JP4909123B2 - Conductive material precursor - Google Patents

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Description

本発明は、電気回路、アンテナ回路、電磁波シールド材、タッチパネル等の用途に用いることができる導電性材料、また金属部と光透過部を有する透明導電性材料に関するものである。   The present invention relates to a conductive material that can be used for applications such as an electric circuit, an antenna circuit, an electromagnetic wave shielding material, and a touch panel, and a transparent conductive material having a metal part and a light transmission part.

近年、電子機器の小型化が強く求められる中、プリント基板を始めとする電気回路は益々高密度化、高精細化が求められてきている。   In recent years, electronic devices such as printed circuit boards have been required to have higher density and higher definition as electronic devices are strongly required to be downsized.

電気回路を製造する方法としては例えば、1)銅、金、ITO、酸化スズなどの導電性材料で被覆された絶縁性基板に、2)感光性樹脂などのフォトレジスト剤を塗りつけ、3)所望のパターンのマスクをかけて紫外線などを照射して、4)フォトレジスト剤を硬化させ、5)未硬化部分を取り除いた後、6)化学エッチングなどによって不要な銅箔部分を除去し電気回路 を形成する方法(サブトラクティブ法)が知られている。この方法では工程が煩雑で、かつ高精細な画線を描くことは金属のエッチング工程を有している為困難であった。   Examples of methods for manufacturing electrical circuits include: 1) applying an insulating substrate coated with a conductive material such as copper, gold, ITO, tin oxide, 2) applying a photoresist agent such as a photosensitive resin, 3) desired 4) Curing the photoresist agent by applying UV mask etc. 5) After removing the uncured part, 6) Remove the unnecessary copper foil part by chemical etching etc. A forming method (subtractive method) is known. In this method, the process is complicated, and it is difficult to draw a high-definition image line because it has a metal etching process.

高精細な画線を描く方法としては、1)絶縁性基板に無電解めっき触媒を付与し、2)フォトレジスト剤を塗布し、露光及び現像し、3)無電解めっきを施し、導電パターンを形成し、4)めっきレジストを除去する方法(フルアディティブ法)、あるいは1)絶縁性基板に無電解めっき触媒を付与し、無電解めっきを施し、2)フォトレジスト剤を塗布し、露光及び現像し、3)電解めっきを施し、導電パターンを形成し、4)めっきレジスト等を剥離にする方法(セミアディティブ法)なども知られている。やはりこの方法も工程が煩雑で、サブトラクティブ法同様使用したフォトレジスト剤全てを最終的に廃棄せざるを得ないという問題を有していた。   As a method for drawing high-definition lines, 1) an electroless plating catalyst is applied to an insulating substrate, 2) a photoresist agent is applied, exposed and developed, 3) electroless plating is performed, and a conductive pattern is formed. 4) A method of removing the plating resist (full additive method), or 1) An electroless plating catalyst is applied to the insulating substrate, electroless plating is applied, and 2) a photoresist agent is applied, and exposure and development are performed. And 3) electrolytic plating to form a conductive pattern, and 4) a method of removing a plating resist or the like (semi-additive method). This method also has a problem that the steps are complicated and all the photoresist agent used as in the subtractive method has to be finally discarded.

簡易な工程で電気回路を製造する方法としては金属ペーストを基板上にスクリーン印刷法やインクジェット印刷法等で印刷し、焼結等させることで電気回路を形成する方法が知られている。しかしながら、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法では50μm以下の高精細な画線を描くことは困難であった。更にスクリーン印刷の場合、高精細な画線を連続して描こうとした場合、高精細な紗を使用しなければならないが、逆にその紗が詰まりやすいという問題を有している。インクジェット法の場合は特に電気回路を製造する場合だけでなく、民生用のインクジェットプリンタを含め、固形分を含有するインク組成物を印刷する場合には常にインクジェットノズルが詰まるという問題を有している。従って、印刷法を用いて電気回路を製造する場合には、その安定性に問題を有していた。   As a method of manufacturing an electric circuit by a simple process, a method of forming an electric circuit by printing a metal paste on a substrate by a screen printing method, an ink jet printing method, or the like and sintering it is known. However, it has been difficult to draw high-definition lines of 50 μm or less by screen printing or ink jet printing. Furthermore, in the case of screen printing, when a high-definition image line is to be drawn continuously, a high-definition wrinkle must be used. However, there is a problem that the wrinkle is easily clogged. In the case of the inkjet method, there is a problem that the inkjet nozzle is always clogged not only when an electric circuit is manufactured, but also when an ink composition containing a solid content is printed, including a consumer inkjet printer. . Therefore, when an electric circuit is manufactured using a printing method, there is a problem in its stability.

均一で高精細なパターンを簡易に、かつ安定に作ると言う観点において、近年導電性材料前駆体としてハロゲン化銀乳剤層を含有する銀塩写真感光材料を使用する方法が提案されている。例えば国際公開第01/51276号パンフレット、特開2004−221564号公報では銀塩写真感光材料を、1)像露光、現像処理した後、2)金属めっき処理を施すことで導電性材料を製造する方法の提案がなされている。これらの方法で得られた導電性材料は銀塩写真法を用いているため、確かに高精細な画線を描くことは容易であり、安定性も高く、工程も簡易で、非常に良好な性質を示すが、金属パターンがゼラチンを始めとする水溶性高分子をバインダーとして担持されているので、十分な導電性を得ることが困難であり、更にその耐候性に問題があった。   In view of making a uniform and high-definition pattern easily and stably, a method using a silver salt photographic light-sensitive material containing a silver halide emulsion layer as a conductive material precursor has been proposed in recent years. For example, in International Publication No. 01/51276 pamphlet and JP-A-2004-221564, a silver halide photographic photosensitive material is subjected to 1) image exposure and development treatment, and then 2) metal plating treatment to produce a conductive material. A method has been proposed. Since the conductive materials obtained by these methods use the silver salt photography method, it is easy to draw high-definition lines, high stability, simple process, and very good. Although it shows properties, it is difficult to obtain sufficient conductivity because the metal pattern is supported by a water-soluble polymer such as gelatin as a binder, and there is a problem in its weather resistance.

また、同じく銀塩感光材料を使う方法として銀塩拡散転写法を用いる方法も提案されており、例えば特開2003−77350号公報(特許文献1)や特開2005−250169号公報(特許文献2)などがある。これらの方法では金属パターンは直接支持体上に、もしくは極少量の下引き層を介して接着しており、先の方法に比べ高い導電性が得られ易い、めっきがし易いなど多くの利点を有している。しかし、バインダーの量が少量なので、それに起因する耐候性の問題はかなり緩和されるものの、逆に金属と支持体との接着が弱くなる傾向があった。特にこの方法で得られた細線に対して、更にめっきを施す際に厚くめっきした場合、めっき条件によってはめっきによる応力のため細線が剥がれる場合もあり、めっき条件のコントロールが困難であるという問題を有していた。特許文献1においてはその好ましい形態としてゼラチンを始めとするタンパク質を下引き層として用いている。この場合金属パターンとの接着性の高いゼラチンを用いているため、金属パターンの接着は良く、めっき条件の許容性は比較的広いが、タンパク質であるゼラチンからなる下引き層を使用しているので、前述の耐候性に問題が生じる場合があった。   Similarly, a method using a silver salt diffusion transfer method has also been proposed as a method of using a silver salt photosensitive material. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-77350 (Patent Document 1) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-250169 (Patent Document 2). )and so on. In these methods, the metal pattern is bonded directly on the support or through a very small amount of an undercoat layer, and has many advantages such as higher conductivity and easier plating than the previous method. Have. However, since the amount of the binder is small, the problem of weather resistance resulting therefrom is considerably relieved, but conversely, the adhesion between the metal and the support tends to be weak. In particular, when the thin wire obtained by this method is further thickened when plating, the thin wire may be peeled off due to the stress due to plating depending on the plating conditions, making it difficult to control the plating conditions. Had. In Patent Document 1, proteins such as gelatin are used as an undercoat layer as a preferred form. In this case, since gelatin with high adhesion to the metal pattern is used, the adhesion of the metal pattern is good, and the tolerance of the plating conditions is relatively wide, but an undercoat layer made of gelatin which is a protein is used. In some cases, the aforementioned weather resistance may be problematic.

微細な細線と太い線から構成される金属パターンを作製し、これに電解めっきを施す場合、微細な細線は太い線に比べその抵抗は高いため、その部分だけめっきされ難くなってしまう傾向を有している。銀塩拡散転写法を用いて作製された導電性材料はその金属パターンの厚みが非常に薄く、特にこの細線の電解めっきがし難いという傾向を強く有していた。従って、均一で高精細なパターンを簡易に、かつ安定に作れる非常に優れた銀塩拡散転写法を用いる手法の特性は生かしたまま、さらに高い導電性を有し、かつ金属パターンと支持体との接着性だけでなく、耐候性が共に良い導電性材料及び、それを製造するための導電性材料前駆体が求められていた。   When a metal pattern composed of fine fine lines and thick lines is prepared and subjected to electrolytic plating, the fine fine lines have a higher resistance than thick lines, so that only that part tends to be difficult to be plated. is doing. The conductive material produced by using the silver salt diffusion transfer method has a very thin metal pattern, and has a strong tendency to be particularly difficult to electroplate fine wires. Therefore, while maintaining the characteristics of the method using the excellent silver salt diffusion transfer method that can easily and stably produce a uniform and high-definition pattern, it has higher conductivity, and has a metal pattern and a support. Therefore, there has been a demand for a conductive material having good weather resistance in addition to the adhesiveness of and a conductive material precursor for producing the same.

一方、銀塩拡散転写法を用いた導電性材料の優れた導電性は、金属銀粒子の密度の高い銀膜が形成されることにより得られるが、一般に密度の高い銀膜は、鏡のような光沢と色調を有する。透明支持体を用いて銀塩拡散転写法により透明導電性材料を製造し、ディスプレイ用フィルターに用いる場合、このような鏡のような光沢があると、室内灯や外光により、映像が見にくかったり、映像の色再現に悪影響を及ぼすという問題がある。   On the other hand, the excellent conductivity of the conductive material using the silver salt diffusion transfer method can be obtained by forming a silver film having a high density of metallic silver particles. In general, a silver film having a high density is like a mirror. It has a good gloss and tone. When a transparent conductive material is produced by a silver salt diffusion transfer method using a transparent support and used for a filter for a display, such a mirror-like luster can make it difficult to see the image due to room light or outside light. There is a problem of adversely affecting the color reproduction of the video.

この問題を解決する手段として、例えば金属パターンを酸化するといった黒化処理が用いられる。しかし透明支持体をはさんで、導電性層を有する反対側の面側から見た面の銀膜は支持体に密着しているために黒化することはできない。この場合、反射率の低くなった面を外側(人が見る側)に設置しなければならないというディスプレイの製造上の制約が生じる。従って、銀塩拡散転写法を用いて金属パターンを作製する段階で、透明支持体に密着している面側の銀膜の反射率が低いことが求められていた。
特開2003−77350号公報(1頁) 特開2005−250169号公報(第1頁)
As a means for solving this problem, for example, a blackening process of oxidizing a metal pattern is used. However, since the silver film on the surface viewed from the opposite surface side having the conductive layer sandwiched between the transparent supports is in close contact with the support, it cannot be blackened. In this case, there arises a limitation in manufacturing the display in that the surface having low reflectivity must be installed outside (the side viewed by a person). Therefore, at the stage of producing a metal pattern using the silver salt diffusion transfer method, it has been demanded that the reflectance of the silver film on the side close to the transparent support is low.
JP 2003-77350 A (1 page) Japanese Patent Laying-Open No. 2005-250169 (first page)

従って、本発明の目的は、第一に導電性に優れ、金属パターンと支持体との接着性が高く、同時に耐候性の高い導電性材料及びそれを得るための導電性材料前駆体を提供することにある。また第二に室内灯や外光に影響されることなく、映像が見やすく、色再現性が良好である導電性材料及びそれを得るための導電性材料前駆体を提供することにある。   Therefore, an object of the present invention is to provide a conductive material having excellent conductivity, high adhesion between a metal pattern and a support, and at the same time having high weather resistance, and a conductive material precursor for obtaining the same. There is. A second object of the present invention is to provide a conductive material that is easy to see an image and has good color reproducibility without being influenced by room light or outside light, and a conductive material precursor for obtaining the conductive material.

本発明の上記目的は支持体上に少なくとも物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層をこの順に有する導電性材料前駆体において、該導電性材料前駆体は任意の形状パターンで露光した後、銀塩拡散転写現像液で処理して導電性材料を得るために用いる導電性材料前駆体であって、物理現像核層もしくはそれに接する層が下記一般式I若しくはIIに示されるシランカップリング剤を含有することを特徴とする導電性材料前駆体により達成された。
The above object of the present invention is to provide a conductive material precursor having at least a physical development nucleus layer and a silver halide emulsion layer in this order on a support. The conductive material precursor is exposed in an arbitrary shape pattern, and then a silver salt. A conductive material precursor used to obtain a conductive material by processing with a diffusion transfer developer, wherein the physical development nucleus layer or a layer in contact with it contains a silane coupling agent represented by the following general formula I or II conductive material precursor, wherein, was achieved by.

Figure 0004909123
Figure 0004909123

一般式I中、R1は1級アミノ基、2級アミノ基、ウレイド基、アミジノ基、グアニジノ基、ウレイレン基、イソウレイド基、チオウレイド基、チオウレイレン基、イソチオウレイレン基、カルバゾイル基、チオカルバゾイル基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、カルバゾノ基、カルボノヒドラジド基、チオカルボノヒドラジド基、セミカルバゾノ基、チオセミカルバゾノ基、チオカルバゾノ基、カルボジアゾノ基、チオカルボジアゾノ基、メルカプト基、含窒素複素環基から選ばれる少なくとも1つの官能基を有する基を表す。R2はアルコキシ基又は塩素等のハロゲン原子からなる基を表し、R3はメチル基、もしくはエチル基を表し、pは1、2又は3を表す。 In general formula I, R 1 is a primary amino group, secondary amino group, ureido group, amidino group, guanidino group, ureylene group, isoureido group, thioureido group, thioureylene group, isothioureylene group, carbazoyl group, thiocarbazoyl group , Semicarbazide group, thiosemicarbazide group, carbazono group, carbonohydrazide group, thiocarbonohydrazide group, semicarbazono group, thiosemicarbazono group, thiocarbazono group, carbodiazono group, thiocarbodiazono group, mercapto group, nitrogen-containing heterocycle Represents a group having at least one functional group selected from the group; R 2 represents an alkoxy group or a group composed of a halogen atom such as chlorine, R 3 represents a methyl group or an ethyl group, and p represents 1, 2 or 3.

Figure 0004909123
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一般式II中、R4及びR9はそれぞれアルコキシ基又は塩素等のハロゲン原子からなる基を表し、R5及びR8はそれぞれメチル基、もしくはエチル基を表し、R6及びR7は炭素数1〜6の飽和炭化水素基を表し、nは2〜6の自然数であり、p、qはそれぞれ1、2、又は3を表す。 In general formula II, R 4 and R 9 each represent an alkoxy group or a group consisting of a halogen atom such as chlorine, R 5 and R 8 each represent a methyl group or an ethyl group, and R 6 and R 7 each represent a carbon number. 1-6 saturated hydrocarbon groups are represented, n is a natural number of 2-6, p and q represent 1, 2, or 3, respectively.

本発明の導電性材料前駆体及びそれを用いて導電性材料を製造することで、導電性に優れ、金属パターンと支持体との接着性が高く、同時に耐候性の高い導電性材料及びそれを得るための導電性材料前駆体を提供することができる。また室内灯や外光に影響されることなく、映像が見やすく、色再現性が良好である室内灯や外光に影響されることのない導電性材料及びそれを用いて製造された導電性材料を提供することができる。   By producing a conductive material precursor of the present invention and a conductive material using the same, a conductive material having excellent conductivity, high adhesion between a metal pattern and a support, and high weather resistance at the same time, and Conductive material precursors for obtaining can be provided. In addition, it is easy to see the image without being affected by the room light or the outside light, and the conductive material that is not affected by the room light or the outside light having good color reproducibility, and a conductive material manufactured using the same. Can be provided.

シランカップリング剤とは分子中に珪素原子を持ち、その一端に加水分解してシラノール基となりうる基、例えばメトキシ基やエトキシ基がついており、他端にグリシジル基の様な有機官能基を有する化合物のことを言う。シランカップリング剤ではシラノール基が無機物との親和性が高く、有機官能基が有機物との親和性が高いという性質を有しており、例えば有機物に作用させてにその有機物に無機物との親和性を上げる、あるいは無機物に作用させて有機物との親和性を上げる為に一般的に用いられる。有機溶媒に対する分散性を上げる為に無機物フィラーにシランカップリング剤を作用させたりするのがその一例である。ところが、ハロゲン化銀乳剤層を有する導電性材料前駆体にシランカップリング剤を用いた場合、無機物である銀と無機物に対する親和性の高いシラノール基には関係なく、他方の有機官能基を有する端部の構造に非常に強い影響を受けることを本発明者が見いだした。シランカップリング剤がその構造中に一般式IもしくはIIで表されるような銀と高い相互作用を持つ官能基を有する基を有している場合、非常に高い導電性を得ることが出来、さらに銀の色調が大きく変わり、良好な視認性を得られることを本発明者が見いだし、本発明に至った。   A silane coupling agent has a silicon atom in the molecule, a group that can be hydrolyzed to form a silanol group at one end, such as a methoxy group or an ethoxy group, and an organic functional group such as a glycidyl group at the other end. Refers to a compound. In silane coupling agents, silanol groups have a high affinity with inorganic substances, and organic functional groups have a high affinity with organic substances. For example, the affinity of organic substances with inorganic substances by acting on organic substances. Generally, it is used to increase the affinity with an organic substance by increasing it or acting on an inorganic substance. For example, a silane coupling agent is allowed to act on the inorganic filler in order to increase the dispersibility in an organic solvent. However, when a silane coupling agent is used as a conductive material precursor having a silver halide emulsion layer, the terminal having the other organic functional group is used regardless of the silanol group having high affinity for silver and the inorganic substance. The present inventor has found that the structure of the part is very strongly influenced. When the silane coupling agent has a group having a functional group having a high interaction with silver as represented by the general formula I or II in its structure, very high conductivity can be obtained. Furthermore, the present inventors have found that the color tone of silver is greatly changed and good visibility can be obtained, and the present invention has been achieved.

本発明の導電性材料前駆体は支持体上に少なくとも物理現像核層、ハロゲン化銀乳剤層を支持体に近い方からこの順で有する。さらには、非感光性層を支持体から最も遠い最外層として及び/または物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層との間の中間層として有していても良い。また物理現像核層と支持体の間に支持体と現像後形成される銀膜との接着性を高めるため下引き層を設けることも可能である。本発明において一般式IもしくはIIで表されるシランカップリング剤は物理現像核層、もしくは物理現像核層に接する層に含有される。ここで物理現像核層に接する層としては前述の下引き層、あるいは中間層であり、また中間層を設けない場合はハロゲン化銀乳剤層が挙げられる。本発明においてシランカップリング剤は特に物理現像核層、もしくは下引き層に含有されることが好ましい。また複数の層にわたって一般式IもしくはIIで表されるシランカップリング剤を含有させることもできるが、この場合は物理現像核層と下引き層に含有させることが好ましい。   The conductive material precursor of the present invention has at least a physical development nucleus layer and a silver halide emulsion layer on the support in this order from the side closer to the support. Further, the non-photosensitive layer may be provided as the outermost layer farthest from the support and / or as an intermediate layer between the physical development nucleus layer and the silver halide emulsion layer. It is also possible to provide an undercoat layer between the physical development nucleus layer and the support in order to enhance the adhesion between the support and the silver film formed after development. In the present invention, the silane coupling agent represented by the general formula I or II is contained in the physical development nucleus layer or a layer in contact with the physical development nucleus layer. Here, the layer in contact with the physical development nucleus layer is the above-described undercoat layer or intermediate layer, and when no intermediate layer is provided, a silver halide emulsion layer can be mentioned. In the present invention, the silane coupling agent is particularly preferably contained in the physical development nucleus layer or the undercoat layer. Further, the silane coupling agent represented by the general formula I or II can be contained over a plurality of layers, but in this case, it is preferably contained in the physical development nucleus layer and the undercoat layer.

本発明において用いるシランカップリング剤は一般式IもしくはIIで示される化合物である。まず一般式Iについてまず説明する。一般式Iにおいて、R1は1級アミノ基、2級アミノ基、ウレイド基、アミジノ基、グアニジノ基、ウレイレン基、イソウレイド基、チオウレイド基、チオウレイレン基、イソチオウレイレン基、カルバゾイル基、チオカルバゾイル基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、カルバゾノ基、カルボノヒドラジド基、チオカルボノヒドラジド基、セミカルバゾノ基、チオセミカルバゾノ基、チオカルバゾノ基、カルボジアゾノ基、チオカルボジアゾノ基、メルカプト基、含窒素複素環基から選ばれる少なくとも1つの官能基を有する基を表す。R2はアルコキシ基、例えばエトキシ基やメトキシ基を、又は塩素等のハロゲン原子からなる基を表し、R3はメチル基、もしくはエチル基を表し、pは1、2又は3を表す。 The silane coupling agent used in the present invention is a compound represented by the general formula I or II. First, the general formula I will be described first. In general formula I, R 1 is a primary amino group, secondary amino group, ureido group, amidino group, guanidino group, ureylene group, isoureido group, thioureido group, thioureylene group, isothioureylene group, carbazoyl group, thiocarbazoyl group , Semicarbazide group, thiosemicarbazide group, carbazono group, carbonohydrazide group, thiocarbonohydrazide group, semicarbazono group, thiosemicarbazono group, thiocarbazono group, carbodiazono group, thiocarbodiazono group, mercapto group, nitrogen-containing heterocycle Represents a group having at least one functional group selected from the group; R 2 represents an alkoxy group, for example, an ethoxy group or a methoxy group, or a group composed of a halogen atom such as chlorine, R 3 represents a methyl group or an ethyl group, and p represents 1, 2 or 3.

Figure 0004909123
Figure 0004909123

本発明において含窒素複素環基としては、特に限定されず、複素環内に窒素原子を含むものであれば複素環内に窒素以外の他のヘテロ原子、例えば硫黄原子、酸素原子等を有するものでも用いることができる。また複素環基は置換基を有していても良く、置換基としてはメチル基、エチル基、(イソ)プロピル基、ヘキシル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、(イソ)プロポキシ基等のアルコキシ基、フッ素、ヨウ素、塩素等のハロゲン原子からなる基、シアノ基、アミノ基、芳香族炭化水素基、エステル基、エーテル基、アシル基、チオエーテル基などが挙げられ、これらを組み合わせて用いることもできる。これらの置換位置は特に限定されず、また置換基数も限定されない。   In the present invention, the nitrogen-containing heterocyclic group is not particularly limited, and if it contains a nitrogen atom in the heterocyclic ring, it has a hetero atom other than nitrogen, for example, a sulfur atom, an oxygen atom, etc. in the heterocyclic ring. But it can also be used. Further, the heterocyclic group may have a substituent, and examples of the substituent include alkyl groups such as methyl, ethyl, (iso) propyl, and hexyl groups, methoxy, ethoxy, and (iso) propoxy groups. Alkoxy groups, groups consisting of halogen atoms such as fluorine, iodine, chlorine, cyano groups, amino groups, aromatic hydrocarbon groups, ester groups, ether groups, acyl groups, thioether groups, and the like, which are used in combination. You can also. These substitution positions are not particularly limited, and the number of substituents is not limited.

このような含窒素複素環基としては、例えばピロリニル基、ピロリジニル基、オキシインドリル基、インドキシリル基、ジオキシインドリル基、イサチニル基、フタルイミジニル基、β−イソインジギル基、モノポルフィリニル基、ジポルフィリニル基、トリポルフィリニル基、ザポルフィリニル基、フタロシアニニル基、ウロポルフィルニル基、クロロフィリニル基、フィロエリトリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、イミダゾリニル基、イミダゾリジニル基、ヒダントイニル基、ピラゾリニル基、ピラゾロニル基、ピラゾリジニル基、インダゾリル基、ピリドインダゾリル基、プリニル基、シンノリニル基、ピロリル基、ピロリニル基、インドリル基、インドリニル基、オキシインドリル基、カルバゾリル基、フェノチアジニル基、イソインドリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、オキサトリアゾリル基、チアトリアゾリル基、フェナントロリニル基、オキサジニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、アントラニリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾフラザニル基、ピリジニル基、ピリミジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、トリアジニル基、チミニル基等、あるいはこれらの置換誘導体基が挙げられる。   Examples of such nitrogen-containing heterocyclic groups include pyrrolinyl group, pyrrolidinyl group, oxyindolyl group, indoxysilyl group, dioxyindolyl group, isatinyl group, phthalimidinyl group, β-isoindigyl group, monoporphyrinyl group, diporphyrinyl group. Group, triporphyrinyl group, zaporphyrinyl group, phthalocyaninyl group, uroporphyrinyl group, chlorophyllinyl group, phyroerythrinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, benzoimidazolyl group, benzopyrazolyl group Group, benzotriazolyl group, imidazolinyl group, imidazolidinyl group, hydantoinyl group, pyrazolinyl group, pyrazolonyl group, pyrazolidinyl group, indazolyl group, pyridoindazolyl group, purinyl group, cinnolinyl group, pyrrolyl group, pin Linyl, indolyl, indolinyl, oxyindolyl, carbazolyl, phenothiazinyl, isoindolyl, oxazolyl, thiazolyl, isoxazolyl, isothiazolyl, oxadiazolyl, thiadiazolyl, oxatriazolyl, thiatriazolyl , Phenanthrolinyl group, oxazinyl group, benzoxazolyl group, benzisoxazolyl group, anthranilyl group, benzothiazolyl group, benzofurazanyl group, pyridinyl group, pyrimidinyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, triazinyl group, thyminyl group, etc. Or a substituted derivative group thereof.

本発明において1級アミノ基、2級アミノ基、ウレイド基、アミジノ基、グアニジノ基、ウレイレン基、イソウレイド基、チオウレイド基、チオウレイレン基、イソチオウレイレン基、カルバゾイル基、チオカルバゾイル基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、カルバゾノ基、カルボンヒドラジド基、チオカルボンヒドラジド基、セミカルバゾノ基、チオセミカルバゾノ基、チオカルバゾノ基、カルボジアゾノ基、チオカルボジアゾノ基、メルカプト基、含窒素複素環基から選ばれる少なくとも1つの官能基を有する基は特に限定しないが、その好ましい基としては下記一般式III、V、VIで表される基で示される。   In the present invention, primary amino group, secondary amino group, ureido group, amidino group, guanidino group, ureylene group, isoureido group, thioureido group, thioureylene group, isothioureylene group, carbazoyl group, thiocarbazoyl group, semicarbazide group, thio At least one function selected from a semicarbazide group, a carbazono group, a carboxylic hydrazide group, a thiocarboxylic hydrazide group, a semicarbazono group, a thiosemicarbazono group, a thiocarbazono group, a carbodiazono group, a thiocarbodiazono group, a mercapto group, and a nitrogen-containing heterocyclic group The group having a group is not particularly limited, but preferred groups are those represented by the following general formulas III, V and VI.

Figure 0004909123
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一般式III中X1は1級アミノ基、ウレイド基、アミジノ基、グアニジノ基、イソウレイド基、チオウレイド基、カルバゾイル基、チオカルバゾイル基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、カルバゾノ基、カルボンヒドラジド基、チオカルボンヒドラジド基、セミカルバゾノ基、チオセミカルバゾノ基、チオカルバゾノ基、カルボジアゾノ基、チオカルボジアゾノ基、メルカプト基、含窒素複素環基から選ばれる少なくとも1つの官能基、A1は炭素数1〜20、好ましくは1〜6のアルキレン基もしくは炭素数6〜18、好ましくは6〜10のアラルキレン基を表す。B1は炭素数1〜20好ましくは1〜6のアルキレン基、もしくは炭素数6〜18、好ましくは6〜10のアラルキレン基、もしくは一般式IVで表される基を表す。r、sはそれぞれ1または0を表す。なお、一般式IV中mは0〜10好ましくは0〜4を表す。一般式III中、Yはアミノ結合、尿素結合、ウレタン結合、チオウレタン結合、チオ尿素結合、アミド結合、チオアミド結合、エステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合を表す。 In general formula III, X 1 is a primary amino group, ureido group, amidino group, guanidino group, isoureido group, thioureido group, carbazoyl group, thiocarbazoyl group, semicarbazide group, thiosemicarbazide group, carbazono group, carboxylic hydrazide group, thiocarboxylic hydrazide group , Semicarbazono group, thiosemicarbazono group, thiocarbazono group, carbodiazono group, thiocarbodiazono group, mercapto group, nitrogen-containing heterocyclic group, A 1 has 1 to 20 carbon atoms, preferably An alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or an aralkylene group having 6 to 18 carbon atoms, preferably 6 to 10 carbon atoms is represented. B 1 represents an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 6 carbon atoms, an aralkylene group having 6 to 18 carbon atoms, preferably 6 to 10 carbon atoms, or a group represented by the general formula IV. r and s each represent 1 or 0. In the general formula IV, m represents 0 to 10, preferably 0 to 4. In general formula III, Y represents an amino bond, urea bond, urethane bond, thiourethane bond, thiourea bond, amide bond, thioamide bond, ester bond, ether bond, or thioether bond.

Figure 0004909123
Figure 0004909123

一般式V中X2は1級アミノ基、ウレイド基、アミジノ基、グアニジノ基、イソウレイド基、チオウレイド基、イソチオウレイレン基、カルバゾイル基、チオカルバゾイル基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、カルバゾノ基、カルボンヒドラジド基、チオカルボンヒドラジド基、セミカルバゾノ基、チオセミカルバゾノ基、チオカルバゾノ基、カルボジアゾノ基、チオカルボジアゾノ基、メルカプト基、含窒素複素環基から選ばれる少なくとも1つの官能基、A2は炭素数1〜20好ましくは1〜6のアルキレン基もしくは炭素数6〜18好ましくは6〜10のアラルキレン基、もしくは一般式IVで表される基を表す。tは0または1を表す。 X 2 in the general formula V is a primary amino group, ureido group, amidino group, guanidino group, isoureido group, thioureido group, isothioureylene group, carbazoyl group, thiocarbazoyl group, semicarbazide group, thiosemicarbazide group, carbazono group, carvone At least one functional group selected from a hydrazide group, a thiocarboxylic hydrazide group, a semicarbazono group, a thiosemicarbazono group, a thiocarbazono group, a carbodiazono group, a thiocarbodiazono group, a mercapto group, and a nitrogen-containing heterocyclic group, and A 2 represents the number of carbon atoms. 1 to 20 preferably represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, an aralkylene group having 6 to 18 carbon atoms, preferably 6 to 10 carbon atoms, or a group represented by the general formula IV. t represents 0 or 1;

Figure 0004909123
Figure 0004909123

一般式VI中Zは2級アミノ基、ウレイレン基、チオウレイレン基を表し、A3は炭素数1〜20の分岐しても良いアルキル基、あるいは分岐しても良い炭素数7〜18のアラルキル基、もしくは炭素数6〜18のアリール基、もしくは炭素数6〜18のアリール基にメトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子などのハロゲン原子からなる基、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基等で置換された基を表す。B3はまたは炭素数1〜20、好ましくは1〜6のアルキレン基もしくは炭素数6〜18、好ましくは6〜10のアラルキレン基を表す、もしくは一般式IVで表される基を表す。uは0または1を表す。 In general formula VI, Z represents a secondary amino group, ureylene group, or thioureylene group, and A 3 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be branched, or an aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms which may be branched. Or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, an alkoxy group such as a methoxy group or an ethoxy group, a group consisting of a halogen atom such as a fluorine atom or a chlorine atom, an alkyl group, an aralkyl group, A group substituted with an alkenyl group or the like is represented. B 3 represents an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 6 carbon atoms, or an aralkylene group having 6 to 18 carbon atoms, preferably 6 to 10 carbon atoms, or a group represented by the general formula IV. u represents 0 or 1;

次に一般式IIについて説明する。一般式II中R4及びR9はそれぞれメトキシ基やエトキシ基などのアルコキシ基又は塩素等のハロゲン原子からなる基であり、R5及びR8はそれぞれメチル基、もしくはエチル基で、R6及びR7は炭素数1〜6のアルキル基であり、nは2〜6の自然数であり、p、qはそれぞれ1、2、又は3である。 Next, general formula II will be described. In the general formula II, R 4 and R 9 are each an alkoxy group such as a methoxy group or an ethoxy group or a group consisting of a halogen atom such as chlorine, R 5 and R 8 are each a methyl group or an ethyl group, and R 6 and R 7 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, n is a natural number of 2 to 6, and p and q are 1, 2, or 3, respectively.

Figure 0004909123
Figure 0004909123

本発明において好ましいシランカップリング剤としては下記のようなシランカップリング剤が挙げられる。一般式Iで示されるシランカップリング剤の中で、一般式IIIもしくはVで示される基を持つシランカップリング剤において、1級アミノ基、メルカプト基、ウレイド基、もしくはイミダゾリル基を有するシランカップリング剤。一般式VIで示される基を持つシランカップリング剤において、2級アミノ基を有するシランカップリング剤。一般式IIで示されるシランカップリング剤。この中でも1級アミノ基、メルカプト基、もしくはイミダゾリル基を有する一般式IIIもしくはVで示される基を持つ一般式Iで示されるシランカップリング剤が特に高い導電性が得られやすいと言う点で好ましい。これら好適なシランカップリング剤は単独でも複数種を混合させて用いても良い。   In the present invention, preferred silane coupling agents include the following silane coupling agents. Among the silane coupling agents represented by the general formula I, a silane coupling agent having a primary amino group, mercapto group, ureido group, or imidazolyl group in the silane coupling agent having the group represented by the general formula III or V Agent. A silane coupling agent having a secondary amino group in the silane coupling agent having a group represented by the general formula VI. A silane coupling agent represented by the general formula II. Among these, a silane coupling agent represented by the general formula I having a group represented by the general formula III or V having a primary amino group, a mercapto group, or an imidazolyl group is preferable in that a particularly high conductivity is easily obtained. . These suitable silane coupling agents may be used singly or as a mixture of plural kinds.

一般式Iで表されるシランカップリング剤として、具体的には以下のごとき化合物が好適に用いられる。1級アミノ基を有する一般式IIIで示される基を有する化合物:N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、特開2000−297094号公報記載のアミノシランカップリング剤。1級アミノ基を有する一般式Vで示される基を持つ化合物:3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン。2級アミノ基を有する一般式VIで示される基を有する化合物:N−メチル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−ビニルベンジル−2−アミノプロピルトリメトキシシラン。ウレイド基を有する一般式Vで示される基を有する化合物:3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン。メルカプト基を有する一般式IIIもしくはVで示される基を有する化合物:3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン。イミダゾリル基を含有する一般式IIIで示される基を有する化合物:特開平9−295992号公報記載のイミダゾリル基含有シランカップリング剤、特開2000−297094号公報記載のイミダゾリル基含有シランカップリング剤、特開2002−363189号公報記載の含窒素複素環基を有するシランカップリング剤。イミダゾリル基を含有する一般式Vで示される基を有する化合物:1−トリメトキシシリルメチル−イミダゾール、1−(2−トリメトキシシリルエチル)−2−メチル−イミダゾール、1−(3−トリメトキシシリル)プロピル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、特開平5−039295号公報記載のイミダゾリル基含有シランカップリング剤。   Specifically, the following compounds are suitably used as the silane coupling agent represented by the general formula I. Compounds having a group represented by the general formula III having a primary amino group: N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane An aminosilane coupling agent described in JP-A-2000-297094. Compounds having a group represented by the general formula V having a primary amino group: 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane. Compounds having a group represented by the general formula VI having a secondary amino group: N-methyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-vinylbenzyl-2-aminopropyl Trimethoxysilane. A compound having a group represented by the general formula V having a ureido group: 3-ureidopropyltriethoxysilane. Compounds having a group represented by general formula III or V having a mercapto group: 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane. Compounds having a group represented by general formula III containing an imidazolyl group: an imidazolyl group-containing silane coupling agent described in JP-A-9-295992, an imidazolyl group-containing silane coupling agent described in JP-A 2000-297094, A silane coupling agent having a nitrogen-containing heterocyclic group described in JP-A-2002-363189. Compounds having a group represented by the general formula V containing an imidazolyl group: 1-trimethoxysilylmethyl-imidazole, 1- (2-trimethoxysilylethyl) -2-methyl-imidazole, 1- (3-trimethoxysilyl) ) Propyl-2-ethyl-4-methylimidazole, an imidazolyl group-containing silane coupling agent described in JP-A-5-039295.

一般式IIで表されるシランカップリング剤として、具体的には以下のごとき化合物が好適に用いられる。ビス((3−トリエトキシシリル)プロピル)ジスルフィド、ビス(3−(トリエトキシシリル)プロピル)テトラスルフィド。   Specifically, the following compounds are suitably used as the silane coupling agent represented by the general formula II. Bis ((3-triethoxysilyl) propyl) disulfide, bis (3- (triethoxysilyl) propyl) tetrasulfide.

本発明において一般式I若しくはIIで示されるシランカップリング剤の好ましい使用量は1〜1000mg/m2、好ましくは5〜300mg/m2である。一般式I若しくはIIで示されるシランカップリング剤を複数の層にわたって含有させる場合でも、その好ましい合計量は前述の量である。本発明において一般式I若しくはIIで示されないシランカップリング剤も併せて用いることができるが、この場合一般式I若しくはIIで示されるシランカップリング剤の200質量%以下、更に好ましくは50質量%以下であることが好ましい。 In the present invention, the preferred amount of the silane coupling agent represented by the general formula I or II is 1-1000 mg / m 2 , preferably 5-300 mg / m 2 . Even when the silane coupling agent represented by the general formula I or II is contained over a plurality of layers, the preferable total amount is the above-mentioned amount. In the present invention, a silane coupling agent not represented by the general formula I or II can also be used. In this case, the silane coupling agent represented by the general formula I or II is 200% by mass or less, more preferably 50% by mass. The following is preferable.

本発明において一般式I若しくはIIで示されるシランカップリング剤はそのまま塗液に溶解させて塗工することもできるし、また特に水系塗工する場合、塩酸や酢酸などの酸触媒を用いて部分加水分解した後に塗工液に溶解させて使用することもできる。   In the present invention, the silane coupling agent represented by the general formula I or II can be dissolved in a coating solution as it is, and can be applied by using an acid catalyst such as hydrochloric acid or acetic acid, particularly in the case of aqueous coating. It can also be used after being hydrolyzed and dissolved in a coating solution.

本発明の導電性材料前駆体における物理現像核層の物理現像核としては、重金属あるいはその硫化物からなる微粒子(粒子サイズは1〜数十nm程度)が用いられる。例えば、金、銀等のコロイド、パラジウム、亜鉛等の水溶性塩と硫化物を混合した金属硫化物等が挙げられるが、銀コロイド及び硫化パラジウム核が好ましい。これらの物理現像核の微粒子層は、真空蒸着法、カソードスパッタリング法、コーティング法によって支持体上に設けることができる。生産効率の面からコーティング法が好ましく用いられる。物理現像核層における物理現像核の含有量は、固形分で1平方メートル当たり0.1〜10mg程度が好ましい。   As the physical development nuclei of the physical development nuclei layer in the conductive material precursor of the present invention, fine particles (having a particle size of about 1 to several tens of nanometers) made of heavy metal or a sulfide thereof are used. Examples thereof include colloids such as gold and silver, metal sulfides obtained by mixing sulfides with water-soluble salts such as palladium and zinc, and silver colloids and palladium sulfide nuclei are preferable. The fine particle layer of these physical development nuclei can be provided on the support by a vacuum deposition method, a cathode sputtering method, or a coating method. From the viewpoint of production efficiency, a coating method is preferably used. The content of physical development nuclei in the physical development nuclei layer is preferably about 0.1 to 10 mg per square meter in solid content.

物理現像核層には、バインダーとして非水溶性高分子としての高分子ラテックスを使用することもできる。高分子ラテックスとしては単独重合体や共重合体など各種公知のラテックスを用いることができる。単独重合体としては酢酸ビニル、塩化ビニル、スチレン、メチルアクリレート、ブチルアクリレート、メタクリロニトリル、ブタジエン、イソプレンなどの重合体があり、共重合体としてはエチレン・ブタジエン共重合体、スチレン・ブタジエン共重合体、スチレン・p−メトキシスチレン共重合体、スチレン・酢酸ビニル共重合体、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、酢酸ビニル・マレイン酸ジエチル共重合体、メチルメタクリレート・アクリロニトリル共重合体、メチルメタクリレート・ブタジエン共重合体、メチルメタクリレート・スチレン共重合体、メチルメタクリレート・酢酸ビニル共重合体、メチルメタクリレート・塩化ビニリデン共重合体、メチルアクリレート・アクリロニトリル共重合体、メチルアクリレート・ブタジエン共重合体、メチルアクリレート・スチレン共重合体、メチルアクリレート・酢酸ビニル共重合体、アクリル酸・ブチルアクリレート共重合体、メチルアクリレート・塩化ビニル共重合体、ブチルアクリレート・スチレン共重合体、各種ウレタン等がある。この中でもウレタンラテックスが好ましい。   In the physical development nucleus layer, a polymer latex as a water-insoluble polymer can also be used as a binder. As the polymer latex, various known latexes such as homopolymers and copolymers can be used. Homopolymers include polymers such as vinyl acetate, vinyl chloride, styrene, methyl acrylate, butyl acrylate, methacrylonitrile, butadiene, and isoprene. Copolymers include ethylene / butadiene copolymers and styrene / butadiene copolymers. Styrene / p-methoxystyrene copolymer, styrene / vinyl acetate copolymer, vinyl acetate / vinyl chloride copolymer, vinyl acetate / diethyl maleate copolymer, methyl methacrylate / acrylonitrile copolymer, methyl methacrylate / Butadiene copolymer, methyl methacrylate / styrene copolymer, methyl methacrylate / vinyl acetate copolymer, methyl methacrylate / vinylidene chloride copolymer, methyl acrylate / acrylonitrile copolymer, methyl acrylate / butadiene Polymer, methyl acrylate / styrene copolymer, methyl acrylate / vinyl acetate copolymer, acrylic acid / butyl acrylate copolymer, methyl acrylate / vinyl chloride copolymer, butyl acrylate / styrene copolymer, various urethanes, etc. is there. Among these, urethane latex is preferable.

ウレタンラテックスはポリオールとポリイソシアネートから合成される。ウレタンラテックス合成に用いられるポリオールとしてはポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、アクリルポリオールなどが挙げられるが、本発明においてはポリカーボネートポリオールを用いたポリカーボネート系ウレタンが特に好ましい。ポリカーボネートポリオールは、例えば炭酸エステルとジオールとを反応させることにより得ることができる。炭酸エステルの例としてはエチレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジフェニルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネートなどを挙げることができ、ジオールの例としては1,6−ヘキサンジオール、1,4−シクロヘキサンジオール、1,4−シクロヘキサンジメタノール、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリカプロラクトンジオール、1,4−ブタンジオール、ビスフェノールAなどが挙げられる。また、ポリカーボネートジオールとジカルボン酸あるいはポリエステルとの反応で得られるポリエステルポリカーボネートであってもよい。ウレタンラテックスの合成に用いられるポリイソシアネートとしては芳香族系ポリイソシアネート類と脂肪族・脂環族系ポリイソシアネート類が挙げられるが、本発明においてはヘキサメチレンジイソシアネートやイソホロンジイソシアネートなどの脂肪族・脂環族系ポリイソシアネート類を用いた無黄変型ウレタンラテックスが好ましい。   Urethane latex is synthesized from polyol and polyisocyanate. Polyols used for urethane latex synthesis include polyether polyols, polyester polyols, polycarbonate polyols, acrylic polyols and the like. In the present invention, polycarbonate urethanes using polycarbonate polyols are particularly preferred. The polycarbonate polyol can be obtained, for example, by reacting a carbonate and a diol. Examples of the carbonate ester include ethylene carbonate, dimethyl carbonate, diethyl carbonate, diphenyl carbonate, dicyclohexyl carbonate and the like. Examples of the diol include 1,6-hexanediol, 1,4-cyclohexanediol, 1,4- Examples include cyclohexanedimethanol, 3-methyl-1,5-pentanediol, polyethylene glycol, polypropylene glycol, polycaprolactone diol, 1,4-butanediol, and bisphenol A. Moreover, the polyester polycarbonate obtained by reaction with polycarbonate diol, dicarboxylic acid, or polyester may be sufficient. Polyisocyanates used for the synthesis of urethane latex include aromatic polyisocyanates and aliphatic / alicyclic polyisocyanates. In the present invention, aliphatic / alicyclic such as hexamethylene diisocyanate and isophorone diisocyanate. Non-yellowing urethane latex using an aliphatic polyisocyanate is preferred.

本発明の導電性材料前駆体の物理現像核層において高分子ラテックスを用いる場合、その平均粒子径は0.01〜0.3μmであることが好ましく、更に好ましくは0.02〜0.1μmである。高分子ラテックスの好ましい使用量は固形分で0.01〜50mg/m2で、好ましくは1〜10mg/m2である。 When the polymer latex is used in the physical development nucleus layer of the conductive material precursor of the present invention, the average particle diameter is preferably 0.01 to 0.3 μm, more preferably 0.02 to 0.1 μm. is there. The preferred amount of polymer latex is 0.01 to 50 mg / m 2 in solids, preferably 1-10 mg / m 2.

本発明において物理現像核層として水溶性高分子を含有することもできる。水溶性高分子の量は一般式IもしくはIIで表されるシランカップリング剤に対して20質量%以下が好ましい。水溶性高分子としては、ゼラチン、アラビアゴム、セルロース、アルブミン、カゼイン、アルギン酸ナトリウム、各種デンプン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、アクリルアミドとビニルイミダゾールの共重合体等を用いることができるが、特にカビ等の発生の少ないポリビニルアルコールなどの合成高分子が好ましい。   In the present invention, a water-soluble polymer can also be contained as the physical development nucleus layer. The amount of the water-soluble polymer is preferably 20% by mass or less based on the silane coupling agent represented by the general formula I or II. As the water-soluble polymer, gelatin, gum arabic, cellulose, albumin, casein, sodium alginate, various starches, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, polyacrylamide, copolymers of acrylamide and vinyl imidazole, etc. can be used. Synthetic polymers such as polyvinyl alcohol with less generation of mold and the like are preferable.

物理現像核層には、特に下引き層に高分子ラテックスなどを用いる場合、例えばクロム明ばんのような無機化合物、ホルマリン、グリオキザール、マレアルデヒド、グルタルアルデヒドのようなアルデヒド類、尿素やエチレン尿素等のN−メチロール化合物、ムコクロル酸、2,3−ジヒドロキシ−1,4−ジオキサンの様なアルデヒド等価体、2,4−ジクロロ−6−ヒドロキシ−s−トリアジン塩や、2,4−ジヒドロキシ−6−クロロートリアジン塩のような活性ハロゲンを有する化合物、ジビニルスルホン、ジビニルケトンやN,N,N−トリアクリロイルヘキサヒドロトリアジン、活性な三員環であるエチレンイミノ基やエポキシ基を分子中に二個以上有する化合物類、あるいはこれら以外に「高分子の化学反応」(大河原 信著 1972、化学同人社)の2・6・7章、5.2章、9・3章など記載の架橋剤等の公知の高分子架橋剤を含有させることもできる。その好ましい架橋剤の種類や量は下引き層に用いるバインダーの種類に応じて用いる。   For the physical development nucleus layer, in particular, when a polymer latex is used for the undercoat layer, for example, inorganic compounds such as chromium alum, aldehydes such as formalin, glyoxal, malealdehyde, glutaraldehyde, urea, ethylene urea, etc. N-methylol compounds, mucochloric acid, aldehyde equivalents such as 2,3-dihydroxy-1,4-dioxane, 2,4-dichloro-6-hydroxy-s-triazine salts, and 2,4-dihydroxy-6 -Compounds having active halogen such as chloro-triazine salt, divinyl sulfone, divinyl ketone, N, N, N-triacryloylhexahydrotriazine, active three-membered ethyleneimino group or epoxy group in the molecule. Compounds with more than one, or “polymeric chemical reactions” other than these (Nobuo Okawara) 1972, Kagaku Dojinsha Co., Ltd.), 2, 6, 7 chapters, 5.2 chapters, chapters 9 and 3 and the like can also contain known polymer crosslinking agents. The preferable kind and amount of the crosslinking agent are used according to the kind of binder used for the undercoat layer.

物理現像核層には必要に応じてResearch Disclosure Item 17643(1978年12月)および18716(1979年11月)、308119(1989年12月)に記載されているような公知の写真用添加剤を含有させることができる。   In the physical development nucleus layer, known photographic additives such as those described in Research Disclosure Item 17643 (December 1978) and 18716 (November 1979) and 308119 (December 1989) are optionally added. It can be included.

本発明において下引き層を導電性材料前駆体に設ける場合には、一般式IもしくはIIで表されるシランカップリング剤をバインダーとして、もしくはそれに加えて高分子ラテックスや水溶性高分子を含有させることができる。高分子ラテックスや水溶性高分子を用いる場合には、水溶性高分子を高分子ラテックスの25質量%以下にすることが好ましく、さらには水溶性高分子は用いず高分子ラテックス単独で用いることが好ましい。下引き層において用いる高分子ラテックスとしては前述の物理現像核層のバインダーと同様の高分子ラテックスを用いることができる。また、水溶性高分子を用いる場合も物理現像核層のバインダーと同様の水溶性高分子を用いることができる。高分子ラテックスや水溶性高分子の好ましい使用量としては0.01〜2g/m2、更に好ましくは0.05〜0.8g/m2である。また下引き層に一般式I若しくはIIで示されるシランカップリング剤を含有させる場合には、バインダーの塗設量は一般式I若しくはIIで示されるシランカップリング剤の2000質量%以下、好ましくは1000質量%以下とすることが好ましい。更に下引き層にはシリカなどのマット剤、界面活性剤等を含有させることができる。また、例えばクロム明ばんのような無機化合物、ホルマリン、グリオキザール、マレアルデヒド、グルタルアルデヒドのようなアルデヒド類、尿素やエチレン尿素等のN−メチロール化合物、ムコクロル酸、2,3−ジヒドロキシ−1,4−ジオキサンの様なアルデヒド等価体、2,4−ジクロロ−6−ヒドロキシ−s−トリアジン塩や、2,4−ジヒドロキシ−6−クロロートリアジン塩のような活性ハロゲンを有する化合物、ジビニルスルホン、ジビニルケトンやN,N,N−トリアクリロイルヘキサヒドロトリアジン、活性な三員環であるエチレンイミノ基やエポキシ基を分子中に二個以上有する化合物類、あるいはこれら以外に「高分子の化学反応」(大河原 信著 1972、化学同人社)の2・6・7章、5.2章、9・3章など記載の架橋剤等の公知の高分子架橋剤を含有させることもできる。 In the present invention, when the undercoat layer is provided on the conductive material precursor, a polymer latex or a water-soluble polymer is contained as a binder or in addition to the silane coupling agent represented by the general formula I or II. be able to. In the case of using a polymer latex or a water-soluble polymer, the water-soluble polymer is preferably 25% by mass or less of the polymer latex, and it is preferable to use the polymer latex alone without using the water-soluble polymer. preferable. As the polymer latex used in the undercoat layer, the same polymer latex as the binder of the physical development nucleus layer described above can be used. Also when a water-soluble polymer is used, the same water-soluble polymer as the binder for the physical development nucleus layer can be used. The preferred amount of polymer latex or water-soluble polymer used is 0.01 to 2 g / m 2 , more preferably 0.05 to 0.8 g / m 2 . Further, when the silane coupling agent represented by the general formula I or II is contained in the undercoat layer, the coating amount of the binder is 2000% by mass or less of the silane coupling agent represented by the general formula I or II, preferably It is preferable to set it as 1000 mass% or less. Further, the undercoat layer can contain a matting agent such as silica, a surfactant and the like. In addition, for example, inorganic compounds such as chromium alum, aldehydes such as formalin, glyoxal, malealdehyde, glutaraldehyde, N-methylol compounds such as urea and ethylene urea, mucochloric acid, 2,3-dihydroxy-1,4 Aldehyde equivalents such as dioxane, 2,4-dichloro-6-hydroxy-s-triazine salts, compounds having active halogen such as 2,4-dihydroxy-6-chloro-triazine salts, divinyl sulfone, divinyl Ketones, N, N, N-triacryloylhexahydrotriazines, compounds having two or more active three-membered ethyleneimino groups or epoxy groups in the molecule, or in addition to these, “polymeric chemical reactions” ( Nobu Okawara, 1972, Chemistry Dojinsha), 2, 6, 7, 5.2, 9.3, etc. The known polymer crosslinking agent such as placing the cross-linking agent can also be contained.

さらに下引き層には必要に応じてResearch Disclosure Item 17643(1978年12月)および18716(1979年11月)、308119(1989年12月)に記載されているような公知の写真用添加剤を含有させることもできる。   Further, a known photographic additive as described in Research Disclosure Item 17643 (December 1978) and 18716 (November 1979) and 308119 (December 1989) is optionally added to the undercoat layer. It can also be contained.

また、本発明において導電性材料前駆体の物理現像核層と支持体との間に下引き層を設ける場合で一般式IもしくはIIで表されるシランカップリング剤を下引き層に含有させない場合には、例えば特開平6−172568号公報や特開平11−52514号公報、特開2000−229396号公報など公知の下引き層を用いることもできる。   In the present invention, when an undercoat layer is provided between the physical development nucleus layer of the conductive material precursor and the support, the silane coupling agent represented by the general formula I or II is not included in the undercoat layer. For example, a known undercoat layer such as JP-A-6-172568, JP-A-11-52514, or JP-A-2000-229396 may be used.

物理現像核層や下引き層の塗布には、例えばディップコーティング、スライドコーティング、カーテンコーティング、バーコーティング、エアーナイフコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティング、スプレーコーティングなどの塗布方式で塗布することができる。   The physical development nucleus layer and the undercoat layer can be applied by a coating method such as dip coating, slide coating, curtain coating, bar coating, air knife coating, roll coating, gravure coating, spray coating, and the like.

本発明の導電性材料前駆体においては光センサーとしてハロゲン化銀乳剤層が設けられる。ハロゲン化銀に関する銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等で用いられる技術は、そのまま用いることもできる。   In the conductive material precursor of the present invention, a silver halide emulsion layer is provided as an optical sensor. Techniques used for silver halide photographic films, photographic papers, printing plate-making films, photomask emulsion masks, and the like relating to silver halides can be used as they are.

ハロゲン化銀乳剤層に用いられるハロゲン化銀乳剤粒子の形成には、順混合、逆混合、同時混合等の、Research Disclosure Item 17643(1978年12月)および18716(1979年11月)、308119(1989年12月)で記載されていような公知の手法を用いることができる。なかでも同時混合法の1種で、粒子形成される液相中のpAgを一定に保ついわゆるコントロールドダブルジェット法を用いることが、粒径のそろったハロゲン化銀乳剤粒子が得られる点において好ましい。本発明においては、好ましいハロゲン化銀乳剤粒子の平均粒径は0.25μm以下、特に好ましくは0.05〜0.2μmである。本発明に用いられるハロゲン化銀乳剤のハロゲン化物組成には好ましい範囲が存在し、塩化物を80モル%以上含有するのが好ましく、特に90モル%以上が塩化物であることが特に好ましい。   The formation of silver halide emulsion grains used in the silver halide emulsion layer is performed by Research Disclosure Item 17643 (December 1978) and 18716 (November 1979), 308119 (forward mixing, reverse mixing, simultaneous mixing, etc.). (December 1989) can be used. Among them, it is preferable to use a so-called controlled double jet method, which is one of the simultaneous mixing methods and keeps the pAg in the liquid phase to be formed constant, from the viewpoint of obtaining silver halide emulsion grains having a uniform particle size. . In the present invention, the average grain size of preferable silver halide emulsion grains is 0.25 μm or less, particularly preferably 0.05 to 0.2 μm. There is a preferable range for the halide composition of the silver halide emulsion used in the present invention, and it is preferable that the chloride content is 80 mol% or more, and it is particularly preferable that 90 mol% or more is chloride.

ハロゲン化銀乳剤の製造においては、必要に応じてハロゲン化銀粒子の形成あるいは物理熟成の過程において、亜硫酸塩、鉛塩、タリウム塩あるいはロジウム塩もしくはその錯塩、イリジウム塩もしくはその錯塩など、VIII族金属元素の塩もしくはその錯塩を共存させても良い。また、種々の化学増感剤によって増感することができ、イオウ増感法、セレン増感法、貴金属増感法など当業界で一般的な方法を、単独、あるいは組み合わせて用いることができる。また本発明においてハロゲン化銀乳剤は必要に応じて色素増感することもできる   In the production of silver halide emulsions, group VIII, such as sulfites, lead salts, thallium salts or rhodium salts or complex salts thereof, iridium salts or complex salts thereof, in the process of silver halide grain formation or physical ripening as necessary. A metal element salt or a complex salt thereof may coexist. Further, it can be sensitized by various chemical sensitizers, and methods commonly used in the art such as sulfur sensitization method, selenium sensitization method and noble metal sensitization method can be used alone or in combination. In the present invention, the silver halide emulsion can be dye-sensitized as necessary.

また、ハロゲン化銀乳剤層が含有するハロゲン化銀量とゼラチン量の比率は、ハロゲン化銀(銀換算)とゼラチンとの質量比(銀/ゼラチン)が1.2以上、より好ましくは1.5以上である。   Further, the ratio of the amount of silver halide and the amount of gelatin contained in the silver halide emulsion layer is such that the mass ratio of silver halide (silver equivalent) to gelatin (silver / gelatin) is 1.2 or more, more preferably 1. 5 or more.

ハロゲン化銀乳剤層には、さらに種々の目的のために、公知の写真用添加剤を用いることができる。これらは、Research Disclosure Item 17643(1978年12月)および18716(1979年11月)、308119(1989年12月)に記載、あるいは引用された文献に記載されている。   In the silver halide emulsion layer, known photographic additives can be used for various purposes. These are described in Research Disclosure Item 17643 (December 1978) and 18716 (November 1979), 308119 (December 1989) or cited.

前述の通り、本発明の導電性材料前駆体にはハロゲン化銀乳剤層と物理現像核層の間やハロゲン化銀乳剤層の上の層に非感光性層を設けることができる。これらの非感光性層は、水溶性高分子を主たるバインダーとする層である。ここでいう水溶性高分子とは、現像液で容易に膨潤し、下層のハロゲン化銀乳剤層、物理現像核層まで現像液を容易に浸透させるものであれば任意のものが選択できる。   As described above, the conductive material precursor of the present invention can be provided with a non-photosensitive layer between the silver halide emulsion layer and the physical development nucleus layer or on the silver halide emulsion layer. These non-photosensitive layers are layers having a water-soluble polymer as a main binder. As the water-soluble polymer mentioned here, any polymer can be selected as long as it easily swells with a developing solution and allows the developing solution to easily penetrate into the underlying silver halide emulsion layer and physical development nucleus layer.

具体的には、ゼラチン、アルブミン、カゼイン、ポリビニルアルコール、等を用いることができる。特に好ましい水溶性高分子は、ゼラチン、アルブミン、カゼイン等のタンパク質である。本発明の効果を十分に得るためには、この非感光性層のバインダー量としては、ハロゲン化銀乳剤層の総バインダー量に対して20質量%〜100質量%の範囲が好ましく、特に30質量%〜80質量%が好ましい。   Specifically, gelatin, albumin, casein, polyvinyl alcohol, or the like can be used. Particularly preferred water-soluble polymers are proteins such as gelatin, albumin and casein. In order to sufficiently obtain the effect of the present invention, the binder amount of the non-photosensitive layer is preferably in the range of 20% by mass to 100% by mass, particularly 30% by mass with respect to the total binder amount of the silver halide emulsion layer. % To 80% by mass is preferable.

これら非感光性層には、必要に応じてResearch Disclosure Item 17643(1978年12月)および18716(1979年11月)、308119(1989年12月)に記載されているような公知の写真用添加剤を含有させることができる。また、処理後のハロゲン化銀乳剤層の剥離を妨げない限りにおいて、架橋剤により硬膜させることも可能である。   These non-photosensitive layers may be added to known photographic additives as described in Research Disclosure Item 17643 (December 1978) and 18716 (November 1979), 308119 (December 1989), if necessary. An agent can be included. Further, the film can be hardened with a crosslinking agent as long as the peeling of the silver halide emulsion layer after the treatment is not prevented.

本発明の導電性材料前駆体にはハロゲン化銀乳剤層の感光波長域に吸収極大を有する非増感性染料又は顔料を、画質向上のためのハレーション、あるいはイラジエーション防止剤として用いることは好ましい。ハレーション防止剤としては、好ましくは上記したベース層あるいは物理現像核層、あるいは物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層の間に必要に応じて設けられる中間層、または支持体を挟んで設けられる裏塗り層に含有させることができる。イラジエーション防止剤としては、ハロゲン化銀乳剤層に含有させるのがよい。添加量は、目的の効果が得られるのであれば広範囲に変化しうるが、たとえばハレーション防止剤として裏塗り層に含有させる場合、1平方メートル当たり、約20mg〜約1gの範囲が望ましく、好ましくは、極大吸収波長における光学濃度として、0.5以上である。   In the conductive material precursor of the present invention, it is preferable to use a non-sensitizing dye or pigment having an absorption maximum in the photosensitive wavelength region of the silver halide emulsion layer as a halation for improving image quality or an irradiation prevention agent. The antihalation agent is preferably a base layer or a physical development nucleus layer, an intermediate layer provided as necessary between the physical development nucleus layer and the silver halide emulsion layer, or a back surface provided with a support interposed therebetween. It can be contained in the coating layer. The irradiation inhibitor is preferably contained in the silver halide emulsion layer. The amount added can vary widely as long as the desired effect is obtained, but when it is contained in the backing layer as an antihalation agent, for example, the range of about 20 mg to about 1 g per square meter is desirable, The optical density at the maximum absorption wavelength is 0.5 or more.

本発明の導電性材料前駆体に用いられる支持体としては、例えばポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、ジアセテート樹脂、トリアセテート樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリイミド樹脂、ポリフッ化ビニリデン、セロハン、セルロイド等のプラスチック樹脂フィルム、ガラス板などが挙げられる。さらに本発明においては帯電防止層などを必要に応じて設けることもできる。   Examples of the support used for the conductive material precursor of the present invention include polyester resins such as polyethylene terephthalate, diacetate resins, triacetate resins, acrylic resins, polycarbonate resins, polyvinyl chloride, polyimide resins, polyvinylidene fluoride, cellophane, Examples thereof include plastic resin films such as celluloid and glass plates. Furthermore, in the present invention, an antistatic layer or the like can be provided as necessary.

上記導電性材料前駆体を用い、導電性フィルムを作製するための方法は、例えば網目状パタンの銀薄膜の形成が挙げられる。この場合、ハロゲン化銀乳剤層は網目状パタンに露光されるが、露光方法として、網目状パタンの透過原稿とハロゲン化銀乳剤層を密着して露光する方法、あるいは各種レーザー光を用いて走査露光する方法等がある。上記したレーザー光で露光する方法においては、例えば400〜430nmに発振波長を有する青色半導体レーザー(バイオレットレーザーダイオードとも云う)を用いることができる。   Examples of a method for producing a conductive film using the conductive material precursor include formation of a silver thin film having a mesh pattern. In this case, the silver halide emulsion layer is exposed in a reticulated pattern. As an exposure method, a method for exposing the retransmitted original of the reticulated pattern and the silver halide emulsion layer for exposure, or scanning using various laser beams. There are exposure methods. In the above-described method of exposing with laser light, for example, a blue semiconductor laser (also referred to as a violet laser diode) having an oscillation wavelength of 400 to 430 nm can be used.

網目状パターンのような任意の形状パターンの透過原稿と上記前駆体を密着して露光、あるいは、任意の形状パターンのデジタル画像を各種レーザー光の出力機で上記前駆体に走査露光した後、銀塩拡散転写現像液で処理することにより物理現像が起こり、未露光部のハロゲン化銀が溶解されて銀錯塩となり、物理現像核上で還元されて金属銀が析出して形状パターンの銀薄膜を得ることができる。一方、露光された部分はハロゲン化銀乳剤層中で化学現像されて黒化銀となる。現像後、不要になったハロゲン化銀乳剤層及び中間層、保護層は水洗除去されて、形状パターンの銀薄膜が表面に露出する。   A transparent original having an arbitrary shape pattern such as a mesh pattern and the above precursor are adhered and exposed, or a digital image of an arbitrary shape pattern is scanned and exposed to the precursor with various laser light output machines, and then silver When processed with a salt diffusion transfer developer, physical development occurs, the silver halide in the unexposed areas is dissolved to form a silver complex salt, and reduced on the physical development nuclei to deposit metallic silver, thereby forming a silver thin film with a shape pattern. Obtainable. On the other hand, the exposed portion is chemically developed in the silver halide emulsion layer to become blackened silver. After development, the silver halide emulsion layer, intermediate layer and protective layer which are no longer needed are washed away with water, and a silver thin film having a shape pattern is exposed on the surface.

現像処理後のハロゲン化銀乳剤層等の物理現像核層の上に設けられた層の除去方法は、水洗除去あるいは剥離紙等に転写剥離する方法がある。水洗除去は、スクラビングローラ等を用いて温水シャワーを噴射しながら除去する方法や温水をノズル等でジェット噴射しながら水の勢いで除去する方法がある。また、剥離紙等で転写剥離する方法は、ハロゲン化銀乳剤層上の余分なアルカリ液(銀錯塩拡散転写用現像液)を予めローラ等で絞り取っておき、ハロゲン化銀乳剤層等と剥離紙を密着させてハロゲン化銀乳剤層等をプラスチック樹脂フィルムから剥離紙に転写させて剥離する方法である。剥離紙としては吸水性のある紙や不織布、あるいは紙の上にシリカのような微粒子顔料とポリビニルアルコールのようなバインダーとで吸水性の空隙層を設けたものが用いられる。   As a method for removing a layer provided on a physical development nucleus layer such as a silver halide emulsion layer after development, there is a method of removing by washing with water or transferring to a release paper. There are two methods for removing the water washing: a method of removing hot water using a scrubbing roller or the like while jetting it with a nozzle or the like, and a method of removing hot water by jetting with a nozzle or the like. In addition, the method of transferring and peeling with a release paper or the like is to squeeze the excess alkali solution (silver complex diffusion transfer developer) on the silver halide emulsion layer in advance with a roller or the like, and remove the silver halide emulsion layer and the release paper. In this method, the silver halide emulsion layer and the like are transferred from a plastic resin film to a release paper and peeled off. As the release paper, water-absorbing paper or non-woven fabric, or paper having a water-absorbing void layer formed of fine pigment such as silica and binder such as polyvinyl alcohol on the paper is used.

次に、銀塩拡散転写現像の現像液について説明する。現像液は、可溶性銀錯塩形成剤及び還元剤を含有するアルカリ液である。可溶性銀錯塩形成剤は、ハロゲン化銀を溶解し可溶性の銀錯塩を形成させる化合物であり、還元剤はこの可溶性銀錯塩を還元して物理現像核上に金属銀を析出させるための化合物である。   Next, a developing solution for silver salt diffusion transfer development will be described. The developer is an alkaline solution containing a soluble silver complex salt forming agent and a reducing agent. The soluble silver complex salt forming agent is a compound that dissolves silver halide to form a soluble silver complex salt, and the reducing agent is a compound for reducing the soluble silver complex salt to deposit metallic silver on the physical development nucleus. .

現像液に用いられる可溶性銀錯塩形成剤としては、チオ硫酸ナトリウムやチオ硫酸アンモニウムのようなチオ硫酸塩、チオシアン酸ナトリウムやチオシアン酸アンモニウムのようなチオシアン酸塩、亜硫酸ナトリウムや亜硫酸水素カリウムのような亜硫酸塩、オキサゾリドン類、2−メルカプト安息香酸及びその誘導体、ウラシルのような環状イミド類、アルカノールアミン、ジアミン、特開平9−171257号公報に記載のメソイオン性化合物、USP5,200,294に記載のようなチオエーテル類、5,5−ジアルキルヒダントイン類、アルキルスルホン類、他に、「The Theory of the photographic Process(4th edition,p474〜475」、T.H.James著に記載されている化合物が挙げられる。   Soluble silver complex forming agents used in the developer include thiosulfates such as sodium thiosulfate and ammonium thiosulfate, thiocyanates such as sodium thiocyanate and ammonium thiocyanate, and sulfites such as sodium sulfite and potassium hydrogen sulfite. Salts, oxazolidones, 2-mercaptobenzoic acid and its derivatives, cyclic imides such as uracil, alkanolamines, diamines, mesoionic compounds described in JP-A-9-171257, as described in USP 5,200,294 Thioethers, 5,5-dialkylhydantoins, alkylsulfones, and others, “The Theory of the Photographic Process (4th edition, p474-475)”, described by TH James. And are compounds.

これらの可溶性銀錯塩形成剤の中でも特に、アルカノールアミンが好ましい。アルカノールアミンを含有した処理液で現像を行った導電性フィルムの表面抵抗は比較的低い値が得られる。   Among these soluble silver complex salt forming agents, alkanolamine is particularly preferable. A relatively low value is obtained for the surface resistance of the conductive film developed with the processing solution containing alkanolamine.

アルカノールアミンとしては、例えばN−(2−アミノエチル)エタノールアミン、ジエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、エタノールアミン、4−アミノブタノール、N,N−ジメチルエタノールアミン、3−アミノ−1−プロパノール、2−アミノ−1−プロパノール、2−アミノ−2−メチル−1−プロパノール等が挙げられる。   Examples of the alkanolamine include N- (2-aminoethyl) ethanolamine, diethanolamine, N-methylethanolamine, triethanolamine, N-ethyldiethanolamine, diisopropanolamine, ethanolamine, 4-aminobutanol, N, N- Examples include dimethylethanolamine, 3-amino-1-propanol, 2-amino-1-propanol, and 2-amino-2-methyl-1-propanol.

これらの可溶性銀錯塩形成剤は単独で、または複数組み合わせて使用することができる。   These soluble silver complex salt forming agents can be used alone or in combination.

現像液に用いられる還元剤は、Research Disclosure Item 17643(1978年12月)および18716(1979年11月)、308119(1989年12月)に記載されているような写真現像の分野で公知の現像主薬を用いることができる。例えば、ハイドロキノン、カテコール、ピロガロール、メチルハイドロキノン、クロルハイドロキノン等のポリヒドロキシベンゼン類、アスコルビン酸及びその誘導体、1−フェニル−4,4−ジメチル−3−ピラゾリドン、1−フェニル−3−ピラゾリドン、1−フェニル−4−メチル−4−ヒドロキシメチル−3−ピラゾリドン等の3−ピラゾリドン類、パラメチルアミノフェノール、パラアミノフェノール、パラヒドロキシフェニルグリシン、パラフェニレンジアミン等が挙げられる。これらの還元剤は単独で、または複数組み合わせて使用することができる。   The reducing agent used in the developer is a development known in the field of photographic development as described in Research Disclosure Item 17643 (December 1978) and 18716 (November 1979), 308119 (December 1989). The main drug can be used. For example, hydroquinone, catechol, pyrogallol, methylhydroquinone, chlorohydroquinone and other polyhydroxybenzenes, ascorbic acid and its derivatives, 1-phenyl-4,4-dimethyl-3-pyrazolidone, 1-phenyl-3-pyrazolidone, 1- Examples include 3-pyrazolidones such as phenyl-4-methyl-4-hydroxymethyl-3-pyrazolidone, paramethylaminophenol, paraaminophenol, parahydroxyphenylglycine, paraphenylenediamine, and the like. These reducing agents can be used alone or in combination.

可溶性銀錯塩形成剤の含有量は、現像液1リットル当たり、0.001〜5モルが好ましく、より好ましくは0.005〜1モルの範囲である。還元剤の含有量は現像液1リットル当たり0.01〜1モルが好ましく、より好ましくは0.05〜1モルの範囲である。   The content of the soluble silver complex salt forming agent is preferably 0.001 to 5 mol, more preferably 0.005 to 1 mol, per liter of the developer. The content of the reducing agent is preferably from 0.01 to 1 mol, more preferably from 0.05 to 1 mol, per liter of the developer.

現像液のpHは10以上が好ましく、更に11〜14が好ましい。所望のpHに調整するために、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ剤、燐酸、炭酸などの緩衝剤を単独、または組み合わせて含有させる。また、本発明の現像液には、亜硫酸ナトリウムや亜硫酸カリウム等の保恒剤を含むことが好ましい。   The pH of the developer is preferably 10 or more, and more preferably 11-14. In order to adjust to a desired pH, an alkali agent such as sodium hydroxide or potassium hydroxide, or a buffering agent such as phosphoric acid or carbonic acid is contained alone or in combination. The developer of the present invention preferably contains a preservative such as sodium sulfite or potassium sulfite.

前記露光及び現像処理により形成された導電性材料の銀画像部にさらに高い導電性を得るためや、あるいは銀画像の色調を変えるためなどの種々の目的でめっき処理を行うことが可能である。本発明におけるめっき処理としては、無電解めっき(化学還元めっきや置換めっき)、電解めっき、又は無電解めっきと電解めっきの両方を用いることができる。めっき処理によりどの程度導電性を付与するかは用いる用途に応じて異なるが、例えばPDP用に用いる電磁波シールド材として用いるためには表面抵抗値2.5Ω/□以下、好ましくは1.5Ω/□以下が要求される。   Plating can be performed for various purposes such as obtaining higher conductivity in the silver image portion of the conductive material formed by the exposure and development processing, or changing the color tone of the silver image. As the plating treatment in the present invention, electroless plating (chemical reduction plating or displacement plating), electrolytic plating, or both electroless plating and electrolytic plating can be used. The degree of conductivity imparted by the plating process varies depending on the application to be used. For example, for use as an electromagnetic shielding material for PDP, the surface resistance value is 2.5Ω / □ or less, preferably 1.5Ω / □. The following are required:

本発明において無電解めっき処理を施す場合、無電解めっきに先立ち、無電解めっきを促進させる目的でパラジウムを含有する溶液で活性化処理することもできる。パラジウムとしては2価のパラジウム塩あるいはその錯体塩の形でも良いし、また金属パラジウムであっても良い。しかし、液の安定性、処理の安定性から好ましくはパラジウム塩あるいはその錯塩を用いることが良い。   In the present invention, when the electroless plating treatment is performed, the activation treatment can be performed with a solution containing palladium for the purpose of promoting the electroless plating prior to the electroless plating. Palladium may be in the form of a divalent palladium salt or a complex salt thereof, or may be metallic palladium. However, it is preferable to use a palladium salt or a complex salt thereof in view of the stability of the liquid and the stability of the treatment.

本発明における無電解めっきは、公知の無電解めっき技術、例えば無電解ニッケルめっき、無電解コバルトめっき、無電解金めっき、無電解銀めっきなどを用いることができるが、上記の必要な導電性と透明性を得るためには無電解銅めっきを行うことが好ましい。   For the electroless plating in the present invention, known electroless plating techniques such as electroless nickel plating, electroless cobalt plating, electroless gold plating, and electroless silver plating can be used. In order to obtain transparency, electroless copper plating is preferably performed.

本発明における無電解銅めっき液には硫酸銅や塩化銅など銅の供給源、ホルマリンやグリオキシル酸、テトラヒドロホウ酸カリウム、ジメチルアミンボランなど還元剤、EDTAやジエチレントリアミン5酢酸、ロシェル塩、グリセロール、メソーエリトリトール、アドニール、D−マンニトール、D−ソルビトール、ズルシトール、イミノ2酢酸、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン4酢酸、1,3−ジアミノプロパン−2−オール、グリコールエーテルジアミン、トリイソプロパノールアミン、トリエタノールアミン等の銅の錯化剤、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどのpH調整剤などが含有される。さらにその他に浴の安定化やめっき皮膜の平滑性を向上させるための添加剤としてポリエチレングリコール、黄血塩、ビピリジル、o−フェナントロリン、ネオクプロイン、チオ尿素、シアン化物などを含有させることも出来る。めっき液は安定性を増すためエアレーションを行う事が好ましい。   The electroless copper plating solution in the present invention includes copper sources such as copper sulfate and copper chloride, reducing agents such as formalin, glyoxylic acid, potassium tetrahydroborate, and dimethylamine borane, EDTA, diethylenetriaminepentaacetic acid, Rochelle salt, glycerol, Soerythritol, Adenyl, D-mannitol, D-sorbitol, dulcitol, iminodiacetic acid, trans-1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid, 1,3-diaminopropan-2-ol, glycol ether diamine, triisopropanolamine, tri It contains a copper complexing agent such as ethanolamine, a pH adjusting agent such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide. In addition, polyethylene glycol, yellow blood salt, bipyridyl, o-phenanthroline, neocuproine, thiourea, cyanide, and the like can also be added as additives for improving bath stability and plating film smoothness. The plating solution is preferably aerated to increase stability.

無電解銅めっきでは前述の通り種々の錯化剤を用いることができるが、錯化剤の種類により酸化銅が共析し、導電性に大きく影響したり、あるいはトリエタノールアミンなど銅イオンとの錯安定定数の低い錯化剤は銅が沈析しやすいため、安定しためっき液やめっき補充液が作り難いなどということが知られている。従って工業的に通常用いられる錯化剤は限られており、本発明においても同様の理由でめっき液の組成として特に錯化剤の選択は重要である。特に好ましい錯化剤としては銅錯体の安定定数の大きいEDTAやジエチレントリアミン5酢酸などが挙げられ、このような好ましい錯化剤を用いためっき液としては例えばプリント基板の作製に使用される高温タイプの無電解銅めっきがある。高温タイプの無電解銅めっきの手法については「無電解めっき 基礎と応用」(電気鍍金研究会編)p105などに詳しく記載されている。高温タイプのめっきでは通常60〜70℃で処理し、処理時間は無電解めっき後に電解めっきを施すかどうかで変わってくるが、通常1〜30分、好ましくは3〜20分無電解めっき処理を行うことで本発明の目的を達することが出来る。   As described above, various complexing agents can be used in electroless copper plating. However, depending on the type of complexing agent, copper oxide co-deposits, greatly affecting conductivity, or with copper ions such as triethanolamine. It is known that a complexing agent having a low complex stability constant tends to precipitate copper, making it difficult to produce a stable plating solution or plating replenisher. Therefore, the complexing agents usually used industrially are limited, and in the present invention, the selection of the complexing agent is particularly important as the composition of the plating solution for the same reason. Particularly preferable complexing agents include EDTA and diethylenetriaminepentaacetic acid, which have a large stability constant of copper complex. Examples of plating solutions using such a complexing agent include high-temperature types used in the production of printed circuit boards. There is electroless copper plating. The method of high-temperature type electroless copper plating is described in detail in “Electroless plating basics and applications” (ed. In high-temperature type plating, the treatment is usually performed at 60 to 70 ° C., and the treatment time varies depending on whether or not the electrolytic plating is performed after the electroless plating. Usually, the electroless plating treatment is performed for 1 to 30 minutes, preferably 3 to 20 minutes. By doing so, the object of the present invention can be achieved.

本発明において銅以外の無電解めっき処理を行う場合は例えば「めっき技術ガイドブック」(東京鍍金材料協同組合技術委員会編、1987年)p406〜432記載の方法などを用いる事ができる。   When electroless plating treatment other than copper is performed in the present invention, for example, a method described in “Plating Technology Guidebook” (edited by the Tokyo Sheet Metal Cooperative Technical Committee, 1987) p406 to 432 can be used.

本発明においては電解めっきを施すこともできる。電解めっき法としては銅めっき、ニッケルめっき、亜鉛めっき、スズめっき等の公知のめっき方法を用いることができ、その方法として例えば「めっき技術ガイドブック」(東京鍍金材料協同組合技術委員会編、1987年)記載の方法を用いることができる。どのめっき法を用いるかは製造する導電性材料の用途によって異なるが、導電性をさらに高めるためにめっきする場合、銅めっきやニッケルめっきが好ましい。銅めっきのめっき法として好ましい方法としては硫酸銅浴めっき法やピロリン酸銅浴めっき法、ニッケルめっき法としてはワット浴めっき法、黒色めっき法などが好ましい。   In the present invention, electrolytic plating can also be applied. As the electroplating method, a known plating method such as copper plating, nickel plating, zinc plating, tin plating or the like can be used. As the method, for example, “Plating Technology Guidebook” (edited by Tokyo Sheet Metal Cooperative Association Technical Committee, 1987). (Year) described method can be used. Which plating method is used varies depending on the use of the conductive material to be manufactured, but when plating is performed in order to further increase the conductivity, copper plating or nickel plating is preferable. Preferred examples of the copper plating method include a copper sulfate bath plating method and a copper pyrophosphate bath plating method, and preferred nickel plating methods include a Watt bath plating method and a black plating method.

本発明においてはめっき処理並びに定着処理の後、酸化処理を行う事も可能である。特にめっき処理の後に定着処理を行い、かつ漂白定着液で処理しない場合は酸化処理を行う事が好ましい。酸化処理としては、種々の酸化剤を用いた公知の方法を用いる事ができる。酸化処理液には酸化剤としてEDTA鉄塩、DTPA鉄塩、1,3−PDTA鉄塩、β−ADA鉄塩、BAIDA鉄塩などの各種アミノポリカルボン酸鉄塩、重クロム酸塩、過硫酸塩、過マンガン酸塩、赤血塩などを用いることができるが、環境負荷が少なく、安全なアミノポリカルボン酸鉄を用いる事が好ましい。酸化剤の使用量は0.01〜1mol/L、好ましくは0.1〜0.3mol/Lである。その他に促進剤として臭化物、ヨウ化物、グアニジン類、キノン類、ヴァイツラジカル、アミノエタンチオール類、チアゾール類、ジスルフィド塁、へテロ環メルカプト類など公知のものを用いる事もできる。   In the present invention, an oxidation treatment can be performed after the plating treatment and the fixing treatment. In particular, it is preferable to perform an oxidation treatment when the fixing treatment is performed after the plating treatment and the treatment is not performed with the bleach-fixing solution. As the oxidation treatment, known methods using various oxidizing agents can be used. In the oxidation treatment liquid, various aminopolycarboxylic acid iron salts such as EDTA iron salt, DTPA iron salt, 1,3-PDTA iron salt, β-ADA iron salt, BAIDA iron salt, dichromate, persulfate, etc. Salts, permanganates, red blood salts, and the like can be used, but it is preferable to use iron aminopolycarboxylate that is low in environmental burden and safe. The usage-amount of an oxidizing agent is 0.01-1 mol / L, Preferably it is 0.1-0.3 mol / L. In addition, known accelerators such as bromides, iodides, guanidines, quinones, witz radicals, aminoethanethiols, thiazoles, disulfide cages, and heterocyclic mercaptos can be used.

本発明により製造された導電性材料の銀画像は後処理を施すこともできる。後処理液としては例えば還元性物質、水溶性リンオキソ酸化合物、水溶性ハロゲン化合物などの水溶液が一例として挙げられる。このような後処理液により50〜70℃、更に好ましくは60〜70℃で10秒以上、好ましくは30秒〜3分処理することで、銀画像パターンのX線回折による2θ=38.2°での半値幅が0.35以下となるようすれば、非常に高い導電性を得ることができ、また高温高湿下でもその抵抗値が変動しなくなるので好ましい。   The silver image of the conductive material produced according to the present invention can be post-treated. Examples of the post-treatment liquid include aqueous solutions of a reducing substance, a water-soluble phosphorus oxo acid compound, a water-soluble halogen compound, and the like. 2θ = 38.2 ° by X-ray diffraction of the silver image pattern by treating with such a post-treatment liquid at 50 to 70 ° C., more preferably 60 to 70 ° C. for 10 seconds or more, preferably 30 seconds to 3 minutes. It is preferable that the full width at half maximum is 0.35 or less because very high conductivity can be obtained and the resistance value does not fluctuate even under high temperature and high humidity.

本発明の実施例を以下に示す。本発明に使用される導電性材料前駆体を作製するために、透明支持体として、厚み100μmのポリカーボネートベース(三菱ガス化学社製ユーピロンシート)を用いた。この支持体の上に下記内容の下引き処方1で塗布、乾燥し50℃で1日加温し、下引き済みポリカーボネートベース1を作製した。   Examples of the present invention are shown below. In order to produce the conductive material precursor used in the present invention, a polycarbonate base (Iupilon sheet manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company) having a thickness of 100 μm was used as a transparent support. On this support, the following undercoating formulation 1 was applied, dried, and heated at 50 ° C. for 1 day to produce a sublimed polycarbonate base 1.

<下引き処方1/1m2当たり>
ハイドランWLS210(大日本インキ社製ポリカーボネート系ウレタンラテックス)
1.2g(固形分0.4g)
シーホースターKE30P(日本触媒製シリカ粒子)5mg
デナコールEX614(長瀬ケムテックス製ソルビトールポリグリシジルエーテル)
10mg
界面活性剤(S−1) 3mg
<Under prescription 1/1 m 2 >
Hydran WLS210 (Dainippon Ink Polycarbonate Urethane Latex)
1.2g (solid content 0.4g)
Seahorster KE30P (Nippon Catalyst Silica Particles) 5mg
Denacol EX614 (Sorbitol polyglycidyl ether manufactured by Nagase Chemtex)
10mg
Surfactant (S-1) 3mg

Figure 0004909123
Figure 0004909123

また別にポリカーボネートベースに下記内容の処方2−1に従って作製した塗布液を塗布、乾燥し、更にその上に下記内容の処方2−2に従って作製した塗布液を塗布、乾燥し下引き済みポリカーボネートベース2を作製した。   Separately, a coating solution prepared according to the formulation 2-1 having the following contents is applied to a polycarbonate base and dried, and further, a coating solution prepared according to the formulation 2-2 having the following contents is applied thereon, dried and subtracted polycarbonate base 2 Was made.

<下引き処方2−1/1m2当たり>
L−536B(旭化成製塩化ビニリデンラテックス)
固形分0.4g
シーホースターKE30P 5mg
界面活性剤(S−1) 3mg
<Per subtraction prescription 2-1 / 1 m 2 >
L-536B (Asahi Kasei vinylidene chloride latex)
0.4g solids
Seahorster KE30P 5mg
Surfactant (S-1) 3mg

<下引き処方2−2/1m2当たり>
ゼラチン 0.12g
デナコールEX614 5mg
界面活性剤(S−1) 3mg
<Per subtraction prescription 2-2 / 1m 2 >
Gelatin 0.12g
Denacol EX614 5mg
Surfactant (S-1) 3mg

次に、硫化パラジウムゾル液を下記の様にして作製し、得られたゾルを用いて物理現像核液A1及びB1を作製した。   Next, a palladium sulfide sol solution was prepared as follows, and physical development nuclei solutions A1 and B1 were prepared using the obtained sol.

<硫化パラジウムゾルの調製>
A液 塩化パラジウム 5g
塩酸 40ml
蒸留水 1000ml
B液 硫化ソーダ 8.6g
蒸留水 1000ml
A液とB液を撹拌しながら混合し、30分後にイオン交換樹脂の充填されたカラムに通し硫化パラジウムゾルを得た。
<Preparation of palladium sulfide sol>
Liquid A Palladium chloride 5g
Hydrochloric acid 40ml
1000ml distilled water
B liquid sodium sulfide 8.6g
1000ml distilled water
Liquid A and liquid B were mixed with stirring, and 30 minutes later, the solution was passed through a column filled with an ion exchange resin to obtain palladium sulfide sol.

<物理現像核液処方A1/1m2当たり>
前記硫化パラジウムゾル 0.4mg
2質量%のグルタルアルデヒド溶液 0.08ml
界面活性剤(S−1) 4mg
<Per physical development nucleus liquid formulation A1 / 1 m 2 >
The palladium sulfide sol 0.4mg
0.08ml 2% glutaraldehyde solution
Surfactant (S-1) 4mg

<物理現像核液処方B1/1m2当たり>
前記硫化パラジウムゾル 0.4mg
N−(2−アミノエチル)−アミノプロピルトリメトキシシラン
30mg
2質量%のグルタルアルデヒド溶液 0.08ml
界面活性剤(S−1) 4mg
<Per physical development nucleus solution formulation B1 / 1 m 2 >
The palladium sulfide sol 0.4mg
N- (2-aminoethyl) -aminopropyltrimethoxysilane
30mg
0.08ml 2% glutaraldehyde solution
Surfactant (S-1) 4mg

この物理現像核層塗液A1を前述の下引き済みポリカーボネートベース2に、物理現像核層塗液B1を前述の下引き済みポリカーボネートベース1に塗布し、乾燥した。また別に、下引き加工をしていないポリカーボネートベースの上に物理現像核層B1を塗布し、乾燥した。   This physical development nucleus layer coating liquid A1 was applied to the above-described undercoated polycarbonate base 2, and the physical development core layer coating liquid B1 was applied to the above-described undercoated polycarbonate base 1, and dried. Separately, the physical development nucleus layer B1 was coated on a polycarbonate base that had not been subjected to undercoating and dried.

続いて、上記物理現像核層を塗布した側と反対側に下記組成の裏塗り層を塗布した。
<裏塗り層組成/1m当たり>
ゼラチン 2g
不定形シリカマット剤(平均粒径5μm) 20mg
染料1 200mg
界面活性剤(S−1) 400mg
Subsequently, a backing layer having the following composition was applied on the side opposite to the side on which the physical development nucleus layer was applied.
<Backcoat layer composition / per 1 m>
2g of gelatin
Amorphous silica matting agent (average particle size 5μm) 20mg
Dye 1 200mg
Surfactant (S-1) 400mg

Figure 0004909123
Figure 0004909123

続いて、支持体に近い方から順に下記組成の中間層1、ハロゲン化銀乳剤層1、及び最外層1を上記物理現像核層の上に塗布した。ハロゲン化銀乳剤は、写真用ハロゲン化銀乳剤の一般的なダブルジェット混合法で製造した。このハロゲン化銀乳剤は、塩化銀95モル%と臭化銀5モル%で、平均粒径が0.15μmになるように調製した。このようにして得られたハロゲン化銀乳剤を定法に従いチオ硫酸ナトリウムと塩化金酸を用い金イオウ増感を施した。こうして得られたハロゲン化銀乳剤は銀1gあたり0.5gのゼラチンを含む。こうして表1の如き組み合わせの下引き層、物理現像核層を有する導電性材料前駆体No1〜3を作製した。   Subsequently, an intermediate layer 1, a silver halide emulsion layer 1, and an outermost layer 1 having the following composition were coated on the physical development nucleus layer in order from the side closer to the support. The silver halide emulsion was prepared by a general double jet mixing method for photographic silver halide emulsions. This silver halide emulsion was prepared with 95 mol% of silver chloride and 5 mol% of silver bromide, and an average grain size of 0.15 μm. The silver halide emulsion thus obtained was subjected to gold sulfur sensitization using sodium thiosulfate and chloroauric acid according to a conventional method. The silver halide emulsion thus obtained contains 0.5 g of gelatin per gram of silver. In this way, conductive material precursors Nos. 1 to 3 having an undercoat layer and a physical development nucleus layer in combinations as shown in Table 1 were produced.

<中間層1組成/1m2当たり>
ゼラチン 0.5g
界面活性剤(S−1) 5mg
<Intermediate layer 1 composition / per 1 m 2 >
Gelatin 0.5g
Surfactant (S-1) 5mg

<ハロゲン化銀乳剤層1組成/1m2あたり>
ゼラチン 0.5g
ハロゲン化銀乳剤 3.0g銀相当
1−フェニル−5−メルカプトテトラゾール 3.0mg
界面活性剤(S−1) 20mg
<Silver halide emulsion layers 1 Composition / 1 m 2 per>
Gelatin 0.5g
Silver halide emulsion 3.0g Silver equivalent 1-Phenyl-5-mercaptotetrazole 3.0mg
Surfactant (S-1) 20mg

<最外層1組成/1m2当たり>
ゼラチン 1g
不定形シリカマット剤(平均粒径3.5μm) 10mg
界面活性剤(S−1) 10mg
<Outermost layer 1 composition / per 1 m 2 >
1g of gelatin
Amorphous silica matting agent (average particle size 3.5μm) 10mg
Surfactant (S-1) 10mg

このようにして得た導電性材料前駆体を、水銀灯を光源とする密着プリンターで400nm以下の光をカットする樹脂フィルターを介し、細線幅20μmで格子間隔250μmの網目パタンの透過原稿を密着させて露光した。   The conductive material precursor thus obtained was brought into close contact with a transparent original having a fine line width of 20 μm and a lattice pattern of 250 μm through a resin filter that cuts light of 400 nm or less with a contact printer using a mercury lamp as a light source. Exposed.

続いて下記の拡散転写現像液を作製した。その後、先に露光した導電性フィルム前駆体を下記現像液中に15℃で90秒間浸漬した後、続いてハロゲン化銀乳剤層、中間層、最外層及び裏塗り層を40℃の温水で水洗除去し、乾燥処理した。露光したサンプルからは透明網目パタン状に銀薄膜が形成された導電性材料を得た。 Subsequently, the following diffusion transfer developer was prepared. Thereafter, the previously exposed conductive film precursor was immersed in the following developer at 15 ° C. for 90 seconds, and then the silver halide emulsion layer , intermediate layer, outermost layer and backing layer were washed with warm water at 40 ° C. Removed and dried. A conductive material in which a silver thin film was formed in a transparent mesh pattern was obtained from the exposed sample.

<拡散転写現像液イ>
水酸化カリウム 25g
ハイドロキノン 18g
1−フェニル−3−ピラゾリドン 2g
亜硫酸カリウム 80g
N−メチルエタノールアミン 15g
臭化カリウム 1.2g
全量を水で1000ml
pH=12.2に調整する。
<Diffusion transfer developer a>
Potassium hydroxide 25g
Hydroquinone 18g
1-phenyl-3-pyrazolidone 2g
Potassium sulfite 80g
N-methylethanolamine 15g
Potassium bromide 1.2g
Total volume 1000ml with water
Adjust to pH = 12.2.

上記のようにして得られた網目パターン状銀薄膜が形成された導電性材料の表面抵抗率は、(株)ダイアインスツルメンツ製、ロレスタ−GP/ESPプローブを用いて、JIS K 7194に従い測定した。また35℃80%R.H.下で2ヶ月加温経時し、耐候性を調べた。得られた結果を表1にまとめた。   The surface resistivity of the conductive material on which the mesh-patterned silver thin film obtained as described above was formed was measured according to JIS K 7194 using a Loresta-GP / ESP probe manufactured by Dia Instruments Co., Ltd. Moreover, 35 degreeC80% R. H. Under the condition of heating for 2 months, the weather resistance was examined. The results obtained are summarized in Table 1.

Figure 0004909123
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表1の結果に示されているように、本発明の一般式IもしくはIIで表されるシランカップリング剤を用いた導電性材料前駆体を用いて作製された導電性材料前駆体を用いて製造された導電性材料は低い表面抵抗率と、優れた耐候性を有することが判り、その有用性が理解できる。   As shown in the results of Table 1, using the conductive material precursor produced using the conductive material precursor using the silane coupling agent represented by the general formula I or II of the present invention. The manufactured conductive material is found to have a low surface resistivity and excellent weather resistance, and its usefulness can be understood.

実施例1の下引き済みポリカーボネートベース1を用い、下記物理現像核液処方、及び実施例1で使用した物理現像核液処方A1とB1を用いて、物理現像核液を塗布する以外は実施例1と同様にして導電性材料4〜12を作製した。   Example 1 except that the underdeveloped polycarbonate base 1 of Example 1 is used, and the physical development nucleate solution is applied using the following physical development nucleation liquid formulation and physical development nucleation solution formulations A1 and B1 used in Example 1. In the same manner as in Example 1, conductive materials 4 to 12 were produced.

<物理現像核液処方A2/1m2当たり>
硫化パラジウムゾル 0.4mg
3−アミノプロピルトリエトキシシラン 30mg
2質量%のグルタルアルデヒド溶液 0.08ml
界面活性剤(S−1) 4mg
<Per physical development nucleus liquid formulation A2 / 1 m 2 >
Palladium sulfide sol 0.4mg
3-aminopropyltriethoxysilane 30mg
0.08ml 2% glutaraldehyde solution
Surfactant (S-1) 4mg

<物理現像核液処方B2/1m2当たり>
硫化パラジウムゾル 0.4mg
3−(2−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン
30mg
2質量%のグルタルアルデヒド溶液 0.08ml
界面活性剤(S−1) 4mg
<Per physical development nucleus solution formulation B2 / 1 m 2 >
Palladium sulfide sol 0.4mg
3- (2-Aminoethyl) aminopropylmethyldimethoxysilane
30mg
0.08ml 2% glutaraldehyde solution
Surfactant (S-1) 4mg

<物理現像核液処方C2/1m2当たり>
硫化パラジウムゾル 0.4mg
N−イミダゾールメチルトリメトキシシラン 30mg
2質量%のグルタルアルデヒド溶液 0.08ml
界面活性剤(S−1) 4mg
<Per physical development nucleus solution formulation C2 / 1 m 2 >
Palladium sulfide sol 0.4mg
N-imidazolemethyltrimethoxysilane 30mg
0.08ml 2% glutaraldehyde solution
Surfactant (S-1) 4mg

<比較物理現像核液処方D2/1m2当たり>
硫化パラジウムゾル 0.4mg
3−グリシドプロピルトリメトキシシラン 30mg
2質量%のグルタルアルデヒド溶液 0.08ml
界面活性剤(S−1) 4mg
<Per the comparative physical development nucleus solution formulation D2 / 1 m 2 >
Palladium sulfide sol 0.4mg
3-glycidpropyltrimethoxysilane 30mg
0.08ml 2% glutaraldehyde solution
Surfactant (S-1) 4mg

また、非水溶性のシランカップリング剤を40℃2%酢酸水溶液中で透明になるまで撹拌し、加水分解物を作製して水系塗液に加えることができるようにした。これを用いて、下記物理現像核を作製して同様に導電性材料を作製した。   In addition, the water-insoluble silane coupling agent was stirred in a 2% aqueous acetic acid solution at 40 ° C. until it became transparent, so that a hydrolyzate was prepared and added to the aqueous coating solution. Using this, the following physical development nuclei were prepared to similarly produce a conductive material.

<物理現像核液処方E2/1m2当たり>
硫化パラジウムゾル 0.4mg
3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン 30mg(加水分解前の量として)
2質量%のグルタルアルデヒド溶液 0.08ml
界面活性剤(S−1) 4mg
<Per physical development nucleus solution formulation E2 / 1 m 2 >
Palladium sulfide sol 0.4mg
3-Ureidopropyltrimethoxysilane 30mg (as amount before hydrolysis)
0.08ml 2% glutaraldehyde solution
Surfactant (S-1) 4mg

<物理現像核液処方F2/1m2当たり>
硫化パラジウムゾル 0.4mg
3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン 30mg(加水分解前の量として)
2質量%のグルタルアルデヒド溶液 0.08ml
界面活性剤(S−1) 4mg
<Per physical development nucleus liquid formulation F2 / 1 m 2 >
Palladium sulfide sol 0.4mg
30 mg of 3-mercaptopropyltrimethoxysilane (as amount before hydrolysis)
0.08ml 2% glutaraldehyde solution
Surfactant (S-1) 4mg

<物理現像核液処方G2/1m2当たり>
硫化パラジウムゾル 0.4mg
ビス((トリエトキシシリル)プロピル)ジスルフィド
30mg(加水分解前の量として)
2質量%のグルタルアルデヒド溶液 0.08ml
界面活性剤(S−1) 4mg
<Per physical development nucleus solution formulation G2 / 1 m 2 >
Palladium sulfide sol 0.4mg
Bis ((triethoxysilyl) propyl) disulfide
30 mg (as the amount before hydrolysis)
0.08ml 2% glutaraldehyde solution
Surfactant (S-1) 4mg

<比較物理現像核液処方H2/1m2当たり>
硫化パラジウムゾル 0.4mg
3−ビニルプロピルトリメトキシシラン 30mg(加水分解前の量として)
2質量%のグルタルアルデヒド溶液 0.08ml
界面活性剤(S−1) 4mg
<Per the comparative physical development nucleus solution formulation H2 / 1m 2 >
Palladium sulfide sol 0.4mg
30 mg of 3-vinylpropyltrimethoxysilane (as the amount before hydrolysis)
0.08ml 2% glutaraldehyde solution
Surfactant (S-1) 4mg

得られた導電性材料の表面抵抗率を実施例1と同様測定し、また金属パターンの支持体側から見た色を観察した。続いて、導電性材料前駆体を5%クリーナー160(メルテックス社製脱脂液)で60℃1分脱脂処理し、その後Cu5100番無電解銅めっき液(メルテックス社製)で50℃12分無電解めっきを施した。なお、脱脂及びめっき処理の後には水洗工程を設けている。めっきされた画像の支持体側から見た色を再び観察し、続いて日東電工製ポリエステル粘着テープNo.31を金属メッシュ面に気泡の入らないように貼り付け、その後勢いよくテープを剥がし剥離テストを行った。剥離テストの評価は○が剥離なし、△が一部剥離あり、×が前面剥離の3段階とした。また、無電解めっきを施された導電性材料を実施例1と同様に35℃80%R.H.下で2ヶ月加温経時し、その耐候性を調べた。結果を表2に示す。   The surface resistivity of the obtained conductive material was measured in the same manner as in Example 1, and the color viewed from the support side of the metal pattern was observed. Subsequently, the conductive material precursor is degreased at 60 ° C. for 1 minute with a 5% cleaner 160 (Meltex's degreasing solution), and then at 50 ° C. for 12 minutes with a Cu5100 electroless copper plating solution (Meltex). Electrolytic plating was performed. In addition, the water-washing process is provided after the degreasing and the plating process. The color viewed from the support side of the plated image was observed again, and then the polyester adhesive tape No. 1 manufactured by Nitto Denko Corporation was observed. 31 was affixed to the surface of the metal mesh so that no air bubbles entered, and then the tape was peeled off vigorously to conduct a peel test. The evaluation of the peel test was made into three stages: ○ was not peeled, Δ was partially peeled, and × was front peel. In addition, the electroconductive material subjected to electroless plating was treated at 35 ° C. and 80% R.S. H. Under the condition of heating for 2 months, the weather resistance was examined. The results are shown in Table 2.

Figure 0004909123
Figure 0004909123

表2より一般式I若しくはIIで示されるシランカップリング剤を含有する物理現像核層を有する導電性材料前駆体を用いて製造された導電性材料は優れた耐候性を有し、低い表面抵抗率、強い接着性が得られ、さらに支持体側から見た色が黒く、故に視認性の良いことが判る。   From Table 2, a conductive material produced using a conductive material precursor having a physical development nucleus layer containing a silane coupling agent represented by general formula I or II has excellent weather resistance and low surface resistance. Rate, strong adhesiveness is obtained, and the color seen from the support side is black, and thus it is understood that the visibility is good.

厚み100μmのポリカーボネートベースに下記処方の下引き層3〜7、及び比較の下引き処方8、9を塗布し、下引き済みポリカーボネートベースを作製した。なお、下引き処方6で用いた3−メルカプトプロピルトリメトキシシランに関しては実施例2の物理現像核処方E2と同様に加水分解させて水溶性にして用いた。この下引き済みポリカーボネートベースに実施例1で用いた物理現像核A1処方に基づいて作製された塗布液を実施例1で作製した導電性材料2と同様に塗布し、さらに実施例1で作製した導電性材料2と同様に中間層、ハロゲン化銀乳剤層、最外層を塗布し、導電性材料前駆体を作製した。この導電性材料前駆体を用い、実施例1で作製した導電性材料2と同様に露光、現像して導電性材料を作製し、これを実施例2と同様の評価を行った。その結果を表3に示す。   Undercoat layers 3 to 7 of the following formulation and comparative undercoat formulations 8 and 9 were applied to a polycarbonate base having a thickness of 100 μm to prepare an undercoated polycarbonate base. The 3-mercaptopropyltrimethoxysilane used in the undercoat formulation 6 was hydrolyzed and used in the same manner as in the physical development nucleus formulation E2 of Example 2. A coating solution prepared on the basis of the physical development nucleus A1 used in Example 1 was applied to this subtracted polycarbonate base in the same manner as the conductive material 2 prepared in Example 1, and further prepared in Example 1. Similarly to the conductive material 2, an intermediate layer, a silver halide emulsion layer, and an outermost layer were coated to prepare a conductive material precursor. Using this conductive material precursor, a conductive material was produced by exposure and development in the same manner as the conductive material 2 produced in Example 1, and the same evaluation as in Example 2 was performed. The results are shown in Table 3.

<下引き処方3/1m2当たり>
スーパーフレックス650(第一工業製薬社製ポリカーボネート系ウレタンラテックス)
1.2g(固形分0.4g)
3−アミノプロピルトリエトキシシラン 80mg
シーホースターKE30P 5mg
デナコールEX614 10mg
<Undercoat prescription 3 / 1m 2 per>
Superflex 650 (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. polycarbonate urethane latex)
1.2g (solid content 0.4g)
3-aminopropyltriethoxysilane 80mg
Seahorster KE30P 5mg
Denacol EX614 10mg

<下引き処方4/1m2当たり>
スーパーフレックス650(第一工業製薬社製ポリカーボネート系ウレタンラテックス)
1.2g(固形分0.4g)
3−(2−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン
80mg
シーホースターKE30P 5mg
デナコールEX614 10mg
<Under prescription 4 / 1m 2 >
Superflex 650 (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. polycarbonate urethane latex)
1.2g (solid content 0.4g)
3- (2-Aminoethyl) aminopropylmethyldimethoxysilane
80mg
Seahorster KE30P 5mg
Denacol EX614 10mg

<下引き処方5/1m2当たり>
スーパーフレックス650(第一工業製薬社製ポリカーボネート系ウレタンラテックス)
1.2g(固形分0.4g)
N−イミダゾールメチルトリメトキシシラン 80mg
シーホースターKE30P 5mg
デナコールEX614 10mg
<Under prescription 5 / 1m 2 >
Superflex 650 (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. polycarbonate urethane latex)
1.2g (solid content 0.4g)
N-imidazolemethyltrimethoxysilane 80mg
Seahorster KE30P 5mg
Denacol EX614 10mg

<下引き処方6/1m2当たり>
スーパーフレックス650(第一工業製薬社製ポリカーボネート系ウレタンラテックス)
1.2g(固形分0.4g)
3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン 80mg(加水分解前の量として)
シーホースターKE30P 5mg
デナコールEX614 10mg
<Under prescription 6 / 1m 2 >
Superflex 650 (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. polycarbonate urethane latex)
1.2g (solid content 0.4g)
80 mg of 3-mercaptopropyltrimethoxysilane (as the amount before hydrolysis)
Seahorster KE30P 5mg
Denacol EX614 10mg

<下引き処方7/1m2当たり>
スーパーフレックス650(第一工業製薬社製ポリカーボネート系ウレタンラテックス)
1.2g(固形分0.4g)
3−(2−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン
80mg
シーホースターKE30P 5mg
デナコールEX614 10mg
ゼラチン 80mg
<Under prescription 7 / 1m 2 >
Superflex 650 (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. polycarbonate urethane latex)
1.2g (solid content 0.4g)
3- (2-Aminoethyl) aminopropylmethyldimethoxysilane
80mg
Seahorster KE30P 5mg
Denacol EX614 10mg
Gelatin 80mg

<下引き処方8/1m2当たり>
スーパーフレックス650(第一工業製薬社製ポリカーボネート系ウレタンラテックス)
1.2g(固形分0.4g)
3−グリシドプロピルトリメトキシシラン 80mg
シーホースターKE30P 5mg
デナコールEX614 10mg
<Under prescription 8 / 1m 2 >
Superflex 650 (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. polycarbonate urethane latex)
1.2g (solid content 0.4g)
3-glycidpropyltrimethoxysilane 80mg
Seahorster KE30P 5mg
Denacol EX614 10mg

<下引き処方9/1m2当たり>
スーパーフレックス650(第一工業製薬社製ポリカーボネート系ウレタンラテックス)
1.2g(固形分0.4g)
シーホースターKE30P 5mg
デナコールEX614 10mg

Figure 0004909123
<Under prescription 9 / 1m 2 >
Superflex 650 (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. polycarbonate urethane latex)
1.2g (solid content 0.4g)
Seahorster KE30P 5mg
Denacol EX614 10mg
Figure 0004909123

表3より、導電製材料前駆体の下引き層に一般式I若しくはIIで示されるシランカップリング剤を含有させることで、それを用いて作製した導電性材料は低い表面抵抗率、強い接着性、さらに銀光沢がないことが判り、本発明の有用性が確認できた。   From Table 3, the conductive material precursor containing the silane coupling agent represented by the general formula I or II in the undercoat layer of the conductive material precursor has a low surface resistivity and strong adhesion. Further, it was found that there was no silver luster, and the usefulness of the present invention was confirmed.

実施例2で作製した導電性材料4の物理現像核液A1の代わりに下記処方の物理現像核処方に従って作製した塗液を用いる以外は実施例2同様に試験した。その結果を表4に示す。   A test was conducted in the same manner as in Example 2 except that a coating solution prepared according to the physical development nucleus formulation of the following formulation was used instead of the physical development nucleus solution A1 of the conductive material 4 prepared in Example 2. The results are shown in Table 4.

<比較物理現像核液処方A4/1m2当たり>
硫化パラジウムゾル 0.4mg
グリシン 30mg
2質量%のグルタルアルデヒド溶液 0.08ml
界面活性剤(S−1) 4mg
<Per comparative physical development nuclei solution formulation A4 / 1 m 2 >
Palladium sulfide sol 0.4mg
Glycine 30mg
0.08ml 2% glutaraldehyde solution
Surfactant (S-1) 4mg

<比較物理現像核液処方B4/1m2当たり>
硫化パラジウムゾル 0.4mg
1−フェニル−5−メルカプトテトラゾール 30mg
2質量%のグルタルアルデヒド溶液 0.08ml
界面活性剤(S−1) 4mg
<Per comparative physical development nucleation liquid formulation B4 / 1 m 2 >
Palladium sulfide sol 0.4mg
1-phenyl-5-mercaptotetrazole 30 mg
0.08ml 2% glutaraldehyde solution
Surfactant (S-1) 4mg

<比較物理現像核液処方C4/1m2当たり>
硫化パラジウムゾル 0.4mg
ベンゾトリアゾール 30mg
2質量%のグルタルアルデヒド溶液 0.08ml
界面活性剤(S−1) 4mg
<Per the comparative physical development nucleus solution formulation C4 / 1 m 2 >
Palladium sulfide sol 0.4mg
Benzotriazole 30mg
0.08ml 2% glutaraldehyde solution
Surfactant (S-1) 4mg

<比較物理現像核液処方D4/1m2当たり>
硫化パラジウムゾル 0.4mg
モノエタノールアミン 30mg
2質量%のグルタルアルデヒド溶液 0.08ml
界面活性剤(S−1) 4mg
<Per the comparative physical development nucleus solution formulation D4 / 1 m 2 >
Palladium sulfide sol 0.4mg
Monoethanolamine 30mg
0.08ml 2% glutaraldehyde solution
Surfactant (S-1) 4mg

Figure 0004909123
Figure 0004909123

表4より含硫黄、もしくは含窒素化合物でもシランカップリング剤でないと、含硫黄、もしくは含アミノ一般式IもしくはIIで表されるシランカップリング剤のような効果を得ることができないことが判る。   From Table 4, it can be seen that if a sulfur-containing or nitrogen-containing compound is not a silane coupling agent, an effect similar to that of a sulfur-containing or amino-containing general formula I or II cannot be obtained.

使用する支持体を東洋紡クリスパーK1212(白色ポリエチレンテレフタレート:厚み100μm)、デンカDX−41(青色PVDF:厚み40μm)に変更する以外は実施例2の導電性材料5同様に導電性材料を作製し、支持体側からの色を評価を評価しない以外、実施例2と同様に評価をした結果を表5に示す。   A conductive material was prepared in the same manner as the conductive material 5 of Example 2, except that the support used was Toyobo Crisper K1212 (white polyethylene terephthalate: thickness 100 μm), Denka DX-41 (blue PVDF: thickness 40 μm), Table 5 shows the results of evaluation in the same manner as in Example 2 except that the color from the support side is not evaluated.

Figure 0004909123
Figure 0004909123

表5より不透明支持体を用いた場合、裏面から見た色に関する利点はないもの、高い導電性、強い接着性と耐候性を併せ持つ本発明の導電性材料の有用性が良く理解できる。   From Table 5, when the opaque support is used, there is no advantage regarding the color seen from the back side, and the usefulness of the conductive material of the present invention having both high conductivity, strong adhesion and weather resistance can be well understood.

Claims (1)

支持体上に少なくとも物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層をこの順に有する導電性材料前駆体において、該導電性材料前駆体は任意の形状パターンで露光した後、銀塩拡散転写現像液で処理して導電性材料を得るために用いる導電性材料前駆体であって、物理現像核層、もしくはそれに接する層が下記一般式I、若しくはIIで示されるシランカップリング剤を含有することを特徴とする導電性材料前駆体。
Figure 0004909123
(一般式I中、Rは1級アミノ基、2級アミノ基、ウレイド基、アミジノ基、グアニジノ基、ウレイレン基、イソウレイド基、チオウレイド基、チオウレイレン基、イソチオウレイレン基、カルバゾイル基、チオカルバゾイル基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、カルバゾノ基、カルボノヒドラジド基、チオカルボノヒドラジド基、セミカルバゾノ基、チオセミカルバゾノ基、チオカルバゾノ基、カルボジアゾノ基、チオカルボジアゾノ基、メルカプト基、含窒素複素環基から選ばれる少なくとも1つの官能基を有する基を表す。Rはアルコキシ基又はハロゲン原子からなる基を表し、Rはメチル基、もしくはエチル基を表し、pは1、2又は3を表す。)
Figure 0004909123
(一般式II中、R及びRはそれぞれアルコキシ基又はハロゲン原子からなる基を表し、R及びRはそれぞれメチル基、もしくはエチル基を表し、R及びRは炭素数1〜6の飽和炭化水素基を表し、nは2〜6の自然数であり、p、qはそれぞれ1、2、又は3を表す。)
A conductive material precursor having at least a physical development nucleus layer and a silver halide emulsion layer in this order on a support. The conductive material precursor is exposed in an arbitrary shape pattern and then processed with a silver salt diffusion transfer developer. A conductive material precursor used for obtaining a conductive material, wherein the physical development nucleus layer or a layer in contact with the physical development nucleus layer contains a silane coupling agent represented by the following general formula I or II: Conductive material precursor.
Figure 0004909123
(In the general formula I, R 1 is a primary amino group, secondary amino group, ureido group, amidino group, guanidino group, ureylene group, isoureido group, thioureido group, thioureylene group, isothioureylene group, carbazoyl group, thiocarbazoyl group. Group, semicarbazide group, thiosemicarbazide group, carbazono group, carbonohydrazide group, thiocarbonohydrazide group, semicarbazono group, thiosemicarbazono group, thiocarbazono group, carbodiazono group, thiocarbodiazono group, mercapto group, nitrogen-containing complex Represents a group having at least one functional group selected from a cyclic group, R 2 represents an alkoxy group or a group consisting of a halogen atom, R 3 represents a methyl group or an ethyl group, and p represents 1, 2 or 3 To express.)
Figure 0004909123
(In General Formula II, R 4 and R 9 each represent an alkoxy group or a group consisting of a halogen atom, R 5 and R 8 each represent a methyl group or an ethyl group, and R 6 and R 7 each have 1 to 6 represents a saturated hydrocarbon group, n is a natural number of 2 to 6, and p and q each represent 1, 2, or 3.)
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