JP4908435B2 - 光強度変調器 - Google Patents
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Description
る光の振動方向に応じて、第1の振動方向である第1の偏光を第1の方向に出射し、前記
第1の偏光と直交する振動方向である第2の偏光を前記第1の方向とは異なる方向に出射
することを特徴とする。
Rb、K、Sr、Ba、Na、Ca、Li、Y、Sc、La、Mg、As、Ti、Hf、
Zr、Mn、In、Ga、Cd、Bi、Ta、Pb、Ag、Al、V、Nb、Ti、Zn
、Sn、B、Hg、Cr、Si、Sb、W、Mo、Cu、Fe、Ru、Os、Te、Re
、Be、Rhのいずれかであることを特徴とする。
図2は、本実施形態に係る光強度変調器の構成を示す図である。
図2において、光強度変調器20は、2次の電気光学効果を有する電気光学結晶21を備えている。電気光学結晶21の第1の面には、正極22が配置され、電気光学結晶21の上記第1の面に対向する第2の面には、負極23が配置されている。上記各電極22、23はそれぞれ、電気光学結晶21にオーミック接触している。また、電気光学結晶21の入射側と対向する面には、電気光学結晶21を通過する光を反射するための反射部材24が配置されている。
なお、本明細書において、「垂直偏光」とは、偏光方向が、光軸に垂直方向であって、電気光学結晶に配置された電極間に生じる電界の方向と一致する方向の偏光である。よって、図2で言うと、偏光方向がx軸方向の偏光である。
また、本明細書において、「水平偏光」とは、偏光方向が、光軸に垂直方向であって、電気光学結晶に配置された電極間に生じる電界の方向と直交する方向の偏光である。図2で言うと、偏光方向がy軸方向の偏光である。
図2においては、図面の簡便化を図って、電気光学結晶21中を通過する光である、入射光26および反射光27を直線で示しているが、実際は、図3に示すように偏光毎に偏向している。すなわち、図2において入射光26は模式的に示しており、実際は、垂直偏光成分26aと、水平偏光成分26bとが伝搬することになる。同様に、図2において反射光27も模式的に示しており、垂直偏光成分27aと、水平偏光成分27bとが伝搬することになる。
本実施形態では、基本構成は第1の実施形態と同じであるが、偏光子25の代わりに偏光ビームスプリッタを設けている。
図4では、図2に示した光強度変調器の構成について、偏光子25に変えて偏光ビームスプリッタ41を設けている。
該偏光ビームスプリッタ41は、振動方向が直交する2つの偏光を分離するための手段であって、偏光の振動方向に応じて、第1の偏光を第1の方向に出射し、第1の偏光と直交する振動方向である第2の偏光を第1の方向とは異なる方向に出射する手段であり、P偏光を透過し、S偏光を透過方向と直交する方向に反射する。
なお、本実施形態では、偏光ビームスプリッタ41は、P偏光を透過し、S偏光を反射するものに限定されず、S偏光を透過し、P偏光を反射するものを用いても良い。
なお、本明細書において、「接合面の方向」とは、該接合面にて接合される面、すなわち、プリズムの斜面の延びる面(斜面方向)を指す。
21 電気光学結晶
22 正極
23 負極
24 反射部材
25 偏光子
41 偏光ビームスプリッタ
Claims (3)
- 2次の電気光学効果を有する電気光学結晶であって、第1の端面から光が入射する電気光学結晶と、
前記電気光学結晶の第1の面に配置された第1の電極と、
前記電気光学結晶の第1の面に対向する第2の面に配置された第2の電極と、
前記電気光学結晶の前記第1の端面と対向する第2の端面に配置され、前記電気光学結晶を通過する光を反射するための反射部材と、
第1の端面から離間して配置され、前記第1の電極および第2の電極に電圧が印加される際の電界方向に対して45度傾いた振動方向を有する直線偏光を取り出すための偏光子とを備え、
前記第1の電極と、前記電気光学結晶はオーミック接触しており、
前記第2の電極と、前記電気光学結晶はオーミック接触しており、
前記第1の電極および前記第2の電極に電圧を印加した時、電界の傾斜が生じ、
前記光は、前記電気光学結晶中で偏向することを特徴とする光強度変調器。 - 前記偏光子は、入射される光の振動方向に応じて、第1の振動方向である第1の偏光を第1の方向に出射し、前記第1の偏光と直交する振動方向である第2の偏光を前記第1の方向とは異なる方向に出射することを特徴とする請求項1に記載の光強度変調器。
- 前記第1の電極および第2の電極の各々は、Pt、Co、Ge、Au、Pd、Ni、Ir、Pt、Se、Cs、Rb、K、Sr、Ba、Na、Ca、Li、Y、Sc、La、Mg、As、Ti、Hf、Zr、Mn、In、Ga、Cd、Bi、Ta、Pb、Ag、Al、V、Nb、Ti、Zn、Sn、B、Hg、Cr、Si、Sb、W、Mo、Cu、Fe、Ru、Os、Te、Re、Be、Rhのいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載の光強度変調器。
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