JP4923480B2 - Exposure apparatus, device manufacturing method, and measurement member - Google Patents
Exposure apparatus, device manufacturing method, and measurement member Download PDFInfo
- Publication number
- JP4923480B2 JP4923480B2 JP2005241055A JP2005241055A JP4923480B2 JP 4923480 B2 JP4923480 B2 JP 4923480B2 JP 2005241055 A JP2005241055 A JP 2005241055A JP 2005241055 A JP2005241055 A JP 2005241055A JP 4923480 B2 JP4923480 B2 JP 4923480B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- liquid
- exposure apparatus
- light
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置、及びデバイス製造方法に関するものである。 The present invention relates to an exposure apparatus that exposes a substrate through a liquid and a device manufacturing method.
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、露光光の光路を液体で満たし、その液体を介して基板を露光する液浸露光装置が案出されている。
ところで、液浸露光装置において、所定の計測部を用いて計測を行う場合、その計測部上に液体の液浸領域を形成することが考えられる。その場合において、例えば計測部上の液体の除去動作を行った後、計測部上に液体が残留すると、残留した液体に起因して、その計測部を用いた計測精度が劣化する可能性がある。 By the way, in the immersion exposure apparatus, when measurement is performed using a predetermined measurement unit, it is conceivable to form a liquid immersion region on the measurement unit. In that case, for example, if the liquid remains on the measurement unit after performing the liquid removal operation on the measurement unit, the measurement accuracy using the measurement unit may deteriorate due to the remaining liquid. .
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液浸露光装置における計測部を用いた計測精度の劣化を抑え、基板を良好に露光することができる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an exposure apparatus that can satisfactorily expose a substrate while suppressing deterioration in measurement accuracy using a measurement unit in an immersion exposure apparatus, and the exposure apparatus thereof An object of the present invention is to provide a device manufacturing method using the device.
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。 In order to solve the above-described problems, the present invention employs the following configurations corresponding to the respective drawings shown in the embodiments. However, the reference numerals with parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.
本発明の第1の態様に従えば、液体(LQ)を介して基板(P)を露光する露光装置において、所定面(5F)上に設けられた計測部(61)を含むように設定された第1領域(81)と、所定面(5F)上で第1領域(81)の周囲に設定され、第1領域(81)よりも液体(LQ)に対して撥液性を有する第2領域(82)とを備え、第1領域(81)は、該第1領域(81)での液体(LQ)の残留が抑制されるように、所定の大きさ以下に設定されている露光装置(EX)が提供される。 According to the first aspect of the present invention, the exposure apparatus that exposes the substrate (P) through the liquid (LQ) is set to include the measurement unit (61) provided on the predetermined surface (5F). The first region (81) and the second region which is set around the first region (81) on the predetermined surface (5F) and has a liquid repellency with respect to the liquid (LQ) than the first region (81). An exposure apparatus that is set to a predetermined size or less so that the liquid (LQ) remains in the first area (81). (EX) is provided.
本発明の第1の態様によれば、計測部を含む第1領域での液体の残留を抑制することができ、その計測部を用いた計測精度の劣化を抑制することができる。 According to the first aspect of the present invention, it is possible to suppress the remaining of the liquid in the first region including the measurement unit, and it is possible to suppress deterioration in measurement accuracy using the measurement unit.
本発明の第2の態様に従えば、液体(LQ)を介して基板(P)を露光する露光装置において、所定面(5F)上に設けられた計測部(61)を含むように設定された第1領域(81)と、所定面(5F)上で第1領域(81)の周囲に設定され、第1領域(81)よりも液体(LQ)に対して撥液性を有する第2領域(82)と、所定面(5F)上に、第1領域(81)を覆うように液体(LQ)の液浸領域(LR)を形成する液浸機構(12、13など)と、所定面(5F)を有する所定部材(5)を液浸領域(LR)に対して移動することによって、液浸領域(LR)を第1領域(81)とその外側の領域との間で移動可能な駆動機構(5D)と、液浸領域(LR)が第1領域(81)から退いたときに、第1領域(81)に液体(LQ)が残留しないように、第1領域(81)の大きさに応じて、所定部材(5)の移動条件を設定する制御装置(7)とを備えた露光装置(EX)が提供される。 According to the second aspect of the present invention, the exposure apparatus that exposes the substrate (P) through the liquid (LQ) is set to include the measurement unit (61) provided on the predetermined surface (5F). The first region (81) and the second region which is set around the first region (81) on the predetermined surface (5F) and has a liquid repellency with respect to the liquid (LQ) than the first region (81). A liquid immersion mechanism (12, 13, etc.) for forming a liquid immersion region (LR) of the liquid (LQ) on the predetermined surface (5F) so as to cover the first region (81) on the predetermined surface (5F); By moving the predetermined member (5) having the surface (5F) with respect to the liquid immersion region (LR), the liquid immersion region (LR) can be moved between the first region (81) and the outer region. When the liquid drive area (LR) and the liquid immersion area (LR) retreat from the first area (81), the liquid (L ) So as not to remain, depending on the size of the first region (81), an exposure apparatus provided with a control device (7) for setting a movement condition of a predetermined member (5) (EX) is provided.
本発明の第2の態様によれば、計測部を含む第1領域での液体の残留を抑制することができ、その計測部を用いた計測精度の劣化を抑制することができる。 According to the 2nd aspect of this invention, the residual of the liquid in the 1st area | region containing a measurement part can be suppressed, and deterioration of the measurement precision using the measurement part can be suppressed.
本発明の第3の態様に従えば、上記態様の露光装置(EX)を用いるデバイス製造方法が提供される。 According to the third aspect of the present invention, a device manufacturing method using the exposure apparatus (EX) of the above aspect is provided.
本発明の第3の態様によれば、計測部を用いた計測精度の劣化が抑制された露光装置を用いてデバイスを製造することができる。 According to the 3rd aspect of this invention, a device can be manufactured using the exposure apparatus by which the deterioration of the measurement precision using the measurement part was suppressed.
本発明によれば、液浸露光装置における計測部を用いた計測精度の劣化を抑え、基板を良好に露光することができ、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, deterioration of the measurement precision using the measurement part in an immersion exposure apparatus can be suppressed, a board | substrate can be exposed favorably, and the device which has desired performance can be manufactured.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.
図1は本実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ3と、基板Pを保持する基板ホルダ4Hを有し、基板ホルダ4Hに基板Pを保持して移動可能な基板ステージ4と、露光処理に関する計測を行う計測器を搭載し、基板ステージ4とは独立して移動可能な計測ステージ5と、各ステージの位置情報を計測するレーザ干渉システム6と、マスクステージ3に保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板P上に投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置7とを備えている。なお、ここでいう基板は半導体ウエハ等の基材上に感光材(フォトレジスト)を塗布したものを含み、マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。なお、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。
FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus EX according to the present embodiment. In FIG. 1, an exposure apparatus EX has a mask stage 3 that can move while holding a mask M, and a
本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとを走査方向に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクMと基板Pとの同期移動方向(走査方向)をY軸方向、水平面内においてY軸方向と直交する方向をX軸方向(非走査方向)、X軸及びY軸方向に垂直で投影光学系PLの光軸AXと平行な方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 In the present embodiment, the exposure apparatus EX uses a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that exposes a pattern formed on the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P synchronously in the scanning direction. An example will be described. In the following description, the synchronous movement direction (scanning direction) of the mask M and the substrate P in the horizontal plane is the Y-axis direction, the direction orthogonal to the Y-axis direction in the horizontal plane is the X-axis direction (non-scanning direction), the X-axis, and A direction perpendicular to the Y-axis direction and parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL is taken as a Z-axis direction. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.
本実施形態の露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、露光光ELの光路Kを液体LQで満たす液浸システム1を備えている。液浸システム1の動作は制御装置7に制御される。液浸システム1は、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1の下面と、投影光学系PLの像面側に配置された基板ホルダ4H上の基板Pの表面との間の露光光ELの光路Kを液体LQで満たして液浸領域LRを形成する。本実施形態においては、液体LQとして、水(純水)を用いる。
The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus to which an immersion method is applied in order to improve the resolution by substantially shortening the exposure wavelength and substantially increase the depth of focus. The
露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像を基板Pに投影している間、液浸システム1を用いて、露光光ELの光路Kを液体LQで満たす。露光装置EXは、投影光学系PLと露光光ELの光路Kに満たされた液体LQとを介してマスクMを通過した露光光ELを基板ホルダ4Hに保持された基板P上に照射することによって、マスクMのパターン像を基板P上に投影して、基板Pを露光する。また、本実施形態の露光装置EXは、第1光学素子LS1と基板Pとの間の露光光ELの光路Kに満たされた液体LQが、投影光学系PLの投影領域ARを含む基板P上の一部の領域に、投影領域ARよりも大きく且つ基板Pよりも小さい液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。
The exposure apparatus EX fills the optical path K of the exposure light EL with the liquid LQ using the
なお、液浸領域LRは、基板P上だけでなく、投影光学系PLの像面側において、第1光学素子LS1と対向する位置に配置された物体上、例えば基板ステージ4の一部や計測ステージ5の一部などにも形成可能である。
The liquid immersion region LR is not only on the substrate P but also on an object disposed at a position facing the first optical element LS1 on the image plane side of the projection optical system PL, for example, a part of the
照明系ILは、光源及び照明光学系を含んで構成されており、マスクM上の所定の照明領域IAを均一な照度分布の露光光ELで照明するものである。照明系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。本実施形態においては、光源としてArFエキシマレーザ装置が用いられ、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光が用いられる。 The illumination system IL includes a light source and an illumination optical system, and illuminates a predetermined illumination area IA on the mask M with exposure light EL having a uniform illuminance distribution. As the exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp, Further, vacuum ultraviolet light (VUV light) such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser light (wavelength 157 nm) is used. In this embodiment, an ArF excimer laser device is used as the light source, and ArF excimer laser light is used as the exposure light EL.
照明光学系は、フライアイレンズ等のオプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、リレー光学系、露光光ELによるマスクM上の照明領域IAを設定するブラインド装置30、及びコンデンサレンズ等を備えている。ブラインド装置30は、露光光ELの光路上に設けられ、マスクM上での露光光ELの照射領域(照明領域)IA、及び基板P上での露光光ELの照射領域(投影領域)ARを調整可能である。
The illumination optical system includes an illumination uniformizing optical system including an optical integrator such as a fly-eye lens, a relay optical system, a
マスクステージ3は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置3Dの駆動により、マスクMを保持した状態で、X軸、Y軸、及びθZ方向に移動可能である。マスクステージ3(ひいてはマスクM)の位置情報は、レーザ干渉システム6の一部を構成するレーザ干渉計6Mによって計測される。レーザ干渉計6Mは、マスクステージ3上に設けられた移動鏡3Kを用いてマスクステージ3の位置情報を計測する。制御装置7は、レーザ干渉計6Mの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置3Dを駆動し、マスクステージ3に保持されているマスクMの位置制御を行う。
The mask stage 3 is movable in the X-axis, Y-axis, and θZ directions while holding the mask M by driving a mask
投影光学系PLは、マスクMのパターン像を所定の投影倍率で基板Pに投影するものであって、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒PKで保持されている。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。 The projection optical system PL projects the pattern image of the mask M onto the substrate P at a predetermined projection magnification, and has a plurality of optical elements, and these optical elements are held by a lens barrel PK. The projection optical system PL of the present embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1/4, 1/5, 1/8 or the like. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. The projection optical system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Further, the projection optical system PL may form either an inverted image or an erect image.
基板ステージ4は、基板Pを保持する基板ホルダ4Hを有しており、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置4Dの駆動により、基板ホルダ4Hに基板Pを保持した状態で、ベース部材BP上で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。基板ホルダ4Hは、基板ステージ4上に設けられた凹部4Rに配置されており、基板ステージ4のうち凹部4R以外の上面4Fは、基板ホルダ4Hに保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さ(面一)になるような平坦面となっている。なお、基板ホルダ4Hに保持された基板Pの表面と、基板ステージ4の上面4Fとの間に段差があってもよい。
The
基板ステージ4(ひいては基板P)の位置情報は、レーザ干渉システム6の一部を構成するレーザ干渉計6Pによって計測される。レーザ干渉計6Pは、基板ステージ4に設けられた移動鏡4Kを用いて、基板ステージ4のX軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ステージ4に保持されている基板Pの表面の面位置情報(Z軸、θX、及びθY方向に関する位置情報)は、不図示のフォーカス・レベリング検出系によって検出される。制御装置7は、レーザ干渉計6Pの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置4Dを駆動し、基板ステージ4に保持されている基板Pの位置制御を行う。
The position information of the substrate stage 4 (and consequently the substrate P) is measured by a
計測ステージ5は、基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサ等、露光処理に関する計測を行う計測器を搭載しており、リニアモータ等のアクチュエータを含む計測ステージ駆動装置5Dの駆動により、計測器を搭載した状態で、ベース部材BP上で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。計測ステージ5の位置情報は、レーザ干渉システム6の一部を構成するレーザ干渉計6Pによって計測される。レーザ干渉計6Pは、計測ステージ5に設けられた移動鏡5Kを用いて、計測ステージ5のX軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報を計測する。制御装置7は、レーザ干渉計6Pの計測結果に基づいて、計測ステージ駆動装置5Dを駆動し、計測ステージ5の位置制御を行う。なお、計測ステージを備えた露光装置については、例えば特開平11−135400号公報や特開2000−164504号公報等により詳細に開示されている。
The measurement stage 5 is equipped with a measuring device that performs measurement related to exposure processing, such as a reference member on which a reference mark is formed, various photoelectric sensors, and the like, and by driving a measurement
次に、液浸システム1について説明する。液浸システム1は、投影光学系PLの第1光学素子LS1と、その第1光学素子LS1と対向する位置に配置され、基板ホルダ4Hに保持された基板Pとの間の露光光ELの光路Kを液体LQで満たす。液浸システム1は、第1光学素子LS1と基板Pとの間の露光光ELの光路Kの近傍に設けられ、その光路Kに対して液体LQを供給するための供給口12及び液体LQを回収するための回収口22を有するノズル部材71と、供給管13、及びノズル部材71の内部に形成された供給流路を介して供給口12に液体LQを供給する液体供給装置11と、ノズル部材71の回収口22から回収された液体LQを、ノズル部材71の内部に形成された回収流路、及び回収管23を介して回収する液体回収装置21とを備えている。供給口12と供給管13とは供給流路を介して接続されており、回収口22と回収管23とは回収流路を介して接続されている。本実施形態においては、ノズル部材71は、露光光ELの光路Kを囲むように環状に設けられており、液体LQを供給する供給口12は、ノズル部材71のうち、露光光ELの光路Kを向く内側面に設けられ、液体LQを回収する回収口22は、ノズル部材71のうち、基板Pの表面と対向する下面に設けられている。
Next, the
液体供給装置11は、清浄で温度調整された液体LQを送出可能である。また、液体回収装置21は、真空系等を備えており、液体LQを回収可能である。液体供給装置11及び液体回収装置21の動作は制御装置7に制御される。液体供給装置11から送出された液体LQは、供給管13、及びノズル部材71の供給流路を流れた後、供給口12より露光光ELの光路Kに供給される。また、液体回収装置21を駆動することにより回収口22から回収された液体LQは、ノズル部材71の回収流路を流れた後、回収管23を介して液体回収装置21に回収される。制御装置7は、液浸システム1を制御して、供給口12からの液体供給動作と回収口22を介した液体回収動作とを並行して行うことで、第1光学素子LS1と基板Pとの間の露光光ELの光路Kを液体LQで満たし、液浸領域LRを形成する。
The
図2は基板ステージ4及び計測ステージ5の動作の一例を説明するための模式図である。制御装置7は、ステージ駆動装置4D、5Dを用いて、基板ステージ4及び計測ステージ5のそれぞれをベース部材BP上で互いに独立して移動可能である。また、制御装置7は、基板ステージ4と計測ステージ5との位置関係を調整可能である。例えば、図2に示すように、制御装置7は、基板ステージ4と計測ステージ5とを接近又は接触させることができ、基板ステージ4の上面4Fと計測ステージ5の上面5Fとをほぼ同じ高さ(面一)にすることができる。また、制御装置7は、基板ステージ4の上面4Fと計測ステージ5の上面5Fとを接近又は接触させた状態で、基板ステージ4と計測ステージ5とをXY方向に一緒に移動することにより、液浸システム1によって形成された液浸領域LRを、基板ステージ4の上面4Fと計測ステージ5の上面5Fとの間で移動することができる。
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining an example of operations of the
また、基板ステージ4の上面4Fは、液体LQに対して撥液性を有している。本実施形態においては、上面4Fは、ポリ四フッ化エチレン等のフッ素系材料等の撥液性を有する材料を含む。また、計測ステージ5の上面5Fのうち、後述する第1領域81以外の領域も、基板ステージ4の上面4Fと同様に、液体LQに対して撥液性を有する材料で被覆されている。
The
図3は計測ステージ5の平面図である。上述のように、計測ステージ5は、露光処理に関する各種計測を行うための複数の計測器(計測部材)を備えている。計測ステージ5の上面5Fの所定位置には、第1の光透過部40が形成されており、その光透過部40の下方(−Z方向)には、例えば国際公開第99/60361号パンフレット(対応する欧州特許第1,079,223号明細書)等に開示されるような、波面収差計測器41が配置されている。
FIG. 3 is a plan view of the measurement stage 5. As described above, the measurement stage 5 includes a plurality of measuring instruments (measurement members) for performing various measurements related to the exposure process. A first
また、計測ステージ5の上面5Fの所定位置には、第2の光透過部42が形成されており、その光透過部42の下方(−Z方向)には、投影光学系PLを介して計測ステージ5上に照射される露光光ELに関する情報(光量、照度、照度むら等)を計測する露光光計測器43が配置されている。露光光計測器43としては、例えば特開昭57−117238号公報(対応する米国特許第4,465,368号)等に開示されているように照度むらを計測したり、特開2001−267239号公報に開示されているように投影光学系PLの露光光ELの透過率の変動量を計測するためのむら計測器、及び例えば特開平11−16816号公報(対応する米国特許出願公開第2002/0061469号明細書)等に開示される照射量計測器(照度計測器)を用いることができる。
Further, a second
また、計測ステージ5の上面5Fの所定位置には、複数の基準マークが形成された基準板44が設けられている。基準板44には、例えば特開平7−176468号公報に開示されているような、VRA(Visual Reticle Alignment)方式のアライメント系で計測される基準マーク45、及び例えば特開平4−65603号公報に開示されているような、FIA(Field Image Alignment)方式のアライメント系で計測される基準マーク46が設けられている。
A
また、計測ステージ5の上面5Fの所定位置には、透明部材47が設けられており、その透明部材47の下方(−Z方向)には、投影光学系PLの第1光学素子LS1や、透明部材47上に形成された液体LQの液浸領域LRの画像(光学像)を取得可能な観察用カメラが設けられている。観察用カメラは、光学系及び撮像素子を備えており、液浸領域LR等の画像を透明部材47を介して取得する。
Further, a
また、計測ステージ5の上面5Fの所定位置には、スリット状の光透過部61が形成されており、その光透過部(スリット)61の下方(−Z方向)には、例えば特開2002−14005号公報や特開2002−198303号公報に開示されているような、投影光学系PLの結像特性(光学特性)を計測する空間像計測器60が配置されている。
In addition, a slit-like
図4はスリット61近傍の断面図、図5は平面図である。図4及び図5において、スリット61はスリット板65に形成されている。図4に示すように、計測ステージ5の5Fの一部には開口5Rが形成されており、その開口5Rにスリット板65が嵌め込まれている。また、計測ステージ5には、開口5Rに接続する内部空間が形成されている。空間像計測器60は、スリット61を通過した光を受光する受光素子63を備えている。スリット板65の下方には、受光素子63が隙間無く配置されており、スリット61からの光は、気体空間を通過せずに受光素子63に入射する。開口5Rに嵌め込まれたスリット板65の上面と、計測ステージ5の上面5Fとほぼ面一であり、スリット板65の上面は、計測ステージ5の上面5Fの一部を構成している。すなわち、本実施形態においては、スリット61は、スリット板65の上面を含む計測ステージ5の上面5Fに設けられている。
4 is a cross-sectional view in the vicinity of the
スリット板65は、透明なガラス板部材64と、そのガラス板部材64の上面に形成されたクロム等からなる遮光膜62とを備えており、その遮光膜62の一部に、遮光膜62が形成されていないスリット61が形成されている。ガラス板部材64の形成材料としては、ArFエキシマレーザ光あるいはKrFエキシマレーザ光に対する透過性を有する合成石英あるいは螢石などが用いられる。スリット61は、遮光膜62を例えばエッチング処理することで形成可能である。また、遮光膜62のスリット61近傍には段差62Dが設けられている。
The
スリット板65の上面(計測ステージ5の上面5F)は、スリット61を含むように設定された第1領域81と、スリット板65の上面(計測ステージ5の上面5F)で第1領域81の周囲に設定され、第1領域81よりも液体LQに対して高い撥液性を有する第2領域82とを備えている。スリット板65の上面(計測ステージ5の上面5F)のうち、第2領域82は撥液性材料からなる撥液膜68で被覆され、第1領域81は撥液膜68で被覆されていない。第2領域82においては、撥液膜68が最も上層(表層)に設けられている。撥液膜68は、フッ素系樹脂材料を含む材料で構成されている。本実施形態においては、撥液膜68は、旭硝子社製「サイトップ」によって形成されている。
The upper surface of the slit plate 65 (the
遮光膜62と撥液膜68との間には、光透過性を有する材料からなる中間膜66が設けられている。第1領域81においては、中間膜66が最も上層(表層)に設けられている。すなわち、第1領域81においては、中間膜66は、スリット61(スリット61から露出したガラス板部材64)、及び遮光膜62を覆っている。中間膜66は、スリット61における遮光膜62とガラス板部材64との段差や、遮光膜62の段差62Dを小さくするとともに、撥液膜68の密着性を高めるために設けられている。本実施形態において、中間膜66は、例えばSiO2(液化硬化SiO2)によって形成されている。
An
このように、第1領域81においては中間膜66が露出し、第2領域82においては撥液膜68が露出しており、第2領域82は第1領域81よりも液体LQに対して撥液性を有している。本実施形態においては、第1領域81(中間膜66)の液体LQに対する接触角は20〜30°程度、第2領域82(撥液膜68)の液体LQに対する接触角は105°程度である。
Thus, the
図5に示すように、撥液膜68が設けられていない第1領域81は、第1領域81及びその近傍での液体LQの残留が抑制されるように、所定の大きさ以下に設定されている。本実施形態においては、第1領域81は略円形状であり、その直径Dは1mm以下に設定されている。
As shown in FIG. 5, the
なお、スリット61の長さは10〜15μm程度、幅は0.2μm程度の微小なものである。また、図では、X軸方向を長手方向とするスリット61が1つだけ図示されているが、実際には、X軸方向を長手方向とするスリットとY軸方向を長手方向とするスリットとがそれぞれ複数ずつ設けられている。そして、それら複数のスリットが第1領域81内に配置されている。
The length of the
なお、スリット板65の上面の一部に第1領域81を設ける場合には、例えば、まずスリット板65の上面の全域に、撥液膜68を設けた後、その撥液膜68の一部(第1領域81に対応する領域の撥液膜)を除去する。撥液膜68の一部を除去する処理としては、例えば、ドライエッチング処理が挙げられる。もちろん、スリット板65に撥液膜68を被覆(塗布)するときに、第1領域81に対応する領域には、その撥液膜68を塗布しないようにすることで、第1領域81を形成することができる。
In the case where the
次に、空間像計測器60を用いて投影光学系PLの結像特性を計測する方法について図6を参照して説明する。図6(A)は投影光学系PLの像面側に形成された液浸領域LRとスリット板65との位置関係を模式的に示す側面図、図6(B)は平面図である。
Next, a method for measuring the imaging characteristics of the projection optical system PL using the aerial
図6に示すように、制御装置7は、液浸システム1を用いて、投影光学系PLとスリット板65との間を液体LQで満たす。液浸システム1は、計測ステージ5の上面5Fに、第1領域81を覆うように液体LQの液浸領域LRを形成する。制御装置7は、第1領域81を覆うように液浸領域LRを形成した状態で、スリット61を用いて計測処理を行う。また、スリット61を含む空間像計測器60を用いて計測処理を行うに際し、マスクステージ3には、空間像計測用パターンが形成された計測用マスクが保持される。
As shown in FIG. 6, the control device 7 uses the
制御装置7は、照明系ILより露光光ELを射出する。露光光ELは、計測用マスク、投影光学系PL、及び液浸領域LRの液体LQを通過した後、スリット板65に照射される。スリット板65のスリット61を通過した光は、空間像計測器60の受光素子63に受光される。受光素子63は、受光量に応じた光電変換信号(光量信号)を制御装置7に出力する。制御装置7は、受光素子63の受光結果に基づいて所定の演算処理を行い、投影光学系PL及び液体LQを介した結像特性を求める。このように、制御装置7は、液浸領域LRの液体LQを介してスリット61に露光光ELを照射することによって、計測処理を行う。
The control device 7 emits exposure light EL from the illumination system IL. The exposure light EL is applied to the
ここで、制御装置7は、照明系ILのブラインド装置30を用いて、計測用マスク上の照明領域IA、ひいてはスリット板65上の投影領域ARの大きさを調整し、露光光ELを照射するようにしてもよい。具体的には、制御装置7は、露光光ELが第1領域81の内側のみに照射されるようにブラインド装置30を調整し、第2領域82には露光光ELが照射されないようにすることができる。
Here, the control device 7 uses the
本実施形態の撥液膜68は、露光光EL(紫外光)に対して耐性を有しているものの、露光光EL(紫外光)の照射により、その撥液性が劣化したり、あるいはその表面状態が劣化する(荒れる)等、その品質が劣化する不具合が発生する可能性がある。そのため、露光光ELが照射されるスリット61を覆うように撥液膜68を設けた場合、露光光ELの照射により、その露光光ELの照射された部分の撥液膜68の品質が劣化し、その後の計測処理に影響を及ぼしたり、計測精度が劣化する可能性がある。
Although the
本実施形態においては、露光光ELが照射されるスリット61を含む第1領域81には撥液膜68が設けられていないので、上述のような不具合の発生を防止することができる。
In the present embodiment, since the
一方、第2領域82を含む計測ステージ5の上面5Fの大部分の領域を撥液性にすることにより、液浸領域LRが計測ステージ5上から退いた後にも、液体LQの残留を防止することができる。
On the other hand, the liquid LQ is prevented from remaining even after the liquid immersion area LR has retreated from the measurement stage 5 by making the most area of the
スリット61を含む第1領域81を覆うように液浸領域LRを形成した状態での空間像計測器60による計測処理が完了した後、図7に示すように、制御装置7は、計測ステージ駆動装置5Dを用いて、上面5Fを有する計測ステージ5を、投影光学系PLの像面側に形成されている液体LQの液浸領域LRに対してXY方向に移動し、その液浸領域LRを第1領域81の外側の領域に移動する。すなわち、制御装置7は、計測ステージ5を移動することによって、液浸領域LRを第1領域81から退かす。
After the measurement processing by the aerial
本実施形態においては、第1領域81の大きさは、液浸領域LRが第1領域81から退いたときに、第1領域81及びその近傍に液体LQが残留しないように設定されている。第1領域81及び/又はその近傍に液体LQが残留した場合、その残留した液体LQが気化するときの気化熱によって計測精度が劣化する可能性がある。また、第1領域81に液体LQが残留した場合、その残留した液体LQが気化することによって、スリット61を含む第1領域81に液体LQの付着跡(本実施形態ではウォーターマーク)が形成される可能性がある。ウォーターマークは異物として作用するため、その後の計測動作に影響を及ぼしたり、計測精度を劣化させる等の不具合が発生する可能性がある。本実施形態では、第1領域81の大きさが最適に設定されているので、液浸領域LRが第1領域81から退いたときに、第1領域81及びその近傍に液体LQが残留することを防止することができる。
In the present embodiment, the size of the
次に、第1領域81の大きさを最適に設定するために行った実験及びその結果について、図8及び図9の模式図を参照しながら説明する。上面5F上に設けられたスリット81を含むように設定された第1領域81を覆うように液浸領域LRを形成した後、液浸領域LRに対して所定の移動速度で所定方向に上面5Fを移動し、第1領域81内及び/又はその近傍に液体LQが残留したかどうかを観察した。
Next, an experiment conducted for optimally setting the size of the
すなわち、図8(A)に示すように、上面5Fに設けられた第1領域81を覆うように液浸領域LRを形成した後、図8(B)に示すように、上面5Fを液浸領域LRに対して所定の移動速度で所定方向に移動し、第1領域81内及び/又はその近傍に液体LQが残留したかどうかを観察した。第1領域81の直径Dを1mm以下に設定した場合には、第1領域81及びその近傍には液体LQが残留しなかった。
That is, as shown in FIG. 8A, after forming the liquid immersion region LR so as to cover the
一方、図9の模式図に示すように、第1領域81の直径Dを2mm、4mmに設定した場合、第1領域81の近傍に液体LQの滴が残留した。
On the other hand, as shown in the schematic diagram of FIG. 9, when the diameter D of the
このように、本実験においては、第1領域81を直径1mm以下に設定することにより、液浸領域LRが第1領域81から退いたときに、第1領域81及びその近傍に液体LQが残留することを抑制することが分かった。
Thus, in this experiment, by setting the
なお、上述の第1領域81の大きさは一例であり、例えば計測ステージ5を移動するときの移動条件に応じて最適に設定してもよい。ここで、移動条件とは、計測ステージ5の移動速度、加速度(減速度)、及び移動方向の少なくとも一つを含む。例えば、液浸領域LRを第1領域81上から退かすときに、計測ステージ5の移動速度を遅くすることにより、第1領域81の大きさを1mmより大きくしても、第1領域81に液体LQが残留し難くなる可能性がある。また、例えば、液浸領域LRを第1領域81から退かすときの計測ステージ5の移動速度を高速化したい場合には、第1領域81の大きさを1mmより小さくすることが望ましい。
Note that the size of the
実験では、第1領域81の直径Dを4mmに設定し、計測ステージ5を500mm/sec.の移動速度で移動した場合、第1領域81の近傍に残留した液体LQの滴の数は、2又は3つであったが、250、350mm/sec.の移動速度で移動した場合、第1領域81の近傍に残留した液体LQの滴の数は、2つであるという結果を得た。また、第1領域81の直径Dを2mmに設定し、計測ステージ5を250、350、500mm/sec.の移動速度で移動した場合、第1領域81の近傍に残留した液体LQの滴の数は、それぞれ1つ、1つ、2つであった。また、第1領域81の直径Dを1mmに設定し、計測ステージ5を250、350、500mm/sec.の移動速度で移動した場合、第1領域81及びその近傍には液体LQは残留しなかった。
In the experiment, the diameter D of the
また、液浸領域LRを第1領域81から退かすときの計測ステージ5の加速度、減速度、及び移動方向などに応じて、第1領域81の大きさを設定することで、液体LQの残留を抑制できる可能性がある。このように、第1領域81の大きさを、計測ステージ5を移動するときの移動条件に応じて設定することで、液体LQの残留を抑制できる可能性がある。
Further, by setting the size of the
次に、上述の構成を有する露光装置EXを用いて基板Pを露光する方法について説明する。基板Pを露光する前に、上述した手順で、空間像計測器60を用いた投影光学系PLの結像特性の計測処理が行われる。
Next, a method for exposing the substrate P using the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described. Before the substrate P is exposed, the imaging characteristic measurement processing of the projection optical system PL using the aerial
第1領域81を覆うように液浸領域LRを形成した状態でスリット61を用いて計測処理を行った後(又は前)、制御装置7は、例えば露光光計測器43を用いた計測、基準板44を用いた計測、及び波面収差計測器41を用いた計測の少なくとも一つを行うことができる。本実施形態では、計測ステージ5の上面5Fのうち、光透過部42を含む所定領域(第1領域)の撥液膜68が所定の大きさ(直径1mm)で除去されているので、露光光計測器43を用いた計測動作終了後、その光透過部42を含む第1領域から液浸領域LRを退かしても、その第1領域及びその近傍に液体LQが残留することが防止されている。同様に、本実施形態においては、計測ステージ5の上面5Fのうち、光透過部40を含む所定領域(第1領域)、及び基準板44の基準マーク45、46を含む所定領域(第1領域)でも撥液膜68が除去されており、それら第1領域も直径1mm以下の大きさとなっているので、計測動作終了後に第1領域から液浸領域LRを退かしても、その第1領域及びその近傍に液体LQが残留することが防止されている。
After the measurement process is performed (or before) using the
計測ステージ5での計測処理が終了した後、制御装置7は、図2を用いて説明したように、基板ステージ4と計測ステージ5とを接触(又は接近)させ、基板ステージ4と計測ステージ5との相対的な位置関係を維持しつつ、ステージ駆動装置4D、5Dを用いて、基板ステージ4と計測ステージ5とをXY平面内で一緒に移動することによって、液浸領域LRを、計測ステージ5の上面5Fから基板ステージ4の上面4Fへ移動する。制御装置7は、計測ステージ5で計測した結果を用いて、例えば投影光学系PLの結像特性の調整処理(キャリブレーション処理)など、所定の処理を適宜行う。また、マスクステージ3にはデバイスを製造するためのマスクMが保持され、基板ステージ4にはデバイスを製造するための基板Pが保持される。制御装置7は、照明系ILより露光光ELを射出し、マスクMを露光光ELで照明し、投影光学系PLと基板P上に形成された液浸領域LRの液体LQとを介して基板P上にマスクMのパターン像を投影する。
After the measurement process at the measurement stage 5 is completed, the control device 7 brings the
以上説明したように、第1領域81を所定の大きさ以下に設定することで、第1領域81を覆う液浸領域LRを第1領域81から退かしたとき、第1領域81及びその近傍に液体LQが残留することを抑制することができる。したがって、液体LQの残留に起因する不具合の発生を抑制することができる。
As described above, when the liquid immersion area LR covering the
また、本実施形態においては、第1領域81は略円形状である。すなわち、第1領域81には角部が無く、液体LQが残留し難い形状となっている。このように、第1領域81の形状を最適化することにより、液体LQの残留を効果的に抑制することができる。
In the present embodiment, the
なお、上述のように、第1領域81の大きさは、計測ステージ5を移動するときの移動条件に応じて設定可能であるが、制御装置7は、液浸領域LRを第1領域81から退かしたときに、第1領域81及びその近傍に液体LQが残留しないように、第1領域81の大きさに応じて、計測ステージ5をの移動条件を設定することもできる。例えば、第1領域81の大きさが大きい場合には、移動速度、加速度等を小さくすることで、液体LQの残留を抑制することができる。また、第1領域81の大きさが小さい場合には、移動速度、加速度等を高めることができる可能性がある。
As described above, the size of the
また、上述したように、第1領域81の形状を最適化することにより、液体LQの残留を抑制できる可能性があるため、第1領域81の形状を考慮して、計測ステージ5の移動条件を設定するようにしてもよい。例えば、第1領域81のエッジの所定位置に角部がある場合には、液体LQの残留を抑制するために、第1領域81を覆う液浸領域LRを第1領域81から退かすとき、液浸領域LRの液体LQが角部に残留し難い方向に、計測ステージ5を移動させる。また、第1領域81が円形状である等、液体LQの残留を抑制できる形状である場合には、計測ステージ3の移動速度を高速化することができる可能性がある。また、第1領域81が円形状である場合には、第1領域81に対する液浸領域LRのXY平面内での移動方向の制限、すなわち計測ステージ5の移動方向の制限を設けなくてもすむ。
Further, as described above, since the remaining of the liquid LQ may be suppressed by optimizing the shape of the
逆に、計測ステージ5の移動条件を考慮して、第1領域81の形状を設定するようにしてもよい。例えば、第1領域81を覆う液浸領域LRを第1領域81から退かすために、液浸領域LRに対して計測ステージ5を所定方向に移動させる場合、第1領域81のエッジのうち、液浸領域LRが通る経路上には角部が無い形状に、第1領域81を設定する。こうすることにより、液体LQの残留を抑制できる可能性がある。
Conversely, the shape of the
また、計測ステージ5の移動条件を考慮して、第1領域81の液体LQに対する接触角、及び第2領域82の液体LQに対する接触角の少なくとも一方を設定するようにしてもい。あるいは、計測ステージ5の移動条件を考慮して、第1領域81の液体LQに対する接触角と、第2領域82の液体LQに対する接触角との差を設定するようにしてもよい。例えば、液浸領域LRを第1領域81から退かすときに、計測ステージ5の移動速度を遅くした場合には、第1領域81の液体LQに対する接触角、あるいは第2領域82の液体LQに対する接触角が小さくても、液体LQの残留を抑えることができる。また、液浸領域LRを第1領域81から退かすときに、計測ステージ5の移動速度を速くする場合には、第1領域81の液体LQに対する接触角を最適化したり、第1領域81の液体LQに対する接触角と第2領域82の液体LQに対する接触角との差を最適化することで、第1領域81の液体LQの残留を抑えることができる可能性がある。
In consideration of the moving condition of the measurement stage 5, at least one of the contact angle with respect to the liquid LQ in the
逆に、第1領域81の液体LQに対する接触角、及び第2領域82の液体LQに対する接触角の少なくとも一方を考慮して、計測ステージ5の移動条件を設定するようにしてもよい。あるいは、第1領域81の液体LQに対する接触角と、第2領域82の液体LQに対する接触角との差を考慮して、計測ステージ5の移動条件を設定するようにしてもよい。例えば、第1領域81の液体LQに対する接触角が大きい(第1領域81が撥液性である)場合には、液浸領域LRを第1領域81から退かすときに、計測ステージ5の移動速度を高速化しても、液体LQの残留を抑えることができる可能性がある。また、第1領域81の液体LQに対する接触角と、第2領域82の液体LQに対する接触角との差が小さい場合には、その差に応じて、計測ステージ5の移動速度や加速度を最適化することができる。
Conversely, the moving condition of the measurement stage 5 may be set in consideration of at least one of the contact angle of the
そして、上述のような実験、又はシミュレーション等を行うことにより、液体LQの残留を抑制するための計測ステージ5の移動条件、第1領域81の形状、及び第1領域81(第2領域82)の液体LQに対する接触角の最適化を行うことができる。
Then, by performing the experiment or simulation as described above, the movement condition of the measurement stage 5 for suppressing the residual liquid LQ, the shape of the
また、上述のように、計測ステージ5の上面5Fには、露光光ELが照射される複数の光透過部、マークが設けられており、第1領域は、複数の光透過部(マーク)に対応するように複数設定されているが、それら各第1領域の大きさが、各光透過部(マーク)に応じて設定されてもよい。例えば、光透過部40の大きさと光透過部42の大きさとが互いに異なる場合には、光透過部40及び光透過部42のそれぞれに対応する第1領域の大きさを互いに異ならせることができる。
In addition, as described above, the
また、制御装置7は、複数の第1領域のそれぞれから液浸領域LRを退かすときの計測ステージ5の移動条件を、それら複数の第1領域に応じてそれぞれ設定することができる。例えば、光透過部40に対応する第1領域の大きさと光透過部42に対応する第1領域の大きさとが互いに異なる場合には、その第1領域の大きさに応じて、移動条件が設定される。また、光透過部40に対応する第1領域の形状(又は液体LQに対する接触角)と、光透過部42に対応する第1領域の形状(又は液体LQに対する接触角)とが互いに異なる場合には、それら各第1領域に応じて、計測ステージ5の移動条件を設定することができる。
Moreover, the control apparatus 7 can set the movement conditions of the measurement stage 5 when retracting the liquid immersion area LR from each of the plurality of first areas according to the plurality of first areas, respectively. For example, when the size of the first region corresponding to the
なお、上述の実施形態において、第1領域81の最上層の膜はSiO2であったが、露光光ELを透過可能であれば他の材料であってもよい。
In the above-described embodiment, the uppermost film of the
また、上述の実施形態においては、複数の計測器(計測部材)が計測ステージ5に配置されているが、一部を省略してもよいし、一部を基板ステージ4に設けてもよい。
In the above-described embodiment, a plurality of measuring instruments (measuring members) are arranged on the measuring stage 5, but some may be omitted or some may be provided on the
上述したように、本実施形態における液体LQは純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジストや光学素子(レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。 As described above, the liquid LQ in the present embodiment is composed of pure water. Pure water has an advantage that it can be easily obtained in large quantities at a semiconductor manufacturing factory or the like, and has no adverse effect on the photoresist, optical element (lens), etc. on the substrate P. In addition, pure water has no adverse effects on the environment, and since the impurity content is extremely low, it can be expected to clean the surface of the substrate P and the surface of the optical element provided on the front end surface of the projection optical system PL. . When the purity of pure water supplied from a factory or the like is low, the exposure apparatus may have an ultrapure water production device.
そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水(水)の屈折率nはほぼ1.44程度と言われており、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)を用いた場合、基板P上では1/n、すなわち約134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、すなわち約1.44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。 The refractive index n of pure water (water) with respect to the exposure light EL having a wavelength of about 193 nm is said to be about 1.44, and when ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used as the light source of the exposure light EL On the substrate P, the wavelength is shortened to 1 / n, that is, about 134 nm, and a high resolution can be obtained. Furthermore, since the depth of focus is enlarged by about n times, that is, about 1.44 times compared with that in the air, the projection optical system PL can be used when it is sufficient to ensure the same depth of focus as that in the air. The numerical aperture can be further increased, and the resolution is improved in this respect as well.
本実施形態では、投影光学系PLの先端に光学素子LS1が取り付けられており、この光学素子により投影光学系PLの光学特性、例えば収差(球面収差、コマ収差等)の調整を行うことができる。なお、投影光学系PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ELを透過可能な平行平面板であってもよい。 In the present embodiment, the optical element LS1 is attached to the tip of the projection optical system PL, and the optical characteristics of the projection optical system PL, for example, aberration (spherical aberration, coma aberration, etc.) can be adjusted by this optical element. . The optical element attached to the tip of the projection optical system PL may be an optical plate used for adjusting the optical characteristics of the projection optical system PL. Alternatively, it may be a plane parallel plate that can transmit the exposure light EL.
なお、液体LQの流れによって生じる投影光学系PLの先端の光学素子と基板Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。 When the pressure between the optical element at the tip of the projection optical system PL generated by the flow of the liquid LQ and the substrate P is large, the optical element is not exchangeable but the optical element is moved by the pressure. It may be fixed firmly so that there is no.
なお、本実施形態では、投影光学系PLと基板P表面との間は液体LQで満たされている構成であるが、例えば基板Pの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体LQを満たす構成であってもよい。 In the present embodiment, the space between the projection optical system PL and the surface of the substrate P is filled with the liquid LQ. However, for example, the liquid with the cover glass made of a plane-parallel plate attached to the surface of the substrate P is used. The structure which satisfy | fills LQ may be sufficient.
また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子の物体面側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。 In the projection optical system of the above-described embodiment, the optical path space on the image plane side of the optical element at the tip is filled with liquid, but as disclosed in International Publication No. 2004/019128, the optical at the tip is used. It is also possible to employ a projection optical system in which the optical path space on the object plane side of the element is filled with liquid.
なお、本実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF2レーザである場合、このF2レーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはF2レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル(PFPE)やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。 The liquid LQ of the present embodiment is water, but may be a liquid other than water. For example, when the light source of the exposure light EL is an F 2 laser, the F 2 laser light does not pass through water. The liquid LQ may be, for example, a fluorinated fluid such as perfluorinated polyether (PFPE) or fluorinated oil that can transmit F 2 laser light. In this case, the lyophilic treatment is performed by forming a thin film with a substance having a molecular structure having a small polarity including fluorine, for example, at a portion in contact with the liquid LQ. In addition, as the liquid LQ, the liquid LQ is transmissive to the exposure light EL, has a refractive index as high as possible, and is stable with respect to the photoresist applied to the projection optical system PL and the surface of the substrate P (for example, Cedar). Oil) can also be used.
また、液体LQとしては、屈折率が1.6〜1.8程度のものを使用してもよい。更に、石英や蛍石よりも屈折率が高い(例えば1.6以上)材料で光学素子LS1を形成してもよい。 Moreover, as the liquid LQ, a liquid having a refractive index of about 1.6 to 1.8 may be used. Furthermore, the optical element LS1 may be formed of a material having a refractive index higher than that of quartz or fluorite (for example, 1.6 or more).
なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 The substrate P in each of the above embodiments is not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。 As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise.
また、露光装置EXとしては、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第1パターンの縮小像を投影光学系(例えば1/8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系)を用いて基板P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第2パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 Further, as the exposure apparatus EX, a reduced image of the first pattern is projected with the first pattern and the substrate P being substantially stationary (for example, a refraction type projection optical system that does not include a reflecting element at 1/8 reduction magnification). The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs batch exposure on the substrate P using the above. In this case, after that, with the second pattern and the substrate P substantially stationary, a reduced image of the second pattern is collectively exposed onto the substrate P by partially overlapping the first pattern using the projection optical system. It can also be applied to a stitch type batch exposure apparatus. Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.
また、本発明は、特開平10−163099号公報、特開平10−214783号公報、特表2000−505958号公報などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。この場合、少なくとも一つの基板ステージの上面の一部に計測部が配置される。 The present invention also relates to a twin stage type exposure apparatus having a plurality of substrate stages as disclosed in JP-A-10-163099, JP-A-10-214783, JP-T 2000-505958, and the like. It can also be applied to. In this case, the measurement unit is disposed on a part of the upper surface of at least one substrate stage.
また、本発明は、国際公開第99/49504号パンフレットに開示されているように、計測ステージを備えていない露光装置にも適用できる。この場合、計測部は、基板ステージの上面の一部に設けられる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。 The present invention can also be applied to an exposure apparatus that does not include a measurement stage, as disclosed in WO99 / 49504. In this case, the measurement unit is provided on a part of the upper surface of the substrate stage. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a plurality of substrate stages and measurement stages.
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on the substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). ) Or an exposure apparatus for manufacturing reticles or masks.
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。 In the above-described embodiment, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in Japanese Patent No. 6,778,257, an electronic mask that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed may be used.
また、国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。 Further, as disclosed in International Publication No. 2001/035168, an exposure apparatus (lithography system) that exposes a line-and-space pattern on a substrate P by forming interference fringes on the substrate P. The present invention can also be applied.
以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 As described above, the exposure apparatus EX according to the present embodiment maintains various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図10に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
As shown in FIG. 10, a microdevice such as a semiconductor device includes a
1…液浸システム、4…基板ステージ、5…計測ステージ、5D…計測ステージ駆動装置、5F…上面、7…制御装置、61…スリット、68…撥液膜、81…第1領域、82…第2領域、EX…露光装置、LQ…液体、LR…液浸領域、P…基板
DESCRIPTION OF
Claims (20)
移動可能な所定部材の所定面上に設けられた計測部を含むように設定され、前記計測部を覆う光透過性の膜を含み、前記液体の液浸領域で覆われた状態で前記液浸領域の液体を介して前記露光光が照射される第1領域と、
前記所定面上で前記第1領域の周囲に設定され、前記光透過性の膜よりも前記液体に対して撥液性の膜を含む第2領域とを備え、
前記第1領域においては、前記撥液性の膜がなく、前記光透過性の膜が最も表層に設けられ、
前記第2領域においては、前記撥液性の膜が最も表層に設けられる露光装置。 In an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid in an immersion area ,
The liquid immersion device is set so as to include a measurement unit provided on a predetermined surface of the movable predetermined member, includes a light-transmitting film that covers the measurement unit, and is covered with the liquid immersion region. A first region irradiated with the exposure light through a liquid in the region;
Wherein a predetermined plane is set around the first region, a second region comprising a liquid-repellent film to the liquid than the light transmission of the film,
In the first region , the liquid-repellent film is not provided, and the light-transmitting film is provided on the most surface layer ,
Wherein in the second region, exposing the liquid-repellent film is provided on the most surface layer device.
前記所定面を有する前記所定部材を前記液浸領域に対して移動することによって、前記液浸領域を前記第1領域とその外側の領域との間で移動可能な駆動機構とを備え、
前記第1領域の大きさは、前記液浸領域が前記第1領域から退いたときに、前記第1領域に液体が残留しないように設定される請求項1〜5のいずれか一項記載の露光装置。 On the predetermined plane, and a liquid immersion mechanism that forms the immersion area of the liquid so as to cover the first region,
Wherein said predetermined member having a predetermined surface by moving relative to the liquid immersion area, and a movable driving mechanism the liquid immersion area between the first region and the outer region,
The size of the first region is set so that no liquid remains in the first region when the liquid immersion region retreats from the first region. Exposure device.
所定面上に設けられた計測部を覆う光透過性の膜を含み、前記液体の液浸領域で覆われた状態で前記液浸領域の液体を介して前記露光光が照射されるむ第1領域と、
前記所定面上で前記第1領域の周囲に設定され、前記光透過性の膜よりも前記液体に対して撥液性の膜を含む第2領域と、
前記所定面上に、前記第1領域を覆うように液体の液浸領域を形成する液浸機構と、
前記所定面を有する所定部材を前記液浸領域に対して移動することによって、前記液浸
領域を前記第1領域とその外側の領域との間で移動可能な駆動機構と、を備え、
前記第1領域においては、前記撥液性の膜がなく、前記光透過性の膜が最も表層に設けられ、
前記第2領域においては、前記撥液性の膜が最も表層に設けられる露光装置。 In an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid,
Look including a light-permeable membrane covering the measuring section provided on a predetermined plane, free the said exposure light through a liquid of the immersion area in a state covered with the liquid immersion area of the liquid is irradiated One area,
A second region that is set around the first region on the predetermined surface and includes a liquid- repellent film with respect to the liquid rather than the light-transmitting film;
An immersion mechanism for forming a liquid immersion area on the predetermined surface so as to cover the first area;
A drive mechanism capable of moving the liquid immersion region between the first region and an outer region thereof by moving a predetermined member having the predetermined surface with respect to the liquid immersion region ;
In the first region, the liquid-repellent film is not provided, and the light-transmitting film is provided on the most surface layer ,
An exposure apparatus in which the liquid-repellent film is provided on the most surface layer in the second region .
前記制御装置は、前記複数の第1領域のそれぞれから前記液浸領域を退かすときの移動条件を前記複数の第1領域に応じてそれぞれ設定する請求項13〜15のいずれか一項記載の露光装置。 A plurality of measurement units are provided on the predetermined surface, and a plurality of the first regions are set to correspond to the plurality of measurement units,
The control device according to any one of claims 13 to 15, wherein the control device sets a movement condition for retracting the liquid immersion region from each of the plurality of first regions according to the plurality of first regions. Exposure device.
前記第1領域に前記露光光が照射され、前記第2領域には前記露光光が照射されない請求項1〜16のいずれか一項記載の露光装置。 Exposure light is irradiated to the measurement unit through the liquid in the liquid immersion region in a state where the liquid immersion region is formed so as to cover the first region,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the first region is irradiated with the exposure light, and the second region is not irradiated with the exposure light.
前記投影光学系の像面側において移動するステージと、
前記ステージに設けられた計測部材と、を備え、
前記計測部材の上面が、前記第1領域及び前記第2領域を有する請求項1〜17のいずれか一項記載の露光装置。 A projection optical system;
A stage that moves on the image plane side of the projection optical system;
A measuring member provided on the stage,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein an upper surface of the measurement member has the first region and the second region.
前記投影光学系の像面側において移動するステージに設けられた板部材と、
前記板部材の上面に設けられ、前記液体を介して前記投影光学系からの露光光が照射される計測部と、
前記計測部を覆うように前記板部材上に設けられた光透過性の膜が最表層をなす第1領域と、
前記板部材上において前記光透過性の膜が最表層をなす第1領域の周囲に設けられ、前記光透過性の膜よりも撥液性の膜が最表層をなす第2領域と、を備える計測部材。 A measuring member that is irradiated with exposure light in an exposure apparatus that exposes a substrate via a projection optical system and a liquid,
A plate member provided on a stage that moves on the image plane side of the projection optical system;
A measurement unit that is provided on the upper surface of the plate member and is irradiated with exposure light from the projection optical system via the liquid;
A first region in which a light-transmitting film provided on the plate member so as to cover the measurement unit forms an outermost layer ;
The light transmissive film is provided around the first region forming the outermost layer on the plate member, and the liquid repellant film has a second region having the outermost layer formed from the light transmissive film. Measuring member.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005241055A JP4923480B2 (en) | 2005-08-23 | 2005-08-23 | Exposure apparatus, device manufacturing method, and measurement member |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005241055A JP4923480B2 (en) | 2005-08-23 | 2005-08-23 | Exposure apparatus, device manufacturing method, and measurement member |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007059522A JP2007059522A (en) | 2007-03-08 |
JP4923480B2 true JP4923480B2 (en) | 2012-04-25 |
Family
ID=37922766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005241055A Expired - Fee Related JP4923480B2 (en) | 2005-08-23 | 2005-08-23 | Exposure apparatus, device manufacturing method, and measurement member |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4923480B2 (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008300771A (en) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Nikon Corp | Liquid immersion exposure apparatus, device manufacturing method, and determining method of exposure condition |
JP5630627B2 (en) * | 2009-02-27 | 2014-11-26 | 株式会社ニコン | Detection method, optical property measurement method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP2264528A1 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-22 | ASML Netherlands B.V. | Sensor and lithographic apparatus |
US20130016329A1 (en) * | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, measurement method, and device manufacturing method |
JP2013168571A (en) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Nikon Corp | Optical member and immersion exposure apparatus |
EP3559748B1 (en) | 2016-12-22 | 2023-03-29 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus comprising an object with an upper layer having improved resistance to peeling off |
JP2017083913A (en) * | 2017-02-14 | 2017-05-18 | 株式会社ニコン | Member of immersion exposure device and method for producing the same |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4579376B2 (en) * | 2000-06-19 | 2010-11-10 | キヤノン株式会社 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2004093160A2 (en) * | 2003-04-10 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
DE10324477A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure system |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
JP4513299B2 (en) * | 2003-10-02 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP4513534B2 (en) * | 2003-12-03 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US7990516B2 (en) * | 2004-02-03 | 2011-08-02 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with liquid detection apparatus |
JP3870207B2 (en) * | 2004-08-05 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | Immersion exposure apparatus and device manufacturing method |
US7684010B2 (en) * | 2005-03-09 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing |
US7433016B2 (en) * | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2005
- 2005-08-23 JP JP2005241055A patent/JP4923480B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007059522A (en) | 2007-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4888388B2 (en) | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP4802604B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP5194792B2 (en) | Exposure apparatus and method, exposure apparatus maintenance method, and device manufacturing method | |
JP5516628B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP4852951B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2011082573A (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method | |
JP4605219B2 (en) | Exposure condition determination method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP4923480B2 (en) | Exposure apparatus, device manufacturing method, and measurement member | |
JP4544303B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2007287824A (en) | Exposure apparatus, and method of manufacturing device | |
JP5765415B2 (en) | Immersion exposure apparatus, immersion exposure method, and device manufacturing method | |
JP2007116073A (en) | Exposure method, exposure apparatus, and method for manufacturing device | |
JP4715505B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP2010040702A (en) | Stage device, exposure system and device manufacturing method | |
US20130050666A1 (en) | Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method | |
JPWO2008075742A1 (en) | Maintenance method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5375843B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2008021718A (en) | Photolithography machine, and manufacturing method of device | |
JP2007096199A (en) | Exposure device and method of manufacturing device | |
JP2007073587A (en) | Exposure method, aligner, and method of manufacturing device | |
JP2008243912A (en) | Exposure device, exposure method, and manufacturing method for device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080618 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110524 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110721 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120110 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120123 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4923480 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |