KR100595078B1 - 자기 검출 장치 - Google Patents

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KR100595078B1
KR100595078B1 KR1020040092917A KR20040092917A KR100595078B1 KR 100595078 B1 KR100595078 B1 KR 100595078B1 KR 1020040092917 A KR1020040092917 A KR 1020040092917A KR 20040092917 A KR20040092917 A KR 20040092917A KR 100595078 B1 KR100595078 B1 KR 100595078B1
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요코타니마사히로
신조이즈루
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미츠비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 제조시의 조립이 용이함과 함께, 다극 착자된 회전체의 자기 검출 정밀도 등의 편차를 경감할 수 있는 차량용의 자기 검출 장치를 제공한다.
다극 착자된 회전체(100)의 회전에 수반하는 자계의 변화에 대응하여 저항치가 변화하는 자기 저항 소자와, 해당 자기 저항 소자의 저항치 변화에 의거하여 회전체(100)의 다극 착자에 대응한 신호를 출력하는 신호 처리 회로부를 집적한 IC(3)와, IC(3)가 실장됨과 함께, 신호 처리 회로부의 출력 신호를 외부로 출력하기 위한 외부 출력 단자에 접속되는 리드 프레임(1)과, 자기 저항 소자에 바이어스 자계를 인가하는 자석(5)과, 자석(5)의 자력선을 교정하는 자성체 가이드(2)를 구비한 자기 저항 소자로서, IC(3), 리드 프레임(1) 및 자성체 가드(2)는 제 1의 조립체(10)로서, 또한, 자석(5) 및 외부 출력 단자(6)은 제 2의 조립체(20)로서, 각각 미리 일체적으로 조립되어 있다.
자기 검출 장치

Description

자기 검출 장치{MAGNETIC DETECTING DEVICE}
도 1은 본 발명의 제 1의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 사시도.
도 3은 자기 검출 장치에 이용되는 IC의 회로 구성예를 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 제 2의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 단면도.
도 5는 본 발명의 제 2의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 사시도.
도 6은 본 발명의 제 3의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 단면도.
도 7은 본 발명의 제 3의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 사시도.
도 8은 본 발명의 제 4의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 단면도.
도 9는 본 발명의 제 4의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 사 시도.
도 10은 종래의 자기 검출 장치의 구성 등을 도시한 도면.
도 11은 자기 검출 장치의 동작을 도시한 타이밍 차트.
♣부호의 설명♣
1 : 리드 프레임
1a : 제 1의 리드 프레임
1a-a : 제 1의 리드 프레임의 절곡부
1a-b : 제 1의 리드 프레임의 단차부
1b : 제 2의 리드 프레임
1c : 제 3의 리드 프레임
2 : 자성체 가이드
3 : IC(자기 저항 소자부(30)와 신호 처리 회로부(31)로 구성)
4 : 몰드 수지
5 : 자석
6 : 터미널
6a : 제 1의 터미널
6b : 제 2의 터미널
6c : 제 3의 터미널
1O : 제 1의 조립체(베이스 ASSY)
2O: 제 2의 조립체(인서트 ASSY)
3O : 자기 저항 소자부
30a, 30b, 3Oc, 30d : 자기 저항 소자
31 : 신호 처리 회로부
1OO : 회전체
기술 분야
본 발명은 다극 착자된 회전체로부터 발생되는 자계를 자기 저항 소자(MR 소자)에서 검출하는 자기 검출 장치에 관한 것으로, 특히, 이 자기 저항 소자에 바이어스 자계가 인가된 자기 검출 장치의 구조에 관한 것이다.
종래의 기술
도 1O은 예를 들면 특허 문헌 1(특개2004-69546호 공보)에 나타내여져 있는 종래의 자기 검출 장치의 도면으로서, 도 10의 (a)는 종래의 자기 검출 장치의 구성을 개념적으로 도시한 사시도, 도 10의 (b)는 도 10의 (a)의 시점(P)에서 본 도면, 또한, 도 10의 (c)는 자기 저항 소자에 인가되는 바이어스 자계의 중심선으로부터의 거리(L)와 바이어스 자계와의 관계를 도시한 특성도이다.
또한, 도 11은 도 10에 도시한 종래의 자기 검출 장치의 동작을 도시한 타이밍 차트이다.
또한, 후술하는 바와 같이, 도 11은 본 발명에 의한 자기 검출 장치의 동작 을 도시한 타이밍 차트이기도 하다.
도 10에 있어서, 100은 다극 착자된 피검출체인 회전체로서, 예를 들면, 회전하는 원반의 주연부에 착자된 복수의 돌기부가 마련되어 있다.
또한, 30a 내지 30d는 자기 저항 소자(자기 저항 세그먼트라고도 칭한다), 31은 기판의 표면에 회로가 프린트된 신호 처리 회로부, 5는 자석, 90은 회전체(100)를 회전시키는 회전축, 2는 자성체 가이드이다.
자성체 가이드(2)는 자석(5)으로부터 발생하는 자력선이 효율적으로 자기 저항 소자(30a 내지 30d)를 통과하도록, 자력선의 방향을 교정한다.
또한, 도 10의 (a)에서는, 자기 저항 소자(30a, 30d) 및 자기 저항 소자(30b, 30c)는, 하나의 검은 색의 블록으로 도시되어 있지만, 이것은 각 자기 저항 소자가 밀집하여 있고, 각각을 분리하여 나타낼 수 없기 때문이다.
도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 자기 저항 소자(30a 내지 30d)는, 자석(5)의 착자 방향의 중심선(회전축(90)에 평행)으로부터 거리(L)만큼 떨어저서, 회전체(100)측의 신호 처리 회로부(31)의 위에 마련되어 있다.
또한, 신호 처리 회로부(31)는, 자계의 변화에 의한 자기 저항 소자(30a 내지 30d)의 저항치의 변화에 의거하여, 회전체(100)의 다극 착자에 대응한 신호를 출력하는 것이다.
또한, 도 10의 (c)에 있어서, 횡축은 자석(5)에 의한 바이어스 자계의 중심선으로부터의 거리(L)이고, 종축은 자기 저항 소자에 인가되는 바이어스 자계(인가 자계)이다.
도 10의 (b) 및 도 10의 (c)에 도시된 바와 같이, 자기 검출 장치의 자기 회로에 있어서는, 자석(5)의 중심선으로부터의 거리(L)에 의해, 자기 저항 소자에 대한 바이어스 자계를 적절하게 조정할 수 있다.
도 11은 도 10에 도시된 자기 검출 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.
도 11에 있어서, 도 11의 (a)는 다극 착자된 회전체(100)가 회전함에 의해 자기 저항 소자부(자기 저항 소자(30a 내지 30d))에 근접하여 오는 자극의 변화의 양상을 도시하고 있다.
또한, 도 11의 (b)는 자기 저항 소자(30a, 30d)에의 인가 자계의 변화의 양상, 도 11의 (c)는 자기 저항 소자(30b, 30c)의 저항치의 변화의 양상, 도 11의 (d)는 신호 처리 회로부(31)의 후술하는 차동 증폭 회로의 출력 변화의 양상, 도 11의 (e)는 신호 처리 회로부(31)의 최종 출력의 변화의 양상을 도시하고 있다.
이와 같이, 도 10에 도시된 종래의 자기 검출 장치에 의하면, 회전체(100)의 다극 착자와 대응한 출력 신호를 얻을 수 있다.
즉, 다극 착자된 회전체(100)의 회전 동작을 검출할 수 있다.
[특허 문헌 1]
특개2004-69546호 공보(도 1, 도 2, 단락 0021)
상술한 종래의 자기 검출 장치는, 다극 착자된 회전체(100)의 자계의 변화를 검출하는 자기 저항 소자(30a 내지 30d)와, 자계의 변화에 의한 자기 저항 소자 (30a 내지 30d)의 저항치에 의거하여, 회전체(100)의 다극 착자에 대응한 신호를 출력하는 신호 처리 회로부(31)와, 자기 저항 소자(30a 내지 30d)에 바이어스 자계를 인가하는 자석(5), 자석(5)으로부터 발생하는 자력선의 방향을 교정하는 자성체 가이드(2)를 구비하고 있다.
이와 같은 종래의 자기 검출 장치에서는, 자기 회로를 구성하는 자기 저항 소자, 신호 처리 회로부, 자석 및 자성체 가이드는, 각각 개개의 부품으로 구성되어 있다.
그 때문에, 부품 개수가 많아지고, 또한, 제조시의 조립 공수가 많아지고, 효율적인 생산을 행할 수가 없다.
또한, 개개의 부품을 수작업에 의해 조립하기 때문에, 조립시의 개개의 부품의 상대적인 위치 정밀도에 편차가 발생하기 쉽다.
그 때문에, 완성한 제품은 다극 착자된 회전체의 자기 검출 정밀도 등의 특성상의 편차를 갖는 레벨 이상은 작게 할 수 없었다.
본 발명은 상술한 바와 같이 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 제조시의 조립이 용이함과 함께, 회전체의 자기 검출 정밀도 등의 특성상의 편차를 경감할 수 있는 자기 검출 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관한 자기 검출 장치는, 다극 착자된 회전체의 회전에 수반하는 자계의 변화에 대응하여 저항치가 변화하는 자기 저항 소자와, 상기 자기 저항 소자와, 해당 자기 저항 소자의 저항치의 변화에 의거하여 상기 회전체의 다극 착자에 대응한 신호를 출력하는 신호 처리 회로부를 일체적으로 집적한 IC와, 상기 회 전체측의 일단에 상기 IC가 실장됨과 함께, 타단에 상기 신호 처리 회로부의 출력 신호를 외부로 출력하기 위한 외부 출력 단자가 접속되는 리드 프레임과, 상기 자기 저항 소자에 바이어스 자계를 인가하는 자석과, 상기 자석으로부터 발생하는 자력선의 방향을 교정하는 자성체 가이드를 구비한 자기 검출 장치로서,
상기 IC, 상기 리드 프레임 및 상기 자성체 가이드는 제 1의 조립체로서 미리 일체적으로 조립되어 있고, 상기 자석 및 상기 외부 출력 단자는 제 2의 조립체로서 미리 일체적으로 조립되어 있는 것이다.
본 발명에 의한 자기 검출 장치는, 자기 저항 소자와 신호 처리 회로부를 일체적으로 집적한 IC, 일단에 IC가 실장됨과 함께, 타단이 신호 처리 회로부의 출력 신호를 외부로 출력하기 위한 외부 출력 단자에 접속되는 리드 프레임 및 자성체 가이드는 제 1의 조립체로서 미리 일체적으로 조립되어 있고, 자기 저항 소자에 바이어스 자계를 인가하는 자석 및 외부 출력 단자는 제 2의 조립체로서 미리 일체적으로 조립되어 있기 때문에, 제조시의 조립이 용이함과 함께, 검출 정밀도 등의 특성상의 편차를 경감할 수 있다.
이하, 도면에 의거하여, 본 발명의 한 실시예에 관해 설명한다.
또한, 각 도면 사이에 있어서, 동일 부호는, 동일 또는 상당하는 것을 나타낸다.
제 1의 실시예
도 1은, 본 발명의 제 1의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 단면도로서, 도 1의 (a)는 도 1의 (b)의 A-A'선에 있어서의 단면을, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 B-B'선에 있어서의 단면을 도시하고 있다.
또한, 도 2는, 제 1의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 사시도로서, 도 2의 (a)는 자기 검출 장치의 외관을, 도 2의 (b)는 주요부(후술하는 제 1의 조립체)의 내부 구성을 도시하고 있다.
또한, 도 3은, 자기 검출 장치에 이용되는 IC의 회로 구성예를 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 이용하여, 본 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성에 관해 설명한다.
도 2에 있어서, 100은 다극 착자된 피검출체인 회전체로서, 예를 들면, 회전하는 원반의 주연부(周緣部)에 착자된 복수의 돌기부가 마련되어 있다.
또한, 3은 다극 착자된 회전체(100)으로부터의 자계의 변화에 대응하여 저항치가 변화하는 자기 저항 소자(30a 내지 30d)로 이루어지는 자기 저항 소자부(30)와, 자기 저항 소자(30a 내지 30d)의 저항치의 변화에 의거하여 회전체(100)의 다극 착자에 대응한 신호를 출력하는 신호 처리 회로부(31)가 일체적으로 집적된 IC이다.
또한, 4는 후술하는 몰드 수지이다.
또한, 5는 자기 저항 소자(30a 내지 30d)에 바이어스 자계를 인가하기 위한 자석, 2는, 자석(5)으로부터 발생하는 자력선이 효율적으로 자기 저항 소자(30a 내지 30d)를 통과하도록 자력선의 방향을 교정하기 위한 자성체 가이드이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 자기 저항 소자부(30)는, 직렬 접속된 자기 저항 소자(30a, 30b), 및 직렬 접속된 자기 저항 소자(30c, 30d)로 구성되어 있다.
각 자기 저항 소자(30a 내지 30d)는, 회전체(100)의 자계의 변화에 대응하여 저항치가 변화하기 때문에, 자기 저항 소자의 접속점(A, B)의 전위도 변화한다.
또한, 이들의 회전체(100), 자기 저항 소자(30a 내지 30d), 신호 처리 회로부(31), 자석(5) 및 자성체 가이드(2)의 상대적인 위치 관계는, 전술한 종래의 자기 검출 장치와 기본적으로는 같다.
또한, 신호 처리 회로부(31)는, 직렬 접속된 자기 저항 소자(30a, 30b)의 접속점(A)의 전위 및 직렬 접속된 자기 저항 소자(30c, 30d)의 접속점(B)의 전위가 입력되는 작동 증폭 회로(1a), 교류 결합 회로(31b), 비교 회로(31c), 출력 회로(31d)로 구성되어 있다.
따라서 신호 처리 회로부(31)는, 자기 저항 소자(30a 내지 30d)의 저항치의 변화에 의거하여, 회전체(100)의 다극 착자에 대응한 신호를 출력한다.
또한, 이들의 자기 저항 소자부(30) 및 신호 처리 회로부(31)의 개개의 구성 및 동작은, 전술한 종래의 자기 검출 장치에서의 것과 기본적으로는 같다.
종래의 자기 검출 장치의 설명에서 이용한 도 10 및 도 11에 의거하여, 본 실시예에 의한 자기 검출 장치의 동작에 관해 설명한다.
본 실시예에 의한 자기 검출 장치도, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 자기 저항 소자(30a 내지 30d)는 자석(5)의 착자 방향의 중심선에서부터 거리(L)만큼 떨어저서 회전체(100)측의 신호 처리 회로부(31)의 위에 마련되어 있다.
또한, 신호 처리 회로부(31)는, 자계의 변화에 의한 자기 저항 소자(30a, 30d)의 저항치의 변화에 의거하여, 회전체(100)의 다극 착자에 대응한 신호를 출력한다.
또한, 도 10의 (c)에 있어서, 횡축은 자석(5)에 의한 바이어스 자계의 중심선으로부터의 거리(L)이고, 종축은 자기 저항 소자에 인가되는 바이어스 자계(인가 자계)이다.
도 10의 (b) 및 도 10의 (c)에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 의한 자기 검출 장치의 자기 회로에서도, 자석(5)의 중심선으로부터의 거리(L)에 의해, 자기 저항 소자에 대한 바이어스 자계를 적절하게 조정할 수 있다.
도 11의 타이밍 차트에 의거하여, 도 1, 도 2에 도시한 본 실시예에 의한 자기 검출 장치의 동작을 설명한다.
도 11에 있어서, 도 11의 (a)는 다극 착자된 회전체(100)가 회전함에 의해 자기 저항 소자부(자기 저항 소자(30a 내지 30d))에 근접하여 오는 자극의 변화의 양상을 도시하고 있다.
또한, 도 11의 (b)는 자기 저항 소자(30a 내지 30d)에의 인가 자계의 변화의 양상, 도 11의 (c)는 자기 저항 소자(30a, 30d)의 저항치의 변화의 양상, 도 11의 (d)는 신호 처리 회로부(31)의 후술하는 차동 증폭 회로의 출력 변화의 양상, 도 11의 (e)는 신호 처리 회로부(31)의 최종 출력의 변화의 양상을 도시하고 있다.
이와 같이, 도 1, 도 2에 도시된 본 실시예에 의한 자기 검출 장치에 의해서도, 회전체(100)의 다극 착자와 대응한 출력 신호를 얻을 수 있다.
즉, 다극 착자된 회전체(100)의 회전 동작을 검출할 수 있다.
도 1 및 도 2에 있어서, 1은 구리계의 재질(예를 들면, 황동)로 형성된 리드 프레임으로, 해당 리드 프레임(1)은, 제 1의 리드 프레임(1a), 제 2의 리드 프레임(1b), 제 3의 리드 프레임(1c)으로 구성되어 있다.
이들 3개의 리드 프레임(즉, 제 1의 리드 프레임(1a), 제 2의 리드 프레임(1b), 제 3의 리드 프레임(1c))의 어느 하나는 신호 처리 회로부(31)의 회로를 구동하기 위한 전원을 공급하기 위한 것이고, 어느 하나는 그라운드(GND) 전위를 공급하기 위한 것이고, 어느 하나는 신호 처리 회로부(31)로부터의 출력 신호를 취출하기 위한 것이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서는, 예를 들면, 제 1의 리드 프레임(1a)(전원 공급용, 그라운드 공급용, 출력용의 어느 것이라도 좋다)의 일단이 회전체(100)측의 자석(5)과 대향하는 위치까지 연장되어 있다.
그리고, 자기 저항 소자(30a 내지 30d) 및 신호 처리 회로부(31)를 일체적으로 집적한 IC(3)가 자석(5)과 대향하는 위치에서 제 1의 리드 프레임(1a)의 연장부에 배치되어 있다.
또한, 자성체 가이드(2)는 자석(5)으로부터 발생하는 자력선이 효율적으로 자기 저항 소자(30a 내지 30d)를 통과하도록, 리드 프레임(1)(즉, 제 1의 리드 프레임(1a), 제 2의 리드 프레임(1b), 제 3의 리드 프레임(1c))과 직교하는 방향의 단부가 약 90° 절곡되어 있다.
여기서, 본 실시예에 의한 자기 검출 장치의 특징적인 구성에 관해 설명한다.
도 1 및 도 2에 있어서, 1O은 제 1의 조립체이다.
해당 제 1의 조립체(10)는, 자기 저항 소자(30a 내지 30d) 및 신호 처리 회로부(31)를 일체적으로 집적한 IC(3), 해당 IC(3)를 배치하는 제 1의 리드 프레임(1a)을 포함하는 리드 프레임(1) 및 자성체 가이드(2)가 몰드 수지(4)에 의해 미리 일체적으로 고착되어 조립된 것이다. 즉, IC(3), 리드 프레임(1) 및 자성체 가이드(2)는 몰드 수지(4)에 의해 일체적으로 성형되고, 제 1의 조립체(10)로 되어 있다.
또한, 20은 자기 저항 소자(30a 내지 30d)에 바이어스 자계를 인가하기 위한 자석(5)과 3개의 외부 출력 단자(제 1의 외부 출력 단자(6a), 제 2의 외부 출력 단자(6b), 제 3의 외부 출력 단자(6c))로 이루어지는 외부 출력 단자(6)를 미리 일체적으로 구성한 제 2의 조립체이다.
제 2의 조립체(20)에는, 제 1의 조립체(10)를 소정 위치에 위치 결정하여 부착하기 위한 노치부가 마련되어 있다.
그리고, 본 제 2의 조립체(20)의 노치부에 제 1의 조립체(10)를 조립하여 부착함에 의해, IC(3), 자석(5), 자성체 가이드(2)가 소망하는 소정 위치에 위치 결정되도록 되어 있다.
또한, 제 2의 조립체(20)의 노치부에 제 1의 조립체(10)를 부착함에 의해, 제 1, 제 2 및 제 3의 리드 프레임(1a, 1b 및 1c)이, 각각 제 1, 제 2 및 제 3의 외부 출력 단자(6a, 6b 및 6c)와 접촉하고, 전기적으로 접속되도록 되어 있다.
또한, 본 실시예에서는, 제 1의 조립체(10) 내에 일체 성형된 자기 가이드(2)의 일부는 노출하여 있고, 자석(5)과 밀착하는 구조로 되어 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 의한 자기 검출 장치는, 다극 착자된 회전체(100)의 회전에 수반하는 자계의 변화에 대응하여 저항치가 변화하는 자기 저항 소자(30a 내지 30d)와, 자기 저항 소자(30a 내지 30d)와, 해당 자기 저항 소자(30a 내지 30d)의 저항치의 변화에 의거하여 회전체(100)의 다극 착자에 대응한 신호를 출력하는 신호 처리 회로부(31)를 일체적으로 집적한 IC(3)와, 회전체(100)측의 일단에 IC(3)가 실장됨과 함께, 타단에 신호 처리 회로부(31)의 출력 신호를 외부로 출력하기 위한 외부 출력 단자가 접속되는 리드 프레임(1)과, 자기 저항 소자(30a 내지 30d)에 바이어스 자계를 인가하는 자석(5)과, 자석(5)으로부터 발생하는 자력선의 방향을 교정하는 자성체 가이드(2)를 구비한 자기 검출 장치로서,
IC(3), 리드 프레임(1) 및 자성체 가이드(2)는 제 1의 조립체(10)로서 미리 일체적으로 조립되어 있고, 자석(5) 및 외부 출력 단자(6)는 제 2의 조립체(20)로서 미리 일체적으로 조립되어 있다.
종래의 자기 검출 장치에서는, 조립시의 각 부품의 상대적인 위치 관계에 어긋남이 생기기 쉽고, 자기 저항 소자를 통과하는 바이어스 자계에 변화가 생기기 때문에, 검출 타겟(즉, 회전체)의 소정의 위치에서 안정된 출력을 얻을 수가 없었다.
그러나, 본 실시예에 의하면, IC, 리드 프레임 및 자성체 가이드는 제 1의 조립체로서 미리 일체적으로 조립되어 있기 때문에, 자기 저항 소자와 자성체 가이 드와의 상대 위치를 보다 정밀도 좋게 조립하는 것이 가능해지고, 자기 검출 장치의 검출 정밀도의 편차를 대폭적으로 경감할 수 있다.
또한, 본 실시예에 의한 자기 검출 장치에서는, 자기 저항 소자를 포함하여 자기 회로를 구성하는 복수의 부품을, 제 1의 조립체 및 제 2의 조립체로서 미리 일체적으로 구성하기 때문에, 조립 부품 수가 적어지고, 조립 공수가 저감된다.
즉, 본 실시예에 의한 자기 검출 장치에 의하면, 제조시의 조립이 용이함과 함께, 검출 정밀도 등의 특성상의 편차를 경감할 수 있다.
제 2의 실시예
도 4는 본 발명의 제 2의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 단면도로서, 도 4의 (a)는 도 4의 (b)의 A-A'선에 있어서의 단면을, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)의 B-B'선에 있어서의 단면을 도시하고 있다.
또한, 도 5는, 제 2의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 사시도로서, 도 5의 (a)는 자기 검출 장치의 외관을, 도 5의 (b)는 주요부(제 1의 조립체)의 내부 구성을 도시하고 있다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 의한 자기 검출 장치에서는, 자기 저항 소자(30a 내지 30d)로 이루어지는 자기 저항 소자부(30)와 자기 저항 소자(30a 내지 30d)의 저항치의 변화에 의거하여 회전체의 다극 착자에 대응한 신호를 출력하는 신호 처리 회로부(31)가 일체적으로 집적된 IC(3)는 리드 프레임(1)(예를 들면, 제 1의 리드 프레임(1a))의 회전체(100)측의 일단에 형성된 연장부에 실장되는 것이 아니라, 자성체 가이드(2)에 직접 배치되어 있다. 그 밖의 구성은 제 1의 실시예에 의한 자기 검출 장치와 같기 때문에 설명은 생략한다.
즉, 본 실시예에 의한 자기 검출 장치는, 다극 착자된 회전체(100)의 회전에 수반하는 자계의 변화에 대응하여 저항치가 변화하는 자기 저항 소자(30a 내지 30d)와, 이 자기 저항 소자(30a, 30d)와, 해당 자기 저항 소자(30a 내지 30d)의 저항치의 변화에 의거하여 회전체(100)의 다극 착자에 대응한 신호를 출력하는 신호 처리 회로부(31)를 일체적으로 집적한 IC(3)와, 신호 처리 회로부(31)의 출력 신호를 외부로 출력하기 위한 외부 출력 단자(6)에 접속되는 리드 프레임(1)과, 자기 저항 소자(30a 내지 30d)에 바이어스 자계를 인가하는 자석(5)과, IC(3)를 재치함과 함께, 자석(5)으로부터 발생하는 자력선의 방향을 교정하는 자성체 가이드(2) 를 구비한 자기 검출 장치로서, IC(3), 리드 프레임(1) 및 자성체 가이드(2)는 제 1의 조립체(10)로서 미리 일체적으로 조립되어 있고, 자석(5) 및 외부 출력 단자(6)는 제 2의 조립체(20)로서 미리 일체적으로 조립되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 실시예에 의하면, 리드 프레임(1)을 사이에 두는 일 없이, 자성체 가이드(2)에 직접 조립되기 때문에, 리드 프레임(1)의 두께의 편차는 관계 없게 되고, 자석(5)과 IC(3)의 사이의 거리의 편차(즉, 자석(5)과 자기 저항 소자(30a 내지 30d)의 사이의 거리의 편차)는 경감된다.
따라서 제 1의 실시예에 의한 자기 검출 장치보다도, 더욱 자기 검출 정밀도의 편차가 작아진다.
제 3의 실시예
도 6은 본 발명의 제 3의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 단면도로서, 도 6의 (a)는 도 6의 (b)의 A-A'선에 있어서의 단면을, 도 6의 (b)는 도 6의 (a)의 B-B'선에 있어서의 단면을 도시하고 있다.
또한, 도 7은, 제 3의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 사시도로서, 도 7의 (a)는 자기 검출 장치의 외관을, 도 7의 (b)는 주요부(제 1의 조립체)의 내부 구성을 도시하고 있다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 의한 자기 검출 장치에서는, 자성체 가이드(2)의 배치는 생략되어 있다.
또한, 리드 프레임(예를 들면, 제 1의 리드 프레임(1a))은, 회전체(100)측의 일단이 자석(5)과 대향하는 위치까지 연장되고, 그 연장부에 자기 저항 소자(30a 내지 30d) 및 신호 처리 회로부(31)를 일체적으로 집적한 IC(3)가 실장(배치)되어 있다.
그리고, IC(3)가 실장되어 있는 리드 프레임(예를 들면, 제 1의 리드 프레임(1a))의 연장부는, 리드 프레임(1)(제 1의 리드 프레임(1a), 제 2의 리드 프레임(1b), 제 3의 리드 프레임(1c))과 직교하는 방향의 측단부가 약 90° 절곡되어 있다.
또한, 도면에 있어서, 1a-a는 IC(3)가 실장되어 있는 제 1의 리드 프레임(1a)의 연장부에 있어서의 절곡부이다.
제 1의 리드 프레임(1a)의 연장부의 양 측단에 절곡부(1a-a)를 형성함에 의해, 자성체 가이드(2)가 없어도, 자석(5)으로부터 발생하는 자력선이 효율적으로 자기 저항 소자(30a 내지 30d)를 통과하도록, 자력선의 방향을 교정할 수 있다.
즉, 본 실시예에서는, 자기 저항 소자(30a 내지 30d)와 신호 처리 회로부(31)가 일체적으로 집적된 IC(3)가 실장되는 리드 프레임(예를 들면, 제 1의 리드 프레임(1a))의 연장부의 양 측단부에 이와 같은 절곡부(1a-a)를 형성함에 의해, 리드 프레임의 연장부 그 자체에 자성체 가이드(2)의 기능을 갖게 하고 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 의한 자기 검출 장치의 리드 프레임(1)의 IC(3)가 실장되는 부분은 자성체 가이드의 기능을 갖고 있다.
따라서 본 실시예에 의하면, 자성체 가이드(2)는 불필요하게 되고, 부품 수가 삭감됨과 함께, 자성체 가이드(2)를 사이에 두는 일 없이, 자기 저항 소자와 신호 처리 회로부가 일체적으로 집적된 IC(3)가 직접 리드 프레임(1)에 실장되기 때문에, 자성체 가이드(2)의 두께의 편차는 관계 없이 되고, 자석(5)과 IC(3)의 사이의 거리의 편차(즉, 자석과 자기 저항 소자의 사이의 거리의 편차)는 경감되고, 자기 검출 정밀도의 편차가 작아진다.
제 4의 실시예
도 8은 본 발명의 제 4의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 단면도로서, 도 8의 (a)는 도 8의 (b)의 A-A'선에 있어서의 단면을, 도 8의 (b)는 도 8의 (a)의 B-B'선에 있어서의 단면을 도시하고 있다.
또한, 도 9는, 제 4의 실시예에 의한 자기 검출 장치의 구성을 도시한 사시도로서, 도 9의 (a)는 자기 검출 장치의 외관을, 도 9의 (b)는 주요부(제 1의 조립체)의 내부 구성을 도시하고 있다.
도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 의한 자기 검출 장치에서는, 자기 저항 소자(30a 내지 30d)와 신호 처리 회로부(31)가 일체적으로 집적된 IC(3)가 실장되는 리드 프레임(예를 들면, 제 1의 리드 프레임(1a))의 연장부는, 몰드 수지(4)를 개재시키는 일 없이 자석(5)과 직접 접촉시키기 때문에, 리드 프레임 본체에 대해 연장부는 단차를 갖고 형성되어 있다.
또한, 도면에 있어서, 1a-b는 리드 프레임(예를 들면, 제 1의 리드 프레임(1a))의 단차부이다.
또한, 제 3의 실시예의 경우와 마찬가지로, 리드 프레임의 IC(3)가 실장되는 부분인 연장부에는, 절곡부(1a-a)가 형성되어 있고, 연장부 그 자체에 자성체 가이드(2)의 기능을 갖게 하고 있다.
또한, 본 실시예에 의한 자기 검출 장치는, 리드 프레임의 IC(3)가 실장되는 부분이 자석(5)에 접촉하도록, 자석(5)에 대해 근접하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
따라서 반드시, 상술한 바와 같이 리드 프레임에 단차를 형성할 필요는 없다.
예를 들면, 제 3의 실시예에 의한 자기 검출 장치에 있어서, 몰드 수지(4)의 자석(5)과 대향하는 부분을 노치하고, 리드 프레임(1a)의 IC(3)를 실장하는 부분(즉, 리드 프레임(1a)의 연장부)이 자석(5)과 근접하고 접촉하도록, 제 2의 조립체(20)에 있어서의 자석(5)의 위치를 변경하여도 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 의한 자기 검출 장치는, 전술한 제 3의 실시예의 자기 검출 장치에 대해, 또한, 리드 프레임의 IC(3)가 실장되는 부분은 자석(5)에 접촉하도록 자석(5)에 대해 근접하여 배치되어 있다.
따라서 본 실시예에 의하면, 자성체 가이드(2)는 불필요하고, 부품 수가 삭감됨과 함께, 몰드 수지(4)를 사이에 두는 일 없이, 리드 프레임의 IC(3)가 실장되는 부분은 자석(5)에 접촉하도록 배치되기 때문에, 몰드 수지(4)의 두께의 편차는 관계없게 되고, 자석(5)과 IC(3)의 사이의 거리의 편차(즉, 자석과 자기 저항 소자의 사이의 거리의 편차)는 경감되고, 자기 검출 정밀도의 편차가 적어진다.
또한, IC(3) 내의 자기 저항 소자가 자석에 근접하여 배치되기 때문에, 자기 저항 소자에 대한 자석(5)의 자계 강도가 증가한다.
이 때문에, 같은 자계 강도를 얻는데 필요한 자석의 크기는, 작아도 되고, 장치의 소형화도 도모할 수 있다.
본 발명은 제조시의 조립이 용이함과 함께, 회전체의 자기 검출 정밀도 등의 특성상의 편차를 경감할 수 있는 자기 검출 장치의 실현에 유용하다.
본 발명에 의한 자기 검출 장치는, 자기 저항 소자와 신호 처리 회로부를 일체적으로 집적한 IC, 일단에 IC가 실장됨과 함께, 타단이 신호 처리 회로부의 출력 신호를 외부로 출력하기 위한 외부 출력 단자에 접속되는 리드 프레임 및 자성체 가이드는 제 1의 조립체로서 미리 일체적으로 조립되어 있고, 자기 저항 소자에 바이어스 자계를 인가하는 자석 및 외부 출력 단자는 제 2의 조립체로서 미리 일체적으로 조립되어 있기 때문에, 제조시의 조립이 용이함과 함께, 검출 정밀도 등의 특 성상의 편차를 경감할 수 있다.

Claims (4)

  1. 다극 착자된 회전체의 회전에 수반하는 자계의 변화에 대응하여 저항치가 변화하는 자기 저항 소자와,
    상기 자기 저항 소자와, 해당 자기 저항 소자의 저항치의 변화에 의거하여 상기 회전체의 다극 착자에 대응한 신호를 출력하는 신호 처리 회로부를 일체적으로 집적한 IC와,
    상기 회전체측의 일단에 상기 IC가 실장됨과 함께, 타단에 상기 신호 처리 회로부의 출력 신호를 외부로 출력하기 위한 외부 출력 단자가 접속되는 리드 프레임과,
    상기 자기 저항 소자에 바이어스 자계를 인가하는 자석과,
    상기 자석으로부터 발생하는 자력선의 방향을 교정하는 자성체 가이드를 구비한 자기 검출 장치로서,
    상기 IC, 상기 리드 프레임 및 상기 자성체 가이드는 제 1의 조립체로서 미리 일체적으로 조립되어 있고, 상기 자석 및 상기 외부 출력 단자는 제 2의 조립체로서 미리 일체적으로 조립되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 검출 장치.
  2. 다극 착자된 회전체의 회전에 수반하는 자계의 변화에 대응하여 저항치가 변화하는 자기 저항 소자와,
    상기 자기 저항 소자와, 해당 자기 저항 소자의 저항치의 변화에 의거하여 상기 회전체의 다극 착자에 대응한 신호를 출력하는 신호 처리 회로부를 일체적으로 집적한 IC와,
    상기 신호 처리 회로부의 출력 신호를 외부로 출력하기 위한 외부 출력 단자에 접속되는 리드 프레임과,
    상기 자기 저항 소자에 바이어스 자계를 인가하는 자석과,
    상기 IC를 재치함과 함께, 상기 자석으로부터 발생하는 자력선의 방향을 교정하는 자성체 가이드를 구비한 자기 검출 장치로서,
    상기 IC, 상기 리드 프레임 및 상기 자성체 가이드는 제 1의 조립체로서 미리 일체적으로 조립되어 있고, 상기 자석 및 상기 외부 출력 단자는 제 2의 조립체로서 미리 일체적으로 조립되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 검출 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 리드 프레임의 상기 IC가 실장되는 부분은 자성체 가이드의 기능을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 자기 검출 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 리드 프레임의 상기 IC가 실장되는 부분은 상기 자석에 접촉하도록 상기 자석에 근접하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 검출 장치.
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