JP4852693B2 - 高臨界電流密度を有する超伝導酸化物薄膜の作製方法 - Google Patents
高臨界電流密度を有する超伝導酸化物薄膜の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4852693B2 JP4852693B2 JP2003035361A JP2003035361A JP4852693B2 JP 4852693 B2 JP4852693 B2 JP 4852693B2 JP 2003035361 A JP2003035361 A JP 2003035361A JP 2003035361 A JP2003035361 A JP 2003035361A JP 4852693 B2 JP4852693 B2 JP 4852693B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- buffer layer
- superconducting
- current density
- critical current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大面積超伝導膜、表面コート超伝導テープ線材などの大面積・長尺でかつ、高い臨界電流を有する高温酸化物超伝導体の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
大面積超伝導薄膜、表面コート超伝導テープ線材などの大面積・長尺の高温酸化物超伝導薄膜は、限流器、超伝導送電ケーブル、超伝導マグネットなど、さまざまな電力機器や産業機器への応用が期待されている。このような応用においては、できるだけ大きな電流を抵抗ゼロで流すことが求められ、そのためには、臨界電流密度（単位断面積当りに抵抗ゼロで流すことのできる電流値）が高い、高性能の高温超伝導酸化物薄膜の作製が必須である。しかし、例えば、代表的な酸化物超伝導体である YBa2Cu3O7 (YBCO) の薄膜の場合には、サファイア（単結晶アルミナ）基板やニッケル基合金基材（テープ）などのような実用基材を用いるとき、基材と超伝導体との格子整合が悪く、かつ、基材と超伝導体とが反応するため、超伝導薄膜の直接成膜は困難で、基材と超伝導薄膜との間に格子整合と拡散防止のためのバッファ層を作製する必要がある（図１）。これまで、このようなバッファ層は、パルスレーザー蒸着法やスパッタリング法・電子ビーム蒸着法などの物理蒸着法で作製されてきた。
上記のようなパワー応用とは別に、携帯電話の基地局で使われるマイクロ波フィルターへも、大面積超伝導薄膜が応用されている。高周波デバイスに用いる超伝導薄膜では、高周波表面抵抗の値が低いことが求められ、そのためには、超伝導薄膜の表面が平滑であるほうが望ましいことが知られている。このため、超伝導薄膜を作製するためのバッファ層も、できるだけ平滑な膜が望ましいと考えられ、代表的なバッファ層である CeO2 膜について、成膜条件の探索研究が行われている。（非特許文献１ 参照。）また、成膜後に、成膜温度よりもさらに高温度の熱処理を施すことによって CeO2 バッファ層が平滑化され、その上に成膜した YBCO 薄膜も表面が平滑化されるとともに高周波表面抵抗の値が低減することが報告されている。（非特許文献２参照。）しかし、この熱処理が (RE) Ba2Cu3O7 (RE = Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb) 薄膜（以下 (RE)BCO 薄膜と略称）の臨界電流密度に及ぼす効果については、これまで知られていない。
【非特許文献１】
D. K. Develos, M. Kusunoki, M. Mukaida and S. Oshima, "Effect of deposition rate on surface morphology of CeO2 deposited by pulsed laser deposition", Physica C, 320, 21-30 (1999).
【非特許文献２】
J. H. Lee, W. I. Yang, H. J. Kwon, V. A. Komashko and Sang Young Lee, "Significant improvements in the surface smoothness of YBa2Cu3O7 films on high-temperature annealed CeO2-buffered r-cut sapphire", Supercond. Sci. Technol., 13, 989 (2000).
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
臨界電流密度の高い高温酸化物超伝導薄膜を作製するためには、マイクロクラック等がなく、かつ、粒界弱結合ができないように超伝導体を配向させる必要がある。
さらに、超伝導体の結晶性を向上させるだけでなく、量子化磁束のピン止めに有効な適当な欠陥（磁束ピン止め中心）を導入しなければならないが、高温酸化物超伝導薄膜でどの様な欠陥が有効な磁束ピン止め中心として働いているかは、多くの場合不明である。
YBCO 薄膜の場合、SrTiO3 (100) 単結晶基板が高い臨界電流密度を得るための最適基板の１つとして知られているが、この場合でも、磁束ピン止め中心の実態は不明である。このため、臨界電流密度の高い高温酸化物超伝導膜を作製するための条件は、経験的にしか明らかになっていない。
特に、実用基材に格子整合と拡散防止のためのバッファ層を用いる場合、臨界電流密度の高い膜を得るための条件は、未だ手探りの状態であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
発明者は、バッファ層の成膜温度よりもさらに高温度における後熱処理を施すことによってバッファ層が原子レベルで平坦化されるとともにナノメーターオーダーの表面粒子が形成され、その上に高温酸化物超伝導膜を作製すると高い臨界電流密度が得られることを発見した。
特に、高性能の超伝導酸化物が、(RE)BCO 薄膜であり、基材の上に格子整合と拡散防止のためのバッファ層（CeO2 、ＹＳＺなど）を作製し、その上に (RE)BCO 薄膜を作製する方法において、基材の上にバッファ層を成膜した後で、その成膜温度よりも高温度（900-1200℃）における後熱処理を施すことを特徴として、高い臨界電流密度を有する (RE)BCO 薄膜を作製する方法を見出した。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明の高い臨界電流密度を有する (RE)BCO 薄膜を作製する方法では、サファイア基板やニッケル基合金基材などの上に、格子整合と拡散防止のためのバッファ層を、従来の技術（パルスレーザー蒸着法やスパッタリング法・電子ビーム蒸着法などの物理蒸着法）で作製する。
また、本発明の高い臨界電流密度を有する (RE)BCO 薄膜を作製する方法では、従来の技術で作製した、基材・バッファ層複合体をバッファ層成膜時の温度よりもさらに高い、適当な温度で後熱処理する。
この後熱処理によって、バッファ層が原子レベルで平坦化されるとともに直径が10−20ナノメーターの表面粒子が形成される。この効果により、その上に高温酸化物超伝導膜を作製すると、後熱処理を行わない場合よりも高い臨界電流密度を得ることができる。
【０００６】
本発明で用いる高性能の超伝導酸化物薄膜は、超伝導酸化物であれば、何でも良いが、代表的には(RE) Ba2Cu3O7 (RE = Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb)を挙げることができる。
また、格子整合と拡散防止のためのバッファ層は、CeO2 、Y2O3 、ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）など（あるいはその組合せ）が適している。
さらに、基材としては、サファイヤ、ニッケル金属、ニッケル基合金（ハステロイ、インコネル等）、ステンレス系合金などがある。
また、基材・バッファ層複合体の後熱処理は、通常バッファ層成膜時の温度よりも高い８００〜１３００℃とくに、９００〜１２００℃で行うと良い。後熱処理温度の処理時間は、０．５〜３時間程度が望ましい。とくに、１〜１．５時間で行うと良い。
【０００７】
本発明について実施例を用いてさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
（基材・バッファ層の形成）
図２は、Ｒ面サファイア単結晶基板の上にパルスレーザー蒸着法で作製した、CeO2 バッファ層の原子間力顕微鏡像と、図の直線上の凹凸のプロファイルを示す。図２から、表面は平坦でなく、約 10 nm の凹凸があることがわかった。
（基材・バッファ層の後熱処理）
この CeO2 バッファ層を酸素気流中で 1000℃、１時間熱処理を行ったところ、図３に示すような、原子レベルで平坦な表面を得ることができた。この場合の表面の凹凸は、１nm 以下にまで減少した。また、直径が10−20ナノメーターの表面粒子が形成された。
（基材・バッファ層・超伝導膜複合体の形成）
このCeO2 バッファ層の上に、超伝導体である YBa2Cu3O7 (YBCO) の薄膜をパルスレーザー蒸着法により成膜した。成膜条件は、基板温度 730℃、酸素300 mTorr、レーザー強度は約４J/cm2、繰返し周波数５Hz であった。
【０００８】
（基材・バッファ層・超伝導膜複合体の比較例１）
実施例１と同じ基材・バッファ層を作製し、バッファ層を後熱処理しないでその上に、超伝導体である YBa2Cu3O7 (YBCO) の薄膜をパルスレーザー蒸着法により実施例１と同一条件で成膜した。
【０００９】
（実施例１及び比較例１の臨界電流密度テスト）
実施例１で作製した基材・バッファ層・超伝導膜複合体及び比較例１の基材・バッファ層・超伝導膜複合体について、幅40μｍ、長さ２ｍｍのブリッジを形成し、極低温容器中で測定温度を変化させながら、パルス電流を用いた通電法によって臨界電流密度を測定した。
図４に示すように、後熱処理の効果によって、実施例１のものは比較例１に比して、臨界電流密度が２〜10倍に向上した。この臨界電流密度は、SrTiO3 単結晶基板上に同様な条件で作製した YBCO 膜の臨界電流密度と同等か、それ以上であった。
【００１０】
【本発明の効果】
本願発明によって、高性能 (RE)BCO 薄膜の作製に必要なバッファ層を原子レベルで平坦化するとともに、直径が10−20ナノメーターの表面粒子を形成させることに成功した。これにより、従来知られていた最適基板と同等かそれ以上の臨界電流密度を有する (RE)BCO 薄膜を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 基材、バッファ層、超伝導膜の関係を示す模式図。
【図２】 Ｒ面サファイア単結晶基板の上に作製した、CeO2 バッファ層の原子間力顕微鏡像と、表面の凹凸のプロファイル。
【図３】 第２図の CeO2 バッファ層を、成膜時よりもさらに高温度において後熱処理することによって得られた、原子レベルで平坦なバッファ層の原子間力顕微鏡像と、表面の凹凸のプロファイル。
【図４】 （黒丸）後熱処理なしのバッファ層の上に成膜した YBCO 薄膜の臨界電流密度の温度依存性。（白丸）後熱処理によって原子レベルで平坦化されたバッファ層の上に成膜した YBCO 薄膜の臨界電流密度の温度依存特性図。
【発明の属する技術分野】
本発明は、大面積超伝導膜、表面コート超伝導テープ線材などの大面積・長尺でかつ、高い臨界電流を有する高温酸化物超伝導体の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
大面積超伝導薄膜、表面コート超伝導テープ線材などの大面積・長尺の高温酸化物超伝導薄膜は、限流器、超伝導送電ケーブル、超伝導マグネットなど、さまざまな電力機器や産業機器への応用が期待されている。このような応用においては、できるだけ大きな電流を抵抗ゼロで流すことが求められ、そのためには、臨界電流密度（単位断面積当りに抵抗ゼロで流すことのできる電流値）が高い、高性能の高温超伝導酸化物薄膜の作製が必須である。しかし、例えば、代表的な酸化物超伝導体である YBa2Cu3O7 (YBCO) の薄膜の場合には、サファイア（単結晶アルミナ）基板やニッケル基合金基材（テープ）などのような実用基材を用いるとき、基材と超伝導体との格子整合が悪く、かつ、基材と超伝導体とが反応するため、超伝導薄膜の直接成膜は困難で、基材と超伝導薄膜との間に格子整合と拡散防止のためのバッファ層を作製する必要がある（図１）。これまで、このようなバッファ層は、パルスレーザー蒸着法やスパッタリング法・電子ビーム蒸着法などの物理蒸着法で作製されてきた。
上記のようなパワー応用とは別に、携帯電話の基地局で使われるマイクロ波フィルターへも、大面積超伝導薄膜が応用されている。高周波デバイスに用いる超伝導薄膜では、高周波表面抵抗の値が低いことが求められ、そのためには、超伝導薄膜の表面が平滑であるほうが望ましいことが知られている。このため、超伝導薄膜を作製するためのバッファ層も、できるだけ平滑な膜が望ましいと考えられ、代表的なバッファ層である CeO2 膜について、成膜条件の探索研究が行われている。（非特許文献１ 参照。）また、成膜後に、成膜温度よりもさらに高温度の熱処理を施すことによって CeO2 バッファ層が平滑化され、その上に成膜した YBCO 薄膜も表面が平滑化されるとともに高周波表面抵抗の値が低減することが報告されている。（非特許文献２参照。）しかし、この熱処理が (RE) Ba2Cu3O7 (RE = Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb) 薄膜（以下 (RE)BCO 薄膜と略称）の臨界電流密度に及ぼす効果については、これまで知られていない。
【非特許文献１】
D. K. Develos, M. Kusunoki, M. Mukaida and S. Oshima, "Effect of deposition rate on surface morphology of CeO2 deposited by pulsed laser deposition", Physica C, 320, 21-30 (1999).
【非特許文献２】
J. H. Lee, W. I. Yang, H. J. Kwon, V. A. Komashko and Sang Young Lee, "Significant improvements in the surface smoothness of YBa2Cu3O7 films on high-temperature annealed CeO2-buffered r-cut sapphire", Supercond. Sci. Technol., 13, 989 (2000).
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
臨界電流密度の高い高温酸化物超伝導薄膜を作製するためには、マイクロクラック等がなく、かつ、粒界弱結合ができないように超伝導体を配向させる必要がある。
さらに、超伝導体の結晶性を向上させるだけでなく、量子化磁束のピン止めに有効な適当な欠陥（磁束ピン止め中心）を導入しなければならないが、高温酸化物超伝導薄膜でどの様な欠陥が有効な磁束ピン止め中心として働いているかは、多くの場合不明である。
YBCO 薄膜の場合、SrTiO3 (100) 単結晶基板が高い臨界電流密度を得るための最適基板の１つとして知られているが、この場合でも、磁束ピン止め中心の実態は不明である。このため、臨界電流密度の高い高温酸化物超伝導膜を作製するための条件は、経験的にしか明らかになっていない。
特に、実用基材に格子整合と拡散防止のためのバッファ層を用いる場合、臨界電流密度の高い膜を得るための条件は、未だ手探りの状態であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
発明者は、バッファ層の成膜温度よりもさらに高温度における後熱処理を施すことによってバッファ層が原子レベルで平坦化されるとともにナノメーターオーダーの表面粒子が形成され、その上に高温酸化物超伝導膜を作製すると高い臨界電流密度が得られることを発見した。
特に、高性能の超伝導酸化物が、(RE)BCO 薄膜であり、基材の上に格子整合と拡散防止のためのバッファ層（CeO2 、ＹＳＺなど）を作製し、その上に (RE)BCO 薄膜を作製する方法において、基材の上にバッファ層を成膜した後で、その成膜温度よりも高温度（900-1200℃）における後熱処理を施すことを特徴として、高い臨界電流密度を有する (RE)BCO 薄膜を作製する方法を見出した。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明の高い臨界電流密度を有する (RE)BCO 薄膜を作製する方法では、サファイア基板やニッケル基合金基材などの上に、格子整合と拡散防止のためのバッファ層を、従来の技術（パルスレーザー蒸着法やスパッタリング法・電子ビーム蒸着法などの物理蒸着法）で作製する。
また、本発明の高い臨界電流密度を有する (RE)BCO 薄膜を作製する方法では、従来の技術で作製した、基材・バッファ層複合体をバッファ層成膜時の温度よりもさらに高い、適当な温度で後熱処理する。
この後熱処理によって、バッファ層が原子レベルで平坦化されるとともに直径が10−20ナノメーターの表面粒子が形成される。この効果により、その上に高温酸化物超伝導膜を作製すると、後熱処理を行わない場合よりも高い臨界電流密度を得ることができる。
【０００６】
本発明で用いる高性能の超伝導酸化物薄膜は、超伝導酸化物であれば、何でも良いが、代表的には(RE) Ba2Cu3O7 (RE = Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb)を挙げることができる。
また、格子整合と拡散防止のためのバッファ層は、CeO2 、Y2O3 、ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）など（あるいはその組合せ）が適している。
さらに、基材としては、サファイヤ、ニッケル金属、ニッケル基合金（ハステロイ、インコネル等）、ステンレス系合金などがある。
また、基材・バッファ層複合体の後熱処理は、通常バッファ層成膜時の温度よりも高い８００〜１３００℃とくに、９００〜１２００℃で行うと良い。後熱処理温度の処理時間は、０．５〜３時間程度が望ましい。とくに、１〜１．５時間で行うと良い。
【０００７】
本発明について実施例を用いてさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
（基材・バッファ層の形成）
図２は、Ｒ面サファイア単結晶基板の上にパルスレーザー蒸着法で作製した、CeO2 バッファ層の原子間力顕微鏡像と、図の直線上の凹凸のプロファイルを示す。図２から、表面は平坦でなく、約 10 nm の凹凸があることがわかった。
（基材・バッファ層の後熱処理）
この CeO2 バッファ層を酸素気流中で 1000℃、１時間熱処理を行ったところ、図３に示すような、原子レベルで平坦な表面を得ることができた。この場合の表面の凹凸は、１nm 以下にまで減少した。また、直径が10−20ナノメーターの表面粒子が形成された。
（基材・バッファ層・超伝導膜複合体の形成）
このCeO2 バッファ層の上に、超伝導体である YBa2Cu3O7 (YBCO) の薄膜をパルスレーザー蒸着法により成膜した。成膜条件は、基板温度 730℃、酸素300 mTorr、レーザー強度は約４J/cm2、繰返し周波数５Hz であった。
【０００８】
（基材・バッファ層・超伝導膜複合体の比較例１）
実施例１と同じ基材・バッファ層を作製し、バッファ層を後熱処理しないでその上に、超伝導体である YBa2Cu3O7 (YBCO) の薄膜をパルスレーザー蒸着法により実施例１と同一条件で成膜した。
【０００９】
（実施例１及び比較例１の臨界電流密度テスト）
実施例１で作製した基材・バッファ層・超伝導膜複合体及び比較例１の基材・バッファ層・超伝導膜複合体について、幅40μｍ、長さ２ｍｍのブリッジを形成し、極低温容器中で測定温度を変化させながら、パルス電流を用いた通電法によって臨界電流密度を測定した。
図４に示すように、後熱処理の効果によって、実施例１のものは比較例１に比して、臨界電流密度が２〜10倍に向上した。この臨界電流密度は、SrTiO3 単結晶基板上に同様な条件で作製した YBCO 膜の臨界電流密度と同等か、それ以上であった。
【００１０】
【本発明の効果】
本願発明によって、高性能 (RE)BCO 薄膜の作製に必要なバッファ層を原子レベルで平坦化するとともに、直径が10−20ナノメーターの表面粒子を形成させることに成功した。これにより、従来知られていた最適基板と同等かそれ以上の臨界電流密度を有する (RE)BCO 薄膜を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 基材、バッファ層、超伝導膜の関係を示す模式図。
【図２】 Ｒ面サファイア単結晶基板の上に作製した、CeO2 バッファ層の原子間力顕微鏡像と、表面の凹凸のプロファイル。
【図３】 第２図の CeO2 バッファ層を、成膜時よりもさらに高温度において後熱処理することによって得られた、原子レベルで平坦なバッファ層の原子間力顕微鏡像と、表面の凹凸のプロファイル。
【図４】 （黒丸）後熱処理なしのバッファ層の上に成膜した YBCO 薄膜の臨界電流密度の温度依存性。（白丸）後熱処理によって原子レベルで平坦化されたバッファ層の上に成膜した YBCO 薄膜の臨界電流密度の温度依存特性図。
Claims (3)
- 超伝導酸化物薄膜を作製するために、基材の上に格子整合と拡散防止のためのバッファ層を作製し、その上に超伝導酸化物薄膜を作製する方法において、基材の上にCeO2から成り表面が約１０nmの凹凸に形成されたバッファ層をパルスレーザー蒸着法で成膜した後、その成膜温度よりも高温度における後熱処理を施すことにより、原子レベルで平坦化されたCeO 2 表面とし、その上に超伝導酸化物である(RE)Ba 2 Cu 3 O 7 (RE=Y)の薄膜を作製することを特徴とする臨界電流密度が高められた超伝導酸化物薄膜を作製する方法。
- 基材の上にバッファ層を成膜した後で、その成膜温度よりも高温度である900-1200℃で後熱処理を施すことを特徴とする請求項１に記載された超伝導酸化物薄膜を作製する方法。
- 請求項１または請求項２の方法により作製され、基材がサファイアである超伝導酸化物薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003035361A JP4852693B2 (ja) | 2003-02-13 | 2003-02-13 | 高臨界電流密度を有する超伝導酸化物薄膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003035361A JP4852693B2 (ja) | 2003-02-13 | 2003-02-13 | 高臨界電流密度を有する超伝導酸化物薄膜の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004244263A JP2004244263A (ja) | 2004-09-02 |
| JP4852693B2 true JP4852693B2 (ja) | 2012-01-11 |
Family
ID=33020804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003035361A Expired - Lifetime JP4852693B2 (ja) | 2003-02-13 | 2003-02-13 | 高臨界電流密度を有する超伝導酸化物薄膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4852693B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007109717A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-04-26 | Sharp Corp | 超電導素子および超電導素子の製造方法 |
| KR100801639B1 (ko) | 2006-09-20 | 2008-02-05 | 한국전기연구원 | 고융점금속과 금속산화물을 이용한 확산방지막 및 그확산방지막을 포함하는 고온 초전도 선재 |
| JP5100276B2 (ja) * | 2007-09-20 | 2012-12-19 | 株式会社東芝 | 超伝導部材 |
| JP2013006759A (ja) * | 2011-05-23 | 2013-01-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 酸化物超電導薄膜 |
| JP6090794B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2017-03-08 | 古河電気工業株式会社 | 酸化物超電導薄膜および超電導限流器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0597590A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-20 | Sumitomo Cement Co Ltd | 酸化物高温超伝導薄膜の製造方法及びそれによる光学素子 |
-
2003
- 2003-02-13 JP JP2003035361A patent/JP4852693B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004244263A (ja) | 2004-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3587956B2 (ja) | 酸化物超電導線材およびその製造方法 | |
| JP4041672B2 (ja) | 接合高温超伝導性被覆テープ | |
| US6730410B1 (en) | Surface control alloy substrates and methods of manufacture therefor | |
| JP5806302B2 (ja) | 交流損失を低減したマルチフィラメント超伝導体とその形成方法 | |
| RU2384907C1 (ru) | Сверхпроводящий тонкопленочный материал и способ его изготовления | |
| JP5513154B2 (ja) | 酸化物超電導線材及び酸化物超電導線材の製造方法 | |
| WO2006082747A1 (ja) | 超電導薄膜材料、超電導線材およびこれらの製造方法 | |
| JP5799081B2 (ja) | 単層コーティングによる酸化物厚膜 | |
| KR20080041665A (ko) | 와이비씨오 코팅에 있어 고 임계전류밀도를 갖는 구조 | |
| JP4398582B2 (ja) | 酸化物超電導線材およびその製造方法 | |
| WO2007040567A2 (en) | Method for improving performance of high temerature superconductors within a magnetic field | |
| WO2013002372A1 (ja) | Ｒｅ１２３系超電導線材およびその製造方法 | |
| JP4852693B2 (ja) | 高臨界電流密度を有する超伝導酸化物薄膜の作製方法 | |
| JP4891505B2 (ja) | 多層体を作製するための方法及び組成物 | |
| JP4694965B2 (ja) | 酸化物超電導線材用金属基板の製造方法及び酸化物超電導線材の製造方法 | |
| JP5686437B2 (ja) | 酸化物超電導薄膜線材およびその製造方法 | |
| US7884050B2 (en) | Band-shaped high-temperature superconductor (HTSL) and method of producing | |
| JP5881107B2 (ja) | 高温超電導酸化物薄膜にナノスケールの結晶欠陥を導入する方法 | |
| JP5415824B2 (ja) | 被覆された導体のための、形状を変化させた基板の製造方法及び上記基板を使用する被覆された導体 | |
| JP2012022882A (ja) | 酸化物超電導導体用基材及びその製造方法と酸化物超電導導体及びその製造方法 | |
| JP2010123433A (ja) | Ｒｅ１２３超電導薄膜線材の製造方法およびｒｅ１２３超電導薄膜線材 | |
| Haugan et al. | Addition of alternate phase nanoparticle dispersions to enhance flux pinning of Y-Ba-Cu-O thin films | |
| WO2013153651A1 (ja) | 酸化物超電導薄膜線材とその製造方法 | |
| WO2002093590A1 (fr) | Supraconducteur oxyde sous forme de ruban et son mode de fabrication | |
| JP6359328B2 (ja) | Ｒｅ１２３結晶膜作成方法。 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041124 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070402 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080324 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080715 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080911 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081028 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20081226 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110421 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110721 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4852693 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |