JP4870577B2 - 集積された基準素子を組み込んだガスセンサー - Google Patents
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Description
本発明は、ガス流内の成分の存在を検出するセンサーに関する。より詳細には、本発明は、水素ガスセンサーの構成、及び、ガス流の成分をモニターし、測定するための電子回路に関する。
ガスセンサーシステム全体の精度に与えるいくつかの要因のうち、温度、電圧、ドリフト、周波数、ノイズは主たる要因である。ガス感知システムを設計する目的は、ガスセンサーの精度に対するこれらの要因の影響を減少又は除去することである。
本ガスセンサーの設計は、ガス感知素子と同じ基板上に、ガス感知素子と同じ、若しくは類似の形式及び形状の基準素子を組みこんでいる。ガス検出回路は、ガス感知素子と基準素子の両方を作動させ、素子間の電圧差を測定する。この電圧差は、ガスの濃度に比例し、温度、電圧差、ドリフト、周波数、ノイズ、及び/又は他の類似の要因における変化に本質的に影響されない。
(a)熱伝導性で、電気的に絶縁性の回路基板 ;
(b)前記基板に取り付けられ、前記成分を感知することができるガス感知素子;
(c)前記基板に取り付けら、ガス感知素子と一致した電気的特性を持ち、前記成分に対して反応しない基準素子;及び
(d)ガス感知素子と基準素子を相互接続し、前記素子の両方を作動させ、前記素子間の電圧差を測定する回路、を備える。
動作上、前記電圧差は、ガス流内の成分の濃度に比例する。
(a)熱伝導性で電気的に絶縁性である回路基板上に、前記成分を感知することができるガス感知素子を取り付け;
(b)前記回路基板上に、ガス感知素子と一致した電気的特性を持ち、かつ、上記成分に反応せず、かつ、本質的に、上記成分に反応する素子と同じ組成と構造を有する基準素子を取り付け;
(c)電子回路で、前記ガス感知素子と前記基準素子とを相互接続し;
(d)前記電子回路を通じて、前記ガス感知素子と前記基準素子の両方を作動させ;
(e)前記電子回路を通じて、前記ガス流の成分の濃度に比例する、前記ガス感知素子と前記基準素子の素子間の電圧差を測定する、ことを備える。
図1を見ると、ガス感知システムの回路の実施例は、基準素子を用いており、ガス流内の水素の濃度を感知及び測定するために図示されたような機能を持っている。励起回路110は、センサー122内に示されるガス検知素子と基準素子を作動させるために、電気信号112、114を発生する。励起回路110へ入力されるフィードバック信号142bは、センサー122のガス検知素子からの出力が基準素子の出力と等しくなるように、ガス検知素子への信号114を調整する。更に、基準素子への入力信号を安定化させるための、基準素子に対するプログラム化可能な調整装置もある。基準素子とガス検知素子からの出力124、126は、それぞれ、信号処理と差の増幅のセクション130への入力である。信号処理は、ノイズ除去や、誤差増幅器に要求されるような信号の変換又は調整を含む。ループ補償と誤差増幅のセクション140は、ループの安定化のための追加の信号処理を提供する。出力信号142は、ガス流の成分の濃度に比例し、そして、信号142bを通じて励起回路110にフィードバックされ、信号142aを通じて、センサー122からの較正された出力を通知するための他の電子素子に送られる。
Claims (11)
- ガス流内の水素を感知するシステムであって、
(a)熱伝導性があり、電気的に絶縁性である回路基板、
(b)前記基板に取り付けられる金属ゲート金属酸化膜半導体(MOS)ガス感知素子であって、バイアス電圧がかけられた容量を有するMOSキャパシタを備え、前記ガス流内の前記水素を感知することができるMOSガス感知素子、
(c)前記基板に取り付けられる金属ゲート金属酸化膜半導体(MOS)基準素子であって、容量を有するMOSキャパシタを備え、前記ガス感知素子と一致した電気的特性を持ち、前記金属ゲートが前記ガス流内の前記水素に対して不活性の金属を有するMOS基準素子、及び
(d)相互接続した前記ガス感知素子と前記基準素子を相補AC波形を使用して駆動し、前記ガス感知素子と前記基準素子からの信号の和を増幅して出力を生成し、前記出力を前記ガス感知素子の前記バイアス電圧としてフィードバックする制御ループを有し、前記制御ループは前記ガス感知素子と前記基準素子からの信号の前記和の振幅を小さくするように動作する電子回路を備え、
前記ガス流内の前記水素の濃度は、前記制御ループの出力に比例するシステム。 - 前記ガス感知素子は、前記ガス流内の前記水素にさらされると変化する電気的性質を有する材料を備える請求項1記載のシステム。
- 前記MOSガス感知素子の前記金属ゲートが、パラジウムとパラジウム合金からなるグループから選択された金属を備える請求項1記載のシステム。
- 前記不活性の金属が、金である請求項1記載のシステム。
- 前記基板が、シリコンを含む材料を備える請求項1記載のシステム。
- ガス流内の水素を感知する方法であって、
(a)金属ゲート金属酸化膜半導体(MOS)水素感知素子であって、バイアス電圧がかけられた容量を有するMOSキャパシタを備え、前記ガス流内の前記水素を感知することができるMOS水素感知素子を、熱伝導性で、電気的に絶縁性体である基板上に取り付け、
(b)金属ゲート金属酸化膜半導体(MOS)基準素子であって、容量を有するMOSキャパシタを備え、前記水素感知素子と一致した電気的特性を持ち、前記ガス流内の前記水素に反応せず、本質的に前記水素感知素子と同じ組成及び構造を有するMOS基準素子を、前記基板に取り付け、
(c)電子回路内で、前記水素感知素子と前記基準素子とを相互接続し、
(d)相互接続した前記ガス感知素子と前記基準素子を相補AC波形を使用して駆動し、前記ガス感知素子と前記基準素子からの信号の和を増幅して出力を生成し、前記出力を前記ガス感知素子の前記バイアス電圧としてフィードバックする制御ループを形成し、前記制御ループは前記ガス感知素子と前記基準素子からの信号の前記和の振幅を小さくするように動作し、
(e)前記ガス流内の前記水素の濃度に比例する関係を有する前記制御ループの出力測定する、ことを備える方法。 - ガス流内の水素を感知するシステムであって、
(a)熱伝導性があり、電気的に絶縁性である回路基板、
(b)前記基板に取り付けられる金属ゲート金属酸化膜半導体(MOS)ガス感知素子であって、バイアス電圧がかけられた容量を有するMOSキャパシタを備え、前記ガス流内の前記水素を感知することができるMOSガス感知素子、
(c)前記基板に取り付けられる金属ゲート金属酸化膜半導体(MOS)基準素子であって、容量を有するMOSキャパシタを備え、前記ガス感知素子と一致した電気的特性を持ち、前記金属ゲートが前記ガス流内の前記水素に対して不活性でない金属を有するMOS基準素子、及び
(d)前記ガス感知素子と前記基準素子を相互接続し、相互接続した前記ガス感知素子と前記基準素子を相補AC波形を使用して駆動し、前記ガス感知素子と前記基準素子からの信号の和を増幅して出力を生成し、前記出力を前記ガス感知素子の前記バイアス電圧としてフィードバックする制御ループを有し、前記制御ループは前記ガス感知素子と前記基準素子からの信号の前記和の振幅を小さくするように動作する電子回路を備え、
前記ガス流内の前記水素の濃度は、前記制御ループの出力に比例するシステム。 - 前記ガス感知素子および前記基準素子のそれぞれは、前記ガス流内の前記水素にさらされると変化する電気的な特性を有する材料を備える請求項7記載のシステム。
- 前記MOSガス感知素子の前記金属ゲートが、パラジウムとパラジウム合金からなるグループから選択された金属を備える請求項7記載のシステム。
- 前記パラジウム合金が、パラジウム/ニッケル、パラジウム/金、パラジウム/銀からなるグループから選択された金属を備える請求項9記載のシステム。
- 前記基板が、シリコンを含む材料を備える請求項7記載のシステム。
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