JP4906452B2 - 集積電気配列コネクタ - Google Patents
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Description
そして、コンタクト部61が前述のようにカルコゲナイド半導体としてのGe2 Sb2 Te5 から成るものであるところ、Ge2 Sb2 Te5 の電気伝導率σが約2000〔Ω-1m-1〕であり、コンタクト部61の半径及び長さは200〔μm〕及び100〔μm〕であるから、コンタクト部61の動作抵抗Rd は、約0.8〔Ω〕となる。このことから、本実施の形態におけるコネクタ1は、実際的な電気コネクタであることが分かる。
2Al2 O3 +3C+光力→4Al+3CO2 ・・・式(2)
ここで、前記コンタクト基礎部68は、光92を照射したことによって絶縁領域が変化して形成された導電領域であり、具体的にはAl2 O3 が還元されてAlとなった領域である。そして、前記コンタクト基礎部68は、各々がハウジング部17中において孤立し、隣接するもの同士が互いに離間した状態となるのであれば、いかなる形状を有するものであってもよいが、図示される例においては、ハウジング部17の上面に沿って、図面に垂直な方向に延在するように形成された帯状の形状を有している。
1B、2B 第2コネクタ
2 コネクタ
11A 第1ハウジング部
11B 第2ハウジング部
17 ハウジング部
17A 第1ハウジング部
17B 第2ハウジング部
61A 第1コンタクト部
61B 第2コンタクト部
62A 第1電極
62B 第2電極
66A 第1当接面
66B 第2当接面
67A 第1背面
67B 第2背面
68 コンタクト基礎部
68A 第1コンタクト基礎部
68B 第2コンタクト基礎部
69 コンタクト上部
69A 第1コンタクト上部
69B 第2コンタクト上部
91 カーボンペースト
92 光
800 配線基板
801 相変化層
802 ベース基板
803 ビア
805 半導体レーザ
806 レーザ光
Claims (7)
- (a)絶縁性材料から成る絶縁領域と、
(b)該絶縁領域中に存在する複数の孤立した導電領域とを有する集積電気配列コネクタであって、
(c)前記絶縁領域は板状の領域であり、
(d)前記導電領域は、前記絶縁領域に選択的に光を照射して形成される領域であって、前記絶縁領域の一方の面に沿って延在する帯状の領域であり、導電性金属層が上面に形成されることを特徴とする集積電気配列コネクタ。 - 前記絶縁領域は、光が照射されることによって相変化を起こして絶縁性から導電性に変化する相変化材料から成る請求項1に記載の集積電気配列コネクタ。
- 前記絶縁領域は、カルコゲン化合物重合体から成る請求項1に記載の集積電気配列コネクタ。
- (a)前記絶縁領域は、相手側コネクタと当接する当接面を備える板状の領域であり、
(b)前記導電領域は、前記絶縁領域の厚さ方向に延在する柱状の領域であり、少なくとも一方の端面が前記当接面に露出する請求項1に記載の集積電気配列コネクタ。 - 前記絶縁領域は、光が照射されることによって還元されて絶縁性から導電性に変化する酸化材料から成る請求項1に記載の集積電気配列コネクタ。
- 前記絶縁領域は、アルミナから成る請求項1に記載の集積電気配列コネクタ。
- (a)前記導電領域は、一方の端面が前記当接面に露出するとともに、他方の端面が前記当接面と対向する背面に露出し、
(b)前記他方の端面に電極が接続されている請求項4に記載の集積電気配列コネクタ。
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JP2006253938A JP4906452B2 (ja) | 2006-09-20 | 2006-09-20 | 集積電気配列コネクタ |
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JP2005294811A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
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