JP4909609B2 - 加工形状シミュレーション方法、半導体装置の製造方法及び加工形状シミュレーションシステム - Google Patents
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なお、本発明は、前述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得ることは勿論である。
Claims (7)
- プラズマエッチング装置における被加工物のエッチング形状をシミュレーションする加工形状シミュレーション方法であって、
プラズマシミュレーションと、形状シミュレーションと、反応生成物シミュレーションとを備え、
前記プラズマシミュレーションでは、プロセス条件情報に基づいて、真空室内に存在する反応種の分布量及び前記真空室内に設けられマスクに覆われた被加工物の被加工面に対する前記反応種の入射情報を求め、
前記形状シミュレーションでは、前記反応種の分布量及び前記反応種の入射情報に加え、前記被加工物に関する下地形状情報に基づいて、前記被加工面の部分領域に対する前記反応種のエッチング反応量を第1反応量として、及び前記被加工面の全領域に対する前記反応種のエッチング反応量を第2反応量として、それぞれ求め、
前記反応生成物シミュレーションでは、前記第1反応量に基づいて、前記被加工面の部分領域から発生する反応生成物の発生量を第1発生量として求め、前記第1発生量に基づいて、前記被加工面の部分領域に付着する前記反応生成物の付着量を第1付着量として求め、前記第2反応量に基づいて、前記被加工面の全領域から発生する反応生成物の発生量を第2発生量として求め、前記真空室内の反応性ガスの流れ及び拡散に基づいて、前記被加工面の全領域に対する前記反応生成物の分布量をガス流れ・拡散シミュレーションにより求め、前記真空室の内壁から剥離して発生した前記反応生成物の発生量を第3発生量としてガス流れ・拡散シミュレーションにより求め、前記反応生成物の分布量と前記第2発生量と、前記第3発生量とに基づいて、前記被加工面の部分領域に付着する前記反応生成物の付着量を第2付着量として求め、
前記形状シミュレーションでは、前記第1付着量及び前記第2付着量に加え、前記被加工物に関する前記下地形状情報に基づいて、前記被加工物の被加工形状を求めることを特徴とする加工形状シミュレーション方法。 - 前記反応種の分布量、前記反応種の入射情報、前記第1反応量、前記第2反応量、前記第1付着量、前記第2付着量及び前記被加工形状は、粒子モデルのシミュレーションにより求められることを特徴とする請求項1記載の加工形状シミュレーション方法。
- 前記反応生成物の分布量は、流体モデルのシミュレーションにより求められることを特徴とする請求項1記載の加工形状シミュレーション方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一に記載の加工形状シミュレーション方法からの情報を用いて、被加工物上にマスクを形成し、このマスクを用いて、前記被加工物を加工することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- プラズマエッチング形状をシミュレーションする加工形状シミュレーションシステムであって、
プロセス条件情報に基づいて、真空室内に存在する反応種の分布量及び前記真空室内に設けられマスクに覆われた被加工物の被加工面に対する前記反応種の入射情報を求める手段と、
前記反応種の分布量及び前記反応種の入射情報と、前記被加工物に関する下地形状情報とに基づいて、前記被加工面の部分領域に対する前記反応種のエッチング反応量を第1反応量として、及び前記被加工面の全領域に対する前記反応種のエッチング反応量を第2反応量として、それぞれ求める手段と、
前記第1反応量に基づいて、前記被加工面の部分領域から発生する反応生成物の発生量を第1発生量として求め、前記第1発生量に基づいて、前記被加工面の部分領域に付着する前記反応生成物の付着量を第1付着量として求める手段と、
前記第2反応量に基づいて、前記被加工面の全領域から発生する反応生成物の発生量を第2発生量として求める手段と、
前記真空室内の反応性ガスの流れ及び拡散に基づいて、前記被加工面の全領域に対する前記反応生成物の分布量を求める手段と、
前記真空室の内壁から剥離して発生した前記反応生成物の発生量を第3発生量として求める手段と、
前記反応生成物の分布量と前記第2発生量と、前記第3発生量とに基づいて、前記被加工面の部分領域に付着する前記反応生成物の付着量を第2付着量として求める手段と、
前記第1付着量及び前記第2付着量に加え、前記被加工物に関する前記下地形状情報に基づいて、前記被加工物の被加工形状を求める手段と、
を有することを特徴とする加工形状シミュレーションシステム。 - 前記反応種の分布量及び前記反応種の入射情報を求める手段、前記第1反応量及び前記第2反応量を求める手段、前記第1付着量を求める手段、前記第2付着量を求める手段、及び前記被加工形状を求める手段は、粒子モデルのシミュレーションであることを特徴とする請求項5記載の加工形状シミュレーションシステム。
- 前記反応生成物の分布量を求める手段は、流体モデルのシミュレーションであることを特徴とする請求項5記載の加工形状シミュレーションシステム。
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