JP4862840B2

JP4862840B2 - 回転検出装置の調整方法

Info

Publication number: JP4862840B2
Application number: JP2008035194A
Authority: JP
Inventors: 和好角谷
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2008-02-15
Filing date: 2008-02-15
Publication date: 2012-01-25
Anticipated expiration: 2028-02-15
Also published as: JP2009192436A

Description

本発明は、磁気検出素子を備えるセンサチップと、その磁気検出素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石とを有し、センサチップの近傍にてロータが回転するときにバイアス磁界と協働して生じる磁気強度の変化を磁気検出素子の抵抗値変化や電圧変化として感知してロータの回転態様を検出する回転検出装置の調整方法に関するものである。

従来、回転検出装置におけるバイアス磁石の磁界特性を調整する一例として、特許文献１に示される回転検出装置の製造方法に関するものがあった。以下、磁気検出素子を磁気抵抗素子（ＭＲ素子）として説明する。

特許文献１に示される回転検出装置は、工程Ｓ１においてバイアス磁石を成形した後、工程Ｓ２において同バイアス磁石の磁界特性を測定する。そして、この磁界特性が所望とする特性であるときには、磁気抵抗素子を有するセンサチップと一体に組み付けて回転検出装置を製造する。一方、上記工程Ｓ２において上記バイアス磁石の磁界特性が所望とする特性でないときには、工程Ｓ５において同バイアス磁石の一部をトリミングして所望とする特性に調整した後、上記センサチップ等と一体に組み付けるものである。
特開２００６−４７１１３号公報

特許文献１に示される回転検出装置の製造方法においては、バイアス磁石の磁界特性を調整した後にバイアス磁石とセンサチップとを一体に組み付けるものである。ところが、バイアス磁石とセンサチップとを組み付ける場合、組み付け誤差が生じる可能性がある。また、製品状態とするためにバイアス磁石とセンサチップとを組み付けたものに保護キャップを取り付ける場合にも組み付け誤差が生じる可能性がある。したがって、バイアス磁石の磁界特性を調整したにも係らず、回転検出装置としての検出精度が低下する可能性がある。

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、検出精度を向上させることができる回転検出装置の調整方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために請求項１に記載の回転検出装置の調整方法は、磁気検出素子を備えるセンサチップと、磁気検出素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石とを有し、センサチップの近傍にて回転体が回転するときにバイアス磁界と協働して生じる磁気強度の変化を磁気検出素子の抵抗値変化や電圧変化として感知して回転体の回転態様を検出する回転検出装置の調整方法であって、少なくともバイアス磁石とセンサチップとを一体に組み付けて製品状態の回転検出装置とする組み付け工程後に、回転検出装置で回転体の回転態様を検出し、回転検出装置の検出結果が所望の値となるまでバイアス磁石の磁界特性を調整することを特徴とするものである。

このように、製品状態の回転検出装置に対して、回転検出装置の実際の検出結果に基づいてバイアス磁石の磁界特性を調整するので、組み付け誤差などが生じた状態の回転検出装置の磁界特性を調整できる。したがって、組み付け誤差などによって生じた磁界特性の変動による悪影響を抑制できるので回転検出装置の検出精度を向上させることができる。

また、磁気検出素子としては、ＭＲ素子及びホール素子のいずれか一方を採用することができる。

また、このように、バイアス磁石は中空の円柱形状をなすものであり、センサチップは基板に載置された状態でバイアス磁石の中空部に配置されるものであり、バイアス磁石と基板との間には、基板に押圧力を印加する樹脂製の支持部材が配置されるものであって、磁界特性を調整する場合、支持部材をレーザー照射にて溶解してバイアス磁石と磁気検出素子の相対的な位置を調整することによって、バイアス磁石の磁界特性を調整する。

バイアス磁石と基板との間に基板に押圧力を印加する樹脂製の支持部材を配置し、その支持部材をレーザー照射にて溶解すると、支持部材の押圧力によって溶解した支持部材側に基板が移動することになる。つまり、バイアス磁石と磁気検出素子の相対的な位置がかわることになる。このようにバイアス磁石と磁気検出素子の相対的な位置が変わるとバイアス磁石の磁界特性もかわる。従って、製品状態の回転検出装置に対して、支持部材を溶解するだけで簡単に磁界特性を調整することができる。

また、請求項２に示すように、組み付け工程は、センサチップが組み付けられたバイアス磁石を覆う樹脂製の保護キャップを取り付ける工程を含むようにしてもよい。

バイアス磁石及びセンサチップを保護するために、センサチップが組み付けられたバイアス磁石を覆う樹脂製の保護キャップを取り付ける場合がある。この保護キャップを取り付ける場合であっても組み付け誤差が生じる可能性がある。従って、請求項２に示すようにすることによって、保護キャップを有す場合であっても組み付け誤差などによって生じた磁界特性の変動による悪影響を抑制することができるので、回転検出装置の検出精度を向上させることができる。

以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。

（第１の実施の形態）
以下、この発明にかかる回転検出装置の調整方法の第１の実施の形態について、図１乃至図４を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態における回転検出装置の概略構成を示す部分的断面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。図３は、本発明の第１の実施の形態における磁界特性の調整方法を説明する回転検出装置の部分的断面図である。図４は、本発明の第１の実施の形態における磁界特性の調整方法を説明する回転検出装置の感度特性と調整量の関係を示すグラフである。

なお、本実施の形態にかかる回転検出装置は、磁気抵抗素子を備えるセンサチップ１０と、磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石３０とを有し、センサチップ１０の近傍にて回転体が回転するときにバイアス磁界と協働して生じる磁気強度の変化を磁気抵抗素子の抵抗値変化として感知して回転体の回転態様を検出するものである。例えば車載エンジンのクランク角センサ等の回転検出に用いられるものである。

また、以下の実施の形態においては、本発明の磁気検出素子として磁気抵抗素子を採用して説明するが、本発明はこれに限定されるものではなくホール素子を採用しても本発明の目的を達成できるものである。

図１に示されるように、回転検出装置は、センサチップ１０およびバイアス磁石３０がケース２０および保護キャップ４０により構成されるハウジング内に密閉されて外部雰囲気から保護される構造となっている。なお、回転検出装置の構成に関しては、特開２００７−１０１２３０号公報に記載されている回転検出装置と同様である箇所の説明は簡略化する。

センサチップ１０に設けられた磁気抵抗素子は、図２の紙面上において左右方向に並んで配置されるものである。また、これら磁気抵抗素子対により検出される信号の各種処理を行う処理回路チップ（図示省略）をモールド樹脂にて一体にモールドするようにしてもよい。

また、ケース２０は、例えば樹脂やセラミックス等の非磁性体材料からなり、その側壁に例えばエンジン本体と締結されるフランジ（図示省略）を備えるとともに、上記フランジから延設される部分には外部の電子制御装置等と接続されるコネクタ部（図示省略）を備えている。

一方、ケース２０は、保護キャップ４０の内方に突出する態様で延設される板状の舌部２１を備えている。この舌部２１には、リードフレームをはじめ、センサチップ１０や処理回路チップの実装面が一体に鋳込まれている。そして、この舌部２１に、これらセンサチップ１０および処理回路チップがリードフレームと電気的に接続されるかたちでそれぞれ実装（搭載）されている。つまり、センサチップ１０と処理回路チップ、及び処理回路チップとリードフレームの一端とがボンディングワイヤによってそれぞれ電気的に接続されている。また、これらセンサチップ１０および処理回路チップは、舌部２１の先端からケース２０側にかけて列状に実装されている。

一方、バイアス磁石３０は、例えば円柱の長手方向内部に四角形状の中空部３１を有する筒状に形成されており（円筒中空磁石）、センサチップ１０共々、ケース２０の舌部２１を覆う態様で挿入されている。このバイアス磁石３０は、センサチップ１０に組み込まれている上記磁気抵抗素子対に対してバイアス磁界を付与するものである。

また、保護キャップ４０は、例えば、底部４３と空間部４１を有する有底筒状に形成されるとともに、ケース２０との接続部である取付部４２を備えており、例えば樹脂等の非磁性体材料からなる（例えば、ＰＰＳ光透過性樹脂）。そして、この保護キャップ４０は、ケース２０の舌部２１が空間部４１内に配置された状態で、保護キャップ４０の開口端（取付部４２）がケース２０に接合されて一体に組み付けられることで、上記センサチップ１０共々、舌部２１およびバイアス磁石３０を外部雰囲気から保護する。

さらに、本実施の形態における回転検出装置は、図１及び図２に示すように、バイアス磁石３０と舌部２１（基板）との間に、舌部２１に押圧力を印加（図２の紙面上において上下方向から舌部２１に押圧力を印加）する樹脂製の支持部材５０が配置される。これは、本発明の特徴部分に関係するものであり、バイアス磁石３０の磁界特性を調整するものである。

ここで、本実施の形態における回転検出装置の調整方法に関して説明する。

まず、図１に示すように、回転検出装置を製品状態にまで製造する。つまり、舌部２１にセンサチップ１０などが搭載されたケース２０にバイアス磁石３０を組み付ける。そして、バイアス磁石３０が組み付けられたケース２０に対して保護キャップ４０を取り付ける。これは、保護キャップ４０をケース２０に押圧した状態で取付部４２とケース２０とをレーザー溶接するものである。

このようにして製品状態となった回転検出装置に対して感度調整を行う。つまり、回転検出装置で回転体の回転態様を検出し、回転検出装置の検出結果が所望の値となるまで、もしくは所定の範囲に入るまでバイアス磁石３０の磁界特性を調整する。このように、製品状態の回転検出装置に対して、回転検出装置の実際の検出結果に基づいてバイアス磁石３０の磁界特性を調整するので、組み付け誤差などが生じた状態の回転検出装置の磁界特性を調整できる。したがって、組み付け誤差などによって生じた磁界特性の変動による悪影響を抑制できるので、回転検出装置の検出精度を向上させることができる。

製品状態における回転検出装置でバイアス磁石３０の磁界特性を調整する方法は、いくつかあるが、本実施の形態では図３に示すように支持部材５０を用いた例を採用する。つまり、バイアス磁石３０とセンサチップ１０（磁気抵抗素子）との相対位置を調整することによって、バイアス磁石３０の磁界特性を調整する方法である。

回転検出装置の感度特性とセンサチップ１０の上下方向（図１及び図２の紙面上での上下方向）の調整量との関係は、図４のグラフに示すような関係にある。図４に示すグラフは、縦軸は回転検出装置の感度特性を示すものであり、横軸はセンサチップ１０の上下方向（図１及び図２の紙面上での上下方向）の調整量を示すものである。

図示は省略するが検査用ロータなどを用いて、回転検出装置にて検査用ロータの回転態様を検出し（検出信号をモニタし）、感度特性がゼロとなるように、図３に示すように、支持部材５０にレーザーを照射して支持部材５０を溶解する。支持部材５０は、舌部２１に対して押圧力を印加できるように設けられている。

従って、一方の支持部材５０をレーザーで溶解すると、舌部２１は他方の支持部材５０から押圧されて溶解した支持部材５０の分だけ位置がかわる。そして、センサチップ１０は、舌部２１に搭載されているため、舌部２１と共に位置がかわるものである。このようにバイアス磁石３０とセンサチップ１０（磁気抵抗素子）との相対的な位置が変わるとバイアス磁石３０の磁界特性もかわる。従って、製品状態の回転検出装置に対して、支持部材５０を溶解するだけで簡単に磁界特性を調整することができる。なお、製品状態の回転検出装置とは、磁界特性が変化するような工程を終えた段階のものも含むものである。

なお、本実施の形態においては、センサチップ１０の上下方向の位置を調整するための支持部材５０を用いる例を採用したが本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図５に示す変形例ように、センサチップ１０の左右方向（図５の紙面上での左右方向，磁気抵抗素子が並ぶ方向）の位置を調整するための支持部材５０ａを用いる例を採用しても本発明の目的は達成できるものである。なお、図５は、上述の図２に対応する図面である。

回転検出装置の感度特性とセンサチップ１０の左右方向（図５の紙面上での左右方向）の調整量との関係は、図６のグラフに示すような関係にある。図６に示すグラフは、縦軸は回転検出装置の感度特性を示すものであり、横軸はセンサチップ１０の左右方向（図５の紙面上での左右方向）の調整量を示すものである。

この変形例の場合、支持部材５０ａは、舌部２１に対して舌部２１の平面部に平行方向に（図５の紙面上での左右方向、磁気抵抗素子が並ぶ方向）に押圧力を印加できるように設ける。そして、上述の調整方法と同様に回転検出装置で回転体の回転態様を検出し、回転検出装置の検出結果が所望の値となるまで、もしくは所定の範囲に入るまでバイアス磁石３０の磁界特性を調整する（感度特性がゼロとなるように調整する）。

また、本実施の形態における回転検出装置は、磁気抵抗素子が並ぶ方向に対して位置調整する場合と、磁気抵抗素子に垂直な方向に対して位置調整する場合とで感度特性の変化の仕方が異なるものである。つまり、図４と図６とから明らかなように、調整量に対する感度特性の変化量は、センサチップ１０の上下方向の位置を調整する場合に比べて、センサチップ１０の左右方向の位置を調整する方が大きい。換言すると、磁気抵抗素子が並ぶ方向に対して位置調整する場合に比べて、磁気抵抗素子に垂直な方向に対して位置調整する場合の方が感度特性の変化が少ない。

したがって、センサチップ１０の左右方向（図１及び図２の紙面上での左右方向）及び上下方向（図１及び図２の紙面上での上下方向，磁気抵抗素子に垂直な方向）の位置を調整するための支持部材を用いる例を採用しても本発明の目的は達成できるものである。つまり、上述の支持部材５０と支持部材５０ａとを両方採用して位置を調整するようにしてもよい。そして、磁気抵抗素子が並ぶ方向に対して位置調整することによって粗調整をしておいて、磁気抵抗素子に垂直な方向に対して位置調整することによって微調整をするようにしてもよい。

また、本実施の形態における調製方法においては、バイアス磁石３０を削ったりすることがないので、バイアス磁石３０の削りかすなどが生じることがないので好ましい。

（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図７は、本発明の第２の実施の形態における磁界特性の調整方法を説明する回転検出装置の斜視図である。

第２の実施の形態における回転検出装置の構成に関しては、上述の第１の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第２の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と異なる点はバイアス磁石３０の磁界特性を調整するために保護キャップ４０に磁性材５１を付着させる点である。

本実施の形態における回転検出装置の調整方法に関して説明する。

上述の実施の形態と同様に、センサチップ１０、ケース２０、バイアス磁石３０、保護キャップ４０を組み付けて回転検出装置を製品状態にまで製造する。

このようにして製品状態となった回転検出装置に対して感度調整を行う。つまり、回転検出装置で回転体の回転態様を検出しつつ、回転検出装置の検出結果が所望の値となるまでバイアス磁石３０の磁界特性を調整する。なお、製品状態の回転検出装置とは、磁界特性が変化するような工程を終えた段階のものも含むものである。

本実施の形態では図５に示すように磁性材５１を用いた例を採用する。つまり、保護キャップ４０に接着（付着）させる磁性材５１の量及び位置の少なくとも一方を調整することによって、バイアス磁石３０の磁界特性を調整する方法である。なお、保護キャップ４０への磁性材５１の接着（付着）は、磁性材５１からなる接着剤を印刷で接着（付着）させてもよいし、吹き付けて接着（付着）でもよい。また、磁性材片を接着させてもよい。

そして、調整を行う場合は、図示は省略するが検査用ロータなどを用いて、回転検出装置にて検査用ロータの回転態様を検出し（検出信号をモニタし）、感度特性がゼロとなるように、保護キャップ４０に磁性材５１を接着（付着）させる。

このように、製品状態の回転検出装置に対して、回転検出装置の実際の検出結果に基づいてバイアス磁石３０の磁界特性を調整するので、組み付け誤差などが生じた状態の回転検出装置の磁界特性を調整できる。したがって、組み付け誤差などによって生じた磁界特性の変動による悪影響を抑制できるので、回転検出装置の検出精度を向上させることができる。また、保護キャップ４０に磁性材を接着（付着）させるだけでも磁界特性を調整することができる。

また、本実施の形態のように磁性材５１を接着（付着）することによってバイアス磁石３０の磁界特性を調整する場合、接着（付着）させた磁性材５１を削除して調整するようにしてもよい。従来は、バイアス磁石をトリミング（削る）のみであったのに対して、本実施の形態においては、磁性材を接着（付着）させて調整できると共に、付着させた磁性材を削って調整することもできる。換言すると、従来は一方向の調整のみであったのに対して、本実施の形態は二方向の調整ができるものである。

なお、本実施の形態においては、センサチップ１０の上下方向（磁気抵抗素子に垂直な方向）に磁性材５１を接着（付着）させて調整する例を採用したが本発明はこれに限定されるものではない。センサチップ１０の左右方向（磁気抵抗素子が並ぶ方向）に磁性材５１を接着（付着）させて調整する例を採用しても本発明の目的は達成できるものである。

また、センサチップ１０の左右方向（磁気抵抗素子が並ぶ方向）及び上下方向（磁気抵抗素子に垂直な方向）に接着（付着）させる磁性材５１を調整する例を採用しても本発明の目的は達成できるものである。

また、上述の実施の形態と同様に、磁気抵抗素子が並ぶ方向に対して磁性材５１の調整をすることによって粗調整をしておいて、磁気抵抗素子に垂直な方向に対して磁性材５１の調整をすることによって微調整をするようにしてもよい。

また、本実施の形態における調製方法においては、磁性材５１を接着（付着）させる場合はバイアス磁石３０を削ったりすることがないので、バイアス磁石３０の削りかすなどが生じることがないので好ましい。

（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態における回転検出装置の構成に関しては、上述の第１の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第３の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と異なる点はバイアス磁石３０をレーザートリミングすることによって、バイアス磁石３０の磁界特性を調整する点である。

つまり、図示は省略するが検査用ロータなどを用いて、製品状態の回転検出装置にて検査用ロータの回転態様を検出し（検出信号をモニタし）、感度特性がゼロとなるように、保護キャップ４０を透過するレーザーにてバイアス磁石３０をレーザートリミング（溶解）する。

このように、製品状態の回転検出装置に対して、回転検出装置の実際の検出結果に基づいてバイアス磁石３０の磁界特性（磁力線の飛び方）を調整するので、組み付け誤差などが生じた状態の回転検出装置の磁界特性を調整できる。したがって、組み付け誤差などによって生じた磁界特性の変動による悪影響を抑制できるので、回転検出装置の検出精度を向上させることができる。

また、バイアス磁石３０をレーザートリミングするだけで簡単に磁界特性を調整することができる。なお、製品状態の回転検出装置とは、磁界特性が変化するような工程を終えた段階のものも含むものである。

また、本実施の形態においても、センサチップ１０の上下方向（磁気抵抗素子に垂直な方向）のバイアス磁石３０を溶解して調整する例を採用してもよいし、センサチップ１０の左右方向（磁気抵抗素子が並ぶ方向）のバイアス磁石３０を溶解して調整する例を採用しても本発明の目的は達成できるものである。また、センサチップ１０の左右方向（磁気抵抗素子が並ぶ方向）及び上下方向（磁気抵抗素子に垂直な方向）のバイアス磁石３０を溶解して調整する例を採用しても本発明の目的は達成できるものである。

また、上述の実施の形態と同様に、磁気抵抗素子が並ぶ方向に対してバイアス磁石３０を溶解して粗調整をしておいて、磁気抵抗素子に垂直な方向に対してバイアス磁石３０を溶解して微調整をするようにしてもよい。

（第４の実施の形態）
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。第４の実施の形態における回転検出装置の構成に関しては、上述の第１の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第４の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と異なる点はバイアス磁石３０を着磁変化することによってバイアス磁石３０の磁界特性を調整する点である。

バイアス磁石３０は、プラスチック性のボンド磁石を用いる。通常、プラスチック性のボンド磁石からなるバイアス磁石３０は、射出成形時に磁場異方させて磁気特性を出すものである。この時、バイアス磁石３０の内部での異方化特性が決定する。そして、磁界特性を決定する磁壁部分を後着磁可能な等方性とする。このようにすることによって、バイアス磁石３０を最適な磁界特性に合せることが可能となる。

そして、図示は省略するが検査用ロータなどを用いて、製品状態の回転検出装置にて検査用ロータの回転態様を検出し（検出信号をモニタし）、感度特性がゼロとなるように、バイアス磁石３０に磁場を与えて着磁変化する。

つまり、図８に示すように、回転検出装置を空芯コイル６２の中で位置を可変させることによりバイアス磁石３０の磁気特性、磁力線の飛び方を変えることができる。着磁条件例は、５００μＦ、１４００Ｖとすることができる。

また、この空芯コイル６２の空芯部には、回転検出装置の外形に対応した凹部６１を有する固定部材６０を配置すると好ましい。この固定部材６０は、空芯コイル６２内に配置される回転検出装置と空芯コイル６２との位置関係を固定する部材である。このように固定部材６０を設けることによって、回転検出装置と空芯コイル６２との位置関係を固定することができるので、複数の回転検出装置を調整する場合であっても同様に調整を行うことができるので好ましい。

このように、本実施の形態においては、製品状態の回転検出装置に対して、回転検出装置の実際の検出結果に基づいてバイアス磁石３０の磁界特性を調整するので、組み付け誤差などが生じた状態の回転検出装置の磁界特性を調整できる。したがって、組み付け誤差などによって生じた磁界特性の変動による悪影響を抑制できるので、回転検出装置の検出精度を向上させることができる。

また、バイアス磁石３０を着磁変化するだけで簡単に磁界特性を調整することができる。なお、製品状態の回転検出装置とは、磁界特性が変化するような工程を終えた段階のものも含むものである。

また、本実施の形態においても、センサチップ１０の上下方向（磁気抵抗素子に垂直な方向）のバイアス磁石３０を着磁変化して調整する例を採用してもよいし、センサチップ１０の左右方向（磁気抵抗素子が並ぶ方向）のバイアス磁石３０を着磁変化して調整する例を採用しても本発明の目的は達成できるものである。また、センサチップ１０の左右方向（磁気抵抗素子が並ぶ方向）及び上下方向（磁気抵抗素子に垂直な方向）のバイアス磁石３０を着磁変化して調整する例を採用しても本発明の目的は達成できるものである。

また、上述の実施の形態と同様に、磁気抵抗素子が並ぶ方向に対してバイアス磁石３０を着磁変化して粗調整をしておいて、磁気抵抗素子に垂直な方向に対してバイアス磁石３０を着磁変化して微調整をするようにしてもよい。

本発明の第１の実施の形態における回転検出装置の概略構成を示す部分的断面図である。図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。本発明の第１の実施の形態における磁界特性の調整方法を説明する回転検出装置の部分的断面図である。本発明の第１の実施の形態における磁界特性の調整方法を説明する回転検出装置の感度特性と調整量の関係を示すグラフである。本発明の第１の実施の形態の変形例における回転検出装置の概略構成を示す部分的断面図である。本発明の第１の実施の形態の変形例における磁界特性の調整方法を説明する回転検出装置の感度特性と調整量の関係を示すグラフである。本発明の第２の実施の形態における磁界特性の調整方法を説明する回転検出装置の斜視図である。本発明の第４の実施の形態における磁界特性の調整方法を説明する回転検出装置の断面図である。

符号の説明

１０センサチップ、２０ケース、２１舌部、３０バイアス磁石、３１中空部、４０保護キャップ、４１空間部、４２取付部、４３底部、５０，５０ａ支持部材、５１磁性材、６０固定部材、６１凹部、６２空芯コイル

Claims

磁気検出素子を備えるセンサチップと、前記磁気検出素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石とを有し、前記センサチップの近傍にて回転体が回転するときに前記バイアス磁界と協働して生じる磁気強度の変化を前記磁気検出素子の抵抗値変化や電圧変化として感知して前記回転体の回転態様を検出する回転検出装置の調整方法であって、
少なくとも前記バイアス磁石と前記センサチップとを一体に組み付けて製品状態の回転検出装置とする組み付け工程後に、前記回転検出装置で前記回転体の回転態様を検出し、当該回転検出装置の検出結果が所望の値となるまで前記バイアス磁石の磁界特性を調整するものであり、
前記磁気検出素子は、ＭＲ素子及びホール素子のいずれか一方であり、
前記バイアス磁石は中空の円柱形状をなすものであり、前記センサチップは基板に載置された状態で前記バイアス磁石の中空部に配置されるものであり、前記バイアス磁石と前記基板との間には、前記基板に押圧力を印加する樹脂製の支持部材が配置されるものであって、
前記磁界特性を調整する場合、前記支持部材をレーザー照射にて溶解して前記バイアス磁石と前記磁気検出素子の相対的な位置を調整することによって、前記バイアス磁石の磁界特性を調整することを特徴とする回転検出装置の調整方法。
前記組み付け工程は、前記センサチップが組み付けられた前記バイアス磁石を覆う樹脂製の保護キャップを取り付ける工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の回転検出装置の調整方法。