JP5580730B2 - Dicing die bond film and semiconductor element - Google Patents

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Description

本発明は、ダイシング・ダイボンドフィルム及びこれを用いて製造される半導体素子に関する。   The present invention relates to a dicing die-bonding film and a semiconductor device manufactured using the same.

従来、半導体装置の製造工程において、ダイシングフィルム上に熱硬化型ダイボンドフィルムが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムが用いられている（例えば、特許文献１参照）。このダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造工程においては、まず、ダイシング・ダイボンドフィルムに半導体ウェハが貼り付けられて固定され、その状態でダイシングが行われる。これにより、半導体ウェハは、所定のサイズに個片化され、半導体チップとなる。次に、ダイシング・ダイボンドフィルムに固定された半導体チップをダイシングフィルムから剥離するために、半導体チップのピックアップが行われる。その後、ダイボンドフィルムと共にピックアップした半導体チップを、ダイボンドフィルムを介して基板等の被着体に固定させる。   Conventionally, in a manufacturing process of a semiconductor device, a dicing die bond film in which a thermosetting die bond film is laminated on a dicing film has been used (for example, see Patent Document 1). In the manufacturing process of a semiconductor device using this dicing die-bonding film, first, a semiconductor wafer is attached and fixed to the dicing die-bonding film, and dicing is performed in that state. As a result, the semiconductor wafer is separated into a predetermined size and becomes a semiconductor chip. Next, in order to peel the semiconductor chip fixed to the dicing die-bonding film from the dicing film, the semiconductor chip is picked up. Thereafter, the semiconductor chip picked up together with the die bond film is fixed to an adherend such as a substrate via the die bond film.

特開２００８−２１８５７１号公報JP 2008-218571 A

近年、携帯電話やデジタルカメラ等の情報通信機器はデバイスの薄型化、高容量化、高速化が進んでいることから、半導体装置の製造過程におけるわずかな異物混入であっても機能低下等の不具合が生じやすくなっている。特に、半導体装置の製造過程でのダイシング・ダイボンドフィルムを用いる搬送、剥離、貼り付け等の各工程においては被加工物が帯電しやすく、その帯電によってパーティクル等が付着してしまい素子の機能低下や電気回路パターンの損傷等により製品不良が発生しやすくなっている。   In recent years, information communication devices such as mobile phones and digital cameras have become thinner, higher capacity, and faster, so that even if a small amount of foreign matter is mixed in the manufacturing process of a semiconductor device, there is a problem such as deterioration in function. Is prone to occur. In particular, in each process such as conveyance, peeling, and pasting using a dicing die-bonding film in the manufacturing process of a semiconductor device, the workpiece is easily charged, and particles or the like are attached due to the charging, and the function of the element is reduced. Product defects are more likely to occur due to damage to electrical circuit patterns.

このような帯電を防止するために半導体装置を製造している工場内を加湿して帯電性をコントロールする方法があるが、発塵を抑えるＨＥＰＡフィルターが水滴を捕集し、捕集された塵等の微小異物同士が凝集してしまって工程内のクリーン度の低下や製造装置のサビるといった問題が生じる。   In order to prevent such charging, there is a method of controlling the charging property by humidifying the factory where the semiconductor device is manufactured, but the HEPA filter that suppresses dust generation collects water droplets and collects the collected dust. As a result, fine foreign matters such as the like are aggregated to cause problems such as a decrease in cleanliness in the process and rusting of the manufacturing apparatus.

この他、ダイボンドフィルムに導電性粒子を配合させて帯電性をコントロールする技術も提案されている。しかしながら、導電性粒子の配合によりダイボンドフィルムの弾性率や溶融粘度等の物理的特性に影響を及ぼすことがあり、場合によっては半導体チップの被着体への接着性やパッケージの信頼性が低下したりすることがあることから、帯電防止性と接着信頼性等の物理的特性との両立が望まれている。   In addition, a technique for controlling the charging property by adding conductive particles to a die bond film has been proposed. However, the compounding of the conductive particles may affect physical properties such as the elastic modulus and melt viscosity of the die bond film. In some cases, the adhesion of the semiconductor chip to the adherend and the reliability of the package may be reduced. Therefore, it is desired to satisfy both physical properties such as antistatic properties and adhesion reliability.

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、低湿度のクリーンルーム内でも剥離帯電が起こりにくく、ダイボンディング時の接着性、パッケージの信頼性等に優れたダイシング・ダイボンドフィルム、及び、当該ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造される半導体装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and the purpose thereof is a dicing die-bonding film excellent in adhesiveness at the time of die bonding, package reliability, etc. And it is providing the semiconductor device manufactured using the said dicing die-bonding film.

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、ダイボンドフィルム上にダイシングフィルムが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムについて検討した。その結果、熱硬化型ダイボンドフィルムに導電性粒子を含有させ、接着剤組成物の全量に対してそれぞれ、アクリル樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量をＡ重量％とし、導電性粒子の含有量をＢ重量％としたとき、式（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））により得られる値を０．４０以上０．９６以下とし、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率を１×１０−６Ω・ｃｍ以上９×１０−３Ω・ｃｍ以下とすることにより、低湿度環境下でも剥離帯電を起こりににくくすることができ、優れた接着信頼性を得ることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。 In order to solve the above-mentioned conventional problems, the inventors of the present application have studied a dicing die bond film in which a dicing film is laminated on a die bond film. As a result, the thermosetting die-bonding film is made to contain conductive particles, and the total content of acrylic resin and phenolic resin is set to A wt% with respect to the total amount of the adhesive composition, and the content of conductive particles is set to B. The value obtained by the formula (B / (A + B)) is 0.40 or more and 0.96 or less, and the volume resistivity of the thermosetting die bond film is 1 × 10 −6 Ω · cm or more and 9 It has been found that by setting it to 10 × 3 −3 Ω · cm or less, peeling electrification can hardly occur even in a low humidity environment, and excellent adhesion reliability can be obtained, and the present invention has been completed. .

すなわち、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイシングフィルム上に熱硬化型ダイボンドフィルムが設けられたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを構成する接着剤組成物は、アクリル樹脂、フェノール樹脂及び導電性粒子を含み、前記接着剤組成物の全量に対してそれぞれ、前記アクリル樹脂及び前記フェノール樹脂の合計含有量をＡ重量％とし、前記導電性粒子の含有量をＢ重量％としたとき、式（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））により得られる値が０．４０以上０．９６以下であり、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率が１×１０−６Ω・ｃｍ以上９×１０−３Ω・ｃｍ以下である。 That is, the dicing die bond film according to the present invention is a dicing die bond film in which a thermosetting die bond film is provided on the dicing film, and the adhesive composition constituting the thermosetting die bond film is an acrylic resin. In addition, the total content of the acrylic resin and the phenol resin is A wt%, and the content of the conductive particles is B wt% with respect to the total amount of the adhesive composition. The value obtained by the formula (B / (A + B)) is 0.40 or more and 0.96 or less, and the volume resistivity of the thermosetting die bond film is 1 × 10 −6 Ω · cm or more and 9 ×. 10 −3 Ω · cm or less.

前記構成によれば、導電性粒子を熱硬化型ダイボンドフィルム（以下、単に「ダイボンドフィルムを」と称する場合がある）に含有させて、導電性を付与し、熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率を９×１０−３Ω・ｃｍ以下とすることにより、高い帯電防止効果を発揮することができる。その結果、低湿度環境下でも半導体素子の製造工程中に発生する剥離帯電による半導体チップの破壊やパーティクルの吸着による機能低下を防止し、デバイスとしての信頼性を向上させることが可能となる。また、体積抵抗率を１×１０−６Ω・ｃｍ以上とすることにより、ダイボンド後のダイボンドフィルムの被着体への接着安定性を確保することができると共に、チップを破損することなくピックアップすることができる。なお、本発明における「体積抵抗率」は、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準じ、四探針法によって測定される値であり、詳細は実施例に記載の手順による。 According to the said structure, electroconductive particle is contained in the thermosetting type die-bonding film (Hereinafter, it may only be called a "die-bonding film."), Electroconductivity is provided, and the volume resistivity of a thermosetting type die-bonding film By setting the value to 9 × 10 −3 Ω · cm or less, a high antistatic effect can be exhibited. As a result, even under a low humidity environment, it is possible to prevent the semiconductor chip from being broken due to peeling charging that occurs during the manufacturing process of the semiconductor element, and to prevent functional degradation due to the adsorption of particles, thereby improving the reliability of the device. Further, by setting the volume resistivity to 1 × 10 −6 Ω · cm or more, it is possible to ensure adhesion stability of the die-bonding film after die-bonding to the adherend and to pick up without damaging the chip. be able to. The “volume resistivity” in the present invention is a value measured by the four-probe method according to JIS K 7194, and details are according to the procedure described in the examples.

また前記構成においては、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを構成する接着剤組成物の全量に対してそれぞれ、アクリル樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量をＡ重量％とし、導電性粒子の含有量をＢ重量％としたとき、式（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））により得られる値が０．４０以上０．９６以下である。式（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））により得られる値を０．４０以上とすることにより、より高い導電性を確保して帯電防止性を付与することができると共に、弾性率が低くなりすぎて半導体チップの被着体への接着性が低下してしまうことを防止することができる。また、式（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））により得られる値を０．９６以下とすることにより、導電性粒子の充填率が高くなりダイボンドフィルムの半導体ウェハに対する濡れ性が低下してしまうことを防止し、ダイボンドフィルムの被着体への良好な接着性を発揮させることができる。   Moreover, in the said structure, with respect to the whole quantity of the adhesive composition which comprises the said thermosetting type die-bonding film, respectively, the total content of an acrylic resin and a phenol resin is made into A weight%, and content of electroconductive particle is made into B weight. %, The value obtained by the formula (B / (A + B)) is 0.40 or more and 0.96 or less. By setting the value obtained by the formula (B / (A + B)) to 0.40 or more, higher conductivity can be secured and antistatic properties can be imparted, and the elastic modulus becomes too low, resulting in a semiconductor chip. It can prevent that the adhesiveness to the to-be-adhered body falls. Further, by setting the value obtained by the formula (B / (A + B)) to 0.96 or less, the filling rate of the conductive particles is increased, and the wettability of the die bond film to the semiconductor wafer is prevented from being lowered. Good adhesion to the adherend of the die bond film can be exhibited.

本発明において、前記導電性粒子の平均粒径は０．０１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。前記導電性粒子の平均粒径を０．０１μｍ以上とすることにより、ダイボンドフィルムの被着体への濡れ性を確保して良好な接着性を発揮させることができ、１０μｍ以下とすることにより、導電性粒子の添加による導電性の向上効果をより良好なものとすることができるからである。また、前記範囲の平均粒径により、熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さを薄くすることができ、ひいては半導体チップを高積層化することができると共に、熱硬化型ダイボンドフィルムから導電性粒子が突き出すことによるチップクラックの発生を防止することができる。   In this invention, it is preferable that the average particle diameter of the said electroconductive particle is 0.01 micrometer or more and 10 micrometers or less. By setting the average particle size of the conductive particles to 0.01 μm or more, it is possible to ensure wettability to the adherend of the die bond film and to exhibit good adhesion, and by setting it to 10 μm or less, This is because the effect of improving the conductivity due to the addition of the conductive particles can be improved. In addition, the average particle size in the above range can reduce the thickness of the thermosetting die bond film, and thus the semiconductor chip can be highly laminated, and the conductive particles protrude from the thermosetting die bond film. It is possible to prevent chip cracks from occurring.

また本発明において、前記導電性粒子は、ニッケル粒子、銅粒子、銀粒子、アルミニウム粒子、カーボンブラック粒子、繊維状粒子であるカーボンナノチューブ、及びコア粒子の表面を導電性材料で被覆した粒子からなる群より選択される少なくとも１種の粒子であることが好ましい。   In the present invention, the conductive particles include nickel particles, copper particles, silver particles, aluminum particles, carbon black particles, carbon nanotubes that are fibrous particles, and particles in which the surfaces of the core particles are coated with a conductive material. It is preferably at least one kind of particles selected from the group.

また、本発明に係る半導体装置は、前記の課題を解決するために、当該ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造される。   Moreover, in order to solve the said subject, the semiconductor device which concerns on this invention is manufactured using the said dicing die-bonding film.

本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the dicing die-bonding film which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the dicing die-bonding film which concerns on other embodiment of this invention. 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating one manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment.

（ダイシング・ダイボンドフィルム）
本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムについて、以下に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図２は、本発明の他の実施形態に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 (Dicing die bond film)
A dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention will be described below. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another dicing die-bonding film according to another embodiment of the present invention.

図１に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイシングフィルム１１上にダイボンドフィルム３が積層された構成を有する。ダイシングフィルム１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されており、ダイボンドフィルム３はその粘着剤層２上に設けられている。また本発明は、図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム１２のように、ワーク貼り付け部分にのみダイボンドフィルム３’を形成した構成であってもよい。   As shown in FIG. 1, the dicing die bond film 10 has a configuration in which a die bond film 3 is laminated on a dicing film 11. The dicing film 11 is configured by laminating the pressure-sensitive adhesive layer 2 on the base material 1, and the die-bonding film 3 is provided on the pressure-sensitive adhesive layer 2. Moreover, the structure which formed the die-bonding film 3 'only in the workpiece | work affixing part may be sufficient as this invention like the dicing die-bonding film 12 shown in FIG.

前記基材１は紫外線透過性を有し、かつダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。   The substrate 1 has ultraviolet transparency and serves as a strength matrix for the dicing die bond films 10 and 12. For example, polyolefins such as low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene, ethylene-acetic acid Vinyl copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, Polyester such as polyurethane, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenylsulfur De, aramid (paper), glass, glass cloth, fluorine resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, metal (foil), paper, and the like.

また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップ（半導体素子）の回収の容易化を図ることができる。   Moreover, as a material of the base material 1, polymers, such as the crosslinked body of the said resin, are mentioned. The plastic film may be used unstretched or may be uniaxially or biaxially stretched as necessary. According to the resin sheet to which heat shrinkability is imparted by stretching treatment or the like, the adhesive area between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die bond films 3 and 3 ′ is reduced by thermally shrinking the base material 1 after dicing, so that the semiconductor chip The collection of the (semiconductor element) can be facilitated.

基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。   The surface of the substrate 1 is chemically treated by conventional surface treatments such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high piezoelectric impact exposure, ionizing radiation treatment, etc. in order to improve adhesion and retention with adjacent layers. Alternatively, a physical treatment or a coating treatment with a primer (for example, an adhesive substance described later) can be performed. The base material 1 can be used by appropriately selecting the same kind or different kinds, and a blend of several kinds can be used as necessary.

基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。   The thickness of the substrate 1 is not particularly limited and can be appropriately determined, but is generally about 5 to 200 μm.

粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。   It does not restrict | limit especially as an adhesive used for formation of the adhesive layer 2, For example, common pressure sensitive adhesives, such as an acrylic adhesive and a rubber adhesive, can be used. The pressure-sensitive adhesive is an acrylic pressure-sensitive adhesive based on an acrylic polymer from the standpoint of cleanability with an organic solvent such as ultrapure water or alcohol for electronic components that are difficult to contaminate semiconductor wafers and glass. Is preferred.

前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。   Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, Isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester , Octadecyl esters, eicosyl esters, etc., alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, especially 4 to 18 carbon linear or branched alkyl esters, etc.) and Meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, acrylic polymers such as one or more was used as a monomer component of the cyclohexyl ester etc.). In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning.

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。   The acrylic polymer contains units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying cohesive force, heat resistance and the like. You may go out. Examples of such monomer components include, for example, carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Styrene Contains sulfonic acid groups such as phonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. One or more of these copolymerizable monomer components can be used. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。   Furthermore, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization as necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) An acrylate etc. are mentioned. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは１０万以上、さらに好ましくは２０万〜３００万程度であり、特に好ましくは３０万〜１００万程度である。   The acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be performed by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. From the viewpoint of preventing contamination of a clean adherend, the content of the low molecular weight substance is preferably small. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 100,000 or more, more preferably about 200,000 to 3,000,000, and particularly preferably about 300,000 to 1,000,000.

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１〜５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。   In addition, an external cross-linking agent can be appropriately employed for the pressure-sensitive adhesive in order to increase the number average molecular weight of an acrylic polymer as a base polymer. Specific examples of the external crosslinking method include a method of adding a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, a melamine crosslinking agent, and reacting them. When using an external cross-linking agent, the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked, and further depending on the intended use as an adhesive. In general, about 5 parts by weight or less, further 0.1 to 5 parts by weight is preferably blended with respect to 100 parts by weight of the base polymer. Furthermore, you may use additives, such as conventionally well-known various tackifiers and anti-aging agent, other than the said component as needed to an adhesive.

粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層２のワーク貼り付け部分に対応する部分２ａのみを放射線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。   The pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive. The radiation curable pressure-sensitive adhesive can increase the degree of cross-linking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays, and can easily reduce its adhesive strength, and a portion 2a corresponding to the work pasting portion of the pressure-sensitive adhesive layer 2 shown in FIG. The difference in adhesive strength with the other part 2b can be provided by irradiating only with radiation.

また、図２に示すダイボンドフィルム３’に合わせて放射線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａにダイボンドフィルム３’が貼付けられるため、粘着剤層２の前記部分２ａとダイボンドフィルム３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。なお、粘着剤層への放射線の照射は、ダイシング後であってかつピックアップ前に行ってもよい。   Further, by curing the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 in accordance with the die bond film 3 ′ shown in FIG. 2, the portion 2 a having a significantly reduced adhesive force can be easily formed. Since the die bond film 3 ′ is attached to the portion 2 a that has been cured and has reduced adhesive strength, the interface between the portion 2 a and the die bond film 3 ′ of the pressure-sensitive adhesive layer 2 has a property of being easily peeled off during pick-up. On the other hand, the portion not irradiated with radiation has a sufficient adhesive force, and forms the portion 2b. In addition, you may perform irradiation of the radiation to an adhesive layer after dicing and before pick-up.

前述の通り、図１に示すダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２において、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂはダイボンドフィルム３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に放射線硬化型粘着剤は、チップ状ワーク（半導体チップ等）を基板等の被着体に固着するためのダイボンドフィルム３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム１１の粘着剤層２においては、前記部分２ｂがウェハリングを固定することができる。   As described above, in the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing die-bonding film 10 shown in FIG. 1, the portion 2 b formed of the uncured radiation-curing pressure-sensitive adhesive sticks to the die-bonding film 3 and retains force when dicing. Can be secured. In this way, the radiation curable pressure-sensitive adhesive can support the die bond film 3 for fixing a chip-like work (semiconductor chip or the like) to an adherend such as a substrate with a good balance of adhesion and peeling. In the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing die bond film 11 shown in FIG. 2, the portion 2b can fix the wafer ring.

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。   As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, those having a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation. As the radiation curable pressure sensitive adhesive, for example, an addition type radiation curable pressure sensitive adhesive in which a radiation curable monomer component or an oligomer component is blended with a general pressure sensitive pressure sensitive adhesive such as an acrylic pressure sensitive adhesive or a rubber pressure sensitive adhesive. An agent can be illustrated.

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。   Examples of the radiation curable monomer component to be blended include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and pentaerythritol. Examples include stall tetra (meth) acrylate, dipentaerystol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, and the like. Examples of the radiation curable oligomer component include various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene, and those having a molecular weight in the range of about 100 to 30,000 are suitable. The compounding amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component can be appropriately determined in accordance with the type of the pressure-sensitive adhesive layer, and the amount capable of reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer. Generally, the amount is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。   In addition to the additive-type radiation curable adhesive described above, the radiation curable pressure-sensitive adhesive has a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or main chain or at the main chain terminal as a base polymer. Intrinsic radiation curable pressure sensitive adhesives using Intrinsic radiation curable adhesives do not need to contain oligomer components, which are low molecular components, or do not contain many, so the oligomer components do not move through the adhesive over time and are stable. This is preferable because an adhesive layer having a layered structure can be formed.

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。   As the base polymer having a carbon-carbon double bond, those having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation. As such a base polymer, those having an acrylic polymer as a basic skeleton are preferable. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。   The method for introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted. However, the carbon-carbon double bond can be easily introduced into the polymer side chain for easy molecular design. . For example, after a monomer having a functional group is previously copolymerized with an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is converted into a radiation curable carbon-carbon double bond. A method of performing condensation or addition reaction while maintaining the above.

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。   Examples of combinations of these functional groups include carboxylic acid groups and epoxy groups, carboxylic acid groups and aziridyl groups, hydroxyl groups and isocyanate groups, and the like. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable because of easy tracking of the reaction. Moreover, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound as long as the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond is generated by a combination of these functional groups. In the preferable combination, it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. Further, as the acrylic polymer, those obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxy group-containing monomers, ether compounds of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, or the like are used.

前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。   As the intrinsic radiation curable pressure-sensitive adhesive, the base polymer (particularly acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond can be used alone, but the radiation curable monomer does not deteriorate the characteristics. Components and oligomer components can also be blended. The radiation-curable oligomer component or the like is usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer.

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。   The radiation curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropio Α-ketol compounds such as phenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- ( Acetophenone compounds such as methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; 2-naphthalenesulfonyl Black Aromatic sulfonyl chloride compounds such as 1; photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketone; acyl phosphinoxide; acyl phosphonate. The compounding quantity of a photoinitiator is about 0.05-20 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acryl-type polymer which comprises an adhesive.

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。   Examples of radiation curable pressure-sensitive adhesives include photopolymerizable compounds such as addition polymerizable compounds having two or more unsaturated bonds and alkoxysilanes having an epoxy group disclosed in JP-A-60-196956. And a rubber-based pressure-sensitive adhesive and an acrylic pressure-sensitive adhesive containing a photopolymerization initiator such as a carbonyl compound, an organic sulfur compound, a peroxide, an amine, and an onium salt-based compound.

前記放射線硬化型の粘着剤層２中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層２に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。すなわち、図１に示すワーク貼り付け部分３ａに対応する部分２ａを着色することができる。従って、粘着剤層２に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、ワーク貼り付け部分３ａを認識し易く、ワークの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体素子を検出する際に、その検出精度が高まり、半導体素子のピックアップ時に誤動作が生ずることがない。   The radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 can contain a compound that is colored by irradiation with radiation, if necessary. By including a compound to be colored in the pressure-sensitive adhesive layer 2 by irradiation with radiation, only the irradiated portion can be colored. That is, the portion 2a corresponding to the workpiece pasting portion 3a shown in FIG. 1 can be colored. Accordingly, whether or not the pressure-sensitive adhesive layer 2 has been irradiated with radiation can be immediately determined by visual observation, the workpiece pasting portion 3a can be easily recognized, and workpieces can be easily pasted together. Further, when detecting a semiconductor element by an optical sensor or the like, the detection accuracy is increased, and no malfunction occurs when the semiconductor element is picked up.

放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等が挙げられる。   A compound that is colored by radiation irradiation is a compound that is colorless or light-colored before radiation irradiation, but becomes colored by radiation irradiation. Preferable specific examples of such compounds include leuco dyes. As the leuco dye, conventional triphenylmethane, fluoran, phenothiazine, auramine, and spiropyran dyes are preferably used. Specifically, 3- [N- (p-tolylamino)]-7-anilinofluorane, 3- [N- (p-tolyl) -N-methylamino] -7-anilinofluorane, 3- [ N- (p-tolyl) -N-ethylamino] -7-anilinofluorane, 3-diethylamino-6-methyl-7-anilinofluorane, crystal violet lactone, 4,4 ', 4 "-trisdimethyl Examples include aminotriphenylmethanol, 4,4 ′, 4 ″ -trisdimethylaminotriphenylmethane, and the like.

これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土等の電子受容体があげられ、さらに、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。   Developers preferably used together with these leuco dyes include conventionally used initial polymers of phenol formalin resins, aromatic carboxylic acid derivatives, electron acceptors such as activated clay, and further change the color tone. In some cases, various known color formers can be used in combination.

この様な放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒等に溶解された後に放射線硬化型接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層２中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、さらに好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層２に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまうため、粘着剤層２の前記部分２ａの硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。   Such a compound that is colored by irradiation with radiation may be once dissolved in an organic solvent or the like and then included in the radiation-curable adhesive, or may be finely powdered and included in the pressure-sensitive adhesive. The use ratio of this compound is 10% by weight or less in the pressure-sensitive adhesive layer 2, preferably 0.01 to 10% by weight, and more preferably 0.5 to 5% by weight. If the proportion of the compound exceeds 10% by weight, the radiation applied to the pressure-sensitive adhesive layer 2 will be absorbed too much by this compound, so that the portion 2a of the pressure-sensitive adhesive layer 2 will be insufficiently cured and will be sufficiently sticky. Power may not decrease. On the other hand, in order to sufficiently color, it is preferable that the ratio of the compound is 0.01% by weight or more.

粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層２における前記部分２ａの粘着力＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を放射線照射してもよい。   When the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, a part of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is radiated so that the pressure-sensitive adhesive strength of the portion 2a in the pressure-sensitive adhesive layer 2 is smaller than the pressure-sensitive adhesive strength of the other portion 2b. It may be irradiated.

前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、支持基材１に放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、ワーク貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを支持基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。   Examples of the method for forming the portion 2a on the pressure-sensitive adhesive layer 2 include a method in which after the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on the support substrate 1, the portion 2a is partially irradiated with radiation to be cured. It is done. The partial radiation irradiation can be performed through a photomask in which a pattern corresponding to the portion 3b other than the workpiece pasting portion 3a is formed. Moreover, the method etc. of irradiating and hardening | curing an ultraviolet-ray spotly are mentioned. The radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed by transferring what is provided on the separator onto the support substrate 1. Partial radiation curing can also be performed on the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 provided on the separator.

また、粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材１の少なくとも片面の、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後に放射線照射して、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造可能である。   In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, all or a part of at least one side of the support substrate 1 other than the part corresponding to the workpiece pasting part 3a is shielded from light. The portion 2a with reduced adhesive strength can be formed by irradiating with radiation after forming the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 on the substrate and curing the portion corresponding to the workpiece pasting portion 3a. . As a light shielding material, what can become a photomask on a support film can be prepared by printing, vapor deposition, or the like. According to this manufacturing method, the dicing die-bonding film 10 of the present invention can be manufactured efficiently.

なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層２の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。   In addition, when curing inhibition by oxygen occurs during irradiation, it is desirable to block oxygen (air) from the surface of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 by some method. For example, a method of coating the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2 with a separator, a method of irradiating ultraviolet rays or the like in a nitrogen gas atmosphere, and the like can be mentioned.

粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、さらには５〜２５μｍが好ましい。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 50 μm from the viewpoint of preventing chipping of the chip cut surface and compatibility of fixing and holding the adhesive layer. Preferably it is 2-30 micrometers, Furthermore, 5-25 micrometers is preferable.

熱硬化型ダイボンドフィルム３、３’を構成する接着剤組成物は、アクリル樹脂、フェノール樹脂及び導電性粒子を含む。前記導電性粒子は、導電性を示す粒子であれば特に限定されないものの、前記導電性粒子は、ニッケル粒子、銅粒子、銀粒子、アルミニウム粒子、カーボンブラック粒子、繊維状粒子であるカーボンナノチューブ、及びコア粒子の表面を導電性材料で被覆した粒子からなる群より選択される少なくとも１種の粒子であることが好ましい。   The adhesive composition constituting the thermosetting die-bonding films 3, 3 'includes an acrylic resin, a phenol resin, and conductive particles. Although the conductive particles are not particularly limited as long as they are conductive particles, the conductive particles are nickel particles, copper particles, silver particles, aluminum particles, carbon black particles, carbon nanotubes that are fibrous particles, and It is preferably at least one particle selected from the group consisting of particles in which the surface of the core particle is coated with a conductive material.

前記コア粒子の表面を導電性材料で被覆した粒子としては、導電性のコア粒子の表面に導電性材料を被覆した粒子、非導電性のコア粒子の表面に導電性材料を被覆した粒子のいずれでもよい。導電性のコア粒子の表面に導電性材料を被覆した粒子としては、例えばニッケル粒子、銅粒子、繊維状カーボンナノチューブ粒子等をコア粒子として金や銀などの貴金属を表面被覆させた粒子等を用いることができる。また、非導電性のコア粒子の表面に導電性材料を被覆した粒子としては、例えば樹脂粒子や無機化合物粒子等の非導電性粒子をコア粒子としてその表面にニッケル、金等の金属でメッキを施したものや前記非導電性粒子をコア粒子として繊維状カーボンナノチューブ粒子を被覆した粒子等を用いることができる。   Examples of the particles in which the surface of the core particle is coated with a conductive material include either a particle in which the surface of a conductive core particle is coated with a conductive material, or a particle in which the surface of a non-conductive core particle is coated with a conductive material. But you can. As the particles having the surface of the conductive core particles coated with a conductive material, for example, particles having a surface coated with a noble metal such as gold or silver using nickel particles, copper particles, fibrous carbon nanotube particles or the like as core particles are used. be able to. In addition, as particles having a conductive material coated on the surface of nonconductive core particles, for example, nonconductive particles such as resin particles and inorganic compound particles are used as core particles, and the surface is plated with a metal such as nickel or gold. For example, particles coated with fibrous carbon nanotube particles using the non-conductive particles as core particles can be used.

前記導電性粒子の形状としては、特に限定されず、例えば、フレーク状、針状、フィラメント状、球状、鱗片状のものを使用することができるが、分散性、充填率の向上の点で球状のものが好ましい。   The shape of the conductive particles is not particularly limited, and for example, flakes, needles, filaments, spheres, and scales can be used, but spherical in terms of improving dispersibility and filling rate. Are preferred.

前記導電性粒子の平均粒径は、０．０１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上１０μｍ以下がより好ましい。前記導電性粒子の平均粒径を０．０１μｍ以上とすることにより、ダイボンドフィルムの被着体への濡れ性を確保して良好な接着性を発揮させることができ、１０μｍ以下とすることにより、導電性粒子の添加による導電性の向上効果をより良好なものとすることができるからである。また、前記範囲の平均粒径により、熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さを薄くすることができ、ひいては半導体チップを高積層化することができると共に、熱硬化型ダイボンドフィルムから導電性粒子が突き出すことによるチップクラックの発生を防止することができる。なお、導電性粒子の平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。   The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.01 μm or more and 10 μm or less, and more preferably 0.1 μm or more and 10 μm or less. By setting the average particle size of the conductive particles to 0.01 μm or more, it is possible to ensure wettability to the adherend of the die bond film and to exhibit good adhesion, and by setting it to 10 μm or less, This is because the effect of improving the conductivity due to the addition of the conductive particles can be improved. In addition, the average particle size in the above range can reduce the thickness of the thermosetting die bond film, and thus the semiconductor chip can be highly laminated, and the conductive particles protrude from the thermosetting die bond film. It is possible to prevent chip cracks from occurring. In addition, the average particle diameter of electroconductive particle is the value calculated | required with the photometric type particle size distribution meter (The product made from HORIBA, apparatus name; LA-910).

また、前記導電性粒子としては、平均粒子径の異なる２種以上の導電性粒子を用いることが好ましい。平均粒径の異なる２種以上の導電性粒子を用いることにより、充填率を向上させ易くすることができるからである。平均粒径の異なる２種の導電性粒子を含有させる場合、平均粒径が０．０１μｍ以上５μｍ未満の導電性粒子Ａと、平均粒径が１μｍ以上１０μｍ以下の導電性粒子Ｂとを混合した系が好ましい。この場合、上記導電性粒子Ａと、導電性粒子Ｂとの混合比は、重量比で１：９〜４：６であることが好ましい。   Further, as the conductive particles, it is preferable to use two or more types of conductive particles having different average particle diameters. This is because it is possible to easily improve the filling rate by using two or more kinds of conductive particles having different average particle diameters. When two kinds of conductive particles having different average particle diameters are contained, conductive particles A having an average particle diameter of 0.01 μm or more and less than 5 μm and conductive particles B having an average particle diameter of 1 μm or more and 10 μm or less were mixed. A system is preferred. In this case, the mixing ratio of the conductive particles A and the conductive particles B is preferably 1: 9 to 4: 6 by weight.

ここで、ダイボンドフィルム３、３’の体積抵抗率は１×１０−６Ω・ｃｍ以上９×１０−３Ω／ｃｍ以下である。上記体積抵抗率は、１×１０−６Ω・ｃｍ以上１×１０−５Ω／ｃｍ以下であることが好ましく、１×１０−６Ω・ｃｍ以上１×１０−４Ω／ｃｍ以下であることがより好ましい。ダイボンドフィルム３、３’の体積抵抗率が９×１０−３Ω・ｃｍ以下であるため、高い帯電防止効果を発揮することができる。その結果、ピックアップ時の剥離帯電により半導体チップが破壊されるのを防止し、半導体装置のデバイスとしての信頼性を向上させることが可能となる。また、体積抵抗率を１×１０−６Ω・ｃｍ以上としているので、ダイボンド後のダイボンドフィルムの被着体への接着安定性を確保することができると共に、チップを破損することなくピックアップすることができる。 Here, the volume resistivity of the die bond films 3 and 3 ′ is 1 × 10 −6 Ω · cm or more and 9 × 10 −3 Ω / cm or less. The volume resistivity, it is 1 × less 10 -6 Ω · cm or more 1 × 10 -5 Ω / cm is preferably, 1 × 10 -6 Ω · cm or more 1 × 10 -4 Ω / cm or less It is more preferable. Since the volume resistivity of the die bond films 3 and 3 ′ is 9 × 10 −3 Ω · cm or less, a high antistatic effect can be exhibited. As a result, it is possible to prevent the semiconductor chip from being destroyed by peeling charging at the time of pickup, and to improve the reliability of the semiconductor device as a device. In addition, since the volume resistivity is 1 × 10 −6 Ω · cm or more, it is possible to ensure the stability of adhesion of the die-bonding film to the adherend after die-bonding and to pick up the chip without damaging it. Can do.

また、ダイボンドフィルム３、３’は、熱硬化前における２５℃での引張貯蔵弾性率が０．０１ＧＰａ〜１０ＧＰａであり、好ましくは０．０５ＧＰａ〜５ＧＰａ、より好ましくは、０．１ＧＰａ〜２ＧＰａである。ダイボンドフィルム３、３’の熱硬化前における２５℃での引張貯蔵弾性率が０．０１ＧＰａ以上であると、比較的高い弾性率を有するため、エキスパンド時に応力が伝わりやすくなり、隣り合う半導体チップを良好に破断することができる。また、前記熱硬化前における２５℃での引張貯蔵弾性率が１０ＧＰａ以下であると、貼り合わせ時や巻き取り時に気泡が混入するのを防ぐことができる。 The die bond films 3, 3 ′ have a tensile storage elastic modulus at 25 ° C. before thermosetting of 0.01 GPa to 10 GPa, preferably 0.05 GPa to 5 GPa, and more preferably 0.1 GPa to 2 GPa. . When the tensile storage modulus at 25 ° C. before thermosetting of the die bond films 3 and 3 ′ is 0.01 GPa or more, since it has a relatively high modulus, stress is easily transmitted during expansion, and adjacent semiconductor chips It can break well. Moreover, it can prevent that a bubble mixes at the time of bonding or winding up that the tensile storage elastic modulus in 25 degreeC before the said thermosetting is 10 GPa or less.

また、ダイボンドフィルム３、３’は、熱硬化前における１００℃での引張貯蔵弾性率が０．００１ＭＰａ〜５ＭＰａであり、好ましくは０．００１ＭＰａ〜０．５ＭＰａ、より好ましくは、０．００１ＭＰａ〜０．０１ＭＰａである。ダイボンドフィルム３、３’の熱硬化前における１００℃での引張貯蔵弾性率が５ＭＰａ以下であると、被着体への接着性、及び、作業性を良好とすることができる。また、前記熱硬化前における１００℃での引張貯蔵弾性率が０．００１ＭＰａ以上であると、チップ周囲のはみ出しなくボンディングすることができる。   In addition, the die bond films 3 and 3 ′ have a tensile storage elastic modulus at 100 ° C. before thermosetting of 0.001 MPa to 5 MPa, preferably 0.001 MPa to 0.5 MPa, and more preferably 0.001 MPa to 0. 0.01 MPa. When the tensile storage elastic modulus at 100 ° C. before thermosetting of the die bond films 3 and 3 ′ is 5 MPa or less, adhesion to an adherend and workability can be improved. Further, when the tensile storage elastic modulus at 100 ° C. before the thermosetting is 0.001 MPa or more, bonding can be performed without protruding around the chip.

また、ダイボンドフィルム３、３’は、加熱による熱硬化後の１７５℃での引張貯蔵弾性率が０．０１〜５０ＭＰａ、より好ましくは０．１〜５０ＭＰａの範囲内であることが好ましい。加熱による熱硬化後の１７５℃での引張貯蔵弾性率を０．０１〜５０ＭＰａとすることにより、ワイヤーボンディング工程の際にも、超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３、３’と被着体との接着面でずり変形が生じることを防止することができる。その結果、ワイヤーボンドの成功率を向上させることができる。なお、ダイボンドフィルム３、３’を熱硬化させる際の加熱条件については、後段にて詳述する。   The die bond films 3 and 3 ′ preferably have a tensile storage elastic modulus at 175 ° C. after heat curing by heating of 0.01 to 50 MPa, more preferably 0.1 to 50 MPa. By setting the tensile storage modulus at 175 ° C. after heat curing by heating to 0.01 to 50 MPa, the die-bonding films 3 and 3 ′ and the adherend are also subjected to ultrasonic vibration and heating in the wire bonding step. It is possible to prevent shear deformation from occurring on the adhesive surface. As a result, the success rate of wire bonding can be improved. The heating conditions for thermosetting the die bond films 3, 3 'will be described in detail later.

また、ダイボンドフィルム３、３’は、加熱による熱硬化後の２６０℃での引張貯蔵弾性率が０．００１ＧＰａ〜５ＧＰａであり、好ましくは０．００２ＧＰａ〜２ＧＰａ、より好ましくは、０．００３ＧＰａ〜１ＧＰａである。加熱による熱硬化後の２６０℃での引張貯蔵弾性率を０．００１〜５ＧＰａとすることにより、リフロー実装時において高信頼性のパッケージを得ることができる。   The die bond films 3, 3 ′ have a tensile storage modulus at 260 ° C. after heat curing by heating of 0.001 GPa to 5 GPa, preferably 0.002 GPa to 2 GPa, more preferably 0.003 GPa to 1 GPa. It is. By setting the tensile storage modulus at 260 ° C. after heat curing by heating to 0.001 to 5 GPa, a highly reliable package can be obtained during reflow mounting.

熱硬化前におけるダイボンドフィルム３、３’の粘着剤層２に対する９０°引き剥がし粘着力は、０．０３〜０．２５Ｎ／２５ｍｍテープ幅が好ましく、０．０４〜０．１５Ｎ／２５ｍｍテープ幅がより好ましい。上記引き剥がし粘着力の測定条件は、引張り速度３００ｍｍ／分、貼り付け温度４０℃、引き剥がし温度２５℃（室温）である。   As for 90 degree peeling adhesive strength with respect to the adhesive layer 2 of the die-bonding films 3 and 3 'before thermosetting, 0.03-0.25N / 25mm tape width is preferable, and 0.04-0.15N / 25mm tape width is preferable. More preferred. The measurement conditions of the peeling adhesive strength are a pulling speed of 300 mm / min, a sticking temperature of 40 ° C., and a peeling temperature of 25 ° C. (room temperature).

ダイボンドフィルム３、３’の積層構造は特に限定されず、例えば接着剤層の単層のみからなるものや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造のもの等が挙げられる。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。   The laminated structure of the die bond films 3 and 3 ′ is not particularly limited, and examples thereof include a single-layer adhesive layer and a multilayer structure in which an adhesive layer is formed on one or both sides of the core material. Examples of the core material include a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, and a polycarbonate film), a resin substrate reinforced with glass fibers or plastic non-woven fibers, a silicon substrate, a glass substrate, or the like. Is mentioned.

前記ダイボンドフィルム３、３’を構成する接着剤組成物は、前述の導電性粒子の他、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む。   The adhesive composition constituting the die bond films 3 and 3 ′ includes a phenol resin and an acrylic resin in addition to the conductive particles described above.

前記フェノール樹脂の使用により、ダイボンドフィルムの高温時における耐熱性や接着性、弾性率を向上させることができる。前記フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。   Use of the phenolic resin can improve the heat resistance, adhesiveness, and elastic modulus of the die bond film at high temperatures. Examples of the phenol resin include phenol novolak resins, phenol aralkyl resins, cresol novolak resins, tert-butylphenol novolak resins, nonylphenol novolak resins, and other novolak type phenol resins, resol type phenol resins, polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene, and the like. Is mentioned. These can be used alone or in combination of two or more. Of these phenol resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferred. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.

エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。また、エポキシ樹脂は、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ない点で好ましい。   The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition. For example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, Bifunctional epoxy resin such as biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type, orthocresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, etc., or hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type Alternatively, an epoxy resin such as a glycidylamine type is used. These can be used alone or in combination of two or more. Of these epoxy resins, novolac type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins or tetraphenylolethane type epoxy resins are particularly preferred. This is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and are excellent in heat resistance and the like. Epoxy resins are preferable in that they contain little ionic impurities that corrode semiconductor elements.

前記エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂としては、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。   Examples of thermosetting resins other than the epoxy resin include amino resins, unsaturated polyester resins, polyurethane resins, silicone resins, and thermosetting polyimide resins. These resins can be used alone or in combination of two or more. Moreover, as a hardening | curing agent of an epoxy resin, a phenol resin is preferable.

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。すなわち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。   The mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that, for example, the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 to 2.0 equivalents per 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. . More preferred is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of both is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured epoxy resin are likely to deteriorate.

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。アクリル樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できる点で好ましい。   The acrylic resin is not particularly limited, and includes one or two or more esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms. Examples thereof include a polymer (acrylic copolymer) as a component. Examples of the alkyl group include a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, hexyl group, heptyl group, cyclohexyl group, 2- Examples include an ethylhexyl group, an octyl group, an isooctyl group, a nonyl group, an isononyl group, a decyl group, an isodecyl group, an undecyl group, a lauryl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a stearyl group, an octadecyl group, and a dodecyl group. An acrylic resin is preferable in that it has few ionic impurities and high heat resistance, and can ensure the reliability of the semiconductor element.

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。   In addition, the other monomer forming the polymer is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. Carboxyl group-containing monomers such as acid anhydride monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4- (meth) acrylic acid 4- Hydroxybutyl, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -Methyla Hydroxyl group-containing monomers such as relate, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) Examples thereof include sulfonic acid group-containing monomers such as acryloyloxynaphthalene sulfonic acid, and phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate.

前記アクリル樹脂以外の熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。   As thermoplastic resins other than the acrylic resin, natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, Examples include polycarbonate resins, thermoplastic polyimide resins, polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, and fluorine resins. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more.

前記接着剤組成物における熱硬化性樹脂の配合割合としては、所定条件下で加熱した際にダイボンドフィルム３、３’が熱硬化型としての機能を発揮する程度であれば特に限定されないが、１〜６０重量％の範囲内であることが好ましく、５〜５０重量％の範囲内であることがより好ましい。   The mixing ratio of the thermosetting resin in the adhesive composition is not particularly limited as long as the die-bonding films 3 and 3 ′ exhibit a function as a thermosetting type when heated under predetermined conditions. It is preferably in the range of ˜60% by weight, and more preferably in the range of 5˜50% by weight.

当該ダイシング・ダイボンドフィルムでは、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを構成する接着剤組成物の全量に対してそれぞれ、アクリル樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量をＡ重量％とし、導電性粒子の含有量をＢ重量％としたとき、式（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））により得られる値が０．４０以上０．９６以下である。式（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））により得られる値を０．４０以上としているので、より高い導電性を確保して帯電防止性を付与することができると共に、弾性率が低くなりすぎて半導体チップの被着体への接着性が低下してしまうことを防止することができる。また、式（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））により得られる値を０．９６以下としていることから、導電性粒子の充填率が高くなりダイボンドフィルムの半導体ウェハに対する濡れ性が低下してしまうことを防止し、ダイボンドフィルムの被着体への良好な接着性を向上させることができると共に、耐熱性が上がることによってパッケージの信頼性を向上させることができる。   In the dicing / die-bonding film, the total content of acrylic resin and phenolic resin is A wt% and the content of conductive particles is B with respect to the total amount of the adhesive composition constituting the thermosetting die-bonding film. The value obtained by the formula (B / (A + B)) is 0.40 or more and 0.96 or less when the weight is given. Since the value obtained by the formula (B / (A + B)) is 0.40 or more, it is possible to secure higher conductivity and impart antistatic properties, and the elastic modulus becomes too low, resulting in the semiconductor chip. It can prevent that the adhesiveness to a to-be-adhered body falls. Moreover, since the value obtained by the formula (B / (A + B)) is 0.96 or less, the filling rate of the conductive particles is increased, and the wettability of the die bond film to the semiconductor wafer is prevented from decreasing. In addition to improving the adhesion of the die bond film to the adherend, the reliability of the package can be improved by increasing the heat resistance.

本発明のダイボンドフィルム３、３’を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。   When the die-bonding films 3, 3 ′ of the present invention are previously crosslinked to some extent, a polyfunctional compound that reacts with the functional group at the molecular chain end of the polymer is added as a crosslinking agent during production. Is good. Thereby, the adhesive property under high temperature can be improved and heat resistance can be improved.

前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。   A conventionally well-known thing can be employ | adopted as said crosslinking agent. In particular, polyisocyanate compounds such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, adducts of polyhydric alcohol and diisocyanate are more preferable. The addition amount of the crosslinking agent is usually preferably 0.05 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer. When the amount of the cross-linking agent is more than 7 parts by weight, the adhesive force is lowered, which is not preferable. On the other hand, if it is less than 0.05 parts by weight, the cohesive force is insufficient, which is not preferable. Moreover, you may make it include other polyfunctional compounds, such as an epoxy resin, together with such a polyisocyanate compound as needed.

また、ダイボンドフィルム３、３’には、その用途に応じて前記導電性粒子以外のフィラーを適宜配合することができる。前記フィラーの配合は、弾性率の調節等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられる。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。   Moreover, fillers other than the said electroconductive particle can be suitably mix | blended with the die-bonding films 3 and 3 'according to the use. The blending of the filler enables adjustment of the elastic modulus. Examples of the filler include inorganic fillers and organic fillers. The inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, and aluminum borate whisker. , Boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

なお、ダイボンドフィルム３、３’には、前記フィラー以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。   In addition to the said filler, other additives can be suitably mix | blended with the die-bonding films 3 and 3 'as needed. Examples of other additives include flame retardants, silane coupling agents, ion trapping agents, and the like. Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like. These can be used alone or in combination of two or more. Examples of the silane coupling agent include β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like. These compounds can be used alone or in combination of two or more. Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. These can be used alone or in combination of two or more.

ダイボンドフィルム３、３’の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層による固定保持の両立性の観点から、１〜２００μｍが好ましく、より好ましくは３〜１００μｍ、さらに好ましくは５〜８０μｍである。   The thickness of the die bond films 3 and 3 ′ (total thickness in the case of a laminate) is not particularly limited, but is preferably 1 to 200 μm from the viewpoint of chipping prevention of chip cut surfaces and compatibility of fixing and holding by an adhesive layer. More preferably, it is 3-100 micrometers, More preferably, it is 5-80 micrometers.

前記ダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２は、基材１や粘着剤層に対しても、その接着時及び剥離時等における静電気の発生やそれによる半導体ウェハ等の帯電で回路が破壊されること等を防止する目的で帯電防止機能を持たせることができる。帯電防止機能の付与は、基材１や粘着剤層２に帯電防止剤や導電性物質の添加する方法、基材１への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層の付設等、適宜な方式で行うことができる。これら方式は半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。   The dicing die-bonding films 10 and 12 also cause the circuit to be destroyed by the generation of static electricity and the charging of the semiconductor wafer or the like due to the occurrence of static electricity at the time of adhesion and peeling, etc., to the substrate 1 and the adhesive layer. In order to prevent this, an antistatic function can be provided. The antistatic function can be imparted appropriately by a method of adding an antistatic agent or a conductive material to the base material 1 or the pressure-sensitive adhesive layer 2, or by attaching a conductive layer made of a charge transfer complex or a metal film to the base material 1. Can be done in a manner. These systems are preferably systems that do not easily generate impurity ions that may alter the semiconductor wafer. As a conductive substance (conductive filler) blended for the purpose of imparting conductivity and improving thermal conductivity, spherical, needle-like, and flaky shapes such as silver, aluminum, gold, copper, nickel, and conductive alloys Examples thereof include metal powders, metal oxides such as alumina, amorphous carbon black, and graphite.

前記ダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２のダイボンドフィルム３、３’は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム３、３’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、さらに、粘着剤層２にダイボンドフィルム３、３’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルム３、３’上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。   The die bond films 3, 3 'of the dicing die bond films 10, 12 are preferably protected by a separator (not shown). The separator has a function as a protective material for protecting the die bond films 3 and 3 ′ until they are put into practical use. Further, the separator can be used as a support base material when transferring the die bond films 3 and 3 ′ to the pressure-sensitive adhesive layer 2. The separator is peeled off when a workpiece is stuck on the die bond film 3, 3 'of the dicing die bond film. As the separator, a plastic film or paper surface-coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine release agent, or a long-chain alkyl acrylate release agent can be used.

本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２は、例えば、次の通りにして作製される。
まず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。 The dicing die bond films 10 and 12 according to the present embodiment are produced as follows, for example.
First, the base material 1 can be formed by a conventionally known film forming method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a co-extrusion method, and a dry lamination method.

次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。その後、基材１上に粘着剤層２をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングフィルム１１が作製される。   Next, after a pressure-sensitive adhesive composition solution is applied onto the substrate 1 to form a coating film, the coating film is dried under predetermined conditions (heat-crosslinked as necessary), and the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed. Form. It does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating, etc. are mentioned. As drying conditions, for example, the drying temperature is 80 to 150 ° C. and the drying time is 0.5 to 5 minutes. Moreover, after apply | coating an adhesive composition on a separator and forming a coating film, the coating film may be dried on the said drying conditions, and the adhesive layer 2 may be formed. Then, the adhesive layer 2 is bonded together with the separator on the base material 1. Thereby, the dicing film 11 is produced.

ダイボンドフィルム３、３’は、例えば、次の通りにして作製される。
まず、ダイシング・ダイボンドフィルム３、３’の形成材料である接着剤組成物を作製する。当該接着剤組成物には、前述の通り、前記フェノール樹脂やアクリル樹脂、導電性粒子と共に、必要に応じてその他各種の添加剤等が配合されている。通常、接着剤組成物は、溶媒に溶解させた溶液状態又は溶媒に分散させた分散液状態で用いられる（以下、溶液状態には分散液状態も含むこととする）。 The die bond films 3 and 3 ′ are produced, for example, as follows.
First, an adhesive composition that is a material for forming the dicing die-bonding films 3 and 3 ′ is prepared. As described above, the adhesive composition is blended with various other additives as necessary, in addition to the phenol resin, acrylic resin, and conductive particles. Usually, the adhesive composition is used in a solution state dissolved in a solvent or a dispersion state dispersed in a solvent (hereinafter, the solution state includes a dispersion state).

次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚さとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて接着剤層を形成してもよい。その後、基材セパレータ上に接着剤層をセパレータと共に貼り合わせる。   Next, the adhesive composition solution is applied on the base separator to a predetermined thickness to form a coating film, and then the coating film is dried under predetermined conditions to form an adhesive layer. It does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating, etc. are mentioned. As drying conditions, for example, the drying temperature is 70 to 160 ° C. and the drying time is 1 to 5 minutes. Moreover, after apply | coating an adhesive composition solution on a separator and forming a coating film, you may dry an application film on the said drying conditions, and may form an adhesive bond layer. Then, an adhesive bond layer is bonded together with a separator on a base material separator.

続いて、ダイシングフィルム１１及び接着剤層からそれぞれセパレータを剥離し、接着剤層と粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。次に、接着剤層上の基材セパレータを剥離し、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムが得られる。   Subsequently, the separator is peeled off from each of the dicing film 11 and the adhesive layer, and the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer are bonded to each other so as to be a bonding surface. Bonding can be performed by, for example, pressure bonding. At this time, the lamination temperature is not particularly limited, and is preferably 30 to 50 ° C., for example, and more preferably 35 to 45 ° C. Moreover, a linear pressure is not specifically limited, For example, 0.1-20 kgf / cm is preferable and 1-10 kgf / cm is more preferable. Next, the base material separator on the adhesive layer is peeled off, and the dicing die-bonding film according to the present embodiment is obtained.

（半導体装置の製造方法）
本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２は、ダイボンドフィルム３、３’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図３を参照しながらダイシング・ダイボンドフィルム１０を用いた場合を例にして説明する。 (Method for manufacturing semiconductor device)
The dicing die-bonding films 10 and 12 of the present invention are used as follows by appropriately separating the separator arbitrarily provided on the die-bonding films 3 and 3 ′. Hereinafter, a case where the dicing die-bonding film 10 is used will be described as an example with reference to FIG.

まず、ダイシング・ダイボンドフィルム１０におけるダイボンドフィルム３の半導体ウェハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（貼り付け工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば２０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。   First, the semiconductor wafer 4 is pressure-bonded onto the semiconductor wafer bonding portion 3a of the die-bonding film 3 in the dicing die-bonding film 10, and this is bonded and held (fixing step). This step is performed while pressing with a pressing means such as a pressure roll. The attaching temperature at the time of mounting is not specifically limited, For example, it is preferable to exist in the range of 20-80 degreeC.

次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシング・ダイボンドフィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシング・ダイボンドフィルム１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。   Next, dicing of the semiconductor wafer 4 is performed. Thereby, the semiconductor wafer 4 is cut into a predetermined size and separated into individual pieces, and the semiconductor chip 5 is manufactured. Dicing is performed according to a conventional method from the circuit surface side of the semiconductor wafer 4, for example. Further, in this step, for example, a cutting method called full cut in which cutting is performed up to the dicing die bond film 10 can be adopted. It does not specifically limit as a dicing apparatus used at this process, A conventionally well-known thing can be used. Further, since the semiconductor wafer is bonded and fixed by the dicing die-bonding film 10, chip chipping and chip jumping can be suppressed, and damage to the semiconductor wafer 4 can be suppressed.

ダイシング・ダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップを剥離するために、半導体チップ５のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシング・ダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。   In order to peel off the semiconductor chip adhered and fixed to the dicing die bond film 10, the semiconductor chip 5 is picked up. The pickup method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, a method of pushing up the individual semiconductor chips 5 from the dicing die bond film 10 side with a needle and picking up the pushed-up semiconductor chips 5 with a pickup device may be mentioned.

ピックアップ条件としては、ニードル突き上げ速度を５〜１００ｍｍ／秒とすることが好ましく、５〜１０ｍｍ／秒とすることがより好ましい。５ｍｍ／秒以上とすることにより、静電気放電量が多くなるのを防止することができ、１００ｍｍ／秒以下とすることにより、帯電量が多くなるのを防止することができるからである。   As pick-up conditions, the needle push-up speed is preferably 5 to 100 mm / sec, and more preferably 5 to 10 mm / sec. This is because an increase in the amount of electrostatic discharge can be prevented by setting it to 5 mm / second or more, and an increase in the charge amount can be prevented by setting it to 100 mm / second or less.

ピックアップ時には、ダイシングフィルム１１からダイボンドフィルム３付きの半導体チップ５を剥離するため、剥離帯電が発生する。しかしながら、本実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０であれば、体積抵抗率が９×１０−３Ω・ｃｍ以下であるため、低湿度下でも剥離帯電が起こりにくくなっている。その結果、発生した静電気により半導体チップ５が破壊されるのを防止し、半導体チップ５の信頼性を向上させることが可能となる。また、体積抵抗率を１×１０−６Ω・ｃｍ以上とすることにより、ダイボンド後のダイボンドフィルムの被着体への接着安定性を確保することができると共に、チップを破損することなくピックアップすることができる。 At the time of pick-up, the semiconductor chip 5 with the die bond film 3 is peeled from the dicing film 11, so that peeling electrification occurs. However, if the dicing die-bonding film 10 according to the present embodiment has a volume resistivity of 9 × 10 −3 Ω · cm or less, peeling electrification hardly occurs even under low humidity. As a result, it is possible to prevent the semiconductor chip 5 from being destroyed by the generated static electricity and improve the reliability of the semiconductor chip 5. Further, by setting the volume resistivity to 1 × 10 −6 Ω · cm or more, it is possible to ensure adhesion stability of the die-bonding film after die-bonding to the adherend and to pick up without damaging the chip. be able to.

ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型であるため、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２のダイボンドフィルム３に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。なお、粘着剤層に予め紫外線照射し硬化させておき、この硬化した粘着剤層とダイボンドフィルムとを貼り合わせている場合は、ここでの紫外線照射は不要である。   Here, since the pressure-sensitive adhesive layer 2 is an ultraviolet curable type, the pickup is performed after the pressure-sensitive adhesive layer 2 is irradiated with ultraviolet rays. Thereby, the adhesive force with respect to the die-bonding film 3 of the adhesive layer 2 falls, and peeling of the semiconductor chip 5 becomes easy. As a result, the pickup can be performed without damaging the semiconductor chip 5. Conditions such as irradiation intensity and irradiation time at the time of ultraviolet irradiation are not particularly limited, and may be set as necessary. Moreover, the above-mentioned thing can be used as a light source used for ultraviolet irradiation. In addition, when the adhesive layer is preliminarily irradiated and cured and this cured adhesive layer and the die bond film are bonded together, the ultraviolet irradiation here is unnecessary.

ピックアップした半導体チップ５は、ダイボンドフィルム３を介して被着体６に接着固定する（ダイボンド）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。   The picked-up semiconductor chip 5 is bonded and fixed to the adherend 6 via the die bond film 3 (die bond). Examples of the adherend 6 include a lead frame, a TAB film, a substrate, and a separately manufactured semiconductor chip. The adherend 6 may be, for example, a deformable adherend that can be easily deformed or a non-deformable adherend (such as a semiconductor wafer) that is difficult to deform.

前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。   A conventionally well-known thing can be used as said board | substrate. As the lead frame, a metal lead frame such as a Cu lead frame or a 42 Alloy lead frame, or an organic substrate made of glass epoxy, BT (bismaleimide-triazine), polyimide, or the like can be used. However, the present invention is not limited to this, and includes a circuit board that can be used by mounting a semiconductor element and electrically connecting the semiconductor element.

ダイボンドフィルム３は熱硬化型であるので、加熱硬化により、半導体チップ５を被着体６に接着固定し、耐熱強度を向上させる。このとき、本発明は、従来のダイボンドフィルムと比較して加熱温度を低減できると共に、加熱時間の短縮も図れる。その結果、加熱温度は、８０〜２００℃、好ましくは１００〜１７５℃、より好ましくは１００〜１４０℃で行うことができる。また、加熱時間は、０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜３時間、より好ましくは０．２〜１時間で行うことができる。なお、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。   Since the die-bonding film 3 is a thermosetting type, the semiconductor chip 5 is bonded and fixed to the adherend 6 by heat curing to improve the heat resistance strength. At this time, the present invention can reduce the heating temperature and shorten the heating time as compared with the conventional die bond film. As a result, the heating temperature can be 80 to 200 ° C, preferably 100 to 175 ° C, more preferably 100 to 140 ° C. The heating time can be 0.1 to 24 hours, preferably 0.1 to 3 hours, more preferably 0.2 to 1 hour. In addition, what the semiconductor chip 5 adhere | attached and fixed to the board | substrate etc. via the die-bonding film 3 can use for a reflow process.

熱硬化後のダイボンドフィルム３の剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程における超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることがない。すなわち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。   The shear bond strength of the die-bonding film 3 after thermosetting is preferably 0.2 MPa or more with respect to the adherend 6, more preferably 0.2 to 10 MPa. When the shear bond strength of the die bond film 3 is at least 0.2 MPa or more, the bonding surface between the die bond film 3 and the semiconductor chip 5 or the adherend 6 by the ultrasonic vibration or heating in the wire bonding process. No shear deformation occurs. That is, the semiconductor element does not move due to ultrasonic vibration during wire bonding, thereby preventing the success rate of wire bonding from decreasing.

なお、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ダイボンドフィルム３の加熱処理による熱硬化工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、さらに半導体チップ５を封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアしてもよい。この場合、ダイボンドフィルム３の仮固着時の剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の仮固着時における剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程における超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることがない。すなわち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。なお、仮固着とは、以降の工程において支障がないように、熱硬化型ダイボンドフィルムの硬化反応を完全に進行した状態に至らない程度で該ダイボンドフィルムを硬化させて（半硬化状態にして）半導体チップ５を固定した状態をいう。   In addition, the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this invention performs wire bonding, without passing through the thermosetting process by heat processing of the die-bonding film 3, and also seals the semiconductor chip 5 with sealing resin, The sealing resin May be aftercured. In this case, the shear adhesive force at the time of temporary fixing of the die bond film 3 is preferably 0.2 MPa or more, more preferably 0.2 to 10 MPa with respect to the adherend 6. Even if the wire bonding step is performed without passing through the heating step, the die bond film 3 and the semiconductor are bonded by the ultrasonic vibration or heating in the step, when the shear bonding force at the time of temporary fixing of the die bond film 3 is at least 0.2 MPa. Shear deformation does not occur on the bonding surface with the chip 5 or the adherend 6. That is, the semiconductor element does not move due to ultrasonic vibration during wire bonding, thereby preventing the success rate of wire bonding from decreasing. Temporary fixing means that the die-bonding film is cured (in a semi-cured state) to such an extent that the curing reaction of the thermosetting die-bonding film does not proceed completely so as not to hinder the subsequent steps. A state in which the semiconductor chip 5 is fixed.

前記のワイヤーボンディングは、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する工程である（図３参照）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム３の熱硬化を行うことなく実行することができる。また、本工程の過程でダイボンドフィルム３により半導体チップ５と被着体６とが固着することはない。   The wire bonding is a step of electrically connecting the tip of the terminal portion (inner lead) of the adherend 6 and an electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 5 with a bonding wire 7 (see FIG. 3). . As the bonding wire 7, for example, a gold wire, an aluminum wire, a copper wire or the like is used. The temperature at the time of wire bonding is 80 to 250 ° C, preferably 80 to 220 ° C. The heating time is several seconds to several minutes. The connection is performed by a combination of vibration energy by ultrasonic waves and crimping energy by applying pressure while being heated so as to be within the temperature range. This step can be performed without thermosetting the die bond film 3. Further, the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are not fixed by the die bond film 3 in the process of this step.

前記封止工程は、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する工程である（図３参照）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護するために行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。すなわち、本発明においては、後述する後硬化工程が行われない場合においても、本工程においてダイボンドフィルム３による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。   The sealing step is a step of sealing the semiconductor chip 5 with the sealing resin 8 (see FIG. 3). This step is performed to protect the semiconductor chip 5 and the bonding wire 7 mounted on the adherend 6. This step is performed by molding a sealing resin with a mold. As the sealing resin 8, for example, an epoxy resin is used. Although the heating temperature at the time of resin sealing is normally performed at 175 degreeC for 60 to 90 second, this invention is not limited to this, For example, it can cure at 165 to 185 degreeC for several minutes. Thereby, the sealing resin is cured, and the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are fixed through the die bond film 3. That is, in the present invention, even when the post-curing step described later is not performed, the die-bonding film 3 can be fixed in this step, which contributes to the reduction in the number of manufacturing steps and the manufacturing time of the semiconductor device. Can do.

前記後硬化工程においては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程においてダイボンドフィルム３が完全に熱硬化していない場合でも、本工程において封止樹脂８と共にダイボンドフィルム３の完全な熱硬化が可能となる。本工程における加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。   In the post-curing step, the sealing resin 8 that is insufficiently cured in the sealing step is completely cured. Even when the die bond film 3 is not completely thermoset in the sealing step, the die bond film 3 can be completely thermoset together with the sealing resin 8 in this step. Although the heating temperature in this process changes with kinds of sealing resin, it exists in the range of 165-185 degreeC, for example, and heating time is about 0.5 to 8 hours.

なお、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。このとき、半導体チップ間にダイボンドフィルムとスペーサとを積層させてもよく、スペーサを積層することなく、ダイボンドフィルムのみを半導体チップ間に積層させてもよく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。   In addition, the dicing die-bonding film of this invention can be used suitably also when laminating | stacking a several semiconductor chip and carrying out three-dimensional mounting. At this time, the die bond film and the spacer may be laminated between the semiconductor chips, or only the die bond film may be laminated between the semiconductor chips without laminating the spacers. Is possible.

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、「部」は重量部を意味する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in the examples are not intended to limit the gist of the present invention only to those unless otherwise specified. “Parts” means parts by weight.

（実施例１）
下記（ａ）〜（ｅ）を含む接着剤組成物をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度４７．０重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２５） ４４．１部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ＭＥＨ７８５１−３Ｈ） ５５．９部
（ｃ）アクリルゴム（ナガセケムテックス製、ＳＧ−８０Ｈ） １００部
（ｄ）球状銀粉（福田金属（株）製、ＡｇＣ−１５６Ｉ平均粒子径３μｍ）
１２２．６部
（ｅ）硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１−Ｚ） ０．４部 Example 1
The adhesive composition containing the following (a) to (e) was dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition solution having a concentration of 47.0% by weight.
(A) Epoxy resin (manufactured by JER Corporation, Epicoat 825) 44.1 parts (b) Phenol resin (Mitsui Chemicals, MEH7851-3H) 55.9 parts (c) Acrylic rubber (manufactured by Nagase ChemteX) SG-80H) 100 parts (d) spherical silver powder (Fukuda Metal Co., Ltd., AgC-156I average particle size 3 μm)
122.6 parts (e) Curing catalyst (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., C11-Z) 0.4 part

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＡを作製した。   The adhesive composition solution was applied on a release film (release liner) made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm after the silicone release treatment, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. Thus, a die bond film A having a thickness of 25 μm was produced.

（実施例２）
下記（ａ）〜（ｅ）を含む接着剤組成物をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度４７．０重量％の接着剤組成物溶液を得たこと以外は、実施例１と同様にしてダイボンドフィルムＢを作製した。
（ａ）エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２５） １８１．９部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ＭＥＨ７８５１） ２１８．１部
（ｃ）アクリルゴム（ナガセケムテックス製、ＳＧ−８０Ｈ） １００部
（ｄ）球状銀粉（徳力化学研究所（株）製、ＳＦＲ−ＡＧ平均粒子径５μｍ）
５７５０部
（ｅ）硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１−Ｚ） １．０部 (Example 2)
A die bond film B was prepared in the same manner as in Example 1 except that the adhesive composition containing the following (a) to (e) was dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition solution having a concentration of 47.0% by weight. Produced.
(A) Epoxy resin (manufactured by JER Co., Ltd., Epicoat 825) 181.9 parts (b) Phenolic resin (Mitsui Chemicals Co., Ltd., MEH7851) 218.1 parts (c) Acrylic rubber (manufactured by Nagase ChemteX, SG -80H) 100 parts (d) Spherical silver powder (manufactured by Tokuri Chemical Laboratory Co., Ltd., SFR-AG average particle size 5 μm)
5750 parts (e) curing catalyst (Shikoku Kasei Co., Ltd., C11-Z) 1.0 part

（実施例３）
下記（ａ）〜（ｄ）を含む接着剤組成物をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度４７．０重量％の接着剤組成物溶液を得たこと以外は、実施例１と同様にしてダイボンドフィルムＣを作製した。
（ａ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ＭＥＨ７８５１−３Ｈ） ２５部
（ｂ）アクリルゴム（ナガセケムテックス製、ＳＧ−８０Ｈ） １００部
（ｃ）球状銅粉（福田金属箔粉（株）製、Ｃｕ−ＨＷＱ平均粒子径５μｍ）
１８７．５部
（ｄ）硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１−Ｚ） ０．３部 Example 3
A die bond film C was prepared in the same manner as in Example 1 except that an adhesive composition containing the following (a) to (d) was dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition solution having a concentration of 47.0% by weight. Produced.
(A) Phenol resin (Mitsui Chemical Co., Ltd., MEH7851-3H) 25 parts (b) Acrylic rubber (manufactured by Nagase ChemteX, SG-80H) 100 parts (c) Spherical copper powder (Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd.) (Made by Cu-HWQ average particle size 5μm)
187.5 parts (d) curing catalyst (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., C11-Z) 0.3 part

（実施例４）
下記（ａ）〜（ｄ）を含む接着剤組成物をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度４７．０重量％の接着剤組成物溶液を得たこと以外は、実施例１と同様にしてダイボンドフィルムＤを作製した。
（ａ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ＭＥＨ７８５１−３Ｈ） ４２．９部
（ｂ）アクリルゴム（ナガセケムテックス製、ＳＧ−８０Ｈ） １００部
（ｃ）球状銅粉１（福田金属箔粉（株）製、Ｃｕ−ＨＷＱ平均粒子径５μｍ）
７０９．５部
球状銅粉２（福田金属箔粉（株）製、Ｃｕ−ＨＷＱ平均粒子径１．５μｍ）
１００部
（ｄ）硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１−Ｚ） ０．３部 Example 4
A die bond film D was prepared in the same manner as in Example 1 except that the adhesive composition containing the following (a) to (d) was dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition solution having a concentration of 47.0% by weight. Produced.
(A) phenol resin (Mitsui Chemicals, MEH7851-3H) 42.9 parts (b) acrylic rubber (manufactured by Nagase ChemteX, SG-80H) 100 parts (c) spherical copper powder 1 (Fukuda Metal Foil Powder) Co., Ltd., Cu-HWQ average particle size 5 μm)
709.5 parts spherical copper powder 2 (made by Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd., Cu-HWQ average particle size 1.5 μm)
100 parts (d) curing catalyst (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., C11-Z) 0.3 part

（比較例１）
下記（ａ）〜（ｅ）を含む接着剤組成物をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度４７．０重量％の接着剤組成物溶液を得たこと以外は、実施例１と同様にしてダイボンドフィルムＥを作製した。
（ａ）エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２５） ５９４．５部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ＭＥＨ７８５１） ３０５．５部
（ｃ）アクリルゴム（ナガセケムテックス製、ＳＧ−８０Ｈ） １００部
（ｄ）球状銀粉（徳力化学研究所（株）製、ＳＦＲ−ＡＧ平均粒子径５μｍ）
１１５００部
（ｅ）硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１−Ｚ） ２．０部 (Comparative Example 1)
A die bond film E was prepared in the same manner as in Example 1 except that an adhesive composition containing the following (a) to (e) was dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition solution having a concentration of 47.0% by weight. Produced.
(A) Epoxy resin (JER Co., Ltd., Epicoat 825) 594.5 parts (b) Phenolic resin (Mitsui Chemicals, Inc., MEH7851) 305.5 parts (c) Acrylic rubber (manufactured by Nagase ChemteX, SG -80H) 100 parts (d) Spherical silver powder (manufactured by Tokuri Chemical Laboratory Co., Ltd., SFR-AG average particle size 5 μm)
11500 parts (e) curing catalyst (Shikoku Kasei Co., Ltd., C11-Z) 2.0 parts

（比較例２）
下記（ａ）〜（ｅ）を含む接着剤組成物をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度４７．０重量％の接着剤組成物溶液を得たこと以外は、実施例１と同様にしてダイボンドフィルムＦを作製した。
（ａ）エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２５） １１．０部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ＭＥＨ７８５１−３Ｈ） １４．０部
（ｃ）アクリルゴム（ナガセケムテックス製、ＳＧ−８０Ｈ） １００部
（ｄ）球状銅粉（福田金属箔粉 （株）製、Ｃｕ−ＨＷＱ平均粒子径５μｍ）
７０．３部
（ｅ）硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１−Ｚ） ０．３部 (Comparative Example 2)
A die bond film F was prepared in the same manner as in Example 1 except that the adhesive composition containing the following (a) to (e) was dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition solution having a concentration of 47.0% by weight. Produced.
(A) Epoxy resin (manufactured by JER Corporation, Epicoat 825) 11.0 parts (b) Phenolic resin (Mitsui Chemicals, MEH7851-3H) 14.0 parts (c) Acrylic rubber (manufactured by Nagase ChemteX) SG-80H) 100 parts (d) spherical copper powder (Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd., Cu-HWQ average particle diameter 5 μm)
70.3 parts (e) curing catalyst (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., C11-Z) 0.3 parts

（比較例３）
下記（ａ）〜（ｅ）を含む接着剤組成物をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度４７．０重量％の接着剤組成物溶液を得たこと以外は、実施例１と同様にしてダイボンドフィルムＧを作製した。
（ａ）エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２５） １１．１部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ＭＥＨ７８５１） １４．０部
（ｃ）アクリルゴム（ナガセケムテックス製、ＳＧ−８０Ｈ） １００部
（ｄ）ニッケル粒子（福田金属箔粉工業製、Ｎｉ−２８７（平均粒子径：１５．１μｍ）
３７５部
（ｅ）硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１−Ｚ） ０．３部 (Comparative Example 3)
A die bond film G was prepared in the same manner as in Example 1 except that the adhesive composition containing the following (a) to (e) was dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition solution having a concentration of 47.0% by weight. Produced.
(A) Epoxy resin (manufactured by JER Corporation, Epicoat 825) 11.1 parts (b) Phenol resin (Mitsui Chemicals, MEH7851) 14.0 parts (c) Acrylic rubber (manufactured by Nagase ChemteX, SG -80H) 100 parts (d) Nickel particles (manufactured by Fukuda Metal Foil Powder Industry, Ni-287 (average particle size: 15.1 μm)
375 parts (e) curing catalyst (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., C11-Z) 0.3 part

［体積抵抗率の測定］
上記のようにして作製したダイボンドフィルムＡ〜Ｇについて、抵抗率計（三菱化学（株）製、Ｌｏｒｅｓｔａ ＭＰ ＭＣＰ−Ｔ３５０）を用いて、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に基づいた四探針法による体積抵抗率の測定を行った。その結果を表１に示す。 [Measurement of volume resistivity]
About the die-bonding films A to G produced as described above, volume resistivity by a four-probe method based on JIS K 7194 is used by using a resistivity meter (Loresta MP MCP-T350, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). Measurements were made. The results are shown in Table 1.

［剥離帯電量の測定及びピックアップ成功率の評価］
ダイボンドフィルムＡ〜Ｇのそれぞれに、ダイシングフィルムを貼り合わせ、それぞれを、ダイシング・ダイボンドフィルムＡ〜Ｇとした。ダイシングフィルムは、基材（ポリオレフィンフィルム、膜厚１００μｍ）上に粘着剤層（アクリル系粘着剤層、膜厚５μｍ）が積層されたもの（日東電工社製：ＤＵ−４００ＳＥ）を用いた。次に、ダイシング・ダイボンドフィルムＡ〜Ｇに、厚さ７５μｍのシリコンウエハを４０℃の条件下で貼り付け、下記の条件にて５ｍｍ×５ｍｍのサイズになるようにダイシングを行った。続いて、半導体チップをピックアップし、剥離直後のチップ帯電量を帯電量測定装置（ＥＬＥＣＴＲＯ ＳＴＡＴＩＣＶＯＬＴＭＥＴＥＲ ＭＯＤＥＬ５２０、トレック・ジャパン（株）社製）を用いて測定した。具体的には、室温（２５℃）、湿度３０％の雰囲気下にて１０回の測定を行い、その平均値を帯電量とした。測定の結果、帯電量が１．０ｋＶ以下を○、１．０ｋＶを超える場合を×と評価した。また、３０個の半導体チップ（縦５ｍｍ×横５ｍｍ）に対しピックアップを行い、破損なく半導体チップのピックアップが成功した場合をカウントして成功率を算出した。測定結果、及び評価を表１に示す。ダイシング条件及びピックアップ条件は下記の通りである。 [Measurement of peeling charge amount and evaluation of pick-up success rate]
A dicing film was bonded to each of the die bond films A to G, and these were designated as dicing die bond films A to G, respectively. As the dicing film, a substrate (polyolefin film, film thickness 100 μm) on which an adhesive layer (acrylic adhesive layer, film thickness 5 μm) was laminated (Nitto Denko Corporation: DU-400SE) was used. Next, a 75 μm thick silicon wafer was attached to the dicing die bond films A to G under the condition of 40 ° C., and dicing was performed so as to have a size of 5 mm × 5 mm under the following conditions. Subsequently, the semiconductor chip was picked up, and the charge amount of the chip immediately after peeling was measured using a charge amount measuring device (ELECTRO STATICVOLTMETER MODEL520, manufactured by Trek Japan Co., Ltd.). Specifically, measurements were performed 10 times in an atmosphere of room temperature (25 ° C.) and humidity of 30%, and the average value was taken as the charge amount. As a result of the measurement, a case where the charge amount was 1.0 kV or less was evaluated as ◯, and a case where the charge amount exceeded 1.0 kV was evaluated as ×. Further, pick-up was performed on 30 semiconductor chips (5 mm long × 5 mm wide), and the success rate was calculated by counting the case where the semiconductor chip was successfully picked up without damage. The measurement results and evaluation are shown in Table 1. Dicing conditions and pickup conditions are as follows.

＜ダイシング条件＞
ダイシング方法：ステップカット
ダイシング装置：ＤＩＳＣＯ ＤＦＤ６３６１（商品名、株式会社ディスコ製）
ダイシング速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：Ｚ１；ディスコ社製「ＮＢＣ−ＺＨ２０３Ｏ−ＳＥ２７ＨＤＤ」
Ｚ２；ディスコ社製「ＮＢＣ−ＺＨ１０３Ｏ−ＳＥ２７ＨＢＢ」
ダイシングブレード回転数：Ｚ１；４０，０００ｒｐｍ、Ｚ２；４５，０００ｒｐｍ
ダイシングテープ切り込み深さ：２０μｍ
ウェハチップサイズ：厚み７５ｕｍ、５ｍｍ×５ｍｍ <Dicing conditions>
Dicing method: Step cut Dicing device: DISCO DFD6361 (trade name, manufactured by DISCO Corporation)
Dicing speed: 50mm / sec
Dicing blade: Z1; “NBC-ZH203O-SE27HDD” manufactured by Disco Corporation
Z2: “NBC-ZH103O-SE27HBB” manufactured by Disco Corporation
Dicing blade rotation speed: Z1; 40,000 rpm, Z2; 45,000 rpm
Dicing tape cutting depth: 20μm
Wafer chip size: 75um thickness, 5mm x 5mm

＜ピックアップ条件＞
ピックアップ装置：商品名「ＳＰＡ―３００」新川社製
ニードル数：５本
突き上げ量：４００μｍ
突き上げ速度：１０ｍｍ／秒
引き落とし量：３ｍｍ <Pickup conditions>
Pickup device: Product name “SPA-300” manufactured by Shinkawa Co., Ltd. Number of needles: 5 Push-up amount: 400 μm
Push-up speed: 10 mm / sec.

［ボイドの有無］
実施例及び比較例で得られたダイシング・ダイボンドフィルムＡ〜Ｇを室温（２５℃）、湿度３０％ＲＨの雰囲気下にて８インチのウェハ（厚さ７５μｍ）の裏面に４０℃で貼り付けし、ボイドの有無を目視にて確認した。 [Void presence / absence]
The dicing die-bonding films A to G obtained in Examples and Comparative Examples were attached to the back surface of an 8-inch wafer (thickness 75 μm) at 40 ° C. in an atmosphere of room temperature (25 ° C.) and humidity 30% RH. The presence or absence of voids was confirmed visually.

［剪断接着力測定］
前記実施例及び比較例に於いて作製したダイボンドフィルムＡ〜Ｇについて、基板に対する仮固着時の剪断接着力を以下の通り測定した。 [Shear adhesive strength measurement]
With respect to the die bond films A to G produced in the examples and comparative examples, the shear adhesive force at the time of temporary fixing to the substrate was measured as follows.

まず、得られたダイボンドフィルムＡ〜Ｇをセパレーターから剥離した後、５ｍｍ角に切断したものを、基板（ＵｎｉＭｉｃｒｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製、商品名ＴＦＢＧＡ１６×１６（２２１６−００１Ａ０１））に貼り付けた。一方、アルミ蒸着ウェハをダイシングして、縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ５００μｍの半導体チップを作製した。この半導体チップを、基板にダイアタッチし、１３０℃×４ｈｒ加熱した試験片を作製した。ダイアタッチは、１２０℃の温度下で荷重（０．２５ＭＰａ）をかけ、１秒間加熱するという条件下で、ダイボンダー（（株）新川製ＳＰＡ−３００）を用いて行った。   First, the obtained die-bonding films A to G were peeled off from the separators, and then cut into 5 mm squares and attached to a substrate (product name: TFBGA 16 × 16 (2216-001A01) manufactured by UniMicron Technology Corporation). On the other hand, the aluminum vapor deposition wafer was diced to produce a semiconductor chip having a length of 5 mm × width of 5 mm × thickness of 500 μm. This semiconductor chip was die-attached to a substrate to prepare a test piece heated at 130 ° C. for 4 hours. The die attach was performed using a die bonder (SPA-300 manufactured by Shinkawa Co., Ltd.) under the condition of applying a load (0.25 MPa) at a temperature of 120 ° C. and heating for 1 second.

剪断接着力の測定は、温度制御可能な熱板に各試験片を固定し、ダイアタッチされた半導体チップをプッシュプルゲージにて速度０．１ｍｍ／秒の速度で水平に押して、１７５℃加温下にて剪断接着力を測定した。測定装置としては、Ｍｏｄｅｌ−２２５２（ＡＩＫＯＨエンジニアリング（株）製）を使用した。   For measuring the shear adhesive strength, each test piece was fixed to a temperature-controllable hot plate, and the die-attached semiconductor chip was pushed horizontally at a speed of 0.1 mm / sec with a push-pull gauge and heated at 175 ° C. The shear adhesion was measured below. As a measuring device, Model-2252 (manufactured by AIKOH Engineering Co., Ltd.) was used.

［ワイヤーボンディング性］
上記ダイシング後の半導体チップを１２０℃、０．１ＭＰａ、１秒の条件下でＢＧＡ（Ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）基板にダイボンディングした後、１１５ＫＨｚワイヤボンダー（新川製：ＵＴＣ−３００ＢＩｓｕｐｅｒ）を用いてφ２５μｍの金線（田中貴金属製ＧＭＧ−２５）にて下記の条件でワイヤーボンディングを行った。なお、すべてのボンディングを完了するのに約１時間を要した。この手順を１４４個の半導体チップサンプルについて行い、良好にワイヤーボンディングを行うことができた場合を「可」とし、ワイヤーボンディング時にダイボンドフィルムのずり変形が生じた場合を「不可」として、測定サンプル全数に対する「可」のサンプルの数の割合を求めてワイヤーボンディング成功率（％）とした。 [Wire bonding property]
The semiconductor chip after the dicing is die-bonded to a BGA (Ball grid array) substrate under the conditions of 120 ° C., 0.1 MPa, and 1 second, and then a φ25 μm gold is used using a 115 KHz wire bonder (manufactured by Shinkawa: UTC-300BIsuper). Wire bonding was performed using a wire (Tanaka Kikinzoku GMG-25) under the following conditions. It took about 1 hour to complete all bonding. Perform this procedure for 144 semiconductor chip samples. If the wire bonding can be performed satisfactorily, the result is “Yes”, and the case where shear deformation of the die bond film occurs during the wire bonding is “No”. The ratio of the number of “possible” samples to the wire bonding success rate (%) was obtained.

＜ワイヤーボンディング条件＞
ファーストボンディング加圧：８０ｇ
ファーストボンディング超音波強度：５５０ｍＷ
ファーストボンディング印加時間：１０ｍｓｅｃ
セカンドボンディング加圧：８０ｇ
セカンドボンディング超音波強度：５００ｍＷ
セカンドボンディング印加時間：８ｍｓｅｃ <Wire bonding conditions>
First bonding pressure: 80g
First bonding ultrasonic intensity: 550mW
First bonding application time: 10 msec
Second bonding pressure: 80g
Second bonding ultrasonic intensity: 500mW
Second bonding application time: 8 msec

（吸湿信頼性）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｇをそれぞれ４０℃の条件下で５ｍｍ角の半導体チップに貼り付け、１２０℃、０．１ＭＰａ、１秒の条件下でＢＧＡ（Ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）基板にマウントした。このような試料を、ダイボンドフィルムＡ〜Ｇについてそれぞれ９個作成した。次に、１００℃にて１０時間の熱処理を施し、封止樹脂（ＧＥ−１００、日東電工社製）を用いて封止した。次に、６０℃、８０％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置した。その後、２６０℃以上の温度を３０秒保持するように温度設定したＩＲリフロー炉に通過させ、超音波顕微鏡にて半導体チップとＢＧＡ基板との界面に剥離が発生しているか否かを観察した。観察の結果、剥離が生じた個数が３個以下であれば○、４個以上であれば×として評価した。結果を表１に示す。 (Moisture absorption reliability)
The die bond films A to G were each attached to a 5 mm square semiconductor chip under the condition of 40 ° C., and mounted on a BGA (Ball grid array) substrate under the conditions of 120 ° C., 0.1 MPa, and 1 second. Nine such samples were prepared for each of the die bond films A to G. Next, heat treatment was performed at 100 ° C. for 10 hours, and sealing was performed using a sealing resin (GE-100, manufactured by Nitto Denko Corporation). Next, it was left under an atmosphere of 60 ° C. and 80% RH for 168 hours. Then, it passed through the IR reflow furnace set so that the temperature of 260 degreeC or more was kept for 30 seconds, and it was observed whether peeling had generate | occur | produced in the interface of a semiconductor chip and a BGA board | substrate with the ultrasonic microscope. As a result of observation, if the number of peeling occurred was 3 or less, it was evaluated as ○, and if it was 4 or more, it was evaluated as ×. The results are shown in Table 1.

Figure 0005580730
Figure 0005580730

表１の結果からも明らかなように、実施例１〜４のダイシング・ダイボンドフィルムＡ〜Ｄでは、ピックアップ直後の半導体チップの帯電量が低く、帯電防止性が良好であった。また、剪断接着力も良好であり、ウェハへの貼り合わせの際のボイドも抑制され、ワイヤーボンディング成功率も全て１００％であり、半導体チップを基板にダイボンドした際の吸湿信頼性も優れた結果であった。一方、比較例１のダイシング・ダイボンドフィルムでは、剥離時の帯電は抑制されており、剪断接着力が高くワイヤーボンディング性は良好であったが、ウェハのマウント後にボイドが発生しており、吸湿信頼性も劣る結果となった。これは、高充填量の導電性粒子により帯電防止性は優れるものの、ダイボンドフィルムの濡れ性が低減し接着性が低下したためと考えられる。比較例２のダイシング・ダイボンドフィルムでは、吸湿信頼性は良好であり、ウェハのマウント後のボイドはなかったものの、剥離時の帯電量が高い値で帯電防止性は劣っており、剪断接着力が低かったためかワイヤーボンディング性が劣る結果となった。これは、導電性粒子による帯電防止効果が得られなかったことに加え、ダイボンドフィルムの弾性率の低下によりずり変形に抗することができなかったためと考えられる。また、比較例３のダイシング・ダイボンドフィルムでは、ワイヤーボンディング性は良好であったが、剥離時の帯電量が高い一方、剪断接着力が低くなっており、ウェハのマウント後にボイドが発生しており、吸湿信頼性も劣る結果となった。これは、導電性粒子の配合量は十分であったものの粒径が大きかったために導電性が低下したことと、ダイボンドフィルム表面への粒子径の影響が大きかったことによると考えられる。   As is clear from the results in Table 1, in the dicing die bond films A to D of Examples 1 to 4, the semiconductor chip immediately after pickup had a low charge amount and good antistatic properties. In addition, it has good shear adhesion, suppresses voids when bonded to the wafer, and the wire bonding success rate is all 100%, with excellent moisture absorption reliability when die-bonding a semiconductor chip to a substrate. there were. On the other hand, in the dicing die-bonding film of Comparative Example 1, the charging at the time of peeling was suppressed and the shear bonding strength was high and the wire bonding property was good. However, voids were generated after mounting the wafer, and the moisture absorption reliability The result was also inferior. This is considered to be because although the antistatic property is excellent due to the high filling amount of conductive particles, the wettability of the die bond film is reduced and the adhesiveness is lowered. In the dicing die-bonding film of Comparative Example 2, moisture absorption reliability was good and there was no void after mounting the wafer, but the antistatic property was inferior with a high charge amount at the time of peeling, and the shear adhesive strength was low. The wire bonding property was inferior because it was low. This is presumably because the antistatic effect by the conductive particles could not be obtained, and the shear deformation could not be resisted due to the decrease in the elastic modulus of the die bond film. The dicing die-bonding film of Comparative Example 3 had good wire bonding properties, but the charge amount at the time of peeling was high, but the shear adhesive force was low, and voids were generated after mounting the wafer. Also, the moisture absorption reliability was inferior. This is considered to be due to the fact that although the blending amount of the conductive particles was sufficient, the particle size was large, the conductivity was lowered, and the influence of the particle size on the die bond film surface was large.

１ 基材
２ 粘着剤層
３、３’ ダイボンドフィルム（熱硬化型ダイボンドフィルム）
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
１０、１２ ダイシング・ダイボンドフィルム
１１ ダイシングフィルム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 2 Adhesive layer 3, 3 'Die bond film (thermosetting type die bond film)
4 Semiconductor wafer 5 Semiconductor chip 6 Substrate 7 Bonding wire 8 Sealing resin 10, 12 Dicing die-bonding film 11 Dicing film

Claims (4)

ダイシングフィルム上に熱硬化型ダイボンドフィルムが設けられたダイシング・ダイボンドフィルムであって、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムを構成する接着剤組成物は、アクリル樹脂、フェノール樹脂及び導電性粒子を含み、
前記接着剤組成物の全量に対してそれぞれ、前記アクリル樹脂及び前記フェノール樹脂の合計含有量をＡ重量％とし、前記導電性粒子の含有量をＢ重量％としたとき、式（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））により得られる値が０．４０以上０．９６以下であり、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率が１×１０−６Ω・ｃｍ以上９×１０−３Ω・ｃｍ以下であり、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムの基板に対する仮固着時の剪断接着力が０．２ＭＰａ以上であるダイシング・ダイボンドフィルム。 A dicing die bond film in which a thermosetting die bond film is provided on a dicing film,
The adhesive composition constituting the thermosetting die-bonding film includes an acrylic resin, a phenol resin, and conductive particles,
When the total content of the acrylic resin and the phenol resin is A wt% and the content of the conductive particles is B wt% with respect to the total amount of the adhesive composition, the formula (B / (A + B )) Is 0.40 or more and 0.96 or less,
Ri volume resistivity of 1 × 10 -6 Ω · cm or more 9 × 10 -3 Ω · cm der following the thermosetting die-bonding film,
A dicing die-bonding film having a shear adhesive strength of 0.2 MPa or more when temporarily fixing the thermosetting die-bonding film to a substrate . 前記導電性粒子の平均粒径は、０．０１μｍ以上１０μｍ以下である請求項１に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。   The dicing die-bonding film according to claim 1, wherein the conductive particles have an average particle size of 0.01 μm or more and 10 μm or less. 前記導電性粒子は、ニッケル粒子、銅粒子、銀粒子、アルミニウム粒子、カーボンブラック粒子、繊維状粒子であるカーボンナノチューブ、及びコア粒子の表面を導電性材料で被覆した粒子からなる群より選択される少なくとも１種の粒子である請求項１又は２に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。   The conductive particles are selected from the group consisting of nickel particles, copper particles, silver particles, aluminum particles, carbon black particles, carbon nanotubes that are fibrous particles, and particles in which the surface of the core particles is coated with a conductive material. The dicing die-bonding film according to claim 1, wherein the dicing die-bonding film is at least one kind of particles. 請求項１〜３のいずれかに記載のダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造される半導体装置。   The semiconductor device manufactured using the dicing die-bonding film in any one of Claims 1-3.
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