JP4894349B2 - ステムおよび光モジュール - Google Patents

ステムおよび光モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP4894349B2
JP4894349B2 JP2006131439A JP2006131439A JP4894349B2 JP 4894349 B2 JP4894349 B2 JP 4894349B2 JP 2006131439 A JP2006131439 A JP 2006131439A JP 2006131439 A JP2006131439 A JP 2006131439A JP 4894349 B2 JP4894349 B2 JP 4894349B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stem
terminal
capacitive support
capacitive
electrically connected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006131439A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007305731A (ja
Inventor
喜充 酒井
昌樹 栗林
隆志 山根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Optical Components Ltd
Original Assignee
Fujitsu Optical Components Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Optical Components Ltd filed Critical Fujitsu Optical Components Ltd
Priority to JP2006131439A priority Critical patent/JP4894349B2/ja
Publication of JP2007305731A publication Critical patent/JP2007305731A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4894349B2 publication Critical patent/JP4894349B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance

Landscapes

  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

この発明は、接続端子を有するステムおよびこのステムを備えた光モジュールにかかり、特に、ノイズ除去できるステムおよび光モジュールに関する。
従来、基板やステム上に素子を搭載したモジュール、特に、ステム上にPD素子とアンプ、あるいはLD素子等の光学モジュール等を搭載した光モジュールでは、電源ノイズやクロストーク等の外来ノイズの除去を行っている。
図5は、従来技術による電源ノイズ除去の構成を示す回路図、図6は、従来技術による電源ノイズ除去の構成例を示す平面図である。光学モジュールとしてPDモジュールを例に説明すると、PDモジュール500には、プリアンプ(TIA:Trans Impedance Amplifier)とも呼称される)501が内蔵され、PD502によって受光した光は、プリアンプ501により増幅され、信号端子503から外部出力される。
そして、電源ノイズ等の除去のために、基板、あるいは図6に示す例のステム600上には、マイクロチップコンデンサ(MC)505が搭載される。電源端子506aとPD502との間には、小容量(高周波ノイズ除去用)のMC505aおよび大容量(低周波ノイズ除去用)のMC505bが配置され、電源端子506bとプリアンプ501との間には、小容量(高周波ノイズ除去用)のMC505cを配置し、ワイヤ509を介して接続することにより、主に電源ノイズを除去する構成となっている(例えば、下記特許文献1、2参照。)。
このほか、小型のコンデンサを使用する構成としては、例えば、金属製筐体とリード端子との間に小型のコンデンサを設けて高周波における浮遊容量を短絡する構成(例えば、下記特許文献3参照。)、パッケージ取付用の穴部やコネクタ部分に貫通型コンデンサを配置して雑音の除去を図ったもの(例えば、下記特許文献4、5参照。)等がある。なお、コンデンサを円筒状等の所定形状に形成したものがある(例えば、下記特許文献6参照。)。
特開2000−28872号公報 特開2005−244038号公報 特開2002−324866号公報 特開平8−288701号公報 特開平10−189154号公報 特開平8−298225号公報
しかしながら、プリアンプを内蔵したPDモジュールの場合、ノイズ除去のためにPDと電源端子との間に容量が必要であり、特許文献1、2の構成では、ステム上に実装する必要のあるマイクロチップコンデンサ(MC)の個数が増加するとともに、ステム上のスペースを占有する割合が増加する問題が生じた。
さらに、MCを実装する際に、このMCと端子やPD、プリアンプとの間を接続するワイヤ長が長くなると、このワイヤによってインダクタンス(L)成分が増加し、ノイズ除去の妨げとなった。MCの個数が増加すると、ワイヤを短く近接して実装しようとしても、配置スペースが限定されてワイヤ長が長くなりやすかった。
また、ステム上においてMCと端子やPD、プリアンプとの間の接続をできるだけ近接させなければならないため、特許文献3の如くリード端子付近にだけ設ける構成としたり、特許文献4、5のようにパッケージの外部やコネクタ部分に設ける構成では、プリアンプを含めたパッケージ全体のノイズ低減を図ることができない。なお、特許文献6に記載されたような形状のコンデンサであっても、単にステム上に配置しただけではステム上のスペース削減は行うことができない。
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、実装する部品点数が増加することなく、簡単な構成で電源等の各種ノイズを効率的に除去できるステムおよび光モジュールを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するため、この発明にかかるステムは、素子が搭載され、外部に導出される端子を備えたステムにおいて、前記ステムに開口された開口部と前記端子との間に充填され、前記端子を前記ステムに固定保持するとともに、接地された前記ステムに対して所定の容量を有して前記端子を接地接続する高誘電体材料からなる容量性支持部と、前記容量性支持部に埋め込まれるように交互に配置される、前記ステムに電気的に接続された電極および前記端子に電気的に接続された電極と、を備えたことを特徴とする。
また、この発明にかかる光モジュールは、光信号と電気信号を相互に変換する光電変換素子と、前記光電変換素子が搭載され、内部を気密封止し、外部に導出される端子を備えたステムと、前記ステムに開口された開口部と前記端子との間に充填され、前記端子を前記ステムに固定保持するとともに、接地された前記ステムに対して所定の容量を有して前記端子を接地接続する、ガラスにフィラとして高誘電体材料を所定量混合させてなる容量性支持部と、前記容量性支持部に埋め込まれるように交互に配置される、前記ステムに電気的に接続された電極および前記端子に電気的に接続された電極と、を備えたことを特徴とする。
上記構成によれば、容量性支持部は、ステムと端子との間に設けられ、接地されたステムに対して端子を所定の容量を介して接地接続する。端子は、容量性支持部によって最も短い距離でステムに接地でき、不要なインダクタンス成分を生じない。容量性支持部を電源の端子部分に設けることにより、電源ノイズを吸収できる。また、ステム上に搭載していたMCを削減することができ、ステム上における素子の設置スペースを有効に活用できる。逆に、設置スペースを削減してステム自体を小型、小径化することも可能である。
本発明によれば、ステムの端子部分に、端子を接地する所定容量の容量性支持部を形成したため、端子を最短距離で接地でき、ノイズ除去効果を高めることができる。また、ステム上のMCの個数を削減でき、ステム上の素子の接地スペースを有効利用できるという効果を奏する。
以下に添付図面を参照して、この発明にかかるステムおよび光モジュールの好適な実施の形態を詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1による光モジュールのステム部分の構成を示す平面図である。この図1は、受光素子(PD)を備えた光モジュールの構成例を示している。円形状のステム100の中央には、PD101が配置されている。このPD101の側部にはプリアンプ(TIA)102が配置されている。また、このステム100からは、4本の端子105が外部(図の奥行方向)に導出されている。2本はPD101およびプリアンプ102に対する電源端子(Vcc,Vpd)105a,105bであり、残りの2本はプリアンプ出力の信号端子(OUT1,OUT2)105c,105dである。
そして、図示の例では、比較的容量が大きい低周波除去用の1個のマイクロチップコンデンサ(MC)107をできるだけPD101に近接して設けている。電源端子(Vpd)105bとMC107との間、およびMC107とPD101との間には電源供給用のワイヤ109aが接続されている。また、電源端子(Vcc)105aとプリアンプ102との間にも電源供給用のワイヤ109bが接続されている。また、信号端子(OUT1)105cとプリアンプ102との間、および信号端子(OUT2)105dとプリアンプ102との間にもそれぞれ信号出力用のワイヤ109c,109dが接続されている。これらのワイヤ109(109a〜109d)は、いずれもインダクタンス(L)成分を抑えるためにワイヤ長ができるだけ短くなるように接続している。
ステム100は接地(GND)されており、ステム100から導出する各端子105(105a〜105d)は、それぞれステム100に対して電気的に絶縁された容量性支持部110によって保持されている(詳細は後述する)。すなわち、ステム100が外部導体であり、所定径の開口部100a部分に、信号導体としての端子105が貫通しており、この開口部100aに容量性支持部110が設けられ、端子105は、ステム100との間に、容量性支持部110による所定の容量を有する同軸線路が形成されている。PD101,プリアンプ102,MC107は、それぞれ底面がステム100を介してGNDに接続されている。このステム100は、図示しないCAN(パッケージ)により覆われ、内部が気密封止されている。
図2は、ステムと端子部分の構成を示す斜視図である。外部に導出される端子105は、ステム100との間の容量性支持部110によりステム100内部を気密しつつステム100に固定される。この容量性支持部110は、ハーメチックガラス等の低融点ガラスにフィラとしてセラミック等の高誘電体材料を所定量混合させたものからなり、これをステム100と端子105の周りに充填し、焼結させることにより形成される。この容量性支持部110は、ステム(GND)100と、端子105との間で比較的小容量な高周波ノイズ除去用の容量(コンデンサ)として機能する。
この容量性支持部110の容量Cについて説明する。外部導体であるステム100に開口された内径D=1mmであり、中心導体(端子105)の直径d=0.35mm、長さ(ステム100の厚さに相当)L=1mm、比誘電率εr=6.5(通常のハーメチックガラス)の場合における容量Cは、
容量C=0.2413×εr/LOG(D/d)=0.34pFとなる。
現在、電源ノイズを除去するためにMC107を設けたとき、その容量は、数10〜数1000pF程度のものが用いられている。また、例えば、低融点ガラスにフィラとして、高誘電体(セラミック等)材料を混合し、焼結することにより高容量化が可能となる。例えば、MC107の材料として用いられているセラミックとしては、εr=30000〜40000の特性を有するものがある。
したがって、この発明では、容量性支持部110は上記同様の形状とし、εr=40000の材料(フィラ)を10%混入(フィラ濃度10%)して形成する。この容量性支持部110は、ステム100から突出する端子105を固定保持するとともに、容量性支持部110単体としては、円環状の形状となり、外周面が一方の電極面となるGNDのステム100に接続され、内周面が他方の電極面となる端子105に接続されるコンデンサ相当の容量性の素子として機能する。
これにより、εr1≒4000となり、容量C1≒210pFが得られる。さらに、フィラ濃度=50%、内径D=0.8mm、直径d=0.45mmとすると、εr2≒20000となり、容量C2≒2000pFとなる。このように、容量性支持部110のフィラ濃度、外部導体(ステム100)の内径D、中心導体(リード端子)の直径d、ステム厚を最適化することにより、所望の容量値を得ることができる。なお、フィラ濃度を100%とし、容量性支持部110全体をセラミックで構成することも可能である。容量性支持部110がMC107相当の容量とすることができる場合には、図1に示したMC107を省くこともできるようになる。
上記の容量性支持部110は、端子105のうち、電源端子(Vcc,Vpd)105a,105bに設けることにより、電源ノイズを低減できる。これに限らず、信号端子(OUT1)105cおよび信号端子(OUT2)105dにも容量性支持部110を設けることにより、電源ノイズに限らず、信号ライン上のノイズを低減できるため、クロストーク等外部から到来するノイズを低減させることもできるようになる。
そして、容量性支持部110は、ステム100の開口部100a部分に充填して構成されるものであるため、ステム100上のスペースを取らず、ステム100上のスペースを有効利用できるようになる。加えて、容量性支持部110は、ステム100上にMC107を搭載することに代えて端子105部分に同軸状に形成されるものであるため、ステム100上に配置するMC107の個数を削減することができ、部品点数を削減できる。ステム100上に搭載する部品点数の削減により、ステム100の径をより細径化することもできるようになる。
さらに、容量性支持部110は、端子105に対して最も短い距離で接続し、この端子105を最も短い距離で接地することができるとともに、接続のためのワイヤを不要にできるため、ワイヤによって生じていたインダクタンス(L)成分を大幅に削減できるようになる。また、容量性支持部110は、ステム100の製造段階で形成することができるため、ステム100上に複数のMC107を搭載する組み立て時の手間を省くことができ、生産性を向上できるようになる。
以上説明した実施の形態1によれば、ステム100内部にコンデンサ機能を有する容量性支持部110を設けて、端子105を支持するとともに端子105を最短距離でステム100に接地させることができるため、電源ノイズやクロストーク等のノイズを低減させることができる。また、ステム100上に搭載していたMC107の個数を削減できるため、ステム100上のスペースを有効活用できるようになる。
(実施の形態2)
次に、本発明の実施の形態2について説明する。実施の形態2は、実施の形態1に比して容量を大容量化したものである。図3は、実施の形態2によるステムと端子部分の構成を示す側断面図である。
実施の形態2の容量性支持部310についても、実施の形態1と同様にステム100の開口部100aに形成される。誘電体311の内部には、端子105に接続され、導出された電極312と、ステム100に接続され、導出された電極313とが交互に(断面でみて櫛歯状に)配置された構成である。これら電極312,313は、それぞれ異なる径を有して円環状に形成されている。例えば、低融点ガラスにフィラとして、高誘電体(セラミック等)材料を混合し、焼結して形成された誘電体311は、これら電極312,313により分割され、容量成分が互いに並列接続されることとなるため、容量をさらに増大することができる。
図3に示す例では、端子105から一つの電極312を導出し、ステム100からも一つの電極313を導出した構成としたが、これに限らない。図4は、実施の形態2によるステムと端子部分の他の構成を示す側断面図である。図4に示すように、端子105から導出する電極312と、ステム100から導出する電極313の数をそれぞれ複数とし、互いに交互に配置することにより、並列分の容量が増大し、さらなる高容量化が行えるようになる。例えば、容量性支持部310が図1に示したMC107相当の容量とすることができる場合には、ステム100上からMC107を省くこともできるようになる。
以上説明した実施の形態2によれば、容量性支持部310を構成する誘電体311の内部にステム100および端子105からそれぞれ導出された、一つあるいは複数の電極312,313を設けることにより、容量を増大させることができるようになる。この容量性支持部310により、それまでステム100上に搭載して用いていた比較的大容量のMC107の代用として用いることができるようになる。そして、ステム100上のスペースを有効利用できるとともに、ステム100上のスペースに空きを設けることもできるようになる。
また、上記実施の形態1,2では、光モジュールとしてPDを備えた受光モジュールを例に説明したが、レーザダイオード(LD)等の発光素子を搭載した発光モジュールに適用することもできる。発光モジュールにおいても、電源端子および信号端子部分に上記の容量性支持部を設けることにより、電源ノイズおよびクロストーク等のノイズを除去できるようになる。また、この発明は、光モジュールに限らず、電源ラインや信号ラインを備えた各種モジュールに適用して同様のノイズ除去効果を得ることができる。
(付記1)素子が搭載され、外部に導出される端子を備えたステムにおいて、
前記ステムに開口された開口部と前記端子との間に充填され、前記端子を前記ステムに固定保持するとともに、接地された前記ステムに対して所定の容量を有して前記端子を接地接続する、ガラスにフィラとして高誘電体材料を所定量混合させてなる容量性支持部を備えたことを特徴とするステム。
(付記2)素子が搭載され、外部に導出される端子を備えたステムにおいて、
前記ステムに開口された開口部と前記端子との間に充填され、前記端子を前記ステムに固定保持するとともに、接地された前記ステムに対して所定の容量を有して前記端子を接続する高誘電体材料からなる容量性支持部を備えたことを特徴とするステム。
(付記3)前記容量性支持部は、前記ステム側に接地接続された電極と、前記端子側に接続された電極とが交互に配置されていることを特徴とする付記1または2に記載のステム。
(付記4)前記電極は、それぞれ異なる径を有する円環状に形成されていることを特徴とする付記3に記載のステム。
(付記5)前記高誘電体材料は、セラミックあるいはチタン酸バリウムからなることを特徴とする付記1〜4のいずれか一つに記載のステム。
(付記6)光信号と電気信号を相互に変換する光電変換素子と、
前記光電変換素子が搭載され、内部を気密封止し、外部に導出される端子を備えたステムと、
前記ステムに開口された開口部と前記端子との間に充填され、前記端子を前記ステムに固定保持するとともに、接地された前記ステムに対して所定の容量を有して前記端子を接地接続する、ガラスにフィラとして高誘電体材料を所定量混合させてなる容量性支持部と、
を備えたことを特徴とする光モジュール。
(付記7)前記光電変換素子は、光信号を検出し電気信号に変換する受光素子であり、
前記ステム上で前記光電変換素子の近傍に搭載されるプリアンプを備え、
前記容量性支持部は、前記端子のうち少なくとも前記光検出器および前記プリアンプに対して供給する電源用の端子の部分に設けたことを特徴とする付記6に記載の光モジュール。
以上のように、本発明にかかるステムおよび光モジュールは、電源ノイズ等のノイズ除去に有用であり、特に、ステムの小型化およびノイズ除去が必要な伝送経路上に配置される光モジュールに適している。
本発明の実施の形態1による光モジュールのステム部分の構成を示す平面図である。 ステムと端子部分の構成を示す斜視図である。 実施の形態2によるステムと端子部分の構成を示す側断面図である。 実施の形態2によるステムと端子部分の他の構成を示す側断面図である。 従来技術による電源ノイズ除去の構成を示す回路図である。 従来技術による電源ノイズ除去の構成例を示す平面図である。
符号の説明
100 ステム
100a 開口部
101 PD(受光素子)
102 プリアンプ(TIA)
105 端子
105a,105b 電源端子
105c,105d 信号端子
107 MC(マイクロチップコンデンサ)
109(109a〜109d) ワイヤ
110 容量性支持部

Claims (4)

  1. 素子が搭載され、外部に導出される端子を備えたステムにおいて、
    前記ステムに開口された開口部と前記端子との間に充填され、前記端子を前記ステムに固定保持するとともに、接地された前記ステムに対して所定の容量を有して前記端子を接地接続する、ガラスにフィラとして高誘電体材料を所定量混合させてなる容量性支持部と、
    前記容量性支持部に埋め込まれるように交互に配置される、前記ステムに電気的に接続された電極および前記端子に電気的に接続された電極と、
    を備えたことを特徴とするステム。
  2. 素子が搭載され、外部に導出される端子を備えたステムにおいて、
    前記ステムに開口された開口部と前記端子との間に充填され、前記端子を前記ステムに固定保持するとともに、接地された前記ステムに対して所定の容量を有して前記端子を接続する高誘電体材料からなる容量性支持部と、
    前記容量性支持部に埋め込まれるように交互に配置される、前記ステムに電気的に接続された電極および前記端子に電気的に接続された電極と、
    を備えたことを特徴とするステム。
  3. 光信号と電気信号を相互に変換する光電変換素子と、
    前記光電変換素子が搭載され、内部を気密封止し、外部に導出される端子を備えたステムと、
    前記ステムに開口された開口部と前記端子との間に充填され、前記端子を前記ステムに固定保持するとともに、接地された前記ステムに対して所定の容量を有して前記端子を接地接続する、ガラスにフィラとして高誘電体材料を所定量混合させてなる容量性支持部と、
    前記容量性支持部に埋め込まれるように交互に配置される、前記ステムに電気的に接続された電極および前記端子に電気的に接続された電極と、
    を備えたことを特徴とする光モジュール。
  4. 前記光電変換素子は、光信号を検出し電気信号に変換する受光素子であり、
    前記ステム上で前記光電変換素子の近傍に搭載されるプリアンプを備え、
    前記容量性支持部は、前記端子のうち少なくとも前記光検出器および前記プリアンプに対して供給する電源用の端子の部分に設けたことを特徴とする請求項3に記載の光モジュール。
JP2006131439A 2006-05-10 2006-05-10 ステムおよび光モジュール Expired - Fee Related JP4894349B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006131439A JP4894349B2 (ja) 2006-05-10 2006-05-10 ステムおよび光モジュール

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006131439A JP4894349B2 (ja) 2006-05-10 2006-05-10 ステムおよび光モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007305731A JP2007305731A (ja) 2007-11-22
JP4894349B2 true JP4894349B2 (ja) 2012-03-14

Family

ID=38839420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006131439A Expired - Fee Related JP4894349B2 (ja) 2006-05-10 2006-05-10 ステムおよび光モジュール

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4894349B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5609164B2 (ja) * 2010-03-04 2014-10-22 住友電気工業株式会社 光レシーバ装置
CN115943499A (zh) * 2020-07-06 2023-04-07 三菱电机株式会社 光接收模块

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0287559A (ja) * 1988-09-26 1990-03-28 Hitachi Ltd 半導体ケース
JP3180545B2 (ja) * 1994-02-15 2001-06-25 株式会社村田製作所 高誘電率結晶化ガラス
JP2002289957A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JP2003258272A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 光受信モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007305731A (ja) 2007-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6104669B2 (ja) 光受信モジュール
US5814871A (en) Optical semiconductor assembly having a conductive float pad
US8743564B2 (en) Optical device
JP7263697B2 (ja) 受光装置
JP2012084614A (ja) 光デバイス
JP4894349B2 (ja) ステムおよび光モジュール
JP2007242708A (ja) 光受信サブアセンブリ
JP4828103B2 (ja) 光送受信モジュール
US6806547B2 (en) Light-receiving module
JP3972677B2 (ja) 光モジュール
JP3457916B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP6094014B2 (ja) 光デバイス
JP2004254125A (ja) 光受信モジュール
JP2010177591A (ja) 並列伝送モジュール
JP2009054938A (ja) 受光モジュール
JP4361380B2 (ja) 光モジュール
JP6879440B1 (ja) 光受信モジュール
JP4815869B2 (ja) 光受信モジュール
JP2014212228A (ja) 光受信モジュール
JP2013030549A (ja) 発光モジュール及びチップ部品実装用部材
JP2012114342A (ja) 光受信サブアセンブリ、光受信サブアセンブリの製造方法及び光受信モジュール
JP6961127B2 (ja) 光受信モジュール
JP2005294429A (ja) 光受信モジュール
JP2019186455A (ja) 光受信モジュール用パッケージ
JP2003289149A (ja) 受光モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090108

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20100119

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110421

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111129

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111212

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4894349

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees