JP4901435B2 - センサ - Google Patents

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本発明は、センサ素子とリード線とを有するセンサに関する。
従来、上記センサとして、被検査対象の物理量を測定する検知部からの出力を検出する検出装置と検知部とを電気的に接続する検知部用リード線、および検知部用リード線に対して近接配置され、検知部を加熱するためのヒータ部の通電状態をPWM制御する制御装置とヒータ部とを電気的に接続する一対のヒータ用リード線を備えたものが知られている。
このようなセンサにおいては、ヒータ用リード線を流れる電流が検知部用リード線を流れる電流よりも相当大きく、ヒータ部の通電状態をPWM制御しているため、ヒータ用リード線に電流が流れる際に、その電流により生じる磁界が検知部用リード線を流れる電流にノイズを発生させる。そこで、このノイズを発生させないようにするために、各リード線に磁界を遮断するシールド層を設けたものが開発されている(例えば特許文献1参照)。
特開2004−286685号公報
しかしながら、上記センサでは、各リード線にシールド層を設けているので、リード線の構成が複雑になり、リード線の価格が高価になるという問題点がある。
そこで、このような問題点を鑑み、センサ素子とリード線とを有するセンサにおいて、リード線にシールド層を設けることなく、ヒータ用リード線を流れる電流が検知部用リード線を流れる電流にノイズによる悪影響を与えないようにすることを本発明の目的とする。
かかる目的を達成するために成された請求項1に記載の発明は、被検査対象の物理量を測定する検知部、および前記検知部を加熱するヒータ部、を有するセンサ素子と、前記検知部からの出力信号を検出する検出装置と前記検知部とを電気的に接続する検知部用リード線と、前記検知部用リード線に対して少なくとも一部が近接配置され、前記ヒータ部の通電状態をPWM制御する制御装置と前記ヒータ部とを電気的に接続する一対のヒータ用リード線と、を備えたセンサであって、前記一対のヒータ用リード線の少なくとも一部分は、前記検知部用リード線を含まずにツイストされていること特徴としている。
このようなセンサによれば、ヒータ用リード線の少なくとも一部分をヒータ用リード線のみでツイストさせているので、一対のヒータ用リード線に電流が流されると、ヒータ用リード線が交差している部位の前後で、検知部用リード線に近接するヒータ用リード線が入れ替わるため、検知部用リード線に対してその部位の前後で、逆向きの磁界を発生させることができる。よって、ヒータ用リード線を流れる電流が検知部用リード線を流れる電流に与えるノイズを相殺することができるので、ヒータ用リード線を流れる電流が検知部用リード線を流れる電流に発生させるノイズを軽減することができる。
また、本発明のセンサにおいては、検知部用リード線が複数備えられており、複数の検知部用リード線の少なくとも一部分は、前記ヒータ用リード線を含まずにツイストされている。
このようなセンサによれば、検知部用リード線を構成する各線とヒータ用リード線との距離を平均化することができるので、特定の検知部用リード線のみがヒータ用リード線を流れる電流の影響を受けることを防止することができる。また、ヒータ用リード線由来のノイズ以外の電磁ノイズを軽減させることができる。
さらに、本発明のセンサにおいては、ヒータ用リード線がツイストされたピッチと、検知部用リード線がツイストされたピッチとは、互いに異なるピッチに設定されている。
検知部用リード線のピッチと、ヒータ用リード線のピッチが同一である場合、検知部用リード線とヒータ用リード線とのツイストの周期運動の位相が同じであると、検知部用リード線に流れる電流がヒータ用リード線由来のノイズの影響を受ける虞がある。そのため、このようなセンサによれば、より確実にヒータ用リード線を流れる電流の影響を除去することができる。
なお、本発明において「近接配置」とは、各リード線を流れる電流による磁界の影響を受け得る程度の距離をいう。
また、本発明において「ツイスト」とは、ヒータ用リード線の延伸方向に対して直交す
る方向からこの一対のヒータ用リード線を見たときに、各ヒータ用リード線が交差することにより少なくとも1回以上位置が入れ替わる状態をいう。
さらに、本発明でいう「ピッチ」とは、捻られている間隔を表すものであり、例えばリード線の延伸方向に対して直交する方向からこのリード線を見たときにおいて、あるリード線および他のリード線が交差する交差点と、このリード線が次に同じリード線と交差する交差点との距離を示す。
ところで、請求項1に記載のセンサにおいて、一対のヒータ用リード線は、請求項2に記載のように、奇数回ツイストされていてもよい。
このようなセンサによれば、一対のヒータ用リード線のうち、一方のヒータ用リード線が検知部用リード線に近接している部分の長さと他方のヒータ用リード線が検知部用リード線に近接している部分の長さとが、極力等しくなるようにすることができるので、ヒータ用リード線が検知部用リード線を流れる電流に発生させるノイズをより効果的に相殺することができる。
なお、本発明において、1回のツイストとは、リード線の延伸方向に対して直交する方向からこのリード線を見たときに、リード線が180°捻られてリード線同士の位置が入れ替わる状態をいう。また、奇数回ツイストとは、リード線同士が交差する点が奇数個あることを示す。
さらに、請求項1または請求項2に記載のセンサにおいて、一対のヒータ用リード線は、請求項3に記載のように、当該リード線1mあたり3回以上ツイストされていてもよい。
このようなセンサによれば、検知部リード線に対して各ヒータ用リード線を交互に接するようにすることができるので、ヒータ用リード線を流れる電流が検知部用リード線を流れる電流に発生させるノイズをより効果的に相殺することができる。また、後述する実験結果より、ヒータ用リード線が1mあたり3回以上ツイストされていれば、ヒータ用リード線を流れる電流が検知部用リード線を流れる電流に発生させるノイズを充分軽減することができる。
さらに、請求項1〜請求項3のいずれかに記載のセンサにおいては、請求項4に記載のように、ヒータ用リード線がツイストされたピッチ、検知部用リード線がツイストされたピッチよりも狭く設定されていてもよい。
また、請求項1〜請求項4の何れかに記載のセンサにおいて、ヒータ用リード線および検知部用リード線のうちの少なくとも一方のリード線には、請求項5に記載のように、リード線を係合するコネクタを備えていてもよい。
このようなセンサによれば、リード線にコネクタを備えているので、検出装置または制御装置と、センサ素子とを容易に切り離すことができる。よって、このセンサにおけるリード線の接続や組み立てを容易に行うことができる。
なお、本発明でいうコネクタとは、電線同士あるいは電線と電気装置とを接続するものであって、電極(ピン)の突き出たものと、それを受けるものとの一組からなるものを表す。
以下に、本発明を適用した実施形態として、全領域空燃比センサを備えるガス検出システム1について、図面に基づいて説明する。
[実施形態]
本実施形態のガス検出システム1は、内燃機関の排気ガス中に含まれる酸素濃度を検出するものであり、酸素濃度の検出結果は、内燃機関の空燃比を制御するために用いられる。
図1に、ガス検出システム1の概略構成を表したシステム構成図を示す。
ガス検出システム1は、後述する各種セル11,15、および各種セル11,15を加熱するためのセラミックヒータ41を有する全領域空燃比センサ素子10、各種セル11,15に接続されるセンサ制御回路31、およびセラミックヒータ41に接続されるヒータ電圧供給装置43を備えて構成されている。また、ガス検出システム1は、全領域空燃比センサ素子10(各種セル11,15)とセンサ制御回路31とを電気的に接続するための3本の検知部用リード線63〜65(ポンプ側リード線63、共通リード線64、測定側リード線65)、および全領域空燃比センサ素子10(セラミックヒータ41)とヒータ電圧供給装置43とを電気的に接続するための2本のヒータ用リード線61,62を備えている。
なお、ヒータ電圧供給装置43およびセンサ制御回路31は、全領域空燃比センサ素子10の起動時に外部から入力されるセンサ起動信号に同期して、それぞれ作動する。
ここで、全領域空燃比センサ素子10は、図1に示すように、酸素ポンプセル11(以下、Ipセル11ともいう)と、酸素濃度検知部15(以下、Vsセル15ともいう)と、ガス検出室19と、ガス拡散多孔質層21と、酸素基準室25と、を備えている。
酸素ポンプセル11は、固体電解質体12の両板面(表側板面、裏側板面)に多孔質電極13,14を有し、酸素(O2)のポンピングを行う。
酸素濃度検知部15は、固体電解質体16の両板面(表側板面、裏側板面)に多孔質電極17,18を有し、ガス検出室19の酸素濃度に応じた起電力を発生する。
ガス検出室19は、酸素ポンプセル11と酸素濃度検知部15との間に設けられて被測定ガスが導入される空間である。
ガス拡散多孔質層21は、被測定ガスをガス検出室19に導入するための経路に配置されている。
酸素基準室25は、酸素濃度検知部15と遮蔽層23との間に設けられて酸素を溜め込む空間である。
ところで、酸素ポンプセル11の多孔質電極14および酸素濃度検知部15の多孔質電極17は、ガス検出室19に面するように配置されている。また、固体電解質体12,16および遮蔽層23は、イットリアを安定化剤として固溶させた部分安定化ジルコニアを主体に形成され、多孔質電極13,14は、白金を主体に形成されている。
センサ制御回路31は、周知の回路構成によって構成されており、ポンプ電流駆動回路33と、電圧出力回路35と、測定電流供給回路37と、基準電圧比較回路39と、微小電流供給回路40を備えて構成されている。
このうち、微小電流供給回路40は、酸素濃度検知部15の多孔質電極18側から多孔質電極17側へと微小電流Icpを通電するものである。この微小電流供給回路40による微小電流Icpの通電により、多孔質電極18側(酸素基準室25)に酸素が汲み込まれ、多孔質電極18が内部酸素基準源として機能する。電圧出力回路35は、微小電流供給回路40による微小電流Icpの通電により、酸素濃度検知部15の多孔質電極17−18間に発生する起電力Vsを検出するものである。また、基準電圧比較回路39は、予め定められた基準電圧(本実施例では450[mV])を内部に保持しており、電圧出力回路35にて検出した起電力Vsと基準電圧との比較を行い、比較結果をポンプ電流駆動回路33に通知するものである。そして、ポンプ電流駆動回路33は、基準電圧比較回路39から受け取った比較結果に基づいて、酸素ポンプセル11に流すポンプ電流Ipを制御するものである。
全領域空燃比センサ素子10のうち酸素濃度検知部15は、ガス検出室19の内部の雰囲気をモニタするために備えられており、酸素濃度検知部15の多孔質電極17−18間には、ガス検出室19の内部における酸素濃度に応じた起電力Vsが発生する。また、全領域空燃比センサのうち、酸素ポンプセル11は、ポンプ電流駆動回路33から供給されるポンプ電流Ipに応じて、ガス検出室19に対する酸素(O2)の汲み出し又は汲み入れを行う。
つまり、全領域空燃比センサ素子10では、酸素濃度検知部15の起電力Vsが一定値(450[mV])となるように、言い換えると、ガス検出室19の空燃比が理論空燃比となるように、酸素ポンプセル11を用いてガス検出室19の内部に対する酸素(O2)の汲み出し又は汲み入れが行われる。
このように構成される全領域空燃比センサ素子10では、酸素ポンプセル11に流れるポンプ電流Ipの電流値および電流方向が、被測定ガス中の酸素濃度に応じて変化することから、ポンプ電流Ipの測定結果に基づいて被測定ガス中の酸素濃度を検出できる。なお、本実施の形態では、このポンプ電流Ipの量に比例した電圧(検出信号)をセンサ制御回路31から図示しないエンジン制御装置側に出力しており、エンジン制御装置がこの検出信号に基づいて被測定ガスの酸素濃度を検出している。
そして、全領域空燃比センサ素子10は、例えば、内燃機関の排気管に配置されることで排気ガス中の酸素濃度を検出することができる。なお、排気ガス中の酸素濃度と空燃比とには相関関係があることから、検出した酸素濃度を用いることで、内燃機関の空燃比を測定することができる。
また、センサ制御回路31には、図示しない抵抗値検出部が備えられており、この抵抗値検出部は、測定電流供給回路37から抵抗値測定用の測定電流Irpvsを通電したときの多孔質電極17−18間の電圧値の変化量に基づいて、酸素濃度検知部15における多孔質電極17−18間の電気抵抗値Rpvsを検出しており、検出した電気抵抗値Rpvsに応じた抵抗値信号Srをヒータ電圧供給装置43に対して出力している。
ここで、測定電流供給回路37は、酸素濃度検知部15に一定の電流値を有する測定電流Irpvs(例えば、−1.22[mA])を供給するものであって、スイッチング素子を有している。また、測定電流供給回路37は、酸素濃度検知部15の電気抵抗値Rpvsを測定する際にスイッチング素子が駆動され、測定電流Irpvsを酸素濃度検知部15側に所定時間流すように機能するものである。
そして、ヒータ電圧供給装置43は、セラミックヒータ41への印加電圧をPWM制御する。より具体的に述べるとヒータ電圧供給装置43は、センサ制御回路31からの抵抗値信号Srに基づいて、全領域空燃比センサ素子10(詳細には、酸素濃度検知部15)の温度Tcを検出し、検出した温度Tcに基づいてセラミックヒータ41に印加するPWM制御された電圧のデューティ比を設定する。
なお、全領域空燃比センサ素子10の酸素濃度検知部15における温度Tcと電気抵抗値Rpvsとの間には、相関関係があり、電気抵抗値Rpvsに基づいて全領域空燃比センサの温度Tcを検出することが可能である。
セラミックヒータ41は、ヒータ電圧供給装置43からPWM制御された電圧を印加されると、PWM制御された電圧の平均である印加電圧VHの大きさに応じた発熱量を発生し、全領域空燃比センサ素子10を加熱する。なお、ヒータ電圧供給装置43は、マイクロコンピュータを備えて構成されている。そして、このマイクロコンピュータの内部処理として、全領域空燃比センサ素子10の温度Tcが活性化温度(例えば、600[℃])以上の常用温度(例えば、800[℃])となるように、換言すれば、酸素濃度検知部15の電気抵抗値Rpvsがこの常用温度に対応した目標抵抗値Rtaとなるように、センサ制御回路31からの抵抗値信号Srに基づきヒータへの印加電圧VHの大きさを調整する温度制御処理が実行される。この結果、酸素ポンプセル11および酸素濃度検知部15が活性化温度以上に加熱され、全領域空燃比センサ素子10は、酸素を検出可能な活性化状態となる。
次に、全領域空燃比センサ素子10とセンサ制御回路31およびヒータ電圧供給装置43とを電気的に接続するための5本のリード線61〜65(ヒータ用リード線61,62、ポンプ側リード線63、共通リード線64、測定側リード線65)について説明する。
各リード線61〜65は、金属材料(例えば、銅、金、ステンレス合金など)からなる芯線(詳細には、芯線は、金属材料からなる複数の細線が撚られた状態で構成される。)と、芯線の周囲を覆う絶縁性材料(例えば、樹脂、ゴムなど)からなる被覆部と、を備えて構成されている。なお、各リード線61〜65は、芯線を遮蔽するための金属材料からなるシールド部が設けられたシールド線ではなく、シールド無しリード線で構成されている。
ヒータ用リード線61,62および検知部用リード線63〜65は、それぞれ複数(2本または3本)のリード線から構成されている。例えばヒータ用リード線61は、複数のリード線がコネクタ50を介して接続可能に構成されており、コネクタ50が接続されることで、全領域空燃比センサ素子10とセンサ制御回路31およびヒータ電圧供給装置43とが電気的に接続される。なお、その他のリード線62〜65においても、ヒータ用リード線61と同様に構成されている。
コネクタ50は、リード線(電線)同士あるいはリード線と電気装置とを接続するものであって、突き出た電極(ピン)を有する雄コネクタと、突き出た電極を受ける電極を有する雌コネクタとが一組になって構成されている。ここで、図1に示すコネクタ50においては、雄コネクタと雌コネクタとが結合された状態を示し、各リード線61〜65をコネクタ50(雄コネクタおよび雌コネクタ)に設けられた電極51〜55で接続した状態を示している。
コネクタ50において、雄コネクタと雌コネクタとを分離すると、コネクタ電極51〜55の部位で各リード線61〜65を同時に分離することができる。また、コネクタ50において、雄コネクタと雌コネクタとが分離された状態から雄コネクタと雌コネクタとを結合させると、コネクタ電極51〜55の部位で各リード線61〜65を同時に接続することができる。
即ち、各リード線61〜65にコネクタ50を設けておくことにより、全領域空燃比センサ素子10とセンサ制御回路31およびヒータ電圧供給装置43との接続および分離を容易に行うことができるのである。
ここで、ヒータ用リード線61,62に流される電流は、ヒータ41に通電を行うための電流であるため、検知部用リード線63〜65に流される酸素濃度を検出するための電流と比較すると、かなり大きな電流となる。しかも、ヒータ用リード線61,62に流される電流は、PWM制御されているため、電流の変化量が著しく大きくなる。
このため、単にリード線61〜65を利用するだけでは、ヒータ用リード線を流れる電流による磁界が検知部用リード線を流れる電流にノイズを発生させるので、センサ制御回路31が全領域空燃比センサ素子10からの信号を正常に検出できなくなる虞がある。
そこで、本実施形態においては、各リード線61〜65に配置を工夫している。このことについて図2および図3を用いてより詳しく説明する。図2はリード線61〜65およびコネクタ50の具体的形状を示す説明図、図3はツイスト形態のリード線61〜65を模式的に示す説明図である。
図2に示すように、2本のヒータ用リード線61,62と、3本の検知部用リード線63〜65とは、それぞれ別々に、均等にツイスト(リード線61〜65の延伸方向に対して直交する方向からリード線61〜65を見たときに、各リード線61〜65が交差することにより位置が入れ替わる状態)され、各リード線61〜65の端部がコネクタ50に接続されている。そして、ツイストされたヒータ用リード線61,62と、ツイストされた検知部用リード線63〜65とは、結束バンド71により結束されている。
なお、この構成により各リード線61〜65は、他のリード線と接触する状態となるが、芯線が被覆部で覆われていることから、被覆部同士が接触する状態となり、芯線同士は互いに電気的に絶縁された状態で配設される。
また、ヒータ用リード線61,62がツイストされているピッチ(繰り返しの間隔)は、例えば1mあたり30回程度に設定され、かつ場所によらず均等に設定されている。また、ヒータ用リード線61,62におけるピッチは、検知部用リード線63〜65におけるピッチとは異なるピッチに設定されている。また、均等にツイストするとは、ピッチが場所によらず同一であることを示す。
なお、ピッチとは、図3に示すように、例えば、あるリード線が異なるリード線と交差する地点から、再び同じリード線と交差する地点までの距離を示す。
特に図3に示す例においては、ヒータ用リード線61,62がツイストされているピッチは、検知部用リード線63〜65がツイストされているピッチより狭く設定されている。例えば、ヒータ用リード線61,62のピッチは、検知部用リード線63〜65のピッチの2/3に設定されている。このような検知部用リード線63〜65は、図3に示すように、各ヒータ用リード線61,62を流れる電流による2つの異なる方向の磁界の影響を受けることになる。
つまり、ヒータ用リード線61,62は、検知部用リード線63〜65に対して交互に近接する。そして、ヒータ用リード線61,62には、それぞれ逆向きの電流(電流方向を図3に実線矢印で表示)が流されることから、ヒータ用リード線61,62を流れる電流は、検知部用リード線63〜65に2つの異なる向きの磁界を発生させ、その2つの方向が逆方向になっている。よって、この構成により、この磁界により発生する電流(ノイズ:電流方向を図3に破線矢印で表示)を相殺できるようにしている。
なお、本実施形態において、酸素ポンプセル11および酸素濃度検知部15は本発明でいう検知部に相当し、セラミックヒータ41は本発明でいうヒータ部に相当し、全領域空燃比センサ素子10は本発明でいうセンサ素子に相当する。また、センサ制御回路31は本発明でいう検出装置に相当し、ヒータ電圧供給装置43は本発明でいう制御装置に相当する。
[実施形態の効果]
以上のように詳述したガス検出システム1においては、酸素ポンプセル11および酸素濃度検知部15からの出力信号を検出するセンサ制御回路31と酸素ポンプセル11,酸素濃度検知部15とを電気的に接続する検知部用リード線63〜65と、検知部用リード線63〜65に対して少なくとも一部が近接配置され、セラミックヒータ41をPWM制御するヒータ電圧供給装置43とセラミックヒータ41とを電気的に接続する一対のヒータ用リード線61,62と、全領域空燃比センサ素子10と、を備えている。そして、ガス検出システム1において、一対のヒータ用リード線61,62の少なくとも一部分は、検知部用リード線63〜65を含まずにツイストされている。
従って、このようなガス検出システム1によれば、ヒータ用リード線61,62のみでツイストさせているので、一対のヒータ用リード線61,62に電流が流されると、ヒータ用リード線61,62が交差している部位の前後で、検知部用リード線63〜65に近接するヒータ用リード線61,62が入れ替わるため、検知部用リード線63〜65に対してその部位の前後で、逆向きの磁界を発生させることができる。よって、ヒータ用リード線61,62を流れる電流が検知部用リード線63〜65を流れる電流に与えるノイズを相殺することができるので、ヒータ用リード線61,62を流れる電流が検知部用リード線63〜65を流れる電流に発生させるノイズを軽減することができる。
さらに、一対のヒータ用リード線61,62は、このリード線1mあたり3回以上ツイストされている。
従って、このようなガス検出システム1によれば、各ヒータ用リード線61,62が検知部用リード線63〜65に対して交互に接するようにすることができるので、ヒータ用リード線61,62を流れる電流が検知部用リード線63〜65を流れる電流に発生させるノイズをより効果的に相殺することができる。また、後述する実験結果より、ヒータ用リード線61,62が1mあたり3回以上ツイストされていれば、ヒータ用リード線61,62を流れる電流が検知部用リード線63〜65を流れる電流に発生させるノイズを充分軽減することができる。
また、ガス検出システム1において複数の検知部用リード線63〜65の少なくとも一部分は、ヒータ用リード線61,62を含まずにツイストされている。
従って、このようなガス検出システム1によれば、検知部用リード線63〜65を構成する各線とヒータ用リード線61,62との距離を平均化することができるので、特定の検知部用リード線63〜65のみがヒータ用リード線61,62を流れる電流の影響を受けることを防止することができる。また、ヒータ用リード線61,62由来のノイズ以外の電磁ノイズを軽減させることができる。
さらに、ヒータ用リード線61,62がツイストされたピッチと、検知部用リード線63〜65がツイストされたピッチとは、互いに異なるピッチに設定されている。例えば、ヒータ用リード線61,62がツイストされているピッチが、検知部用リード線63〜65がツイストされているピッチの2/3に設定されている。
検知部用リード線63〜65のピッチと、ヒータ用リード線61,62のピッチが同一である場合、検知部用リード線63〜65とヒータ用リード線61,62とのツイストの周期運動の位相が同じであると、検知部用リード線63〜65に流れる電流がヒータ用リード線61,62由来のノイズの影響を受ける虞がある。そのため、このようなガス検出システム1によれば、より確実にヒータ用リード線61,62を流れる電流の影響を除去することができる。
また、ヒータ用リード線61,62および検知部用リード線63〜65のうちの少なくとも一方のリード線には、リード線を係合するコネクタ50を備えている。
従って、このようなガス検出システム1によれば、リード線にコネクタ50を備えているので、センサ制御回路31またはヒータ電圧供給装置43と、全領域空燃比センサ素子10とを容易に切り離すことができる。よって、このセンサにおけるリード線の接続や組み立てを容易に行うことができる。
[実験例]
発明者は上記実施形態の効果を立証するために実験を行った。
図4および図5は、各リード線61〜65をツイストすることなく結束バンド71で結束した状態において、ポンプ電流Ipに与えられるノイズ波形を示すグラフである。特に、図4は、全領域空燃比センサ素子10−センサ素子側コネクタ50間、および制御回路側コネクタ50−センサ制御回路31(ヒータ電圧供給装置43)間のリード線61〜65の長さを0.3mに設定し、センサ素子側コネクタ50−制御回路側コネクタ50間のリード線61〜65の長さを3.0mに設定したとき(つまり全領域空燃比センサ素子10−センサ制御回路31(ヒータ電圧供給装置43)間の距離が3.6mのとき)のノイズ波形を示す。また図5は、センサ素子側コネクタ50−制御回路側コネクタ50間の距離を0に設定したとき(つまり全領域空燃比センサ素子10−センサ制御回路31(ヒータ電圧供給装置43)間の距離が0.6mのとき)のノイズ波形を示す。
全領域空燃比センサ素子10−センサ制御回路31(ヒータ電圧供給装置43)間の距離が3.6mのときには、図4に示すように、ヒータ電圧供給装置43による瞬間的な印加電圧Vh(印可電圧Vhは約13.5V)をスイッチングする度に、ポンプ電流Ipにノイズが発生し、ポンプ電流Ipが0.1mA程度変化することが解る。
一方、全領域空燃比センサ素子10−センサ制御回路31(ヒータ電圧供給装置43)間の距離が0.6mのときには、図5に示すように、ヒータ電圧供給装置43により印加電圧Vhをスイッチングしても、ポンプ電流Ipは0.01mA程度しか変化しない。
つまり、各リード線をツイストしない構成において、検知部用リード線63〜65を流れる電流にノイズの影響を受けないようにするためには、各リード線の長さを極力短くしなければならないことが解る。ところが、全領域空燃比センサ素子10とセンサ制御回路31(ヒータ電圧供給装置43)とは、必ずしも近接させることはできないため、全領域空燃比センサ素子10−センサ制御回路31(ヒータ電圧供給装置43)間の距離が離れている場合におけるノイズ対策が必要となる。
そこで、ツイストしない構成の各リード線(図4のもの)を使用する場合と、上記実施形態のようにツイストした構成の各リード線61〜65を使用する場合とを比較した結果を図6に示す。図6は、図4に示す例と同一の長さのリード線で、同様の条件で印加電圧Vhをスイッチングしたときにおけるポンプ電流Ipの波形を表すグラフである。
図6に示すように、各リード線をツイストしない構成においては、ヒータ電圧供給装置43により印加電圧Vhをスイッチングする度に、ポンプ電流Ipが0.1mA程度変化するが、各リード線をツイストした本実施形態の構成においては、ポンプ電流Ipは0.02mA程度しか変化しない。つまり、各リード線をツイストすることにより、ポンプ電流Ipに与えられるノイズを約1/10に減少させることができた。
また、発明者は、上記のように示した2種類のリード線に加えて、検知部用リード線63〜65をツイストすることなく、ヒータ用リード線61,62のみをツイストしたものについても、ノイズを減少させる効果があるか否かを実験した。この実験結果を図7に示す。
図7は、上記3種類のリード線(実施形態のリード線61〜65、ヒータ用リード線61,62のみをツイストしたもの、およびリード線を一切ツイストしないもの)において、各コネクタ50間の距離と、このときポンプ電流Ipに与えられるノイズの大きさ(ΔIp)との関係を示すグラフである。
図7に示すように、各リード線をツイストしないものにおいては、リード線の長さが長くなるにつれて比例的にΔIpが増大し、リード線長さが3mの際にはΔIpは約0.1mAとなった。一方、実施形態のリード線61〜65およびヒータ用リード線61,62のみをツイストしたものにおいては、リード線の長さが長くなるにつれてΔIpが増大する傾向はあるものの、リード線長さが3mの際であってもΔIpは約0.02mAであった。
特に、実施形態のリード線61〜65と、ヒータ用リード線61,62のみをツイストしたものとを比較すると、実施形態のリード線61〜65は、リード線長さが3mの際にヒータ用リード線61,62のみをツイストしたものよりもΔIpが小さくなったが、リード線長さが1mおよび2mの際には、両者からほぼ同じΔIpが検出された。
即ち、実施形態のリード線61〜65のように、ヒータ用リード線61,62と検知部用リード線63〜65とを別々にツイストしていることが最も好ましいが、少なくともヒータ用リード線61,62がツイストされていれば、ポンプ電流Ipに与えられるノイズの大きさ(ΔIp)を減少させる効果が得られることが解った。
次に、発明者は、ヒータ用リード線61,62のツイスト回数に着目し、ヒータ用リード線61,62のツイスト回数とポンプ電流Ipに与えられるノイズの大きさ(ΔIp)との関係を図8に示すように計測した。
なお、この実験においては、検知部用リード線63〜65をツイストすることなく、ヒータ用リード線61,62のみをツイストしている。また、1回のツイストとは、リード線の延伸方向に対して直交する方向からこのリード線を見たときに、リード線が180°捻られてリード線同士の位置が入れ替わる状態(図3、図9参照)をいう。
図8に示すように、ツイスト回数が10回以下(リード線1mあたりのツイスト回数が約3回以下)の場合には、ツイスト回数が奇数回のときのほうが、ツイスト回数が偶数回のときよりもΔIpが小さくなることが解る。また、ツイスト回数が10回を超えると、ツイスト回数が偶数回であっても良好にノイズが除去されていることが解る。
なお、ツイスト回数が奇数回のときのほうが、ツイスト回数が偶数回のときよりもΔIpが小さくなるのは、図9に示すように、ヒータ用リード線61,62のうち、一方のヒータ用リード線61,62が検知部用リード線63〜65に近接している部分の長さ(図中「区間A」の距離の和)と他方のヒータ用リード線61,62が検知部用リード線63〜65に近接している部分の長さ(図中「区間B」の距離の和)とが、極力等しくなるようにすることができるためと考えられる。つまり、区間Aの距離の和と区間Bの距離の和とが極力等しくなるようにすることにより、ある方向の磁界とこの磁界の方向とは逆方向の磁界とを検知部用リード線63〜65に均等に与え、磁界によるノイズを相殺するようにしている。
ただし、ツイスト回数が10回を超えると、ツイスト回数が偶数回であっても上記の区間Aの距離の和と区間Bの距離の和との差が僅かになるため、ΔIpに影響を及ぼさなくなるものと考えられる。よって、ツイスト回数を10(1mあたり約3回)以上に設定すれば、ツイスト回数が偶数回であるか奇数回であるかによらず、良好に検知部用リード線63〜65におけるノイズを除去することができる。
[その他の実施形態]
本発明の実施の形態は、上記の実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採りうる。
例えば、上記実施形態においては、全領域空燃比センサに対して本発明を適用したが、酸素センサ、NOxセンサ等、ヒータを有するセンサであれば本発明を適用することができる。
また、酸素濃度(酸素分圧)を検出するセンサに限らず、物質の物理量(物理的な性質・状態を表現する量)を検出するセンサであれば本発明を採用することができる。
ガス検出システムの概略構成を表したシステム構成図である。 リード線およびコネクタの具体的形状を示す説明図である。 ツイスト形態のリード線を模式的に示す説明図である。 ツイストしない長いリード線において、ポンプ電流Ipに与えられるノイズ波形を示すグラフである。 ツイストしない短いリード線において、ポンプ電流Ipに与えられるノイズ波形を示すグラフである。 印加電圧Vhをスイッチングしたときにおけるポンプ電流Ipの波形を表すグラフである。 各コネクタ間の距離と、ポンプ電流Ipに与えられるノイズの大きさ(ΔIp)との関係を示すグラフである。 ヒータ用リード線のツイスト回数とポンプ電流Ipに与えられるノイズの大きさ(ΔIp)との関係を示すグラフである。 ツイスト回数が奇数回・偶数回であることの差異を示す説明図である。
符号の説明
1…ガス検出システム、10…全領域空燃比センサ素子、11…酸素ポンプセル、15…酸素濃度検知部、19…ガス検出室、21…ガス拡散多孔質層、23…遮蔽層、25…酸素基準室、31…センサ制御回路、33…ポンプ電流駆動回路、35…電圧出力回路、37…測定電流供給回路、39…基準電圧比較回路、40…微小電流供給回路、41…セラミックヒータ、43…ヒータ電圧供給装置、50…コネクタ、51〜55…コネクタ電極、61,62…ヒータ用リード線、63〜65…検知部用リード線、71…結束バンド。

Claims (5)

  1. 被検査対象の物理量を測定する検知部、および前記検知部を加熱するヒータ部、を有するセンサ素子と、
    前記検知部からの出力信号を検出する検出装置と前記検知部とを電気的に接続する複数の検知部用リード線と、
    前記検知部用リード線に対して少なくとも一部が近接配置され、前記ヒータ部の通電状態をPWM制御する制御装置と前記ヒータ部とを電気的に接続する一対のヒータ用リード線と、
    を備えたセンサであって、
    前記一対のヒータ用リード線の少なくとも一部分は、前記検知部用リード線を含まずにツイストされており、
    前記複数の検知部用リード線の少なくとも一部分は、前記ヒータ用リード線を含まずにツイストされており、
    前記ヒータ用リード線がツイストされたピッチと、前記検知部用リード線がツイストされたピッチとは、互いに異なるピッチに設定されていること
    を特徴とするセンサ。
  2. 前記一対のヒータ用リード線は、奇数回ツイストされていること
    を特徴とする請求項1に記載のセンサ。
  3. 前記一対のヒータ用リード線は、当該リード線1mあたり3回以上ツイストされていること
    を特徴とする請求項1または請求項2に記載のセンサ。
  4. 前記ヒータ用リード線がツイストされたピッチは、前記検知部用リード線がツイストされたピッチよりも狭く設定されていること
    を特徴とする請求項1〜請求項3の何れかに記載のセンサ。
  5. 前記ヒータ用リード線および前記検知部用リード線のうちの少なくとも一方のリード線には、該複数のリード線を係合するコネクタを備えること
    を特徴とする請求項1〜請求項4の何れかに記載のセンサ。
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