JP4851579B2 - Sheet adhesive and wafer processing tape - Google Patents

Sheet adhesive and wafer processing tape Download PDF

Info

Publication number
JP4851579B2
JP4851579B2 JP2009263578A JP2009263578A JP4851579B2 JP 4851579 B2 JP4851579 B2 JP 4851579B2 JP 2009263578 A JP2009263578 A JP 2009263578A JP 2009263578 A JP2009263578 A JP 2009263578A JP 4851579 B2 JP4851579 B2 JP 4851579B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
sheet
evaluation
wafer processing
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009263578A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011105875A (en
Inventor
邦彦 石黒
泰正 盛島
伸一 石渡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Original Assignee
THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD. filed Critical THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority to JP2009263578A priority Critical patent/JP4851579B2/en
Priority to CN2010102834885A priority patent/CN102070991A/en
Priority to KR1020100101708A priority patent/KR20110055386A/en
Priority to TW099139359A priority patent/TW201120177A/en
Publication of JP2011105875A publication Critical patent/JP2011105875A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4851579B2 publication Critical patent/JP4851579B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22Plastics; Metallised plastics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35Heat-activated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/304Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being heat-activatable, i.e. not tacky at temperatures inferior to 30°C
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Abstract

The invention provides a lamelliform adhesive which has excellent cohesive force between a semiconductor chip and a lead frame or a packaging substrate and can capture ionic impurities within the adhesive layer, an adhesive tape for wafer processing manufactured by the lamelliform adhesive, and a semiconductor device manufactured by the lamelliform adhesive. The lamelliform adhesive 12 contains a chelate-modified cured resin which is modified by a chelating agent and is used as an adhesive layer composition; the mixing ratio of the chelate-modified epoxy resin relative to the cured resin component is below 10 wt%; and the component amount of a high molecular weight compound with a weight average molecular weight of above 100 thousand is 40-100 parts by weight relative to the component amount of the cured resin of 100 parts by weight.

Description

本発明は、シート状接着剤及びウエハ加工用テープに関する。   The present invention relates to a sheet-like adhesive and a wafer processing tape.

半導体装置の製造工程では、半導体ウエハを半導体チップ単位に切断分離(ダイシング)する工程、分離された半導体チップをピックアップする工程、さらにピックアップされた半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するダイボンディング(マウント)工程が実施される。   In the manufacturing process of a semiconductor device, a semiconductor wafer is cut and separated (diced) into semiconductor chips, a separated semiconductor chip is picked up, and the bonded semiconductor chip is bonded to a lead frame or a package substrate. A (mount) process is performed.

近年、上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、例えば、基材フィルム上に粘着剤層が設けられたウエハ加工用テープや、粘着剤層の上にさらに接着剤層が積層された構造を有するウエハ加工用テープ(ダイシングダイボンドフィルム:DDF)が提案され、既に実用化されている。   In recent years, as a wafer processing tape used in the manufacturing process of the semiconductor device, for example, a wafer processing tape in which an adhesive layer is provided on a base film, or an adhesive layer is further laminated on the adhesive layer A wafer processing tape (dicing die bond film: DDF) having the above structure has been proposed and already put into practical use.

ここで、FOW(Film on Wire)系半導体装置のように、接着剤層が半導体チップの導通用ワイヤに触れるような場合においては、接着剤層の内部にあるイオン性不純物によって導通用ワイヤが腐食され、回線がショートしてしまうことがあった。このような問題を解決するために、接着剤層の内部のイオン性不純物の量を軽減する方法や、イオン捕集剤を添加する方法(特許文献1を参照)が提案されている。   Here, when the adhesive layer touches the conductive wire of the semiconductor chip as in a FOW (Film on Wire) type semiconductor device, the conductive wire is corroded by ionic impurities inside the adhesive layer. There was a case where the line was short-circuited. In order to solve such a problem, a method of reducing the amount of ionic impurities inside the adhesive layer and a method of adding an ion scavenger (see Patent Document 1) have been proposed.

特開2007−63549号公報JP 2007-63549 A

しかしながら、上述した接着剤層の内部のイオン性不純物の量を軽減する方法では、イオン性不純物を減量するのにコストが大幅にかかってしまうという問題があった。また、特許文献1に記載の接着剤層では、無機系イオン捕集剤を添加することで金属腐食を抑制しているが、この方法では接着剤層の接着力が低下してしまうために接着力向上剤の使用が必要になり、製造コストが増加してしまうという問題があった。また、無機系イオン捕集剤自身が導通用ワイヤに物理的ダメージを与えてしまう問題、即ち、接着剤層に導通用ワイヤが埋め込まれた時に無機系イオン捕集剤と導通用ワイヤとが接触し、導通用ワイヤを変形させてしまうという問題があった。   However, the above-described method for reducing the amount of ionic impurities in the adhesive layer has a problem in that the cost for reducing the amount of ionic impurities is significantly increased. In addition, in the adhesive layer described in Patent Document 1, metal corrosion is suppressed by adding an inorganic ion scavenger. However, in this method, the adhesive force of the adhesive layer is reduced, so that the adhesive layer is bonded. There is a problem in that the use of a force improver is required, resulting in an increase in manufacturing cost. In addition, the inorganic ion collector itself causes physical damage to the conductive wire, that is, when the conductive wire is embedded in the adhesive layer, the inorganic ion collector and the conductive wire come into contact with each other. However, there is a problem that the conductive wire is deformed.

そこで、本発明は、以上のような問題点を解決するためになされたもので、半導体チップとリードフレームやパッケージ基板等との間の接着力に優れ、かつ、接着剤層の内部のイオン性不純物を捕集することが可能なシート状接着剤、及び、該シート状接着剤を用いて作製したウエハ加工用テープ、並びに、該シート状接着剤を用いて作製された半導体装置を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made to solve the above-described problems, and is excellent in adhesive force between a semiconductor chip and a lead frame, a package substrate, etc., and has an ionic property inside the adhesive layer. To provide a sheet-like adhesive capable of collecting impurities, a wafer processing tape produced using the sheet-like adhesive, and a semiconductor device produced using the sheet-like adhesive With the goal.

本発明者らは、上記の課題に対して鋭意検討した結果、キレート変性エポキシ樹脂をシート状接着剤組成物として含むことにより、シート状接着剤の内部のイオン性不純物を捕集することが可能なシート状接着剤を作製できることを見出した。また、該シート状接着剤を用いることにより、接着剤層の内部のイオン性不純物を捕集することが可能なウエハ加工用テープを作製できることを見出した。また、該シート状接着剤を用いることにより、導通性に優れ、かつ、イオン性不純物による金属腐食を抑制した耐湿性及び高温放置特性に優れたFOW系半導体装置を作製できることを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors can collect ionic impurities inside the sheet adhesive by including a chelate-modified epoxy resin as the sheet adhesive composition. It was found that a sheet-like adhesive can be produced. Moreover, it discovered that the tape for wafer processing which can collect the ionic impurity inside an adhesive bond layer was producible by using this sheet-like adhesive agent. Further, it has been found that by using the sheet-like adhesive, a FOW semiconductor device having excellent conductivity and suppressing metal corrosion due to ionic impurities and excellent in moisture resistance and high-temperature storage characteristics can be produced. completed.

即ち、本発明の第1の態様に係るウエハ加工用あるいはダイボンディング工程用のシート状接着剤は、無機系イオン捕集材を含まず、硬化樹脂成分として、熱や高エネルギー線で硬化する硬化樹脂とエポキシを硬化させるエポキシ硬化剤とを含み、前記硬化樹脂の一部又は全部はキレート変性エポキシ樹脂であり、前記硬化樹脂成分中に前記キレート変性エポキシ樹脂が10質量%以上含み、前記硬化樹脂成分量100質量部に対して、重量平均分子量が10万以上である高分子量化合物成分量を40〜100質量部含むことを特徴とする。 That is, the sheet-like adhesive for wafer processing or die bonding process according to the first aspect of the present invention does not include an inorganic ion trapping material , and is cured by heat or high energy rays as a cured resin component. A part of or all of the cured resin is a chelate-modified epoxy resin, and the cured resin component contains 10% by mass or more of the chelate-modified epoxy resin, and the cured resin. 40-100 mass parts of high molecular weight compound component amounts whose weight average molecular weight is 100,000 or more are included with respect to 100 mass parts of component amounts.

本発明の第2の態様に係るウエハ加工用あるいはダイボンディング工程用のシート状接着剤は、上記の本発明の第1の態様に係るウエハ加工用あるいはダイボンディング工程用のシート状接着剤において、前記高分子量化合物成分が、アクリル樹脂共重合体であることを特徴とする。 The sheet-like adhesive for wafer processing or die bonding process according to the second aspect of the present invention is the above-mentioned sheet-like adhesive for wafer processing or die bonding process according to the first aspect of the present invention, The high molecular weight compound component is an acrylic resin copolymer.

本発明の第3の態様に係るウエハ加工用あるいはダイボンディング工程用のシート状接着剤は、上記の本発明の第1または第2の態様に係るウエハ加工用あるいはダイボンディング工程用のシート状接着剤において、前記シート状接着剤の全量に対して、無機充填剤を40〜70質量%の割合で含むことを特徴とする。 The third wafer processing or sheet-like adhesive for die bonding process in accordance with aspects of the present invention, the sheet-like adhesive for the first or for wafer processing or die bonding process according to the second aspect of the invention described above In the agent, the inorganic filler is contained in a proportion of 40 to 70% by mass with respect to the total amount of the sheet-like adhesive.

本発明の第1の態様に係るウエハ加工用テープは、基材フィルムの上に粘着剤層が積層された粘着フィルムを有し、上記の本発明の第1乃至3のいずれか1つの態様に係るウエハ加工用あるいはダイボンディング工程用のシート状接着剤が、前記粘着フィルムの前記粘着剤層に積層されていることを特徴とする。 The tape for wafer processing which concerns on the 1st aspect of this invention has an adhesive film by which the adhesive layer was laminated | stacked on the base film, and is in any one aspect of said 1st thru | or 3 of this invention. The sheet-like adhesive for wafer processing or die bonding process is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film.

本発明の第1の態様に係る半導体装置は、上記の本発明の第1乃至3のいずれか1つの態様に係るウエハ加工用あるいはダイボンディング工程用のシート状接着剤を用いて作製されることを特徴とする。 The semiconductor device according to the first aspect of the present invention is manufactured using the sheet-like adhesive for wafer processing or die bonding process according to any one of the first to third aspects of the present invention. It is characterized by.

本発明によって、シート状接着剤の内部のイオン性不純物を捕集することが可能なシート状接着剤を作製できる。また、該シート状接着剤を用いることにより、シート状接着剤の内部のイオン性不純物を捕集することが可能なウエハ加工用テープを作製できる。また、イオン性不純物を減量する方法や、イオン捕集剤を添加する方法によって作製するシート状接着剤及びウエハ加工用テープに比較して、本発明の該シート状接着剤及び該ウエハ加工用テープは安価に作製することができる。また、該シート状接着剤を用いることにより、導通性に優れ、かつ、イオン性不純物による金属腐食を抑制した耐湿性及び高温放置特性に優れたFOW系半導体装置を作製することができる。また、高分子量化合物成分を少なくすることで、シート状接着剤を柔らかくし、FOW系半導体装置の製造工程において、シート状接着剤に導通用ワイヤを埋め込み易くすることができる。   According to the present invention, a sheet-like adhesive capable of collecting ionic impurities inside the sheet-like adhesive can be produced. Further, by using the sheet adhesive, a wafer processing tape capable of collecting ionic impurities inside the sheet adhesive can be produced. In addition, the sheet-like adhesive and wafer processing tape of the present invention are compared with the sheet-like adhesive and wafer processing tape produced by a method of reducing ionic impurities or a method of adding an ion scavenger. Can be manufactured inexpensively. In addition, by using the sheet-like adhesive, it is possible to manufacture a FOW-based semiconductor device that is excellent in conductivity and excellent in moisture resistance and high-temperature storage characteristics in which metal corrosion due to ionic impurities is suppressed. In addition, by reducing the amount of the high molecular weight compound component, the sheet-like adhesive can be softened and the conductive wire can be easily embedded in the sheet-like adhesive in the manufacturing process of the FOW semiconductor device.

本発明の一実施形態に係るシート状接着剤12を用いた接着フィルムを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the adhesive film using the sheet-like adhesive agent 12 which concerns on one Embodiment of this invention. 発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the tape for wafer processing which concerns on one Embodiment of invention. 発明の一実施形態に係るFOW系半導体装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the FOW type semiconductor device which concerns on one Embodiment of invention.

以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係るシート状接着剤12を用いた接着フィルム20を示す断面図である。
図1に示すように、接着フィルム20は、離型フィルム11上に本発明によるシート状接着剤12が積層された構成を有している。なお、離型フィルム11が設けられている面とは反対のシート状接着剤12の面上に、更に、離型フィルム11とは別の離型フィルムを積層した構成の接着フィルムで、ロール状に巻いたものであってもよい。また、上記のシート状接着剤12は、使用工程や装置にあわせて予め所定形状に切断(プリカット)されていてもよい。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an adhesive film 20 using a sheet-like adhesive 12 according to an embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the adhesive film 20 has a configuration in which a sheet-like adhesive 12 according to the present invention is laminated on a release film 11. In addition, it is an adhesive film having a configuration in which a release film different from the release film 11 is further laminated on the surface of the sheet-like adhesive 12 opposite to the surface on which the release film 11 is provided. It may be wound around. Moreover, said sheet-like adhesive 12 may be cut | disconnected (pre-cut) in a predetermined shape previously according to a use process or an apparatus.

次に、基材フィルムの上に粘着剤層が積層された粘着フィルムの粘着剤層上に、本発明によるシート状接着剤12が積層されたウエハ加工用テープ(ダイシングダイボンディングフィルム)について説明する。図2は、本発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープ10を示す断面図である。   Next, a wafer processing tape (dicing die bonding film) in which the sheet-like adhesive 12 according to the present invention is laminated on the adhesive layer of the adhesive film in which the adhesive layer is laminated on the base film will be described. . FIG. 2 is a cross-sectional view showing a wafer processing tape 10 according to an embodiment of the present invention.

図2に示すように、本発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープ10は、フィルム状の基材フィルム13aとその上に形成された粘着剤層13bとからなる粘着フィルム13と、この粘着フィルム13上に積層されたシート状接着剤12とを有する。このように、ウエハ加工用テープ10では、基材フィルム13aと粘着剤層13bとシート状接着剤12とがこの順に形成されている。   As shown in FIG. 2, a wafer processing tape 10 according to one embodiment of the present invention includes a pressure-sensitive adhesive film 13 including a film-like base film 13 a and a pressure-sensitive adhesive layer 13 b formed thereon, and the pressure-sensitive adhesive film 13. And a sheet-like adhesive 12 laminated on the film 13. Thus, in the wafer processing tape 10, the base film 13a, the pressure-sensitive adhesive layer 13b, and the sheet-like adhesive 12 are formed in this order.

なお、粘着剤層13bは一層の粘着剤層により構成されていてもよいし、二層以上の粘着剤層が積層されたもので構成されていてもよい。また、図2においては、さらに、シート状接着剤12の上に、離型フィルム11が設けられている様子のウエハ加工用テープ10を示している。   The pressure-sensitive adhesive layer 13b may be composed of a single pressure-sensitive adhesive layer, or may be composed of a laminate of two or more pressure-sensitive adhesive layers. Further, FIG. 2 shows a wafer processing tape 10 in which a release film 11 is provided on a sheet-like adhesive 12.

粘着フィルム13及びシート状接着剤12は、使用工程や装置にあわせて予め所定形状に切断(プリカット)されていてもよい。本発明のウエハ加工用テープ10は、半導体ウエハ1枚分ごとに切断された形態と、これが複数形成された長尺のフィルムをロール状に巻き取った形態とを含む。   The pressure-sensitive adhesive film 13 and the sheet-like adhesive 12 may be cut (pre-cut) into a predetermined shape in advance according to the use process and the apparatus. The wafer processing tape 10 of the present invention includes a form cut for each semiconductor wafer and a form obtained by winding a plurality of long films formed in a roll shape.

次に、上記のシート状接着剤12を使用して、半導体チップをパッケージ基板にダイボンディングして作製したFOW系半導体装置について説明する。図3は、本発明の一実施形態に係るFOW系半導体装置30を示す断面図である。   Next, a FOW semiconductor device manufactured by die bonding a semiconductor chip to a package substrate using the sheet-like adhesive 12 will be described. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a FOW semiconductor device 30 according to an embodiment of the present invention.

図3に示すように、本発明の一実施形態に係るFOW系半導体装置30は、複数層(図3においては、5層である)の半導体チップ31(31a、31b、31c、31d、31e)と、半導体チップ31を実装する実装基板32と、各半導体チップ31と実装基板32とを電気的に接続する導通用ワイヤ33と、実装基板32と電子デバイス(図示せず)とを電気的に接続するためのバンプ電極34とを備えている。また、半導体チップ31は、シート状接着剤12により各半導体チップ31同士が接着された積層構造を構成している。また、最下部の半導体チップ31eと実装基板32とは接着剤35によって接着されている。尚、接着剤35は、シート状接着剤12であっても良いし、ペースト状の接着剤であっても良い。   As shown in FIG. 3, the FOW-based semiconductor device 30 according to an embodiment of the present invention includes a semiconductor chip 31 (31a, 31b, 31c, 31d, 31e) having a plurality of layers (five layers in FIG. 3). A mounting substrate 32 on which the semiconductor chip 31 is mounted, a conductive wire 33 that electrically connects each semiconductor chip 31 and the mounting substrate 32, and the mounting substrate 32 and an electronic device (not shown). And a bump electrode 34 for connection. The semiconductor chip 31 has a laminated structure in which the semiconductor chips 31 are bonded to each other with the sheet-like adhesive 12. Further, the lowermost semiconductor chip 31 e and the mounting substrate 32 are bonded by an adhesive 35. Note that the adhesive 35 may be a sheet-like adhesive 12 or a paste-like adhesive.

また、最上部の半導体チップ31aを除いた各半導体チップ31(31b、31c、31d、31e)と実装基板32とを電気的に接続する導通用ワイヤ33は、導通用ワイヤ33の一部分がシート状接着剤12に埋め込まれた構成になっている。
導通用ワイヤ33をシート状接着剤12に埋め込む構成にすることにより、ワイヤボンディングにおいて、FOW系半導体装置30を薄型にしながら導通用ワイヤ33の配置領域を確保することが可能になる。
In addition, the conductive wire 33 that electrically connects each semiconductor chip 31 (31b, 31c, 31d, 31e) excluding the uppermost semiconductor chip 31a and the mounting substrate 32 has a part of the conductive wire 33 in a sheet form. The structure is embedded in the adhesive 12.
By adopting a configuration in which the conducting wire 33 is embedded in the sheet-like adhesive 12, it is possible to secure an arrangement region of the conducting wire 33 while making the FOW semiconductor device 30 thin in wire bonding.

以下、本実施形態の接着フィルム20及びウエハ加工用テープ10の各構成要素について詳細に説明する。   Hereinafter, each component of the adhesive film 20 and the wafer processing tape 10 of this embodiment will be described in detail.

(離型フィルム)
離型フィルム11は、シート状接着剤12の取り扱い性を良くする目的で用いられる。
(Release film)
The release film 11 is used for the purpose of improving the handleability of the sheet adhesive 12.

離型フィルム11としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ピニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム等が用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。   Examples of the release film 11 include a polyethylene film, a polypropylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, a polymethylpentene film, a polychloride chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, and a polybutylene terephthalate film. , Polyurethane film, ethylene / vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polyimide film A fluororesin film or the like is used. These crosslinked films are also used. Furthermore, these laminated films may be sufficient.

離型フィルム11の表面張力は、40mN/m以下であることが好ましく、35mN/m以下であることがより好ましい。このような表面張力の低い離型フィルム11は、材質を適宜に選択して得ることが可能であり、またフィルムの表面にシリコーン樹脂等を塗布して離型処理を施すことで得ることもできる。
離型フィルム11の膜厚は、通常は5〜300μm、好ましくは10〜200μm、特に好ましくは20〜150μm程度である。
The surface tension of the release film 11 is preferably 40 mN / m or less, and more preferably 35 mN / m or less. Such a release film 11 having a low surface tension can be obtained by appropriately selecting the material, and can also be obtained by applying a release treatment by applying a silicone resin or the like to the surface of the film. .
The film thickness of the release film 11 is usually 5 to 300 μm, preferably 10 to 200 μm, and particularly preferably about 20 to 150 μm.

(シート状接着剤)
シート状接着剤12は、半導体ウエハ等が貼合されダイシングされた後、半導体チップをピックアップする際に、半導体チップ裏面に付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。
(Sheet adhesive)
The sheet-like adhesive 12 is attached to the back surface of the semiconductor chip when the semiconductor chip is picked up after the semiconductor wafer is bonded and diced, and serves as an adhesive for fixing the chip to the substrate or the lead frame. It is what is used.

シート状接着剤12は、熱や高エネルギー線で硬化する硬化樹脂を含み、この硬化樹脂の一部又は全部はキレート変性エポキシ樹脂からなっている。すなわち、この硬化樹脂は、キレート変性エポキシ樹脂のみであってもよいし、キレート変性エポキシ樹脂及びキレート変性されていないエポキシ樹脂を含む他の硬化樹脂であってもよい。   The sheet-like adhesive 12 includes a cured resin that is cured by heat or high energy rays, and a part or all of the cured resin is made of a chelate-modified epoxy resin. That is, this cured resin may be a chelate-modified epoxy resin alone, or may be another cured resin including a chelate-modified epoxy resin and an epoxy resin that is not chelate-modified.

キレート変性エポキシ樹脂は、金属酸化物および/又は金属水酸化物を含むキレート成分と分子内に2つ以上のエポキシ基を有するエポキシ成分を反応させて得られるものであればよい。   The chelate-modified epoxy resin may be obtained by reacting a chelate component containing a metal oxide and / or metal hydroxide with an epoxy component having two or more epoxy groups in the molecule.

金属酸化物および/又は金属水酸化物としては酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化カドミウム、酸化鉛、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等が好ましく用いられる。

Magnesium oxide as a metal oxide and / or metal hydroxide, calcium oxide, zinc oxide, titanium oxide, cadmium oxide, lead oxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide and the like Ru are preferably used.

エポキシ成分としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ピロカテコール、フロログルクシノールなどの単核多価フェノール化合物のポリグリシジルエーテル化合物;ジヒドロキシナフタレン、ビフェノール、メチレンビスフェノール(ビスフェノールF)、メチレンビス(オルトクレゾール)、エチリデンビスフェノール、イソプロピリデンビスフェノール(ビスフェノールA)、イソプロピリデンビス(オルトクレゾール)、テトラブロモビスフェノールA、1,3−ビス(4−ヒドロキシクミルベンゼン)、1,4−ビス(4−ヒドロキシクミルベンゼン)、1,1,3−トリス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、1,1,2,2−テトラ(4−ヒドロキシフェニル)エタン、チオビスフェノール、スルホビスフェノール、オキシビスフェノール、フェノールノボラック、オルソクレゾールノボラック、エチルフェノールノボラック、ブチルフェノールノボラック、オクチルフェノールノボラック、レゾルシンノボラック、テルペンフェノールなどの多核多価フェノール化合物のポリグリジルエーテル化合物;エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキサンジオール、ポリグリコール、チオジグリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ソルビトール、ビスフェノールA−エチレンオキシド付加物などの多価アルコール類のポリグリシジルエーテル;マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、コハク酸、グルタル酸、スベリン酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ダイマー酸、トリマー酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、エンドメチレンテトラヒドロフタル酸等の脂肪族、芳香族または脂環族多塩基酸のグリシジルエステル類およびグリシジルメタクリレートの単独重合体または共重合体;N,N−ジグリシジルアニリン、ビス(4−(N−メチル−N−グリシジルアミノ)フェニル)メタン等のグリシジルアミノ基を有するエポキシ化合物;ビニルシクロヘキセンジエポキシド、ジシクロペンタンジエンジエポキサイド、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル−6−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、ビス(3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル)アジペート等の環状オレフィン化合物のエポキシ化物;エポキシ化ポリブタジエン、エポキシ化スチレン−ブタジエン共重合物等のエポキシ化共役ジエン重合体、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環化合物等が好ましく用いられる。   Examples of the epoxy component include polyglycidyl ether compounds of mononuclear polyhydric phenol compounds such as hydroquinone, resorcin, pyrocatechol, and phloroglucinol; dihydroxynaphthalene, biphenol, methylene bisphenol (bisphenol F), methylene bis (orthocresol), Ethylidene bisphenol, isopropylidene bisphenol (bisphenol A), isopropylidene bis (orthocresol), tetrabromobisphenol A, 1,3-bis (4-hydroxycumylbenzene), 1,4-bis (4-hydroxycumylbenzene) ), 1,1,3-tris (4-hydroxyphenyl) butane, 1,1,2,2-tetra (4-hydroxyphenyl) ethane, thiobisphenol, sulfobisphenol, o Polyglycidyl ether compounds of polynuclear polyhydric phenol compounds such as cibisphenol, phenol novolak, orthocresol novolak, ethylphenol novolak, butylphenol novolak, octylphenol novolak, resorcin novolak, terpene phenol; ethylene glycol, propylene glycol, butylene glycol, hexanediol Polyglycidyl ethers of polyhydric alcohols such as polyglycol, thiodiglycol, glycerin, trimethylolpropane, pentaerythritol, sorbitol, bisphenol A-ethylene oxide adduct; maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, succinic acid, glutaric acid , Suberic acid, adipic acid, azelaic acid, sebacic acid, dimer acid, trimer acid, phthalate , Glycidyl esters of aliphatic, aromatic or alicyclic polybasic acids such as isophthalic acid, terephthalic acid, trimellitic acid, trimesic acid, pyromellitic acid, tetrahydrophthalic acid, hexahydrophthalic acid, endomethylenetetrahydrophthalic acid And glycidyl methacrylate homopolymers or copolymers; epoxy compounds having a glycidylamino group such as N, N-diglycidylaniline and bis (4- (N-methyl-N-glycidylamino) phenyl) methane; vinylcyclohexene Epoxide, dicyclopentanediene diepoxide, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, 3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl-6-methylcyclohexanecarboxylate, bis ( 3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl) epoxides of cyclic olefin compounds such as adipate; epoxidized conjugated diene polymers such as epoxidized polybutadiene and epoxidized styrene-butadiene copolymer, and complex such as triglycidyl isocyanurate A ring compound or the like is preferably used.

キレート変性エポキシ樹脂以外に任意で用いられる硬化樹脂としては、キレート変性していないエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等やその混合物又は変性物が挙げられるが、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れる点で、エポキシ樹脂を使用することが好ましい。   Cured resins that are optionally used in addition to chelate-modified epoxy resins include epoxy resins that are not chelate-modified, acrylic resins, silicone resins, phenol resins, thermosetting polyimide resins, polyurethane resins, melamine resins, urea resins, and mixtures thereof. Alternatively, modified products may be mentioned, but it is particularly preferable to use an epoxy resin in terms of excellent heat resistance, workability, and reliability.

また、シート状接着剤12は、少なくともキレート変性エポキシ樹脂を硬化させるエポキシ硬化剤が含まれている。なお、キレート変性エポキシ樹脂以外に任意で用いられる硬化樹脂として、キレート変性されていないエポキシ樹脂を含む場合は、このエポキシ樹脂についてもエポキシ硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ硬化剤として、たとえば、フェノール系樹脂を使用できる。フェノール系樹脂としては、アルキルフェノール、多価フェノール、ナフトール等のフェノール類とアルデヒド類との縮合物等が特に制限されることなく用いられる。これらのフェノール系樹脂に含まれるフェノール性水酸基は、エポキシ樹脂のエポキシ基と加熱により容易に付加反応して、耐衝撃性の高い硬化物を形成できる。   The sheet adhesive 12 includes an epoxy curing agent that cures at least the chelate-modified epoxy resin. In addition, when the epoxy resin which is not chelate modified | denatured is included as hardening resin used arbitrarily other than a chelate modified epoxy resin, it is preferable to use an epoxy hardening | curing agent also about this epoxy resin. For example, a phenolic resin can be used as the epoxy curing agent. As the phenolic resin, a condensate of phenols such as alkylphenol, polyhydric phenol, naphthol and aldehydes is used without particular limitation. The phenolic hydroxyl group contained in these phenolic resins can easily undergo an addition reaction with the epoxy group of the epoxy resin by heating to form a cured product having high impact resistance.

フェノール系樹脂には、フェノールノボラック樹脂、o−クレゾールノボラック樹脂、p−クレゾールノボラック樹脂、t−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンクレゾール樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、ビスフェノールA型ノボラック樹脂、あるいはこれらの変性物等が好ましく用いられる。   Phenol resins include phenol novolak resin, o-cresol novolak resin, p-cresol novolak resin, t-butylphenol novolak resin, dicyclopentadiene cresol resin, polyparavinylphenol resin, bisphenol A type novolak resin, or modifications thereof. A thing etc. are used preferably.

その他、硬化剤として、熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤を使用することもできる。この硬化剤は、室温ではエポキシ樹脂と反応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ樹脂と反応するタイプの硬化剤である。   In addition, a thermally activated latent epoxy resin curing agent can also be used as the curing agent. This curing agent is a type of curing agent that does not react with the epoxy resin at room temperature but is activated by heating at a certain temperature or more and reacts with the epoxy resin.

活性化方法としては、加熱による化学反応で活性種(アニオン、カチオン)を生成する方法、室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法、モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤により高温で溶出して硬化反応を開始する方法、マイクロカプセルによる方法等が存在する。   As an activation method, a method of generating active species (anions and cations) by a chemical reaction by heating, a dispersion that is stably dispersed in the epoxy resin near room temperature, is compatible with and dissolved in the epoxy resin at high temperatures, and a curing reaction is performed. There are a method for starting, a method for starting a curing reaction by elution at a high temperature with a molecular sieve encapsulated type curing agent, a method using a microcapsule, and the like.

熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤としては、各種のオニウム塩や、二塩基酸ジヒドラジド化合物、ジシアンジアミド、アミンアダクト硬化剤、イミダゾール化合物等の高融点活性水素化合物等を挙げることができる。   Examples of the thermally active latent epoxy resin curing agent include various onium salts, high melting point active hydrogen compounds such as dibasic acid dihydrazide compounds, dicyandiamide, amine adduct curing agents, and imidazole compounds.

また、助剤として硬化促進剤等を使用することもできる。本発明に用いることができる硬化促進剤としては特に制限が無く、例えば、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩などを用いることができる。本発明において好ましく使用されるイミダゾール類としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられ、これらは1種又は2種以上を併用することもできる。イミダゾール類は、例えば、四国化成工業(株)から、2MZ,2E4MZ,2PZ−CN,2PZ−CNS,2PHZという商品名で市販されている。   Moreover, a hardening accelerator etc. can also be used as an adjuvant. There is no restriction | limiting in particular as a hardening accelerator which can be used for this invention, For example, a tertiary amine, imidazoles, a quaternary ammonium salt etc. can be used. Examples of imidazoles preferably used in the present invention include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole etc. are mentioned, These can also use 1 type (s) or 2 or more types together. Imidazoles are commercially available from Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. under the trade names 2MZ, 2E4MZ, 2PZ-CN, 2PZ-CNS, 2PHZ.

上記キレート変性エポキシ樹脂と任意で用いられる硬化樹脂とエポキシ硬化剤とを、本明細書では硬化樹脂成分といい、シート状接着剤12は、この硬化樹脂成分中に、キレート変性エポキシ樹脂を10質量%以上含んでいる。10質量%より少ないと接着力が不足し、パッケージクラックが生じやすい。   The chelate-modified epoxy resin and the optionally used cured resin and the epoxy curing agent are referred to as a cured resin component in this specification, and the sheet-like adhesive 12 contains 10 mass of the chelate-modified epoxy resin in the cured resin component. Contain more than%. If it is less than 10% by mass, the adhesive force is insufficient and package cracks are likely to occur.

また、シート状接着剤12は、ポリマーを含有することが好ましく、ポリマーとしてはフェノキシ樹脂、アクリル樹脂共重合体等を用いることが出来る。柔軟性に優れる点でアクリル共重合体を用いることが好ましく、更にはガラス転移温度(Tg)が、−10℃以上30℃以下であるものが好ましい。ガラス転移温度が−10℃を下回るとフィルム化が困難になり、30℃を超える場合にはフィルム可とう性が低下してしまう。   Moreover, it is preferable that the sheet-like adhesive 12 contains a polymer, and a phenoxy resin, an acrylic resin copolymer, or the like can be used as the polymer. It is preferable to use an acrylic copolymer from the viewpoint of excellent flexibility, and a glass transition temperature (Tg) of −10 ° C. or higher and 30 ° C. or lower is preferable. If the glass transition temperature is lower than −10 ° C., film formation becomes difficult, and if it exceeds 30 ° C., the film flexibility is lowered.

また、シート状接着剤12は、上記の硬化樹脂成分量100質量部に対して、重量平均分子量が10万以上である高分子量化合物成分量を40〜100質量部配合されていることが好ましい。この高分子量化合物成分としては、アクリル樹脂共重合体であることが好ましく、高分子量成分には適宜官能性モノマーを含んでも良い。   Moreover, it is preferable that 40-100 mass parts of high molecular weight compound component amounts whose weight average molecular weight is 100,000 or more are mix | blended with the sheet-like adhesive 12 with respect to said cured resin component amount 100 mass parts. The high molecular weight compound component is preferably an acrylic resin copolymer, and the high molecular weight component may appropriately contain a functional monomer.

アクリル樹脂共重合体が100質量部より多いとシート状接着剤12自身が硬くなり、FOW系半導体装置の作製において導通用ワイヤをシート状接着剤12に埋め込む際に導通用ワイヤを押しつぶして断線させてしまいやすく、40質量部より少ないとシート状接着剤12自身が柔らかくなり、FOW系半導体装置の作製において上に載せた半導体チップが導通用ワイヤに接触してしまいやすい。   When the amount of the acrylic resin copolymer is more than 100 parts by mass, the sheet adhesive 12 itself becomes hard, and when the conductive wire is embedded in the sheet adhesive 12 in the manufacture of the FOW-based semiconductor device, the conductive wire is crushed and disconnected. If the amount is less than 40 parts by mass, the sheet-like adhesive 12 itself becomes soft, and the semiconductor chip placed on the FOW semiconductor device is likely to come into contact with the conducting wire.

アクリル樹脂共重合体の重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重合、懸濁重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。耐熱性が優れるため懸濁重合が好ましく、このようなアクリル共重合体としては、例えば、SG−708−6(ナガセケムテックス株式会社製、商品名)が挙げられる。   The polymerization method of the acrylic resin copolymer is not particularly limited, and examples thereof include pearl polymerization, solution polymerization, suspension polymerization, and the like, and the copolymer can be obtained by these methods. Suspension polymerization is preferable because of its excellent heat resistance. Examples of such an acrylic copolymer include SG-708-6 (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation).

アクリル樹脂共重合体の重量平均分子量は、5万以上、特に20万〜100万の範囲にあるのが好ましい。分子量が低すぎるとフィルム形成が不十分となり、高すぎると他の成分との相溶性が悪くなり、結果としてフィルム形成が妨げられる。   The weight average molecular weight of the acrylic resin copolymer is preferably 50,000 or more, particularly preferably in the range of 200,000 to 1,000,000. If the molecular weight is too low, film formation will be insufficient, and if it is too high, compatibility with other components will deteriorate, resulting in hindering film formation.

また、シート状接着剤12には、他の成分として、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。   The sheet-like adhesive 12 includes, as other components, polyimide resin, polyamide resin, polyetherimide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyester resin, polyesterimide resin, phenoxy resin, polysulfone resin, and polyethersulfone resin. Polyphenylene sulfide resin, polyether ketone resin, chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyurethane resin, epoxy resin, polyacrylamide resin, melamine resin, and the like, and mixtures thereof can be used.

また、シート状接着剤12には、フィラーを配合してもよい。フィラーとしては、結晶シリカ、溶融シリカ、合成シリカ等のシリカや、アルミナ、ガラスバルーン等の無機フィラーがあげられる。硬化性保護膜形成層に無機フィラーを添加することにより、硬化後の接着剤の硬度を向上させることができる。また、硬化後の接着剤の熱膨張係数を半導体ウエハの熱膨張係数に近づけることができ、これによって半導体ウエハの反りを低減することができる。フィラーとしてはシリカが好ましく、特に半導体装置の誤作動の要因となるα線の線源を極力除去したタイプが最適である。フィラーの形状としては、球形、針状、無定型タイプのものいずれも使用可能であるが、特に最密充填の可能な球形のフィラーが好ましい。   Further, the sheet-like adhesive 12 may contain a filler. Examples of the filler include silica such as crystalline silica, fused silica, and synthetic silica, and inorganic filler such as alumina and glass balloon. By adding an inorganic filler to the curable protective film forming layer, the hardness of the cured adhesive can be improved. In addition, the thermal expansion coefficient of the adhesive after curing can be brought close to the thermal expansion coefficient of the semiconductor wafer, whereby the warpage of the semiconductor wafer can be reduced. Silica is preferable as the filler, and in particular, a type in which an α-ray source that causes malfunction of the semiconductor device is removed as much as possible is optimal. As the shape of the filler, any of a spherical shape, a needle shape, and an amorphous type can be used, but a spherical filler capable of closest packing is particularly preferable.

また、シート状接着剤12の全量に対して、無機フィラー(無機充填剤)40〜70質量%を含むことが好ましい。無機フィラーが70質量%より多いとFOW系半導体装置の作製において導通用ワイヤをシート状接着剤12に埋め込む際に、無機フィラーが導通用ワイヤに接触し、導通用ワイヤを変形させて断線させてしまいやすく、40質量%より少ないと硬化後の接着剤の硬度を向上や接着剤の熱膨張係数を半導体ウエハの熱膨張係数に近づける効果が薄れてしまう。   Moreover, it is preferable that 40-70 mass% of inorganic fillers (inorganic filler) are included with respect to the total amount of the sheet-like adhesive 12. When the inorganic filler is more than 70% by mass, when the conductive wire is embedded in the sheet-like adhesive 12 in manufacturing the FOW semiconductor device, the inorganic filler comes into contact with the conductive wire, and the conductive wire is deformed and disconnected. If the amount is less than 40% by mass, the effect of improving the hardness of the adhesive after curing or bringing the thermal expansion coefficient of the adhesive closer to the thermal expansion coefficient of the semiconductor wafer is diminished.

シート状接着剤12は、キレート変性エポキシ樹脂を含んでいることから、良好な接着力を有するため、カップリング剤を用いる必要がない。しかしながら、カップリング剤は、少量であれば、吸水による材料としての劣化や、シート状接着剤12のブリードアウト現象による経時劣化による影響が少ないことから、劣化しなかった場合のさらなる接着力の向上のために、少量のカップリング剤を配合することもできる。この場合、シランカップリング剤は、他の組成物合計100質量部に対し0.1質量部以下であることが好ましい。カップリング剤としてはシランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。   Since the sheet-like adhesive 12 includes a chelate-modified epoxy resin, it has a good adhesive force, and thus it is not necessary to use a coupling agent. However, if the amount of the coupling agent is small, it is less affected by deterioration due to water absorption and deterioration due to aging due to the bleed-out phenomenon of the sheet-like adhesive 12, so that further improvement of the adhesive strength when it does not deteriorate For this purpose, a small amount of a coupling agent can be added. In this case, it is preferable that a silane coupling agent is 0.1 mass part or less with respect to 100 mass parts of other compositions total. A silane coupling agent is preferable as the coupling agent. As silane coupling agents, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, N-β-aminoethyl-γ- Examples include aminopropyltrimethoxysilane.

また、ワニス化の溶剤は、比較的低沸点の、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、2−エトキシエタノール、トルエン、ブチルセロソルブ、メタノール、エタノール、2−メトキシエタノールなどを用いるのが好ましい。また、塗膜性を向上するなどの目的で、高沸点溶剤を加えても良い。高沸点溶剤としては、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、メチルピロリドン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
シート状接着剤12の厚さは適宜設定してよいが、5〜100μm程度が好ましい。
As the varnishing solvent, it is preferable to use methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, 2-ethoxyethanol, toluene, butyl cellosolve, methanol, ethanol, 2-methoxyethanol or the like having a relatively low boiling point. Moreover, you may add a high boiling point solvent for the purpose of improving coating-film property. Examples of the high boiling point solvent include dimethylacetamide, dimethylformamide, methylpyrrolidone, cyclohexanone and the like.
The thickness of the sheet adhesive 12 may be set as appropriate, but is preferably about 5 to 100 μm.

シート状接着剤12の破断強度を高めるには、ポリマーを多くし、フィラーを少なくし、エポキシ樹脂(固形)を少なくすることが有効である。また、シート状接着剤12の離型フィルム11からの剥離力を下げるには、ポリマーを少なくし、エポキシ樹脂(液状)を少なくすることが有効である。   In order to increase the breaking strength of the sheet-like adhesive 12, it is effective to increase the polymer, decrease the filler, and decrease the epoxy resin (solid). In order to reduce the peeling force of the sheet-like adhesive 12 from the release film 11, it is effective to reduce the amount of polymer and the amount of epoxy resin (liquid).

(粘着フィルム)
粘着フィルム13としては、特に制限はなく、半導体ウエハをダイシングする際には半導体ウエハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後に半導体チップをピックアップする際には容易にシート状接着剤12から剥離できるよう低い粘着力を示すものであればよい。例えば、基材フィルム13aの上に粘着剤層13bを設けたものを好適に使用できる。
(Adhesive film)
The adhesive film 13 is not particularly limited, and has a sufficient adhesive force so that the semiconductor wafer does not peel off when the semiconductor wafer is diced. When the semiconductor chip is picked up after dicing, the sheet-like adhesive is easily used. Any material may be used as long as it exhibits a low adhesive strength so that it can be peeled off from the surface. For example, what provided the adhesive layer 13b on the base film 13a can be used conveniently.

粘着フィルム13の基材フィルム13aとしては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述の粘着剤層13bとして放射線硬化性の材料を使用する場合には、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。
例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−1、ポリ−4−メチルペンテン−1、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム13aはこれらの群から選ばれる2種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。
基材フィルム13aの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、50〜200μmが好ましい。
The base film 13a of the adhesive film 13 can be used without particular limitation as long as it is a conventionally known one. However, when a radiation curable material is used as the adhesive layer 13b described later, It is preferable to use a material having permeability.
For example, as the material, polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic Α-olefin homopolymer or copolymer such as acid methyl copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer or a mixture thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymer, polyamide-polyol Listed are thermoplastic elastomers such as copolymers, and mixtures thereof. Moreover, the base film 13a may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or may be a single layer or a multilayer.
The thickness of the base film 13a is not particularly limited and may be set appropriately, but is preferably 50 to 200 μm.

粘着フィルム13の粘着剤層13bに使用される樹脂としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。
粘着剤層13bの樹脂には、アクリル系粘着剤、放射線重合性化合物、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましい。粘着剤層13bの厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、5〜30μmが好ましい。
The resin used for the pressure-sensitive adhesive layer 13b of the pressure-sensitive adhesive film 13 is not particularly limited, and known chlorinated polypropylene resins, acrylic resins, polyester resins, polyurethane resins, epoxy resins and the like used for pressure-sensitive adhesives can be used. Can be used.
It is preferable to prepare a pressure-sensitive adhesive by appropriately blending an acrylic pressure-sensitive adhesive, a radiation polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a curing agent and the like into the resin of the pressure-sensitive adhesive layer 13b. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 13b is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 5 to 30 μm.

放射線重合性化合物を粘着剤層13bに配合して放射線硬化によりシート状接着剤12から剥離しやすくすることができる。その放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分量化合物が用いられる。
具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が適用可能である。
A radiation-polymerizable compound can be blended in the pressure-sensitive adhesive layer 13b and can be easily peeled off from the sheet adhesive 12 by radiation curing. As the radiation polymerizable compound, for example, a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally reticulated by light irradiation is used.
Specifically, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6 hexanediol diacrylate Acrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, and the like are applicable.

また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシアナート、1,4−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアナートなど)を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート(例えば、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど)を反応させて得られる。
粘着剤層13bには、上記の樹脂から選ばれる2種以上が混合されたものでもよい。
In addition to the above acrylate compounds, urethane acrylate oligomers can also be used. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene). A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting isocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc., with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2-hydroxyethyl) Acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) Obtained by the reaction.
The pressure-sensitive adhesive layer 13b may be a mixture of two or more selected from the above resins.

光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重合体100質量部に対して0.01〜5質量部が好ましい。   When using a photopolymerization initiator, for example, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyldimethyl ketal, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl Propane or the like can be used. The blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.

(実施例)
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
(Example)
Next, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these examples.

(シート状接着剤の作製方法)
下記の表1に示す配合のシート状接着剤組成物1A〜1Kにメチルエチルケトンを加えて攪拌混合して接着剤ワニスを作製した。作製したシート状接着剤組成物1A〜1Kの接着剤ワニスを離型フィルム11上に、乾燥後の厚さが20μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させ、それぞれシート状接着剤12を作製した。次に、離型フィルム11をシート状接着剤12から剥離し、下記の表2に示す実施例1〜4及び下記の表3に示す比較例1〜7におけるシート状接着剤を作製した。
(Method for producing sheet adhesive)
Methyl ethyl ketone was added to the sheet-like adhesive compositions 1A to 1K having the composition shown in Table 1 below, and the mixture was stirred and mixed to prepare an adhesive varnish. The adhesive varnishes of the prepared sheet-like adhesive compositions 1A to 1K were applied on the release film 11 so that the thickness after drying was 20 μm, dried at 110 ° C. for 3 minutes, and each sheet-like adhesive Agent 12 was prepared. Next, the release film 11 was peeled from the sheet-like adhesive 12 to produce sheet-like adhesives in Examples 1 to 4 shown in Table 2 below and Comparative Examples 1 to 7 shown in Table 3 below.

Figure 0004851579
Figure 0004851579

尚、上記の表1において、各成分の配合割合の単位は質量部である。また、エポキシ樹脂(1)は、EP−49−23((株)ADEKA製商品名、キレート変性ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量175g/eq)であり、エポキシ樹脂(2)は、RE303S(日本化薬(株)製商品名、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量165g/eq)である。フェノール樹脂は、ミレックスXLC−LL(三井化学(株)製商品名、水酸基当量175g/eq、吸水率1.8%、350℃における加熱重量減少率4%)である。硬化促進剤は、キュアゾール2PZ(四国化成(株)製商品名、2−フェニルイミダゾール)である。アクリル樹脂は、SG−P3(ナガセケムテックス(株)製商品名、重量平均分子量85万、ガラス転移温度10℃)である。シリカフィラーは、S0−C2(ドマファイン(株)製商品名、比重2.2g/cm、モース硬度7、平均粒径0.5μm、比表面積6.0m2/g)である。無機系イオン捕集剤(1)は、ゼオラムF−9(東ソー(株)製商品名、X型ゼオライト、平均細孔径10オングストローム、空孔容積0.27cm/g)であり、無機系イオン捕集剤(2)は、DHT−4H(協和化学工業(株)製商品名ハイドロタルサイト)である。 In Table 1, the unit of the blending ratio of each component is part by mass. Moreover, the epoxy resin (1) is EP-49-23 (trade name, manufactured by ADEKA Corporation, chelate-modified bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent 175 g / eq), and the epoxy resin (2) is RE303S (Japan) Kayaku Co., Ltd. trade name, bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent 165 g / eq). The phenol resin is Milex XLC-LL (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals, hydroxyl equivalent 175 g / eq, water absorption 1.8%, heating weight reduction rate at 350 ° C. 4%). The curing accelerator is Curesol 2PZ (trade name, 2-phenylimidazole manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.). The acrylic resin is SG-P3 (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, weight average molecular weight 850,000, glass transition temperature 10 ° C.). The silica filler is S0-C2 (trade name, manufactured by Doma Fine Co., Ltd., specific gravity 2.2 g / cm 3 , Mohs hardness 7, average particle size 0.5 μm, specific surface area 6.0 m 2 / g). The inorganic ion scavenger (1) is Zeolum F-9 (trade name, X-type zeolite, average pore diameter 10 angstrom, pore volume 0.27 cm 3 / g, manufactured by Tosoh Corporation), and inorganic ions The collection agent (2) is DHT-4H (trade name Hydrotalcite, manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.).

Figure 0004851579
Figure 0004851579

Figure 0004851579
Figure 0004851579

実施例1〜4及び比較例1〜7について、それぞれ導通性の評価、耐湿性の評価、及び高温放置特性の評価を行った。表2及び表3に、導通性の評価、耐湿性の評価、及び高温放置特性の評価を示す。   About Examples 1-4 and Comparative Examples 1-7, the evaluation of electrical conductivity, the evaluation of moisture resistance, and the evaluation of the high temperature storage property were performed, respectively. Tables 2 and 3 show the evaluation of electrical conductivity, the evaluation of moisture resistance, and the evaluation of the high temperature storage characteristics.

導通性の評価、耐湿性の評価、及び高温放置特性の評価には、シリコンチップ上にアルミ配線を形成した模擬素子と銀メッキされた42アロイリードフレームとを、太さ30μmの銅線でワイヤボンディングした後、導通用ワイヤ接続済みの擬似素子の上に、上述のシート状接着剤の作製方法に従って作製した実施例1〜4に係るシート状接着剤及び比較例1〜7に係るシート状接着剤を用いて別のシリコンチップをFOW法にてダイボンディングし、175℃、70kgf/cm、成形時間120秒の条件で1.4mm厚のTQFPパッケージ20個を成形し、180℃、4時間ポストキュアしたものを評価パッケージとして用いた。 For evaluation of continuity, evaluation of moisture resistance, and evaluation of high temperature storage characteristics, a simulated element in which an aluminum wiring is formed on a silicon chip and a silver-plated 42 alloy lead frame are wired with a copper wire having a thickness of 30 μm. After bonding, the sheet-like adhesives according to Examples 1 to 4 and the sheet-like adhesions according to Comparative Examples 1 to 7 produced according to the above-described method for producing a sheet-like adhesive on the pseudo-element connected with the conductive wire. Another silicon chip was die-bonded by FOW method using the agent, and 20 TQFP packages with a thickness of 1.4 mm were formed at 175 ° C., 70 kgf / cm 2 and a molding time of 120 seconds, and 180 ° C. for 4 hours. The post-cured product was used as an evaluation package.

<導通性の評価>
導通性の評価は、上記方法にて作製した直後の評価パッケージを使用し、この20個の評価パッケージの中に含まれる断線および/又は回線のショートした不良パッケージの割合を調べた結果である。表2及び表3の不良パッケージの個数は、20個の評価パッケージ中の不良パッケージの個数を示したものであり、不良パッケージの割合は、20個の評価パッケージ中の不良パケージの個数の割合(%)を示したのである。
<Evaluation of conductivity>
The evaluation of continuity is the result of examining the proportion of defective packages with broken lines and / or shorted lines included in the 20 evaluation packages using the evaluation package immediately after being manufactured by the above method. The number of defective packages in Table 2 and Table 3 indicates the number of defective packages in 20 evaluation packages, and the ratio of defective packages is the ratio of the number of defective packages in 20 evaluation packages ( %).

<耐湿性の評価>
耐湿性の評価は、上記方法にて作製した評価パッケージを、140℃、85%RHの雰囲気中5Vの直流バイアス電圧をかけて500時間放置した後に、この20個の評価パッケージの中に含まれる断線および/又は回線のショートした不良パッケージの割合を調べた結果である。表2及び表3の不良パッケージの個数は、20個の評価パッケージ中の不良パッケージの個数を示したものであり、不良パッケージの割合は、20個の評価パッケージ中の不良パケージの個数の割合(%)を示したのである。
<Evaluation of moisture resistance>
Evaluation of moisture resistance is included in the 20 evaluation packages after the evaluation package produced by the above method is left in an atmosphere of 140 ° C. and 85% RH with a DC bias voltage of 5 V for 500 hours. It is the result of investigating the proportion of defective packages in which disconnection and / or line short circuit occurred. The number of defective packages in Table 2 and Table 3 indicates the number of defective packages in 20 evaluation packages, and the ratio of defective packages is the ratio of the number of defective packages in 20 evaluation packages ( %).

<高温放置特性の評価>
高温放置特性の評価は、上記方法にて作製した評価パッケージを、200℃の乾燥器に1,000時間放置した後に、樹脂硬化物を発煙硝酸で溶かし、シリコンチップ側のボンディング部の引張り強度を測定し、この引張り強度の値が初期値の50%以下になったものを不良パッケージとし、20個の評価パッケージの中に含まれる不良パッケージの割合を調べた結果である。表2及び表3の不良パッケージの個数は、20個の評価パッケージ中の不良パッケージの個数を示したものであり、不良パッケージの割合は、20個の評価パッケージ中の不良パケージの個数の割合(%)を示したのである。尚、シリコンチップ側のボンディング部の引張り強度の測定は、株式会社レスカ社製のボンディングテスタ(MIL−STD−883G 、IEC−60749−22、SEMI−G73−0997、EIAJ−ED−4703に準拠)を用いて、シリコンチップにボンディングにした導通用ワイヤを直接引張り、導通性ワイヤが破断した際の荷重値を引張り強度として測定した。
<Evaluation of high temperature storage characteristics>
The evaluation of the high temperature storage characteristics is as follows. After the evaluation package produced by the above method is left in a dryer at 200 ° C. for 1,000 hours, the cured resin is dissolved with fuming nitric acid, and the tensile strength of the bonding part on the silicon chip side is determined. This is a result of examining the ratio of defective packages included in the 20 evaluation packages by measuring and measuring those having a tensile strength value of 50% or less of the initial value as defective packages. The number of defective packages in Table 2 and Table 3 indicates the number of defective packages in 20 evaluation packages, and the ratio of defective packages is the ratio of the number of defective packages in 20 evaluation packages ( %). In addition, the measurement of the tensile strength of the bonding part on the silicon chip side is a bonding tester manufactured by Reska Co., Ltd. (compliant with MIL-STD-883G, IEC-60749-22, SEMI-G73-0997, EIAJ-ED-4703) The conductive wire bonded to the silicon chip was directly pulled, and the load value when the conductive wire was broken was measured as the tensile strength.

表2に示すように、実施例1〜4に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、キレート変性エポキシ樹脂を使用し、かつ、硬化樹脂成分(エポキシ樹脂とフェノール樹脂)に対するキレート変性エポキシ樹脂の配合割合が10質量%以下であり、かつ、硬化樹脂成分量100質量部に対して重量平均分子量が10万以上である高分子量化合物成分であるアクリル樹脂量が40〜100質量部であるため、導通性の評価、耐湿性の評価、及び高温放置特性の評価のいずれにおいても、不良パケージはなく、良好な結果となった。   As shown in Table 2, the evaluation package using the sheet adhesives according to Examples 1 to 4 uses a chelate-modified epoxy resin, and chelate-modified epoxy resin for the cured resin components (epoxy resin and phenol resin). The amount of the acrylic resin, which is a high molecular weight compound component having a weight average molecular weight of 100,000 or more with respect to 100 parts by mass of the cured resin component, is 40 to 100 parts by mass. In any of the evaluation of continuity, the evaluation of moisture resistance, and the evaluation of the high temperature storage characteristics, there was no defective package and a good result was obtained.

表3に示すように、比較例1に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、導通性の評価において不良パッケージはなく良好な結果であった。しかし、キレート変性エポキシ樹脂を使用しないことにより、イオン性不純物により導通用ワイヤが腐食されて回線がショートしてしまうため、耐湿性の評価において50%の不良パケージが、高温放置特性の評価において60%の不良パケージが発生した結果となった。即ち、比較例1に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、キレート変性エポキシ樹脂を使用していないために、イオン性不純物により導通用ワイヤが腐食され、耐湿性の評価及び高温放置特性の評価の劣る結果となった。   As shown in Table 3, the evaluation package using the sheet-like adhesive according to Comparative Example 1 had good results with no defective package in the evaluation of conductivity. However, by not using the chelate-modified epoxy resin, the conductive wire is corroded by the ionic impurities and the circuit is short-circuited. Therefore, 50% defective packages in the moisture resistance evaluation are 60% in the high temperature storage property evaluation. % Defective package. That is, since the evaluation package using the sheet-like adhesive according to Comparative Example 1 does not use the chelate-modified epoxy resin, the conductive wire is corroded by ionic impurities, and the moisture resistance evaluation and high-temperature storage characteristics are improved. The result was inferior.

比較例2に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、導通性の評価において不良パッケージはなく良好な結果であった。しかし、キレート変性エポキシ樹脂を使用しているが、硬化樹脂成分中のキレート変性エポキシ樹脂成分を規定する上記の10質量%以上の範囲外の5質量%であることにより、イオン性不純物により導通用ワイヤが腐食されて回線がショートしてしまうため、耐湿性の評価において15%の不良パケージが、高温放置特性の評価において30%の不良パケージが発生した結果となった。即ち、比較例2に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、キレート変性エポキシ樹脂を使用していないために、イオン性不純物により導通用ワイヤが腐食され、耐湿性の評価及び高温放置特性の評価の劣る結果となった。   The evaluation package using the sheet-like adhesive according to Comparative Example 2 had good results with no defective packages in the evaluation of conductivity. However, although chelate-modified epoxy resin is used, it is 5% by mass outside the above range of 10% by mass or more that defines the chelate-modified epoxy resin component in the cured resin component, so that it is used for conduction by ionic impurities. Since the wire is corroded and the circuit is short-circuited, 15% defective packages were generated in the evaluation of moisture resistance, and 30% defective packages were generated in the evaluation of high temperature storage characteristics. That is, since the evaluation package using the sheet-like adhesive according to Comparative Example 2 does not use the chelate-modified epoxy resin, the conductive wire is corroded by the ionic impurities, and the moisture resistance evaluation and the high temperature storage property are maintained. The result was inferior.

比較例3に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、無機系イオン捕集剤により導通用ワイヤの埋め込み時に無機系イオン捕集剤が導通用ワイヤに接触し、導通用ワイヤが変形してしまうため、導通性の評価において20%の不良パケージが発生した結果となった。また、耐湿性の評価及び高温放置特性の評価においても、ともに20%の不良パケージが発生した結果となった。即ち、比較例3に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、無機系イオン捕集剤により導通用ワイヤの埋め込み時に無機系イオン捕集剤が導通用ワイヤに接触し、導通用ワイヤが変形してしまうため、導通性の評価、耐湿性の評価及び高温放置特性の評価の劣る結果となった。   In the evaluation package using the sheet-like adhesive according to Comparative Example 3, the inorganic ion scavenger comes into contact with the conduction wire when the conduction wire is embedded by the inorganic ion scavenger, and the conduction wire is deformed. Therefore, 20% defective packages were generated in the evaluation of conductivity. Further, in the evaluation of the moisture resistance and the evaluation of the high temperature storage characteristics, both resulted in 20% defective packages. That is, in the evaluation package using the sheet-like adhesive according to Comparative Example 3, the inorganic ion scavenger comes into contact with the conducting wire when the conducting wire is embedded by the inorganic ion scavenger, and the conducting wire is deformed. Therefore, the results of inferior electrical conductivity evaluation, moisture resistance evaluation, and high temperature storage property evaluation were obtained.

比較例4に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、硬化樹脂成分100質量部に対してアクリル樹脂を120質量部とやや多く含んでいることにより、シート状接着剤が硬くなり、導通用ワイヤの埋め込み時に導通用ワイヤを押しつぶしてしまうため、導通性の評価において10%の不良パケージが発生した結果となった。また、耐湿性の評価及び高温放置特性の評価においても、ともに10%の不良パケージが発生した結果となった。即ち、比較例4に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、硬化樹脂成分100質量部に対してアクリル樹脂を120質量部とやや多く含んでいることにより、シート状接着剤が硬くなり、導通用ワイヤの埋め込み時に導通用ワイヤを押しつぶしてしまうため、導通性の評価、耐湿性の評価及び高温放置特性の評価の劣る結果となった。   The evaluation package using the sheet adhesive according to Comparative Example 4 contains 120 parts by mass of acrylic resin with respect to 100 parts by mass of the cured resin component, so that the sheet adhesive becomes harder and conductive. Since the conducting wire is crushed when the wire is embedded, a 10% defective package is generated in the continuity evaluation. Further, in the evaluation of the moisture resistance and the evaluation of the high temperature storage characteristics, 10% defective packages were generated. That is, the evaluation package using the sheet-like adhesive according to Comparative Example 4 contains 120 parts by mass of acrylic resin with respect to 100 parts by mass of the cured resin component, so that the sheet-like adhesive becomes hard, Since the conducting wire is crushed when the conducting wire is embedded, the results of inferior electrical conductivity evaluation, moisture resistance evaluation, and high temperature storage property evaluation are inferior.

比較例5に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、硬化樹脂成分100質量部に対してアクリル樹脂を200質量部と多く含んでいることにより、シート状接着剤が硬くなり、導通用ワイヤの埋め込み時に導通用ワイヤを押しつぶしてしまうため、導通性の評価において60%の不良パケージが発生した結果となった。また、耐湿性の評価及び高温放置特性の評価においても、ともに60%の不良パケージが発生した結果となった。即ち、比較例4に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、硬化樹脂成分100質量部に対してアクリル樹脂を200質量部とやや多く含んでいることにより、シート状接着剤が硬くなり、導通用ワイヤの埋め込み時に導通用ワイヤを押しつぶしてしまうため、導通性の評価、耐湿性の評価及び高温放置特性の評価の劣る結果となった。   The evaluation package using the sheet-like adhesive according to Comparative Example 5 contains 200 parts by mass of acrylic resin with respect to 100 parts by mass of the cured resin component, so that the sheet-like adhesive becomes hard, and the conductive wire As a result, 60% defective packages were generated in the evaluation of continuity. Further, in the evaluation of the moisture resistance and the evaluation of the high temperature storage characteristics, both resulted in 60% defective packages. That is, the evaluation package using the sheet adhesive according to Comparative Example 4 contains 200 parts by mass of acrylic resin with respect to 100 parts by mass of the cured resin component, so that the sheet adhesive becomes hard, Since the conducting wire is crushed when the conducting wire is embedded, the results of inferior electrical conductivity evaluation, moisture resistance evaluation, and high temperature storage property evaluation are inferior.

比較例6に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、硬化樹脂成分100質量部に対してアクリル樹脂を30質量部とやや少なく含んでいることにより、シート状接着剤が柔らかくなり、シート状接着剤の上に載せた半導体チップが導通用ワイヤに接触してしまうために、導通性の評価において15%の不良パケージが発生した結果となった。また、耐湿性の評価及び高温放置特性の評価においても、ともに15%の不良パケージが発生した結果となった。即ち、比較例6に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、硬化樹脂成分100質量部に対してアクリル樹脂を30質量部とやや少なく含んでいることにより、シート状接着剤が柔らかくなり、シート状接着剤の上に載せた半導体チップが導通用ワイヤに接触してしまうために、導通性の評価、耐湿性の評価及び高温放置特性の評価の劣る結果となった。   The evaluation package using the sheet-like adhesive according to Comparative Example 6 contains 30 parts by mass of acrylic resin with respect to 100 parts by mass of the cured resin component, so that the sheet-like adhesive becomes soft and sheet-like. Since the semiconductor chip placed on the adhesive comes into contact with the conducting wire, a 15% defective package was generated in the continuity evaluation. Further, in the evaluation of the moisture resistance and the evaluation of the high temperature storage characteristics, 15% defective packages were generated. That is, the evaluation package using the sheet-like adhesive according to Comparative Example 6 contains 30 parts by mass of acrylic resin with respect to 100 parts by mass of the cured resin component, so that the sheet-like adhesive becomes soft, Since the semiconductor chip placed on the sheet-like adhesive comes into contact with the conducting wire, the results of inferior electrical conductivity evaluation, moisture resistance evaluation, and high temperature storage property evaluation were inferior.

比較例7に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、硬化樹脂成分100質量部に対してアクリル樹脂を10質量部と少なく含んでいることにより、シート状接着剤が柔らかくなり、シート状接着剤の上に載せた半導体チップが導通用ワイヤに接触してしまうために、導通性の評価において100%の不良パケージが発生した結果となった。また、耐湿性の評価及び高温放置特性の評価においても、ともに100%の不良パケージが発生した結果となった。即ち、比較例7に係るシート状接着剤を用いた評価パッケージは、硬化樹脂成分100質量部に対してアクリル樹脂を10質量部と少なく含んでいることにより、シート状接着剤が柔らかくなり、シート状接着剤の上に載せた半導体チップが導通用ワイヤに接触してしまうために、導通性の評価、耐湿性の評価及び高温放置特性の評価の劣る結果となった。   The evaluation package using the sheet-like adhesive according to Comparative Example 7 contains 10 parts by mass of acrylic resin with respect to 100 parts by mass of the cured resin component, so that the sheet-like adhesive becomes soft, and sheet-like adhesion is achieved. Since the semiconductor chip placed on the agent comes into contact with the conductive wire, 100% defective packages were generated in the conductive evaluation. Further, in the evaluation of moisture resistance and the evaluation of the high temperature storage characteristics, 100% defective packages were generated. That is, the evaluation package using the sheet adhesive according to Comparative Example 7 contains 10 parts by mass of acrylic resin with respect to 100 parts by mass of the cured resin component, so that the sheet adhesive becomes soft and the sheet Since the semiconductor chip placed on the adhesive was brought into contact with the conducting wire, the results of inferior electrical conductivity evaluation, moisture resistance evaluation and high temperature storage property evaluation were inferior.

表2及び表3に示した結果より、キレート変性エポキシ樹脂を使用し、かつ、硬化樹脂成分(エポキシ樹脂とフェノール樹脂)に対するキレート変性エポキシ樹脂の配合割合が10質量%以下であり、かつ、硬化樹脂成分100質量部に対して重量平均分子量が10万以上である高分子量化合物成分であるアクリル樹脂が40〜100質量部であるため、シート状接着剤12の内部のイオン性不純物を捕集することが可能なシート状接着剤12を作製できる。また、本発明に係るシート状接着剤12を用いることにより、シート状接着剤12の内部のイオン性不純物を捕集することが可能なウエハ加工用テープ10を作製できる。また、イオン性不純物を減量する方法や、イオン捕集剤を添加する方法によって作製するシート状接着剤及びウエハ加工用テープに比較して、本発明に係るシート状接着剤12及びウエハ加工用テープ10を安価に作製することができる。また、本発明に係るシート状接着剤12を用いることにより、導通性に優れ、かつ、イオン性不純物による金属腐食を抑制した耐湿性及び高温放置特性に優れたFOW系半導体装置30を作製することができる。また、高分子量化合物成分を少なくすることで、シート状接着剤12を柔らかくし、FOW系半導体装置30の製造工程において、シート状接着剤12に導通用ワイヤを埋め込み易くすることができる。   From the results shown in Table 2 and Table 3, a chelate-modified epoxy resin is used, and the blending ratio of the chelate-modified epoxy resin to the cured resin component (epoxy resin and phenol resin) is 10% by mass or less, and cured. Since the acrylic resin which is a high molecular weight compound component having a weight average molecular weight of 100,000 or more with respect to 100 parts by mass of the resin component is 40 to 100 parts by mass, ionic impurities inside the sheet adhesive 12 are collected. The sheet-like adhesive 12 which can be manufactured can be produced. In addition, by using the sheet-like adhesive 12 according to the present invention, the wafer processing tape 10 capable of collecting ionic impurities inside the sheet-like adhesive 12 can be produced. In addition, the sheet-like adhesive 12 and the wafer processing tape according to the present invention are compared with the sheet-like adhesive and the wafer processing tape prepared by the method of reducing the ionic impurities and the method of adding the ion scavenger. 10 can be manufactured at low cost. In addition, by using the sheet-like adhesive 12 according to the present invention, the FOW semiconductor device 30 having excellent conductivity and suppressing the metal corrosion due to ionic impurities and having excellent moisture resistance and high-temperature storage characteristics is manufactured. Can do. In addition, by reducing the amount of the high molecular weight compound component, the sheet-like adhesive 12 can be softened and the conductive wire can be easily embedded in the sheet-like adhesive 12 in the manufacturing process of the FOW semiconductor device 30.

10:ウエハ加工用テープ
11:離型フィルム
12:接着剤層
13:粘着フィルム
13a:基材フィルム
13b:粘着剤層
20:接着フィルム
30:FOW系半導体装置
31、31a、31b、31c、31d、31e:半導体チップ
32:実装基板
33:導通用ワイヤ
34:バンプ電極
35:接着剤
10: Wafer processing tape 11: Release film 12: Adhesive layer 13: Adhesive film 13a: Base film 13b: Adhesive layer 20: Adhesive film 30: FOW semiconductor devices 31, 31a, 31b, 31c, 31d, 31e: Semiconductor chip 32: Mounting substrate 33: Conducting wire 34: Bump electrode 35: Adhesive

Claims (5)

無機系イオン捕集材を含まず、
硬化樹脂成分として、熱や高エネルギー線で硬化する硬化樹脂とエポキシを硬化させるエポキシ硬化剤とを含み、
前記硬化樹脂の一部又は全部はキレート変性エポキシ樹脂であり、
前記硬化樹脂成分中に前記キレート変性エポキシ樹脂が10質量%以上含み、
前記硬化樹脂成分量100質量部に対して、重量平均分子量が10万以上である高分子量化合物成分量を40〜100質量部含むことを特徴とするウエハ加工用あるいはダイボンディング工程用のシート状接着剤。
Does not contain inorganic ion collector
As a cured resin component, including a cured resin that cures with heat and high energy rays and an epoxy curing agent that cures the epoxy,
Part or all of the cured resin is a chelate-modified epoxy resin,
The chelate-modified epoxy resin contains 10% by mass or more in the cured resin component,
40 to 100 parts by mass of a high molecular weight compound component having a weight average molecular weight of 100,000 or more with respect to 100 parts by mass of the cured resin component , sheet-like adhesion for wafer processing or die bonding process Agent.
前記高分子量化合物は、アクリル樹脂共重合体であることを特徴とする請求項1に記載のウエハ加工用あるいはダイボンディング工程用のシート状接着剤。 The sheet-like adhesive for wafer processing or die bonding process according to claim 1, wherein the high molecular weight compound is an acrylic resin copolymer. 前記シート状接着剤の全量に対して、無機充填剤を40〜70質量%の割合で含むことを特徴とする請求項1または2に記載のウエハ加工用あるいはダイボンディング工程用のシート状接着剤。 3. The sheet-like adhesive for wafer processing or die bonding process according to claim 1, comprising an inorganic filler in a proportion of 40 to 70 mass% with respect to the total amount of the sheet-like adhesive. . 基材フィルムの上に粘着剤層が積層された粘着フィルムを有し、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のウエハ加工用あるいはダイボンディング工程用のシート状接着剤が、前記粘着フィルムの前記粘着剤層に積層されていることを特徴とするウエハ加工用テープ。 It has an adhesive film by which the adhesive layer was laminated | stacked on the base film, The sheet-like adhesive for wafer processing or die bonding process of any one of Claims 1 thru | or 3 is the said adhesive film. A wafer processing tape, wherein the tape is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer. 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のウエハ加工用あるいはダイボンディング工程用のシート状接着剤を用いて作製される半導体装置。 A semiconductor device manufactured using the sheet-like adhesive for wafer processing or die bonding process according to claim 1.
JP2009263578A 2009-11-19 2009-11-19 Sheet adhesive and wafer processing tape Active JP4851579B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009263578A JP4851579B2 (en) 2009-11-19 2009-11-19 Sheet adhesive and wafer processing tape
CN2010102834885A CN102070991A (en) 2009-11-19 2010-09-14 Lamelliform adhesive and adhesive tape for wafer processing
KR1020100101708A KR20110055386A (en) 2009-11-19 2010-10-19 Sheet-like adhesive and tape for processing wafer
TW099139359A TW201120177A (en) 2009-11-19 2010-11-16 Slice like adhesive and tape for wafer processing.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009263578A JP4851579B2 (en) 2009-11-19 2009-11-19 Sheet adhesive and wafer processing tape

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011105875A JP2011105875A (en) 2011-06-02
JP4851579B2 true JP4851579B2 (en) 2012-01-11

Family

ID=44029753

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009263578A Active JP4851579B2 (en) 2009-11-19 2009-11-19 Sheet adhesive and wafer processing tape

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4851579B2 (en)
KR (1) KR20110055386A (en)
CN (1) CN102070991A (en)
TW (1) TW201120177A (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI608062B (en) * 2011-05-31 2017-12-11 住友電木股份有限公司 Resin composition, semiconductor device using said resin composition, and method of producing semiconductor device
JP6435088B2 (en) 2013-04-09 2018-12-05 日東電工株式会社 Adhesive sheet used for manufacturing semiconductor device, dicing tape integrated adhesive sheet, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
JP6242679B2 (en) * 2013-12-25 2017-12-06 日東電工株式会社 Resin film for semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6889398B2 (en) * 2017-07-20 2021-06-18 昭和電工マテリアルズ株式会社 Heat dissipation die bonding film and dicing die bonding film
JP7280661B2 (en) * 2017-12-28 2023-05-24 日東電工株式会社 Dicing die bond film

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1042935A (en) * 1989-11-18 1990-06-13 赣西化工厂 High temperature resistant instant caulk adhesive and compound method thereof
JP3035135B2 (en) * 1993-10-25 2000-04-17 住友ベークライト株式会社 Die bonding material
CN1215137C (en) * 2002-07-30 2005-08-17 关西涂料株式会社 Paint composition and coating method
CN100343297C (en) * 2003-03-10 2007-10-17 大日本油墨化学工业株式会社 Conductive resin composition, process for production thereof, and fuel cell separators
JP2006169446A (en) * 2004-12-17 2006-06-29 Shin Etsu Chem Co Ltd Adhesive composition and cover lay film
CN101198671B (en) * 2005-06-23 2010-11-24 木本股份有限公司 Adhesive and adhesive sheet
JP5248798B2 (en) * 2007-03-28 2013-07-31 株式会社Adeka Curable resin composition and automotive structural adhesive containing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN102070991A (en) 2011-05-25
JP2011105875A (en) 2011-06-02
TW201120177A (en) 2011-06-16
KR20110055386A (en) 2011-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI441894B (en) Thermosetting die bonding film, dicing/die bonding film and semiconductor device
JP5160380B2 (en) Film adhesive, semiconductor package using the same, and manufacturing method thereof
US20110057331A1 (en) Thermosetting die bonding film, dicing die bonding film and semiconductor device
US20110084408A1 (en) Thermosetting die-bonding film
US20100261314A1 (en) Thermosetting die bonding film
JP6101492B2 (en) Adhesive film, dicing die bond film, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device
JP2011023607A (en) Exoergic die-bonding film
JP2009049400A (en) Thermoset die bond film
JP5580730B2 (en) Dicing die bond film and semiconductor element
JP5828881B2 (en) Adhesive film, dicing die bond film, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device
JP2012142368A (en) Dicing die bond film and semiconductor device
JP4851579B2 (en) Sheet adhesive and wafer processing tape
JP2011228642A (en) Wafer processing tape
JP2012186361A (en) Dicing/die-bonding film and semiconductor element
JP5749314B2 (en) Heat dissipation die bond film
JP2009203338A (en) Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device
JP5754072B2 (en) Adhesive composition, adhesive member sheet for connecting circuit members, and method for manufacturing semiconductor device
JP5564782B2 (en) Adhesive composition, film adhesive, adhesive sheet and semiconductor device
JP5714090B1 (en) Film roll for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP6574685B2 (en) Dicing die-bonding film and method for manufacturing semiconductor device
JP6193926B2 (en) Adhesive film, dicing die-bonding film, and semiconductor device manufacturing method
JP5714091B1 (en) Film roll for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP2010199626A (en) Adhesive film for die bonding, and semiconductor device using the same
JP5805925B2 (en) Die bonding film and semiconductor device using the same
JP4851573B2 (en) Sheet adhesive and wafer processing tape

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110422

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110708

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110902

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110930

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111020

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4851579

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141028

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350