JP4849749B2 - アルカリ性電気亜鉛めっき浴およびめっき方法 - Google Patents

アルカリ性電気亜鉛めっき浴およびめっき方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アルカリ性電気亜鉛めっき浴およびめっき方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
亜鉛めっきの防食機能が広く知られたのは160〜170年前のことであるが、当時は猛毒のシアン化物が使用されていた。その後、シアン化物の排水が問題となり、シアン化物を含まないさまざまな浴が開発されてきた。その中でも、広く採用されているのはアルカリジンケート浴と弱酸性浴である。
もちろん現在でもシアン浴は数多く残っている。昨今の環境問題という課題を考えると猛毒を使用しているシアン浴や、窒素や硼素を多く使用している弱酸性浴から、環境への悪影響が少ないアルカリジンケート浴へ移行していかなければならないが、従来の技術では、アルカリジンケート浴は、
1.弱酸性浴に比べて、電流効率が低い(めっき電着速度が遅い)。
2.弱酸性浴・シアン浴に比べて、めっき浴の使用温度範囲が狭い。
3.弱酸性浴・シアン浴に比べて、使用電流密度範囲が狭い。
4.亜鉛濃度が高くなると光沢範囲が狭くなる、皮膜物性が低下する。
等の問題で現在に至っている。特に、生産性を高めるために、めっき浴の高濃度化、めっき処理の高温度化により電流効率を改善すると、高電流密度部の粗めっき、低電流密度部の光沢低下などの弊害が起こり、光沢電流密度範囲が極端に狭くなり、実用は難しい。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来技術の種々の問題点を解決し、低公害性且つ生産性の高いめっき浴およびめっき方法を提供することにある。アルカリジンケート浴の特徴である容易な排水処理性・均一電着性・ツキマワリ性を生かし、使用温度範囲・使用電流密度範囲・使用濃度範囲を広げて、電流効率を高くして金属析出速度を速くすることにより、生産性を高めることのできるアルカリジンケート電気亜鉛めっき浴およびめっき方法を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記の従来技術の問題を解決するために鋭意検討した結果、アルカリジンケート浴にベンゾイミダゾール類、ベンゾチアゾール類、ベンゾオキサゾール類のいずれか1種以上を含有させることによって、光沢範囲が拡大し、さらに炭素数2以上の脂肪族アミンとグリシジル化合物との反応物を組合わせることによって、広いめっき浴濃度範囲、広いめっき処理温度範囲において、従来よりも実用電流密度範囲が飛躍的に拡大できることを見出した。
【0005】
従って、本発明は、1〜65g/Lの亜鉛と20〜300g/Lの水酸化アルカリと0.001〜10g/Lのベンゾイミダゾール類、ベンゾチアゾール類、ベンゾオキサゾール類のいずれか1種以上を含有することを特徴とするアルカリジンケート電気亜鉛めっき浴である。
更に、本発明は、0.01〜35g/Lの炭素数2以上の脂肪族アミンとグリシジル化合物との反応により得られる脂肪族アミン誘導体を含有することを特徴とする前記のアルカリジンケート電気亜鉛めっき浴である。
【0006】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のアルカリジンケート電気亜鉛めっき浴およびめっき方法に関し詳細に説明する。本発明において、広い範囲の温度、電流密度、濃度条件で使用できる優れた亜鉛めっきを得るためには、金属イオンで表して1〜65g/L、好ましくは8〜50g/Lの亜鉛と、20〜300g/L、好ましくは40〜220g/Lの水酸化アルカリと0.001〜10g/L、好ましくは0.005〜5g/Lのベンゾイミダゾール類、ベンゾチアゾール類、ベンゾオキサゾール類を含有し、さらに0.01〜35g/L、好ましくは0.1〜25g/Lの炭素数2以上の脂肪族アミンとグリシジル化合物との反応により得られる脂肪族アミン誘導体を含有する。
【0007】
金属イオン濃度については、前記の範囲より少ないとめっき析出速度が遅く、必要とする膜厚を得るのに長時間を要し、また高いと高電流密度部にコゲと呼ばれる現象を生じたり、皮膜物性の低下を招いたりする。
【0008】
水酸化アルカリは、例えば水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等である。濃度として前記の範囲よりも少ないとめっき浴の電導性が低下してツキマワリ性が悪くなり、高いと電流効率が低下して膜厚が得られにくくなる。
【0009】
ベンゾイミダゾール類、ベンゾチアゾール類、ベンゾオキサゾール類は、前記の範囲より少ないと均一電着性、ツキマワリ性が悪くなり、多いと金属析出速度が遅くなったり、不めっき等の問題が発生する。
【0010】
ベンゾイミダゾール類としては、1−メチルベンゾイミダゾールや1−エチルベンゾイミダゾール、1−ベンジルベンゾイミダゾール、1,2−ジメチルベンゾイミダゾール、2(3H)−ベンゾイミダゾロン、オキソベンゾイミダゾール、2−アミノベンゾイミダゾール、2−グアニジノベンゾイミダゾール、2−ベンゾイミダゾールカルボン酸、2−ベンゾイミダゾリル酢酸、β−(2−ベンゾイミダゾリル)プロピオン酸、フェニレンチオ尿素、5−メチルメルカプトベンゾイミダゾール等や、ベンゾチアゾール類としては、2−メチルベンゾチアゾールや2−オキシベンゾチアゾール、2−アミノベンゾチアゾール、7−ニトロベンゾチアゾール、2−ベンゾチアゾールカルボン酸、ベンゾチアゾール−2−アルデヒド、2,2’−ジベンゾチアゾリルスルフィド、2−メルカプト[1,2]チアゾール等や、ベンゾオキサゾール類としては、2−メチルベンゾオキサゾールや2,4,6−トリメチルベンゾオキサゾール、2−クロルベンゾオキサゾール、2−オキシベンゾオキサゾール、2−アミノベンゾオキサゾール、2−メルカプトベンゾオキサゾール、2−ベンゾオキサゾールカルボン酸、2−ヒドラジノベンゾオキサゾール等が挙げられる。
【0011】
炭素数2以上の脂肪族アミンとグリシジル化合物との反応により得られる脂肪族アミン誘導体としては、前記の範囲より少ないと、本発明の効果が得られにくくなると同時に、めっき金属の析出に対する抑制力が低下するために光沢のない金属析出外観となり、多いと抑制力が過剰になるために金属析出速度が低下したり、析出皮膜の応力増加による、皮膜物性の悪化、密着性の低下等の問題が発生する。
【0012】
本発明に使用される脂肪族アミン誘導体は、炭素数2以上の脂肪族アミンとグリシジル化合物、必要に応じニコチン酸、尿酸、尿素、チオ尿素の1種以上を加え反応させて得られるものである。
【0013】
この脂肪族アミン誘導体の原料として使用できる炭素数2以上の脂肪族アミンとしては、トリエタノールアミンやエチレンジアミン、ペンタエチレンヘキサミン、ジアミノプロパン、ジエチレントリアミン、エチルアミノエタノール、アミノプロピルエチレンジアミン、ビスアミノプロピルピペラジン、ヘキサメチレンテトラミン、イソプロパノールアミン、アミノアルコール、イミダゾール、ピコリン、ピペラジン、メチルピペラジン、モルホリン、ヒドロキシエチルアミノプロピルアミン、テトラメチルプロピレンジアミン、ジメチルアミノプロピルアミン等や、さらにはこれらのアミンのメチル化、エチル化物などがある。また、これらの脂肪族アミンとグリシジル化合物の反応にニコチン酸、尿酸、尿素、チオ尿素の1種以上を含めることで、得られる脂肪族アミン誘導体が光沢範囲の拡大に有効である場合もある。
【0014】
グリシジル化合物としては、エピクロルヒドリン、アリルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、グリシドール、メチルグリシジルエーテル、2−エチルヘキシルグリシジルエーテル、グリセロールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、セカンダリーブチルフェノールジグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート等がある。
【0015】
本発明のめっき浴は、光沢性の向上、ツキマワリ性の向上を図るために、さらにジクロロベンズアルデヒド、エチルヒドロキシルアルデヒド、オクチルアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、アニスアルデヒド、エチルバニリン、シンナムアルデヒド、サリチルアルデヒド、バニリン、ベラトルアルデヒド、ヘリオトロピン、ベンズアルデヒド等のアルデヒドを含有することができる。
【0016】
次に本発明のめっき浴でめっきを行なう適当な条件は、めっき浴の温度が20〜70℃、好ましくは25〜50℃であり、陰極平均電流密度が0.1〜40A/dm2、好ましくは1〜20A/dm2である。これより低いめっき浴温度では、金属析出速度の低下や皮膜物性の悪化が起こり、これより高いめっき浴温度では、ポリアルキレンポリアミン類の異常な消耗や皮膜外観の悪化、作業環境の危険性増大等の問題がある。また、陰極電流密度が前記の範囲より低いと金属析出速度が遅く、高いと高電流密度部にコゲと呼ばれる現象を生じたり、皮膜物性の低下を招いたりする。
【0017】
本発明に従うめっき浴は、めっき膜厚のさらなる向上、均一電着性、ツキマワリ性、めっき外観向上のために、めっき液の撹拌、例えば空気撹拌、ポンプ循環、撹拌翼の設置や、被めっき物の揺動、例えば水平動、上下動、前後動のカソードロッカー、被めっき物の回転や超音波、被めっき物への液噴射等および/またはこれらの組み合わせが有効である。
【0018】
【実施例】
以下、実施例により本発明を説明する。試験片は、50×100×2mmの鉄板を用い、液量2Lでの静止めっき試験を行なった。膜厚はケイ光X線微少部膜厚計(セイコー電子(株)製SFT−8000)にて被めっき物の中心部を測定した。めっき外観は、陽極に向いている面を表側とし、その半対面を裏側として評価した(図1を参照)。密着性試験は、200℃−4時間ベーキング後のめっき表面を観察した。
【0019】
[実施例1〜3]
亜鉛濃度10.1g/L、水酸化カリウム130.4g/L、構造式(1)で示すポリマー2g/L、1−エチルベンゾイミダゾール0.1g/Lの浴でめっきを行なった。比較例1〜3として亜鉛濃度10.1g/L、水酸化ナトリウム130.4g/L、従来のアルカリジンケートめっき浴用光沢剤(H−1218K日本表面化学(株)製)6ml/Lの浴でめっきを行ない、めっき膜厚および外観を比較した。それぞれ電流密度2、5、10A/dm2、温度25℃、めっき時間10分。この結果を表1に示す。
【化1】
Figure 0004849749
【0020】
[実施例4〜6]
亜鉛濃度38.3g/L、水酸化ナトリウム140.0g/L、ヘキサメチレントリアミンと尿素とグリシドールとの反応物2g/L、2−グアニジノベンゾチアゾール0.05g/L、アニスアルデヒド0.01g/Lの浴でめっきを行なった。比較例4〜6として亜鉛濃度38.3g/L、水酸化ナトリウム140.0g/L、従来のアルカリジンケートめっき浴用光沢剤(H−1218K日本表面化学(株)製)6m1/Lの浴でめっきを行ない、めっき膜厚および外観を比較した。それぞれ電流密度5A/dm2、温度25、35、45℃、めっき時間5分。この結果を表1に示す。
【0021】
[実施例7]
亜鉛濃度25.2g/L、水酸化カリウム148.8g/L、エチレンジアミンとアミノアルコールとエピクロルヒドリンとの反応物2g/L、2−ベンゾオキサゾールカルボン酸0.02g/L、バニリン0.05g/Lの浴でめっきを行なった。比較例7として亜鉛濃度25.2g/L、水酸化ナトリウム148.8g/L、従来のアルカリジンケートめっき浴用光沢剤(H−1218K日本表面化学(株)製)6ml/Lの浴でめっきを行ない、めっき膜厚および外観を比較した。それぞれ電流密度3A/dm2、温度40℃、めっき時間5分。この結果を表1に示す。
【0022】
[実施例8]
亜鉛濃度40.9g/L、水酸化ナトリウム135.2g/L、構造式(2)で示すポリマー2.5g/L、フェニレンチオ尿素0.05g/Lの浴でめっきを行なった。比較例8として亜鉛濃度40.9g/L、水酸化ナトリウム135.2g/L、従来のアルカリジンケートめっき浴用光沢剤(H−1218K日本表面化学(株)製)6m1/Lの浴でめっきを行ない、めっき膜厚および外観を比較した。それぞれ電流密度15A/dm2、温度40℃、めっき時間5分。この結果を表1に示す。
【化2】
Figure 0004849749
【0023】
[実施例9]
亜鉛濃度12.1g/L、水酸化カリウム120.0g/L、アミノプロピルエチレンジアミンとモノクロルヒドリンとの反応物1g/L、1−ビニルベンゾチアゾール0.04g/L、アニスアルデヒド0.05g/Lの浴でめっきを行なった。比較例9として亜鉛濃度12.1g/L、水酸化ナトリウム119.2g/L、従来のアルカリジンケートめっき浴用光沢剤(H−1218K日本表面化学(株)製)6m1/Lの浴でめっきを行ない、めっき膜厚および外観を比較した。それぞれ電流密度10A/dm2、温度30℃、めっき時間5分。この結果を表1に示す。
【0024】
[実施例10]
亜鉛濃度50.0g/L、水酸化ナトリウム160.0g/L、構造式(1)で示すポリマー3g/L、1,2−ジメチルベンゾオキサゾール0.05g/L、P−ヒドロキシベンズアルデヒド0.2g/Lの浴でめっきを行なった。比較例10として亜鉛濃度50.0g/L、水酸化ナトリウム160.0g/L、従来のアルカリジンケートめっき浴用光沢剤(H−1218K日本表面化学(株)製)6m1/Lの浴でめっきを行ない、めっき膜厚および外観を比較した。それぞれ電流密度7A/dm2、温度35℃、めっき時間5分、エアー撹拌。この結果を表1に示す。
【0025】
[実施例11]
亜鉛濃度24.9g/L、水酸化ナトリウム150.4g/L、アミノエチルプロピルアミンと尿素とジエチルエーテル塩素付加物の反応物3g/L、2(3H)−ベンゾイミダゾロン0.05g/Lの浴でめっきを行なった。比較例11として亜鉛濃度24.9g/L、水酸化ナトリウム150.4g/L、従来のアルカリジンケートめっき浴用光沢剤(H−1218K日本表面化学(株)製)6m1/Lの浴でめっきを行ない、めっき膜厚および外観を比較した。それぞれ電流密度3A/dm2、温度50℃、めっき時間10分、エアー撹拌。この結果を表1に示す。
【0026】
[実施例12]
亜鉛濃度40.9g/L、水酸化ナトリウム140.8g/L、構造式(2)で示すポリマー2g/L、5−メチルメルカプトベンゾチアゾール0.005g/L、バニリン0.2g/Lの浴でめっきを行なった。比較例12として亜鉛濃度40.9g/L、水酸化ナトリウム140.8g/L、従来のアルカリジンケートめっき浴用光沢剤(H−1218K日本表面化学(株)製)6ml/Lの浴でめっきを行ない、めっき外観、密着性を比較した。それぞれ電流密度2A/dm2、温度25℃、めっき時間10分。この結果を表1に示す。
【0027】
[実施例13]
亜鉛濃度20.3g/L、水酸化カリウム132.0g/L、ジメチルアミノプロピルアミンとニコチン酸とブチルグリシジルエーテルとの反応物2g/L、7−クロロ−2−メルカプトベンゾオキサゾール0.05g/Lの浴でめっきを行なった。比較例13として亜鉛濃度20.3g/L、水酸化ナトリウム131.2g/L、従来のアルカリジンケートめっき浴用光沢剤(H−1218K日本表面化学(株)製)6m1/Lの浴でめっきを行ない、めっき外観密着性を比較した。それぞれ電流密度15A/dm2、温度25℃、めっき時間10分。この結果を表1に示す。
【0028】
[実施例14]
亜鉛濃度10.9g/L、水酸化ナトリウム116.0g/L、アミノエチルアミノプロピルアミンと尿素とブチルグリシジルエーテルとの反応物1.5g/L、2−アミノメチルベンゾイミダゾール0.02g/L、o−クロロベンズアルデヒド0.1g/Lの浴でめっきを行なった。比較例14として亜鉛濃度10.9g/L、水酸化ナトリウム116.0g/L、従来のアルカリジンケートめっき浴用光沢剤(H−1218K日本表面化学(株)製)6ml/Lの浴でめっきを行ない、めっき外観、密着性を比較した。それぞれ電流密度2A/dm2、温度55℃、めっき時間10分。この結果を表1に示す。
【0029】
[実施例15〜16]
亜鉛濃度30.0g/L、水酸化ナトリウム145.6g/L、構造式(1)で示すポリマー1g/L、2−ベンゾチアゾールスルホン酸0.05g/L、アニスアルデヒド0.2g/Lの浴でめっきを行なった。比較例15〜16として亜鉛濃度30.0g/L、水酸化ナトリウム145.6g/L、従来のアルカリジンケートめっき浴用光沢剤(H−1218K日本表面化学(株)製)6m1/Lの浴でめっきを行ない、めっき膜厚および外観を比較した。それぞれ電流密度1A/dm2、温度40℃、めっき時間5分、被めっき物揺動有無2cm/2秒。この結果を表1に示す。
【0030】
[実施例17〜19]
亜鉛濃度40.09/L、水酸化ナトリウム140.6g/L、構造式(2)で示すポリマー4g/L、2−メルカプトベンズイミダゾール0.05g/Lの浴でめっきを行なった。比較例17〜19として亜鉛濃度40.0g/L、水酸化ナトリウム140.6g/L、従来のアルカリジンケートめっき浴用光沢剤(H−1218K日本表面化学(株)製)10ml/Lの浴でめっきを行ない、めっき膜厚および外観、密着性を比較した。それぞれ電流密度5、10、20A/dm2、温度40℃、めっき時間10分、被めっき物揺動2cm/2秒。この結果を表1に示す。
【0031】
【表1】
Figure 0004849749

【図面の簡単な説明】
【図1】めっき外観の評価に使用した静止めっき試験の概略を示す図である。

Claims (3)

  1. 0.01〜35g/Lの炭素数2以上の脂肪族アミンとグリシジル化合物との反応により得られる脂肪族アミン誘導体と1〜65g/Lの亜鉛と20〜300g/Lの水酸化アルカリと0.001〜10g/Lのベンゾイミダゾール類、ベンゾオキサゾール類のいずれか1種以上を含有するアルカリジンケート電気亜鉛めっき浴。
  2. 0.01〜35g/Lの炭素数2以上の脂肪族アミンとグリシジル化合物との反応により得られる脂肪族アミン誘導体と1〜65g/Lの亜鉛と20〜300g/Lの水酸化アルカリと0.001〜10g/Lのベンゾイミダゾール類、ベンゾオキサゾール類のいずれか1種以上を含有するアルカリジンケート電気亜鉛めっき浴。
    (ただし、前記めっき浴は以下のジアリルアンモニウム−二酸化硫黄−共重合体を含まない。
    一般構造式Iを有し、240g/Mol〜10000g/Molの平均分子量を有し、その際、R1及びR2は互いに無関係に選択され、水素基、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基又はフェニル基であり、X - =F - ,Cl - ,Br - ,I - であるジアリルアンモニウム−二酸化硫黄−共重合体。
    Figure 0004849749
  3. めっき浴の温度が20〜70℃であり、陰極平均電流密度が0.1〜40A/dm2である請求項1又は2に記載のめっき浴を用いるめっき方法。
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