JP4876937B2 - ウエーハ上への薄膜の気相成長法およびウエーハ上への薄膜の気相成長装置 - Google Patents
ウエーハ上への薄膜の気相成長法およびウエーハ上への薄膜の気相成長装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4876937B2 JP4876937B2 JP2007017455A JP2007017455A JP4876937B2 JP 4876937 B2 JP4876937 B2 JP 4876937B2 JP 2007017455 A JP2007017455 A JP 2007017455A JP 2007017455 A JP2007017455 A JP 2007017455A JP 4876937 B2 JP4876937 B2 JP 4876937B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- wafer
- susceptor
- thin film
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 78
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 60
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 22
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 198
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000035772 mutation Effects 0.000 description 2
- 235000012771 pancakes Nutrition 0.000 description 2
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
このうち、縦型(パンケーキ型)、横型の2機種は、ほぼ水平に基板ウェーハを保持するエピタキシャル成長用サセプタを採用している。
図4は、従来の縦型気相成長装置の一例を示す概略断面図である。この縦型の気相成長装置201においては、ベースプレート202上に釣鐘状のベルジャ203が載置されており、それによって反応室204が形成されている。この反応室204内には、半導体基板等のウエーハ205を載置する円板状の回転式サセプタ206が水平に配置され、その下面には該サセプタ206を介して半導体基板205を加熱する高周波加熱コイル207がコイルカバー208内に設けられている。また、ウェーハ205等の表面温度を測定するために放射温度計209が設置されている。
このとき、従来では、上記放射温度計209で測定したウエーハ205およびサセプタ206の表面温度データを、コンピュータ217を用いて加熱手段である高周波加熱コイル207にフィードバックしてエピタキシャル成長を行っていた。
また、従来法では、測定条件を一定とする必要があるために、製造条件を決めるためのテスト時や操業時にウエーハを常にフルチャージする必要があり、ダミーウエーハを用意しなければならず、コスト増となってしまう。
さらには、抽出したそれぞれの温度データを基にしてウエーハ表面の温度および/またはサセプタ表面の温度を制御して気相成長させるので、従来のようなウエーハ表面とサセプタ表面の両方が混じった温度データを基にして制御する方法よりも、格段に正確な温度制御が可能となる。
また、従来法では、サセプタに載置するウエーハの枚数によって、測定されて温度制御に使用される温度データ(例えば平均値)に差異が生じてしまうため、端数が出る場合はダミーウエーハを用いて常にウエーハをフルチャージして、一定の条件の下でデータ測定を行っていた。しかしながら、本発明ではわざわざフルチャージにしなくとも正確に温度制御ができ、すなわちダミーウエーハを載置しなくてもよく、コストを低減することができる。
このように、ウエーハ表面の温度および/または前記サセプタ表面の温度を別個に抽出するときに基準とする所定の温度変異率を、±6℃/60msecより大きい値とすれば、より確実に、ウエーハ表面の温度、前記サセプタ表面の温度を分離して得ることができる。
このように、所定の温度変異率を基準にして、ウエーハ表面の温度および/またはサセプタ表面の温度を別個に抽出するものであれば、簡便かつ正確にそれぞれの温度データを抽出することができる。
また、気相成長させるウエーハに端数が出てしまっても、ダミーウエーハを用いてわざわざフルチャージせずとも、その端数の分だけで正確に温度制御して気相成長を行うことができ、コスト面を改善することが可能である。
そして、高精度で温度制御されていることから、よりバラツキの少ない高品質の薄膜が形成されたウエーハを得ることができる。
上述したように、例えば、図4に示すような従来の気相成長装置201を用いた気相成長法においては、サセプタ206の上に載置されたウエーハ205は、気相成長時に、サセプタ206が回転することにより公転させられている。また、所定位置に設けられた放射温度計209により連続的に測定される温度データが、コンピュータ217を用いてウエーハ205を加熱するための加熱手段(この場合、高周波加熱コイル207)にフィードバックされ、その測定された温度データに基づいて高周波加熱コイル207の制御が行われる。
従来では、このような混じっている温度データを基に、例えばその平均値をとり、その平均化したデータを基にして、加熱手段の制御を行い、温度制御を行っていた。
そこで、本発明者らは、さらに、上記のように連続的に測定して得られたウエーハ表面およびサセプタ表面の温度データから、特には所定の温度変異率を基準にして、ウエーハ表面の温度および/またはサセプタ表面の温度を別個に抽出するための温度データ処理手段と、温度データ処理手段により別個に抽出された温度データを基にして加熱手段を制御する加熱制御手段を備えた装置であれば、気相成長時にウエーハ表面の温度とサセプタ表面の温度のそれぞれを正確に把握し、より高精度で制御して気相成長することができることを見出した。
このようにして、本発明者らは本発明のウエーハ上への薄膜の気相成長法および気相成長装置を完成させた。
図1に本発明の気相成長装置の一例を示す。図1に示すように、本発明の気相成長装置1は、ベースプレート2上に釣鐘状のベルジャ3が載置されており、それによって反応室4が形成されている。この反応室4内には、半導体基板等のウエーハ5を載置する円板状の回転式サセプタ6が水平に配置され、その下面には該サセプタ6を介してウエーハ5を加熱する加熱手段13(ここでは高周波加熱コイル7)がコイルカバー8内に設けられている。また、反応室4内にはノズル12が設けられており、ガス導入口10から導入された原料ガスは、ノズル12を介して反応室4内に導入され、ガス排出口11から排出できるようになっている。
これらの各部は、ウエーハ5上に薄膜を気相成長させることができるものであれば良く、従来と同様のものを用いることができる。
また、設置場所も図1に示すようなベルジャ3付近に限定されず、ウエーハ5上への薄膜のエピタキシャル層の気相成長を妨げることなく、かつ、ウエーハ5の表面およびサセプタ6の表面の温度を正確に測定できる位置に設置されていれば良い。
この温度測定手段14により、ウエーハ5の表面の温度およびサセプタ6の表面の温度の両方が混じった温度データが得られる。
上記処理内容についてより具体的に述べると、測定されたウエーハ5の表面およびサセプタ6の表面の温度データから、ウエーハ5の表面の温度および/またはサセプタ6の表面の温度を別個に抽出する処理である。すなわち、この温度データ処理手段15により、ウエーハ5の表面の温度やサセプタ6の表面の温度のそれぞれを正確に把握することが可能になる。
なお、基準とする所定の温度変異率は、気相成長時のサセプタの回転数や、ウエーハ5とサセプタ6の温度差等に応じてその都度決定することができる。
このようにコンピュータであれば、例えば予め設定しておいたプログラムによって、所望の設定に従い簡便に加熱手段13の制御が可能となる。しかも、従来とは異なって、ウエーハ5の表面の温度やサセプタ6の表面の温度が混じった温度データではなく、上記温度データ処理手段15によってそれぞれ分離された温度データを基にして加熱手段13の制御をするので、より高精度にウエーハ5の表面温度やサセプタ6の表面温度の制御を行うことができる。なお、温度データ処理手段15のプログラムと加熱制御手段16のプログラムは同一のコンピュータに入力されていても良い。
まず、ウエーハ5をサセプタ6の上に載置し、サセプタ6を回転させることにより、ウエーハ5を公転させる。また、加熱手段13(高周波加熱コイル7)によってウエーハ5を加熱し、ウエーハ5上に形成される薄膜の原料となる原料ガスをノズル12を通じて反応室4内に導入する。このようにして、加熱されたウエーハ5の表面に薄膜の形成を行う。
図2に、連続的に測定した温度データの一例を示す。図2の下方のグラフが上記連続的に測定された温度データである。図2に示すように、ウエーハ5の表面の温度(A部)と、サセプタ6の表面の温度(C部)とが交互に並んでおり、また、温度測定手段14による温度の測定点がウエーハ5からサセプタ6へ移行する箇所には温度の急上昇が見られ(B部)、温度の測定点がサセプタ6からウエーハ5へ移行する箇所には温度の急下降が見られる(D部)。
すなわち、ウエーハ5の表面の温度(A部)やサセプタ6の表面の温度(C部)の箇所では、温度変異率は小さな値であるが、急激に温度が変化するウエーハ5からサセプタ6へ移行する箇所(B部)や、サセプタ6からウエーハ5へ移行する箇所(D部)においては、温度変異率の絶対値が大きくなっている。
本発明では、このような温度変異率の急激な変化を目安として、測定した温度データからウエーハ5の表面の温度と、サセプタ6の表面の温度を別個に抽出する。
なお、上述したように、当然、この基準とする温度変異率は、サセプタの回転数や、ウエーハ5とサセプタ6の温度差等に応じてその都度決定することができる。各種の条件によって適宜設定すれば良く、ウエーハ5の表面温度とサセプタ6の表面温度を正確に分離することができる値であれば良い。
なお、図3に、それぞれ抽出したウエーハ5の表面の温度とサセプタ6の表面の温度のグラフを示す。
このため、従来では、例えばダミーウエーハを用いて常にフルチャージにし、測定条件を一定にしておく必要があった。
また、フルチャージにする必要もないので、ダミーウエーハを用意しなくとも良く、全体としてコストを従来よりも低減することが可能である。
(実施例1)
図1に示す本発明の気相成長装置1を用い、ウエーハおよびサセプタの温度制御についての実験を行った。
ウエーハを回転式サセプタの上に載せ、サセプタの回転、ウエーハの加熱、原料ガスの導入を行って、ウエーハ温度を1010℃に設定して、ウエーハ上に薄膜を形成した。このとき、本発明の気相成長法を用い、ウエーハの温度やサセプタの温度を別個に抽出し、加熱手段にフィードバックすることにより、ウエーハの温度やサセプタの温度の安定化を図った。なお、ウエーハ表面の温度およびサセプタ表面の温度の抽出においては、±7℃/60msecの温度変異率を基準とした。
キャリアガスとしてH2を150slm、原料ガスとしてTCS(トリクロロシラン)を20slm、ドーパントとしてフォスフィン(PH3/H2)を48sccm供給して気相成長を行った。また、サセプタ回転数は8rpmとし、用いたウエーハは直径150mm、N型、結晶方位(100)、基板抵抗0.01〜0.02Ωcmである。
このように、本発明では、正確に温度制御を行うことができ、容易にウエーハやサセプタの温度を安定化することができる。
図4に示す従来の気相成長装置201を用い、ウエーハおよびサセプタの温度制御についての実験を行った。このとき、従来の気相成長法を用い、ウエーハ表面の温度、サセプタ表面の温度の安定化を図った。
しかしながら、従来法では、表1に示すように、ウエーハおよびサセプタの表面温度が混じった温度データしか得られないため、ウエーハ表面の温度、サセプタ表面の温度を個別に把握することができず、それぞれの安定化を精度良く図ることはできなかった。なお、測定温度の最大値は1042.3℃、最小値は1005.1℃であり(平均値1023.7℃)、温度バラツキは1.82%であり、当然実施例1よりも大きなバラツキとなってしまった。
図1に示す本発明の気相成長装置1を用い、載置するウエーハの枚数を変えて、本発明の気相成長法によりウエーハ表面の温度データを抽出し、そのデータを基にしてウエーハ表面の温度制御を行い、薄膜を気相成長させる実験を行った。
直径150mmのウエーハを10枚載置することができる回転式のサセプタに、ウエーハの数が1、2、5、10枚の各場合について気相成長を行った。
図4に示す従来の気相成長装置201を用い、載置するウエーハの枚数を変えて、従来の気相成長法によりウエーハの表面およびサセプタの表面の温度データを基にしてウエーハ表面の温度制御を行い、薄膜を気相成長させる実験を行った。
直径150mmのウエーハを10枚載置することができる回転式のサセプタに、ウエーハの数が1、2、5、10枚の各場合について気相成長を行った。
また、載置するウエーハ枚数が少ないほど、温度制御の基となる平均温度データの値が高くなっており、載置するウエーハの枚数が1枚のときと10枚のときでは平均温度に27.49℃もの差が生じてしまっている。これは、ウエーハ枚数が少ないほど、サセプタ表面を測定する範囲が広くなり、かつ、ウエーハ表面温度よりもサセプタ表面温度の方が高いので、全体としての平均温度も上昇してしまうことが原因と考えられる。
このように、従来法では、ウエーハ表面の温度とサセプタ表面の温度の両方を考慮した温度データを基にして温度制御が行われるので、ウエーハ表面の温度のみを把握することはできず、また、上記のようにサセプタ上に載置するウエーハ枚数によって、温度制御の基となる温度データに差が生じてしまう。このため、所望の薄膜を正確に得ることは難しく、また形成される薄膜は品質にバラツキのあるものとなってしまう。
図1に示す本発明の気相成長装置1を用い、載置するウエーハの枚数を変えて、本発明の気相成長法により薄膜を気相成長させる実験を行った。
直径150mmのウエーハを10枚載置することができる回転式のサセプタに、ウエーハを1、10枚と変化させて、それぞれの場合について気相成長を行った。目標とする薄膜の膜厚は39μmとした。
表4に実施例3の結果を示す。ウエーハ枚数が異なってもバラツキは0.10%と小さく、ウエーハ枚数差による薄膜の膜厚への影響はほとんど見られなかった。
図4に示す従来の気相成長装置201を用い、載置するウエーハの枚数を変えて、従来の気相成長法により薄膜を気相成長させる実験を行った。
直径150mmのウエーハを10枚載置することができる回転式のサセプタに、ウエーハを1、10枚と変化させて、それぞれの場合について気相成長を行った。目標とする薄膜の膜厚は39μmとした。
表4に示すように、ウエーハ枚数の差による薄膜の膜厚バラツキは−2.22%であり、実施例3に比べて大きなバラツキが生じてしまっていることが判る。
図1に示す本発明の気相成長装置1を用い、載置するウエーハの枚数を変えて、本発明の気相成長法により薄膜を気相成長させる実験を行った。
直径150mmのウエーハを10枚載置することができる回転式のサセプタに、ウエーハを1、10枚と変化させて、それぞれの場合について気相成長を行った。目標とする薄膜における抵抗値を16Ω・cmとした。
表5に実施例4の結果を示す。ウエーハ枚数が異なってもバラツキは1.08%と小さく、ウエーハ枚数差による薄膜における抵抗値への影響はほとんど見られなかった。
図4に示す従来の気相成長装置201を用い、載置するウエーハの枚数を変えて、従来の気相成長法により薄膜を気相成長させる実験を行った。
直径150mmのウエーハを10枚載置することができる回転式のサセプタに、ウエーハを1、10枚と変化させて、それぞれの場合について気相成長を行った。目標とする薄膜における抵抗値を16Ω・cmとした。
表5に示すように、ウエーハ枚数の差による薄膜における抵抗値のバラツキは−2.21%であり、実施例4に比べて大きなバラツキが生じてしまっていることが判る。
図1に示す本発明の気相成長装置1を用い、本発明の気相成長法により3層IGBTウエーハを製造した。なお、直径150mmのウエーハを最大8枚載置することができる回転式のサセプタを用いた。
この製造にあたっては、条件出しに各層3バッチを要し、50バッチ操業した。なお、操業10バッチごとに品質保証バッチを実施した。
同様に、品質保証バッチにおいても、35枚(7枚×5バッチ)のモニターウエーハを削減することができた。
このように、本発明では、フルチャージにするためにダミーウエーハを載置しなくとも、正確にウエーハ表面の温度の把握および温度制御をすることができるので、条件出し等においても、そのダミーウエーハの分だけ節約することができ、コスト改善につなげることが可能である。
4…反応室、 5…ウエーハ、 6…サセプタ、 7…高周波加熱コイル、
8…コイルカバー、 9…放射温度計、 10…ガス導入口、
11…ガス排出口、 12…ノズル、 13…加熱手段、
14…温度測定手段、 15…温度データ処理手段、 16…加熱制御手段。
Claims (3)
- サセプタ上にウエーハを載置し、該ウエーハ上に薄膜を気相成長させる方法であって、少なくとも、回転するサセプタ上のウエーハ表面の温度およびサセプタ表面の温度を連続的に測定し、該測定したウエーハ表面およびサセプタ表面の温度データから、所定の温度変異率を基準にして前記ウエーハ表面の温度および/または前記サセプタ表面の温度を別個に抽出し、該抽出したウエーハ表面の温度および/またはサセプタ表面の温度を基に、前記ウエーハ表面の温度および/または前記サセプタ表面の温度を制御して前記薄膜を気相成長させることを特徴とするウエーハ上への薄膜の気相成長法。
- 前記所定の温度変異率を、±6℃/60msecより大きい値とすることを特徴とする請求項1に記載のウエーハ上への薄膜の気相成長法。
- サセプタ上にウエーハを載置し、該ウエーハ上に薄膜を気相成長させる装置であって、少なくとも、前記ウエーハが載置されて回転するサセプタと、該サセプタを介して前記ウエーハを加熱する加熱手段と、前記回転するサセプタ上のウエーハ表面の温度およびサセプタ表面の温度を連続的に測定する温度測定手段と、該温度測定手段により測定されたウエーハ表面およびサセプタ表面の温度データから、所定の温度変異率を基準にして前記ウエーハ表面の温度および/または前記サセプタ表面の温度を別個に抽出する温度データ処理手段と、該温度データ処理手段により抽出されたウエーハ表面の温度および/またはサセプタ表面の温度を基に前記加熱手段を制御する加熱制御手段を備えたものであることを特徴とするウエーハ上への薄膜の気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007017455A JP4876937B2 (ja) | 2007-01-29 | 2007-01-29 | ウエーハ上への薄膜の気相成長法およびウエーハ上への薄膜の気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007017455A JP4876937B2 (ja) | 2007-01-29 | 2007-01-29 | ウエーハ上への薄膜の気相成長法およびウエーハ上への薄膜の気相成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008184634A JP2008184634A (ja) | 2008-08-14 |
JP4876937B2 true JP4876937B2 (ja) | 2012-02-15 |
Family
ID=39727876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007017455A Active JP4876937B2 (ja) | 2007-01-29 | 2007-01-29 | ウエーハ上への薄膜の気相成長法およびウエーハ上への薄膜の気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4876937B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9076827B2 (en) | 2010-09-14 | 2015-07-07 | Applied Materials, Inc. | Transfer chamber metrology for improved device yield |
US20120118225A1 (en) * | 2010-09-16 | 2012-05-17 | Applied Materials, Inc. | Epitaxial growth temperature control in led manufacture |
JP6361495B2 (ja) * | 2014-12-22 | 2018-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005142200A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Sharp Corp | 気相成長装置および気相成長方法 |
JP2005223181A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板温度データの演算方法および気相成長装置 |
-
2007
- 2007-01-29 JP JP2007017455A patent/JP4876937B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008184634A (ja) | 2008-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102598217B (zh) | 金属有机化学汽相淀积设备及其温度控制方法 | |
CN102758191B (zh) | 处理基材的设备和方法 | |
CN111052308A (zh) | 气相生长装置及气相生长方法 | |
JP7385560B2 (ja) | シリコンチューブを製造するための炉および鋳型を含む電磁鋳造システム | |
US20110073037A1 (en) | Epitaxial growth susceptor | |
JP4876937B2 (ja) | ウエーハ上への薄膜の気相成長法およびウエーハ上への薄膜の気相成長装置 | |
JP2009283904A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
US8038793B2 (en) | Epitaxial growth method | |
JP5837290B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長装置 | |
CN111033692B (zh) | 气相生长方法 | |
JP6330720B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置 | |
JP2008195995A (ja) | 気相成長装置 | |
JP2008270589A (ja) | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 | |
JP2021174807A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造システム及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
US11885022B2 (en) | Method of forming a film on a substrate by chemical vapor deposition | |
JPH10189695A (ja) | 気相成長用サセプタ及びその製造方法 | |
JP2020007163A (ja) | 原料結晶の抵抗率の測定方法及びfzシリコン単結晶の製造方法 | |
US20160312361A1 (en) | Method of forming a film | |
KR102150728B1 (ko) | 공정 챔버의 세정 장치 및 세정 방법 | |
KR101936957B1 (ko) | 기판 홀더 재료의 처리방법 및 이러한 방법에 의해 처리된 기판 홀더 | |
JP6027929B2 (ja) | 気相成長装置の調整方法 | |
JP5904861B2 (ja) | 気相成長装置 | |
CN106480492B (zh) | 用于生产第iii族氮化物半导体单晶的方法 | |
EP3305940A1 (en) | Susceptor | |
JP6117522B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090810 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110811 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111101 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4876937 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |