成分と抽出されたバイアスの非線形成分とを組み合わせて、前記ハードディスクドライブの動作条件の変化による前記ディスクの一つの地点でバイアスを算出してバイアスを補償する過程と、
    を含むことを特徴とする、ハードディスクドライブのバイアスの補償方法。
  10. ディスク全域にわたってバイアスを測定し、測定されたバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分、及び前記ディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を抽出する過程と、
    前記バイアスの線形成分及び非線形成分を保存するバイアステーブルを作成する過程と、
    前記ハードディスクドライブの動作条件が変化すれば、前記ディスク上の基準点でバイアスを測定する過程と、
    前記基準点で測定されたバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって変化するバイアスの線形成分を推定する過程と、
    前記バイアスの線形成分とバイアスの非線形成分とを組み合わせて、前記ハードディスクドライブの動作条件の変化による前記ディスクの一つの地点でバイアスを算出するために、推定されたバイアスの線形成分により、前記バイアステーブルに保存された前記バイアスの線形成分を更新する過程と、
    を含むことを特徴とする、ハードディスクドライブのバイアステーブルの作成方法。
  11. ハードディスクドライブのヘッドに印加されるバイアスを算出する方法が記録されたコンピュータで読み取り可能な記録媒体において、
    予め抽出されたディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を読み出す過程と、
    前記ハードディスクドライブの動作条件の変化によって、前記ディスク上の二つの基準点でバイアスを測定する過程と、
    前記二つの基準点で測定されたバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分を推定する過程と、
    推定されたバイアスの線形成分と抽出されたバイアスの非線形成分とに基づいて、前記ハードディスクドライブの動作条件の変化による前記ディスクの一つの地点でバイアスを算出する過程と、
    を実行させるためのプログラムが記録された記録媒体。
  12. ハードディスクドライブのヘッドに印加されるバイアスを補償する方法を行うプログラムが記録されたコンピュータで読み取り可能な記録媒体において、
    ディスク全域にわたってバイアスを測定し、測定されたバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分、及び前記ディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を抽出する過程と、
    前記バイアスの線形成分及び非線形成分をバイアステーブルに保存する過程と、
    ハードディスクドライブがパワーオンになれば、前記バイアステーブルを参照してバイアスを補償する過程と、
    を実行させるためのプログラムが記録された記録媒体であって、
    前記バイアスを補償する過程は、
    前記ハードディスクドライブの動作条件が変化すれば、前記ディスク上の二つの基準点でバイアスを測定する過程と、
    前記測定された２箇所のバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって変化するバイアスの線形成分を推定する過程と、
    推定されたバイアスの線形成分により、前記バイアステーブルに保存された前記バイアスの線形成分を更新する過程と、
    前記更新されたバイアステーブルを参照して、推定されたバイアスの線形成分と抽出されたバイアスの非線形成分とを組み合わせて、前記ハードディスクドライブの動作条件の変化による前記ディスクの一つの地点でバイアスを算出してバイアスを補償する過程と、
    を含む記録媒体。
  13. ハードディスクドライブのヘッドに印加されるバイアスを補償するためのバイアステーブルを作成する方法を行うプログラムが記録されたコンピュータで読み取り可能な記録媒体において、
    ディスク全域にわたってバイアスを測定し、測定されたバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分、及び前記ディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を抽出する過程と、
    前記バイアスの線形成分及び非線形成分を保存するバイアステーブルを作成する過程と、
    前記ハードディスクドライブの動作条件が変化すれば、前記ディスク上の基準点でバイアスを測定する過程と、
    前記基準点で測定されたバイアスに基づいて、前記ディスク全域にわたって変化するバイアスの線形成分を推定する過程と、
    前記バイアスの線形成分とバイアスの非線形成分とを組み合わせて、前記ハードディスクドライブの動作条件の変化による前記ディスクの一つの地点でバイアスを算出するために、推定されたバイアスの線形成分により、前記バイアステーブルに保存された前記バイアスの線形成分を更新する過程と、
    を実行させるためのプログラムが記録された記録媒体。
  14. 情報を保存するディスクと、
    前記ディスクを回転させるスピンドルモータと、
    前記ディスクに情報を記録し、前記ディスクから情報を読み取るヘッドと、
    前記ヘッドを移動させるボイスコイルモータと、
    前記ヘッドに印加されるバイアスを補償するためのバイアステーブルを保存するメモリと、
    トラック追従動作でバイアスを測定し、トラック探索モードで前記メモリに保存されたバイアステーブルを参照してバイアスを補償するコントローラと、を備え、
    前記メモリは、ディスク全域にわたって線形的に変化するバイアスの線形成分、及びディスク全域にわたって非線形的に変化するバイアスの非線形成分を保存し、
    前記コントローラは、ハードディスクドライブがパワーオンになれば、前記バイアステーブルを参照してバイアスを補償し、ハードディスクドライブの動作条件が変化すれば、ディスク上の基準点でバイアスを測定し、前記基準点で測定されたバイアスに基づいて、ディスク全域にわたって変化するバイアスの線形成分を推定し、前記推定されたバイアスの線形成分により前記バイアステーブルに保存されたバイアスの線形成分を更新し、前記更新されたバイアステーブルを参照して、推定されたバイアスの線形成分と抽出されたバイアスの非線形成分とを組み合わせて、前記ハードディスクドライブの動作条件の変化による前記ディスクの一つの地点でバイアスを算出してバイアスを補償することを特徴とするハードディスクドライブ。
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