JP4867281B2 - 単結晶の製造方法 - Google Patents
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以下、本実施の形態による単結晶の製造方法について、実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。
図3は、単結晶を育成する工程の一部を示している。まず、内径75mm、高さ120mmの円筒形の形状を持つAu製のルツボ4を作製した。このルツボ4に、合計で2.3kgの重量になるGd2O3、Yb2O3、Fe2O3、B2O3、Bi2O3、NaOHを充填した。これらの材料は、ルツボ4の底面から高さ約75mmの位置まで充填された。材料が充填されたルツボ4を電気炉に配置し、950℃まで炉温を上げてルツボ4内の材料を融解して攪拌し、均一な融液8を生成した。直径2インチのCaMgZr置換GGG基板10を固定治具2に取り付けて炉内に投入し、830℃まで炉温を下げてから基板10の片面を融液8に接触させてエピタキシャル成長を40時間行った。これにより、膜厚500μmで組成が(BiGdYb)3Fe5O12の磁性ガーネット単結晶膜(希土類鉄ガーネット単結晶膜)12を基板10上に育成した。単結晶育成は大気圧中で行った。単結晶を室温まで冷却して取り出し、研磨工程等を経て磁性ガーネット単結晶膜12を作製した。その後、Gd2O3、Yb2O3、Fe2O3をルツボ4内に追加して、同様の手順で単結晶の育成を20回繰り返した。その間にルツボ4に穴が空いて融液が漏れてしまうことはなかった。
内径75mm、高さ120mmの円筒形の形状を持つPt製のルツボ4を作製した。このルツボ4に、合計で2.3kgの重量になるGd2O3、Yb2O3、Fe2O3、B2O3、Bi2O3、NaOHを充填した。これらの材料は、ルツボ4の底面から高さ約75mmの位置まで充填された。材料が充填されたルツボ4を電気炉に配置し、950℃まで炉温を上げてルツボ4内の材料を融解して攪拌し、均一な融液8を生成した。直径2インチのCaMgZr置換GGG基板10を固定治具2に取り付けて炉内に投入し、830℃まで炉温を下げてから基板10の片面を融液8に接触させてエピタキシャル成長を40時間行った。これにより、膜厚500μmで組成が(BiGdYb)3Fe5O12の磁性ガーネット単結晶膜12を基板10上に育成した。単結晶育成は大気圧中で行った。単結晶を室温まで冷却して取り出し、研磨工程等を経て磁性ガーネット単結晶膜12を作製した。その後、Gd2O3、Yb2O3、Fe2O3をルツボ4内に追加して、同様の手順で単結晶の育成を繰り返した。10回目でルツボ4に穴が空き、ルツボ4内の融液が漏れてしまった。
4 ルツボ
8 融液
10 基板
12 単結晶膜
Claims (3)
- NaOHを含む材料をAu製のルツボ内に充填し、
前記材料を融解して融液を生成し、
前記融液を用いて希土類鉄ガーネット単結晶を育成すること
を特徴とする単結晶の製造方法。 - 請求項1記載の単結晶の製造方法であって、
前記希土類鉄ガーネット単結晶は大気圧中で育成すること
を特徴とする単結晶の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の単結晶の製造方法であって、
前記材料はさらにBを含むこと
を特徴とする単結晶の製造方法。
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