KR100825717B1 - 가스 검출용 센서 및 그를 포함하는 전자 후각 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가스 검출용 센서 및 그를 포함하는 전자 후각 시스템을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 검출용 센서는 가스의 존재 및 농도에 따라 저항 값이 변하는 센서 물질을 포함하고 상기 가스의 존재 및 농도에 따른 센싱 저항 값의 변화를 측정하는 센싱부; 상이한 저항 값을 갖는 복수의 기준 저항을 포함하고 상기 복수의 기준 저항을 이용하여 상기 센싱부의 초기 센싱 저항 값과 매칭되는 기준 저항 값을 자동으로 설정하는 저항 매칭부; 및 상기 센싱부의 저항 값 및 상기 설정된 기준 저항 값의 차이를 검출하는 저항차 검출부;를 포함하고, 상기 센싱부, 저항 매칭부 및 저항차 검출부는 일체형으로 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 초기 센서 출력 값을 저항 매칭 블록을 통해 자동으로 초기화(출력값 = 0)하여, 센서의 가스 반응에 대한 정확한 출력값을 나타내고, 시스템을 안정화 시켜, on-chip 프로세스에 의해 외부 노이즈에 대한 강인함을 가질 수 있다.
전자 후각, 가스 검출, 센서, 가변 저항, 일체형

Description

가스 검출용 센서 및 그를 포함하는 전자 후각 시스템{Sensor for detecting gas and electronic nose system comprising the same}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스 검출용 센서의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스 검출용 센서의 저항 매칭부의 구성을 나타낸 회로도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자 후각 시스템의 구성을 나타낸 회로도이다.
본 발명은 가스 검출용 센서 및 그를 포함하는 전자 후각 시스템에 관한 것이다.
최근에 시스템의 소형화 및 센싱 성능의 향상의 필요에 따라 반도체 집적 센서 시스템에 대한 요구가 증가하고 있다. 상기 집적 센서 시스템은 미래의 유비쿼터스 시대에 있어서 주요한 센서 시스템이 될 것으로 기대된다.
가스 센서는 방대한 적용 분야를 갖고 상업적으로 중요하기 때문에 그에 대 한 연구의 역사가 깊다. 최근에 가스 센서 시스템은 전자 후각 시스템으로 진화하였다. 상기 전자 후각은 일련의 비특이적 센서로 구성되고 상기 센서의 반응은 샘플의 지문으로서 집합적으로 분석된다. 상기 전자 후각의 센싱 메커니즘은 비특이성 측면에서 통상적인 특이적 가스 센서와 기본적으로 상이하다. 상기 전자 후각은 인간의 후각과 다소 비슷하다. 상기 전자 후각은 종래의 가스 센서의 다음 세대로서 인식되고 있다.
종래 센서 시스템의 경우 센서 재료의 초기 저항에 있어 높은 재현성 및 정확도를 유지하기가 어렵기 때문에 기준 저항을 칩 내부에 두지 못하고 칩 외부에 가변 저항을 연결하여 센서 측정 시에 가변 저항을 조절하여 수동으로 초기 옵셋 값을 조절하였다.
하지만, 상기 종래 센서 시스템은 수동으로 가변 저항을 조절하기 때문에 정확성이 떨어지고 사용에 불편한 문제점 있다. 또한, 상기 칩 및 그 외부의 가변 저항을 연결하는 인터페이스는 노이즈의 원인이 되어 정확한 가스의 검출에 한계가 있었다.
본 발명은 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 초기 옵셋을 조절하여 초기 출력값을 자동으로 0으로 조절함으로써 높은 정확도를 갖는 가스 검출 센서에 관한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 초기 옵셋을 조절하여 초기 출력값을 자동으로 0으로 조절함으로써 높은 정확도를 갖는 후각 센서 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 가스의 존재 및 농도에 따라 저항 값이 변하는 센서 물질을 포함하고 상기 가스의 존재 및 농도에 따른 센싱 저항 값의 변화를 측정하는 센싱부; 상이한 저항 값을 갖는 복수의 기준 저항을 포함하고 상기 복수의 기준 저항을 이용하여 상기 센싱부의 초기 센싱 저항 값과 매칭되는 기준 저항 값을 자동으로 설정하는 저항 매칭부; 및 상기 센싱부의 저항 값 및 상기 설정된 기준 저항 값의 차이를 검출하는 저항차 검출부;를 포함하고, 상기 센싱부, 저항 매칭부 및 저항차 검출부는 일체형으로 형성된 것을 특징으로 하는 가스 검출용 센서를 제공한다.
본 발명의 일 구체예에 있어서, 상기 가스 검출용 센서는 상기 센싱부의 온도를 일정하게 유지하는 온도 제어부를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구체예에 있어서, 상기 센서 물질은 카본 블랙-폴리머 복합물 또는 금 나노입자일 수 있다.
본 발명의 일 구체예에 있어서, 상기 저항 매칭부는 전원 전압과 센서 노드 사이에 직렬로 연결되고 상이한 저항 값을 갖는 복수의 기준 저항; 상기 복수의 기준 저항 각각에 병렬로 연결되어 상기 각 저항의 스위칭을 수행하는 복수의 트랜지스터; 상기 복수의 트랜지스터의 각 게이트에 연결되어 상기 복수의 트랜지스터의 온/오프를 제어하는 레지스터(register); 상기 센서 노드의 전압 및 상기 전원 전압의 반을 비교하는 비교기; 및 상기 비교기의 비교 결과 상기 센서 노드의 전압이 상기 전원 전압의 반보다 더 작은 경우 클럭 신호에 의해 업카운트 하여 상기 레지 스터의 저장 값을 1씩 증가시키고 상기 센서 노드의 전압이 상기 전원 전압의 반보다 더 커지는 경우 클럭 신호의 차단에 의해 상기 레지스터의 저장 값을 고정시킴으로써 상기 레지스터를 제어하는 카운터;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구체예에 있어서, 상기 저항차 검출부는 휘트스톤 브릿지 회로일 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
가스의 존재 및 농도에 따라 저항 값이 변하는 센서 물질을 포함하고 상기 가스의 존재 및 농도에 따른 센싱 저항 값의 변화를 측정하는 센싱부; 상이한 저항 값을 갖는 복수의 저항을 포함하고 상기 복수의 기준 저항을 이용하여 상기 센싱부의 초기 저항 값과 매칭되는 기준 저항을 자동으로 설정하는 저항 매칭부; 및 상기 센싱부의 저항 값 및 상기 설정된 기준 저항의 저항 값의 차이를 검출하는 저항차 검출부;를 포함하는 하나 이상의 가스 검출용 센서 어레이;
상기 하나 이상의 가스 검출용 센서 어레이의 상기 하나 이상의 저항차 검출부로부터 전압 값들을 수신하여 외부의 센서 선택 신호에 따라 하나의 전압 값을 송신하는 멀티플렉스; 및
상기 하나의 전압 값을 수신하여 외부로 출력하는 제어부;를 포함하는 전자 후각 시스템을 제공한다.
본 발명의 일 구체예에 있어서, 상기 가스 검출용 센서는 상기 센싱부의 온도를 일정하게 유지하는 온도 제어부를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구체예에 있어서, 상기 센서 물질은 카본 블랙-폴리머 복합물 또는 금 나노입자일 수 있다.
본 발명의 일 구체예에 있어서, 상기 저항 매칭부는 전원 전압과 센서 노드 사이에 직렬로 연결되고 상이한 저항 값을 갖는 복수의 기준 저항; 상기 복수의 기준 저항 각각에 병렬로 연결되어 상기 각 저항의 스위칭을 수행하는 복수의 트랜지스터; 상기 복수의 트랜지스터의 각 게이트에 연결되어 상기 복수의 트랜지스터의 온/오프를 제어하는 레지스터(register); 상기 센서 노드의 전압 및 상기 전원 전압의 반을 비교하는 비교기; 및 상기 비교기의 비교 결과 상기 센서 노드의 전압이 상기 전원 전압의 반보다 더 작은 경우 클럭 신호에 의해 업카운트 하여 상기 레지스터의 저장 값을 1씩 증가시키고 상기 센서 노드의 전압이 상기 전원 전압의 반보다 더 커지는 경우 클럭 신호의 차단에 의해 상기 레지스터의 저장 값을 고정시킴으로써 상기 레지스터를 제어하는 카운터;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구체예에 있어서, 상기 저항차 검출부는 휘트스톤 브릿지 회로일 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스 검출용 센서의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 1에 있어서, 복수의 가스 검출용 센서들(11,12,13,14)이 멀티플렉서(15)에 연결되어 있고, 상기 멀티플렉서(15)는 복수의 가스 검출용 센서들(11,12,13,14)로부터 전압 값들을 수신하여 외부의 센서 선택 신호(16)에 따라 하나의 전압 값(17)을 송신한다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 가스 검출용 센서(11)는 센싱부(111), 저항 매칭부(112), 온도 제어부(113), 저항차 검출부(114) 및 증폭기(115)를 포함한다.
상기 센싱부(111)는 가스의 존재 및 농도에 따라 저항 값이 변하는 센서 물질(1111)을 포함하고 상기 가스의 존재 및 농도에 따른 센싱 저항 값의 변화를 측정한다. 상기 센서 물질(1111)은 금속 산화물, 카본 블랙-폴리머 복합물 또는 금 나노입자일 수 있다. 또한, 상기 센싱부(111)의 구조는 예컨대, 종래 문헌(Seung-Chul Ha et al., "Integrated and microheater embedded gas sensor array based on the polymer composites dispensed in micromachined wells", Sensors and Acutators B 105, pp. 549-555, 2005)을 참조할 수 있다.
상기 센싱부(111)에 관한 종래 문헌과 관련된 것으로 특허 공개 제 10-2005-0065904호가 있으며, 그에 포함된 내용은 본 발명의 명세서의 내용으로 통합된다. 상기 출원의 내용을 참조하면, 상기 센서 물질(1111)은 금, 은, 백금 또는 구리 금속 나노입자의 표면에 상기 금속에 비하여 상대적으로 전도도가 낮은 2종 이상의 리간드 분자들에 의해 캡슐화 되어 있어서 감지 대상 물질과 상기 리간드의 접촉 또는 상호 작용으로 인한 전기적인 특성 변화가 가역적으로 일어나는 것을 특징으로 하여 감도 및 반응 속도가 향상되고 이종의 화학 물질에 대한 선택성이 향상된 금속 나노 입자일 수 있다. 또한, 상기 센싱부(111)는 상기 금속 나노 입자가 기판 상에 필름 형태로 코팅되어 있는 것일 수 있다.
상기 저항 매칭부(112)는 상이한 저항 값을 갖는 복수의 기준 저항(1121)을 포함하고 상기 복수의 기준 저항(1121)을 이용하여 상기 센싱부(111)의 초기 센싱 저항 값과 매칭되는 기준 저항 값을 자동으로 설정한다.
상기 온도 제어부(113)는 상기 센싱부(111)의 온도를 일정하게 유지하는 기능을 수행한다.
상기 저항차 검출부(114)는 상기 센싱부(111)의 저항 값 및 상기 설정된 기준 저항 값의 차이를 검출하는 기능을 수행한다.
상기 증폭기(115)는 상기 저항차 검출부(114)로부터 수신한 저항 값 차이를 증폭하여 멀티플렉서(15)로 송신하는 기능을 수행한다. 상기 저항차 검출부(114)는 브릿지 회로, 예컨대, 휘트스톤 브릿지 회로일 수 있다.
본 발명의 가스 검출용 센서(11)에 있어서, 상기 각 구성요소, 특히 상기 센싱부(111), 저항 매칭부(112) 및 저항차 검출부(114)는 일체형으로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 가스 검출용 센서(11)는 초기 센서 출력 값을 저항 매칭 블록을 통해 자동으로 초기화(출력값 = 0)하여, 센서의 가스 반응에 대한 정확한 출력값을 나타내고, 시스템을 안정화 시켜, on-chip 프로세스에 의해 외부 노이즈에 대한 강인함을 가질 수 있다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스 검출용 센서의 저항 매칭부의 구성을 나타낸 회로도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 가스 검출용 센서의 저항 매칭부는 복수의 기준 저항(R1 내지 R9), 복수의 트랜지스터(M1 내지 M9), 레지스터(register)(22), 비교기(23), 및 카운터(24)를 포함한다.
상기 복수의 기준 저항(R1 내지 R9)은 전원 전압(VDD)과 센서 노드(21) 사이에 직렬로 연결되고 상이한 저항 값, 예컨대, 1 kΩ, 2 kΩ, 4 kΩ, 8 kΩ, 16 kΩ, 32 kΩ, 64 kΩ, 128 kΩ 및 256 kΩ을 갖는다. 상기 저항의 개수를 늘리거나 상기 저항들의 저항 값 차이를 줄이면 가스 검출용 센서의 옵셋을 더욱 현저하게 감소시킬 수 있음은 당업자에게 자명하다. 따라서, 상기 저항의 개수 및 저항 값 차이는 특정 값에 한정되지 않는다.
상기 복수의 트랜지스터(M1 내지 M9)는 상기 복수의 기준 저항(R1 내지 R9) 각각에 병렬로 연결되어 상기 각 저항의 스위칭을 수행한다.
상기 레지스터(register)(22)는 상기 복수의 트랜지스터(M1 내지 M9)의 각 게이트에 연결되어 상기 복수의 트랜지스터(M1 내지 M9)의 온/오프를 제어한다.
상기 비교기(23)는 상기 센서 노드의 전압(Vsensor) 및 상기 전원 전압의 반(VDD/2)을 비교한다.
상기 카운터(24)는 상기 비교기(23)의 비교 결과 상기 센서 노드의 전압(Vsensor)이 상기 전원 전압의 반(VDD/2)보다 더 작은 경우 클럭 신호에 의해 업카운트 하여 상기 레지스터의 저장 값을 1씩 증가시키고 상기 센서 노드의 전압(Vsensor)이 상기 전원 전압의 반(VDD/2)보다 더 커지는 경우 클럭 신호의 차단에 의해 상기 레지스터(22)의 저장 값을 고정시킴으로써 상기 레지스터(22)를 제어한다.
도 2를 참조하여, 상기 저항 매칭부의 작동 과정을 설명하면 다음과 같다. 먼저 리셋 신호에 의해 카운터(24)와 레지스터(22)의 출력을 리셋 시키고, 그에 의해 저장값은 “0”으로 리셋 된다. 리셋 신호가“Low(L)”에서 “High(H)"로 천이 하면 클럭 신호가 AND 게이트를 통과하여 카운터(24)가 동작을 시작한다. 레지스터(22)가 리셋 되면 복수의 트랜지스터(M1~M9)는 모두 OFF되기 때문에 Vsensor 단자(21)로부터 VDD까지의 저항(Rreference)은 최대(1 kΩ + 2 kΩ + 4 kΩ + 8 kΩ + 16 kΩ + 32 kΩ + 64 kΩ + 128 kΩ + 256 kΩ = 512 kΩ)가 되고 Vsensor 전압은 최소가 된다. 카운트는 매 1회의 싸이클마다 레지스터(22)에 저장된 값을 1씩 증가시킨다. 결과적으로 매 1회의 싸이클마다 매칭 저항의 값이 1 kΩ씩 감소하게 된다. 카운터(24)와 레지스터(22)는 비교기(23)의 (-) 단자 전압이 VDD/2가 될 때까지 동작하고, VDD/2를 초과하는 직후 비교기의 출력이 "L"가 되면서 AND 게이트로 인가되는 클럭 신호를 차단한다. 그러면 카운터(24)와 레지스터(22)는 직전 값을 유지하고(Lock) 이후의 리셋 신호가 인가되기 이전까지는 이 값을 유지한다. Locking이 되었다는 것은 Vsensor 전압이 VDD/2가 되었다는 것(Vsensor ≥ VDD/2)과 Rsensor = Rreference(Rsensor ≥ Rreference)가 되었다는 것을 의미한다. 이때의 초기 출력값은 "0"에 매우 근접한 값을 가진다. 이때 최대의 출력 옵셋(offset)은 센서 저항과 내장 저항의 최소값인 1 kΩ의 값에 의해 결정된다. 또한 설계된 최소 기준 저항값을 낮추면 초기 옵셋 값을 거의 ”0“에 가깝게 만들 수 있다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자 후각 시스템의 구성을 나타 낸 회로도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 전자 후각 시스템은 하나 이상의 가스 검출용 센서 어레이, 멀티플렉스(32) 및 제어부(33)를 포함한다.
도 3에 있어서, 점선 블록(31)은 하나의 칩 상에 집적된 회로의 형태이다. 상기 점선 블록(31) 내에 하나의 가스 검출용 센서 및 멀티플렉스(32)가 도시되어 있지만, 복수의 가스 검출용 센서들이 어레이 형태로 배열되어 있는 것이 바람직하다.
상기 각 가스 검출용 센서는 상기에서 설명한 바와 같다. 즉, 상기 가스 검출용 센서는 가스의 존재 및 농도에 따라 저항 값이 변하는 센서 물질을 포함하고 상기 가스의 존재 및 농도에 따른 센싱 저항 값의 변화를 측정하는 센싱부; 상이한 저항 값을 갖는 복수의 저항을 포함하고 상기 복수의 기준 저항을 이용하여 상기 센싱부의 초기 저항 값과 매칭되는 기준 저항을 자동으로 설정하는 저항 매칭부; 및 상기 센싱부의 저항 값 및 상기 설정된 기준 저항의 저항 값의 차이를 검출하는 저항차 검출부;를 포함한다.
상기 멀티플렉스(32)는 상기 하나 이상의 가스 검출용 센서 어레이의 상기 하나 이상의 저항차 검출부로부터 전압 값들을 수신하여 외부의 센서 선택 신호에 따라 하나의 전압 값을 송신한다.
상기 제어부(33)는 상기 하나의 전압 값을 수신하여 외부로 출력한다.
상기 시스템에 전원을 인가하면 자동으로 초기값은 옵셋 없이 “0”에 가까운 출력을 나타내며, 이는 아날로그 신호 처리부(instrumentation circuit), 즉 저 항차 검출부 및 증폭기를 통해 가스에 대한 센서 저항의 변화량을 전압 값으로 변환 및 증폭한 다음 멀티플렉스(32)에 인가된다. 이후, 버퍼(35,36)를 거쳐 아날로그 신호를 디지털 신호로 바꾸기 위해 AD 컨버터(37)를 통과 하게 되며, 이후 마이크로 컨트롤러(33)를 거쳐, USB 포트(39,40) 등을 통해 노트북 컴퓨터나 정보 단말기의 모니터(38)에 실시간으로 센서들의 가스에 대한 반응값을 정량화 및 가시화하여 보여준다.
이상 도면과 명세서에서 최적 실시예들이 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
본 발명에 따르면, 초기 센서 출력 값을 저항 매칭 블록을 통해 자동으로 초기화(출력값 = 0)하여, 센서의 가스 반응에 대한 정확한 출력값을 나타내고, 시스템을 안정화 시켜, on-chip 프로세스에 의해 외부 노이즈에 대한 강인함을 가질 수 있다. 또한 단일 센서칩 상에 일괄 공정 처리를 함으로서 센서 시스템의 소형화 및 저잡음화를 달성할 수 있으며, 초기 출력 전압의 자동 조정은 센서의 감지 다이나믹레인지를 넓게 제공하여 저농도로부터 고농도까지의 넓은 범위의 가스 농도에 대해 출력 전압의 포화 없는 성능을 발휘한다.

Claims (10)

  1. 가스의 존재 및 농도에 따라 저항 값이 변하는 센서 물질을 포함하고 상기 가스의 존재 및 농도에 따른 센싱 저항 값의 변화를 측정하는 센싱부;
    상이한 저항 값을 갖는 복수의 기준 저항을 포함하고 상기 복수의 기준 저항을 이용하여 상기 센싱부의 초기 센싱 저항 값과 매칭되는 기준 저항 값을 자동으로 설정하는 저항 매칭부; 및
    상기 센싱부의 저항 값 및 상기 설정된 기준 저항 값의 차이를 검출하는 저항차 검출부;를 포함하고,
    상기 센싱부, 저항 매칭부 및 저항차 검출부는 일체형으로 형성된 것을 특징으로 하는 가스 검출용 센서.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 센싱부의 온도를 일정하게 유지하는 온도 제어부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 검출용 센서.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 센서 물질은 카본 블랙-폴리머 복합물 또는 금 나노입자인 것을 특징으로 하는 가스 검출용 센서.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 저항 매칭부는
    전원 전압과 센서 노드 사이에 직렬로 연결되고 상이한 저항 값을 갖는 복수의 기준 저항;
    상기 복수의 기준 저항 각각에 병렬로 연결되어 상기 각 저항의 스위칭을 수행하는 복수의 트랜지스터;
    상기 복수의 트랜지스터의 각 게이트에 연결되어 상기 복수의 트랜지스터의 온/오프를 제어하는 레지스터(register);
    상기 센서 노드의 전압 및 상기 전원 전압의 반을 비교하는 비교기; 및
    상기 비교기의 비교 결과 상기 센서 노드의 전압이 상기 전원 전압의 반보다 더 작은 경우 클럭 신호에 의해 업카운트 하여 상기 레지스터의 저장 값을 1씩 증가시키고 상기 센서 노드의 전압이 상기 전원 전압의 반보다 더 커지는 경우 클럭 신호의 차단에 의해 상기 레지스터의 저장 값을 고정시킴으로써 상기 레지스터를 제어하는 카운터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 검출용 센서.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 저항차 검출부는 휘트스톤 브릿지 회로인 것을 특징으로 하는 가스 검출용 센서.
  6. 가스의 존재 및 농도에 따라 저항 값이 변하는 센서 물질을 포함하고 상기 가스의 존재 및 농도에 따른 센싱 저항 값의 변화를 측정하는 센싱부; 상이한 저항 값을 갖는 복수의 기준 저항을 포함하고 상기 복수의 기준 저항을 이용하여 상기 센싱부의 초기 저항 값과 매칭되는 기준 저항을 자동으로 설정하는 저항 매칭부; 및 상기 센싱부의 저항 값 및 상기 설정된 기준 저항의 저항 값의 차이를 검출하는 저항차 검출부;를 포함하는 하나 이상의 가스 검출용 센서 어레이;
    상기 하나 이상의 가스 검출용 센서 어레이의 상기 하나 이상의 저항차 검출부로부터 전압 값들을 수신하여 외부의 센서 선택 신호에 따라 하나의 전압 값을 송신하는 멀티플렉스; 및
    상기 하나의 전압 값을 수신하여 외부로 출력하는 제어부;를 포함하는 전자 후각 시스템.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 가스 검출용 센서는 상기 센싱부의 온도를 일정하게 유지하는 온도 제어부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 후각 시스템.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 센서 물질은 카본 블랙-폴리머 복합물 또는 금 나노입자인 것을 특징으로 하는 전자 후각 시스템.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 저항 매칭부는
    전원 전압과 센서 노드 사이에 직렬로 연결되고 상이한 저항 값을 갖는 복수의 기준 저항;
    상기 복수의 기준 저항 각각에 병렬로 연결되어 상기 각 저항의 스위칭을 수행하는 복수의 트랜지스터;
    상기 복수의 트랜지스터의 각 게이트에 연결되어 상기 복수의 트랜지스터의 온/오프를 제어하는 레지스터(register);
    상기 센서 노드의 전압 및 상기 전원 전압의 반을 비교하는 비교기; 및
    상기 비교기의 비교 결과 상기 센서 노드의 전압이 상기 전원 전압의 반보다 더 작은 경우 클럭 신호에 의해 업카운트 하여 상기 레지스터의 저장 값을 1씩 증가시키고 상기 센서 노드의 전압이 상기 전원 전압의 반보다 더 커지는 경우 클럭 신호의 차단에 의해 상기 레지스터의 저장 값을 고정시킴으로써 상기 레지스터를 제어하는 카운터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 후각 시스템.
  10. 제 6항에 있어서,
    상기 저항차 검출부는 휘트스톤 브릿지 회로인 것을 특징으로 하는 전자 후각 시스템.
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