JP4847353B2 - Wafer processing equipment - Google Patents

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JP4847353B2 JP2007010254A JP2007010254A JP4847353B2 JP 4847353 B2 JP4847353 B2 JP 4847353B2 JP 2007010254 A JP2007010254 A JP 2007010254A JP 2007010254 A JP2007010254 A JP 2007010254A JP 4847353 B2 JP4847353 B2 JP 4847353B2
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Description

本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハを研磨するための研磨装置等のウエーハの加工装置に関する。   The present invention relates to a wafer processing apparatus such as a polishing apparatus for polishing a wafer such as a semiconductor wafer.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。このようにして分割されるウエーハは、ストリートに沿って切断する前に研磨装置によって裏面が研磨され、所定の厚さに加工される。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs, LSIs, etc. are partitioned in the partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is cut along the streets to divide the region in which the device is formed to manufacture individual semiconductor chips. In addition, optical device wafers with gallium nitride compound semiconductors laminated on the surface of a sapphire substrate are also divided into individual optical devices such as light emitting diodes and laser diodes by cutting along the streets, and are widely used in electrical equipment. ing. The wafer to be divided in this manner is polished to a predetermined thickness by polishing the back surface by a polishing device before cutting along the street.

上述したようにウエーハの裏面を研磨する研磨装置は、ウエーハを保持するウエーハ保持手段と、該ウエーハ保持手段に保持されたウエーハを研磨加工する研磨手段と、該研磨手段によって研磨加工されたウエーハをウエーハ保持手段から搬送する搬送手段とを具備している。(例えば、特許文献1参照。)
特開2006−75929号公報
As described above, a polishing apparatus for polishing the back surface of a wafer includes a wafer holding means for holding a wafer, a polishing means for polishing a wafer held by the wafer holding means, and a wafer polished by the polishing means. Conveying means for conveying from the wafer holding means. (For example, refer to Patent Document 1.)
JP 2006-75929 A

研磨加工されたウエーハは薄いため、ウエーハ保持手段から搬送する搬送手段はウエーハの全面を吸着パッドによって吸引保持して搬送する。しかるに、吸着パッドにコンタミが付着しているとこのコンタミがウエーハの研磨面に付着し、後工程であるダイボンディング用の接着フィルムの装着やプラズマダイシング用のレジスト膜塗布等を実施する際に悪い影響を与えるという問題がある。このように搬送手段の吸着パッドに付着しているコンタミがウエーハの表面に付着することによって生ずる不具合は、研磨装置に限らずウエーハを加工する他の加工装置においても起こる。   Since the polished wafer is thin, the conveying means that conveys the wafer from the wafer holding means conveys the entire surface of the wafer by suction holding the suction pad. However, if there is contamination on the suction pad, this contamination will adhere to the polished surface of the wafer, which is bad when performing subsequent steps such as attaching a bonding film for die bonding or applying a resist film for plasma dicing. There is a problem of affecting. In this way, the trouble caused by the contamination adhering to the suction pad of the conveying means adhering to the surface of the wafer occurs not only in the polishing apparatus but also in other processing apparatuses that process the wafer.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハ保持手段からウエーハを搬送する際にウエーハの加工面に接触することなく搬送することができるウエーハの加工装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and a main technical problem thereof is to provide a wafer processing apparatus that can transport a wafer without contacting the wafer processing surface when the wafer is transported from the wafer holding means. There is to do.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハを保持するウエーハ保持手段と、該ウエーハ保持手段に保持されたウエーハを加工する加工手段と、該加工手段によって加工されたウエーハを該ウエーハ保持手段から搬送する搬送手段と、を具備するウエーハの加工装置において、
該ウエーハ保持手段は、ウエーハを保持する保持面と該保持面を囲繞する被保持面とを備えたウエーハ保持プレートと、該ウエーハ保持プレートを着脱可能に支持する支持面を備えた支持ベースとからなり、
該支持ベースは、第1の吸引手段と連通するとともに該支持面に開口する第1の吸引通路および第2の吸引通路を備えており、
該ウエーハ保持プレートは、該支持ベースの該第1の吸引通路と連通する第1の連通路と、該第1の連通路が開口する吸引室と、該吸引室に連通するとともに該保持面に開口する複数の吸引孔と、該吸引室に連通するとともに外周面に開口する第2の連通路と、該第1の連通路および該第2の連通路にそれぞれ配設され該吸引室側からの空気の流出のみを許容する第1の逆止弁および第2の逆止弁とを具備しており、
該搬送手段は、該ウエーハ保持プレートを保持するプレート保持部材と、該プレート保持部材を支持する作動アームとを具備し、
該プレート保持部材は、該ウエーハ保持プレートの該被保持面を吸引保持する複数の吸引孔と、該複数の吸引孔と第2の吸引手段とを連通する吸引通路を備えている、
ことを特徴とするウエーハの加工装置が提供される。
In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a wafer holding means for holding a wafer, a processing means for processing a wafer held by the wafer holding means, and a wafer processed by the processing means In a wafer processing apparatus comprising a conveying means for conveying from a wafer holding means,
The wafer holding means includes a wafer holding plate having a holding surface for holding the wafer and a held surface surrounding the holding surface, and a support base having a support surface for detachably supporting the wafer holding plate. Become
The support base includes a first suction passage and a second suction passage communicating with the first suction means and opening in the support surface;
The wafer holding plate communicates with the first suction passage of the support base with the first suction passage, the suction chamber in which the first communication passage opens, the suction chamber, and the holding surface. A plurality of suction holes that open, a second communication passage that communicates with the suction chamber and opens to the outer peripheral surface, and is disposed in the first communication passage and the second communication passage, respectively, from the suction chamber side. A first check valve and a second check valve that allow only the outflow of air,
The transport means comprises a plate holding member that holds the wafer holding plate, and an operating arm that supports the plate holding member,
The plate holding member includes a plurality of suction holes for sucking and holding the held surface of the wafer holding plate , and a suction passage for communicating the plurality of suction holes and the second suction means .
A wafer processing apparatus is provided.

本発明によるウエーハの加工装置は、ウエーハ保持手段を構成するウエーハ保持プレートの保持面にウエーハを吸引保持した状態で、該保持面を囲繞する被保持面を搬送手段を構成するプレート保持部材に設けられた複数の吸引孔に作用する負圧によって吸引保持するので、ウエーハ保持プレートの保持面に保持されているウエーハの加工面にプレート保持部材が接触していないため、プレート保持部材に付着しているコンタミがウエーハの加工面に付着することはない。従って、ウエーハの加工面にコンタミが付着することによって生ずる後工程での問題を未然に防止することができる。 In the wafer processing apparatus according to the present invention, in a state where the wafer is sucked and held on the holding surface of the wafer holding plate constituting the wafer holding means, the held surface surrounding the holding surface is provided on the plate holding member constituting the conveying means. Since the suction is held by the negative pressure acting on the plurality of suction holes, the plate holding member is not in contact with the processed surface of the wafer held on the holding surface of the wafer holding plate, so that it adheres to the plate holding member. Contamination does not adhere to the processed surface of the wafer. Accordingly, it is possible to prevent problems in the subsequent process caused by contamination on the processed surface of the wafer.

以下、本発明に従って構成されたウエーハの加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
図1には、本発明に従って構成されたウエーハの加工装置としての研磨装置の斜視図が示されている。図1に示す研磨装置は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上端)に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221に研磨手段としての研磨ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
Preferred embodiments of a wafer processing apparatus constructed according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a perspective view of a polishing apparatus as a wafer processing apparatus constructed according to the present invention. The polishing apparatus shown in FIG. 1 includes an apparatus housing denoted as a whole by 2. This device housing 2 has a rectangular parallelepiped main portion 21 that extends long and an upright wall 22 that is provided at the rear end portion (upper right end in FIG. 1) of the main portion 21 and extends substantially vertically upward. ing. A pair of guide rails 221 and 221 extending in the vertical direction are provided on the front surface of the upright wall 22. The pair of guide rails 221 and 221 is mounted with a polishing unit 3 as a polishing means so as to be movable in the vertical direction.

研磨ユニット3は、移動基台31と該移動基台31に装着されたスピンドルユニット32を具備している。移動基台31は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部311、311が設けられており、この一対の脚部311、311に上記一対の案内レール221、221と摺動可能に係合する被案内溝312、312が形成されている。このように直立壁22に設けられた一対の案内レール221、221に摺動可能に装着された移動基台31の前面には前方に突出した支持部313が設けられている。この支持部313にスピンドルユニット32が取り付けられる。   The polishing unit 3 includes a moving base 31 and a spindle unit 32 attached to the moving base 31. The movable base 31 is provided with a pair of legs 311 and 311 extending in the vertical direction on both sides of the rear surface. The pair of legs 311 and 311 is slidably engaged with the pair of guide rails 221 and 221. Guided grooves 312 and 312 are formed. As described above, a support portion 313 protruding forward is provided on the front surface of the movable base 31 slidably mounted on the pair of guide rails 221 and 221 provided on the upright wall 22. The spindle unit 32 is attached to the support portion 313.

スピンドルユニット32は、支持部313に装着されたスピンドルハウジング321と、該スピンドルハウジング321に回転自在に配設された回転スピンドル322と、該回転スピンドル322を回転駆動するための駆動源としてのサーボモータ323とを具備している。スピンドルハウジング321に回転可能に支持された回転スピンドル322は、一端部(図1において下端部)がスピンドルハウジング321の下端から突出して配設されており、その一端(図1において下端)にホイールマウント324が設けられている。そして、このホイールマウント324の下面に研磨ホイール33が取り付けられる。研磨ホイール33は、環状の基台331と、該環状の基台331の下面に装着された研磨砥石332とからなっており、環状の基台331がホイールマウント324の下面に締結ボルト34によって取付けられている。   The spindle unit 32 includes a spindle housing 321 mounted on the support portion 313, a rotary spindle 322 rotatably disposed on the spindle housing 321, and a servo motor as a drive source for rotationally driving the rotary spindle 322. 323. A rotary spindle 322 rotatably supported by the spindle housing 321 has one end portion (lower end portion in FIG. 1) protruding from the lower end of the spindle housing 321 and a wheel mount at one end (lower end in FIG. 1). 324 is provided. Then, the polishing wheel 33 is attached to the lower surface of the wheel mount 324. The polishing wheel 33 includes an annular base 331 and a polishing grindstone 332 attached to the lower surface of the annular base 331, and the annular base 331 is attached to the lower surface of the wheel mount 324 with fastening bolts 34. It has been.

図示の実施形態における研磨装置は、上記研磨ユニット3を上記一対の案内レール221、221に沿って上下方向(後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向)に移動せしめる研磨ユニット送り機構4を備えている。この研磨ユニット送り機構4は、直立壁22の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ねじロッド41を具備している。この雄ねじロッド41は、その上端部および下端部が直立壁22に取り付けられた軸受部材42および43によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材42には雄ねじロッド41を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ44が配設されており、このパルスモータ44の出力軸が雄ねじロッド41に伝動連結されている。移動基台31の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部(図示していない)も形成されており、この連結部には鉛直方向に延びる貫通雌ねじ穴(図示していない)が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド41が螺合せしめられている。従って、パルスモータ44が正転すると移動基台31即ち研磨ユニット3が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ44が逆転すると移動基台31即ち研磨ユニット3が上昇即ち後退せしめられる。   The polishing apparatus in the illustrated embodiment includes a polishing unit feed mechanism 4 that moves the polishing unit 3 in the vertical direction (direction perpendicular to a holding surface of a chuck table described later) along the pair of guide rails 221 and 221. It has. The polishing unit feed mechanism 4 includes a male screw rod 41 disposed on the front side of the upright wall 22 and extending substantially vertically. The male screw rod 41 is rotatably supported by bearing members 42 and 43 whose upper end and lower end are attached to the upright wall 22. The upper bearing member 42 is provided with a pulse motor 44 as a drive source for rotationally driving the male screw rod 41, and the output shaft of the pulse motor 44 is connected to the male screw rod 41 by transmission. A connecting portion (not shown) that protrudes rearward from the center portion in the width direction is also formed on the rear surface of the movable base 31, and a through female screw hole (not shown) that extends in the vertical direction is formed in this connecting portion. The male screw rod 41 is screwed into the female screw hole. Therefore, when the pulse motor 44 rotates in the forward direction, the moving base 31, that is, the polishing unit 3 is lowered or moved forward, and when the pulse motor 44 rotates in the reverse direction, the moving base 31, that is, the polishing unit 3 is raised or moved backward.

ハウジング2の主部21にはウエーハ保持機構5が配設されている。ウエーハ保持機構5は、被加工物としてのウエーハを保持するウエーハ保持手段6と、該ウエーハ保持手段6の周囲を覆うカバー部材51と、該カバー部材51の前後に配設された蛇腹手段52および53を具備している。ウエーハ保持手段6は、図示しない移動手段によって図1に示す被加工物載置域6aと上記スピンドルユニット32を構成する研磨ホイール33と対向する研磨域6bとの間で移動せしめられる。蛇腹手段52および53はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段52の前端は主部21の前面壁に固定され、後端はカバー部材51の前端面に固定されている。蛇腹手段53の前端はカバー部材51の後端面に固定され、後端は装置ハウジング2の直立壁22の前面に固定されている。ウエーハ保持手段6が矢印6cで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段52が伸張されて蛇腹53が収縮され、ウエーハ保持手段6が矢印6dで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段52が収縮されて蛇腹手段53が伸張せしめられる。   A wafer holding mechanism 5 is disposed in the main portion 21 of the housing 2. The wafer holding mechanism 5 includes a wafer holding unit 6 that holds a wafer as a workpiece, a cover member 51 that covers the periphery of the wafer holding unit 6, and a bellows unit 52 that is disposed before and after the cover member 51, and 53. The wafer holding means 6 is moved between a workpiece placing area 6a shown in FIG. 1 and a polishing area 6b facing the polishing wheel 33 constituting the spindle unit 32 by a moving means (not shown). The bellows means 52 and 53 can be formed from any suitable material such as campus cloth. The front end of the bellows means 52 is fixed to the front wall of the main portion 21, and the rear end is fixed to the front end surface of the cover member 51. The front end of the bellows means 53 is fixed to the rear end surface of the cover member 51, and the rear end is fixed to the front surface of the upright wall 22 of the apparatus housing 2. When the wafer holding means 6 is moved in the direction indicated by the arrow 6c, the bellows means 52 is expanded and the bellows 53 is contracted. When the wafer holding means 6 is moved in the direction indicated by the arrow 6d, the bellows means 52 is expanded. Is contracted, and the bellows means 53 is extended.

次に、上記ウエーハ保持手段6について、図2を参照して説明する。
図2に示すウエーハ保持手段6は、上面に支持面71を備えた支持ベース7と、該支持ベース7の支持面71上に着脱可能に支持されるウエーハ保持プレート8とから構成されており、図示しない回転駆動手段によって回転せしめられるようになっている。支持ベース7は、ステンレス鋼などの金属材によって円柱状に形成され、支持面71の中心部に開口する第1の吸引通路72と、支持面71の外周部にそれぞれ90度の位相差を持って開口する複数の第2の吸引通路73を備えている。この第1の吸引通路72と第2の吸引通路73は、第1の吸引手段60に連通されている。第1の吸引手段60は、吸引源61と、該吸引源61と上記第1の吸引通路72および第2の吸引通路73とを連通する配管62および63にそれぞれ配設された第1の電磁開閉弁64および第2の電磁開閉弁65を備えている。この第1の電磁開閉弁64および第2の電磁開閉弁65は、それぞれ除勢(OFF)している状態では閉路しており、附勢(ON)すると開路するようになっている。従って、第1の電磁開閉弁64および第2の電磁開閉弁65が附勢(ON)されると、上記第1の吸引通路72と第2の吸引通路73に負圧が作用する。
Next, the wafer holding means 6 will be described with reference to FIG.
The wafer holding means 6 shown in FIG. 2 includes a support base 7 having a support surface 71 on the upper surface, and a wafer holding plate 8 that is detachably supported on the support surface 71 of the support base 7. It can be rotated by a rotation driving means (not shown). The support base 7 is formed in a cylindrical shape by a metal material such as stainless steel, and has a first suction passage 72 that opens at the center of the support surface 71 and a phase difference of 90 degrees at the outer periphery of the support surface 71. A plurality of second suction passages 73 are provided. The first suction passage 72 and the second suction passage 73 are in communication with the first suction means 60. The first suction means 60 includes a suction source 61, and first electromagnetics disposed in pipes 62 and 63 that communicate the suction source 61 with the first suction passage 72 and the second suction passage 73, respectively. An on-off valve 64 and a second electromagnetic on-off valve 65 are provided. The first electromagnetic on-off valve 64 and the second electromagnetic on-off valve 65 are closed when they are de-energized (OFF), and are opened when energized (ON). Therefore, when the first electromagnetic on-off valve 64 and the second electromagnetic on-off valve 65 are energized (ON), negative pressure acts on the first suction passage 72 and the second suction passage 73.

上記ウエーハ保持プレート8、ステンレス鋼などの金属材によって円板状に形成された保持基板81と、該保持基板81の上面に配設された吸着チャック82とからなっている。保持基板81の上面には円形の嵌合凹部が設けられ吸引室811が形成されている。また、嵌合凹部には、底面の外周部に上記吸着チャック82が載置される環状の載置棚812が設けられている。このように形成された保持基板81には、中心部の下部に吸引室811に開口するとともに下面に開口する第1の連通路813が設けられている。この第1の連通路813は、ウエーハ保持プレート8が上記支持ベース7の支持面71に載置されると、支持ベース7に設けられた第1の吸引通路72と連通するようになっている。この第1の連通路813には、ボール弁831とコイルばね832とからなる第1の逆止弁83が配設されている。この第1の逆止弁83は、吸引室811側からの空気の流出のみを許容し、吸引室811側への空気の流入を規制するように構成されている。また、保持基板81には、外周部に吸引室811に開口するとともに外周面に開口する第2の連通路814が設けられている。この第2の連通路814には、ボール弁841とコイルばね842とからなる第2の逆止弁84が配設されている。この第2の逆止弁84は、第1の逆止弁83と同様に上記吸引室811側からの空気の流出のみを許容し、吸引室811側への空気の流入を規制するように構成されている。   The wafer holding plate 8 includes a holding substrate 81 formed in a disk shape by a metal material such as stainless steel, and a suction chuck 82 disposed on the upper surface of the holding substrate 81. A circular fitting recess is provided on the upper surface of the holding substrate 81 to form a suction chamber 811. The fitting recess is provided with an annular mounting shelf 812 on which the suction chuck 82 is mounted on the outer periphery of the bottom surface. The holding substrate 81 formed in this manner is provided with a first communication path 813 that opens to the suction chamber 811 and opens to the lower surface at the lower part of the center. The first communication path 813 communicates with a first suction path 72 provided in the support base 7 when the wafer holding plate 8 is placed on the support surface 71 of the support base 7. . A first check valve 83 including a ball valve 831 and a coil spring 832 is disposed in the first communication path 813. The first check valve 83 is configured to allow only the outflow of air from the suction chamber 811 side and restrict the inflow of air to the suction chamber 811 side. In addition, the holding substrate 81 is provided with a second communication path 814 that opens to the suction chamber 811 and opens to the outer peripheral surface at the outer peripheral portion. A second check valve 84 composed of a ball valve 841 and a coil spring 842 is disposed in the second communication path 814. Like the first check valve 83, the second check valve 84 allows only the outflow of air from the suction chamber 811 side, and restricts the inflow of air to the suction chamber 811 side. Has been.

上記吸着チャック82は、図示の実施形態においてはポーラスなセラミックス等の多孔質部材によって円形に形成されている。従って、吸着チャック82は、上記吸引室811に連通するとともに上面に開口する無数の吸引孔を備えている。このように構成された吸着チャック82は、上記保持基板81に形成された環状の載置棚812に載置され、その上面がウエーハを保持する保持面820として機能する。そして、保持面821を囲繞する上記保持基板81における環状の上面は、被保持面810として機能する。   In the illustrated embodiment, the suction chuck 82 is formed in a circular shape by a porous member such as porous ceramics. Therefore, the suction chuck 82 includes innumerable suction holes that communicate with the suction chamber 811 and open on the upper surface. The suction chuck 82 configured as described above is placed on an annular mounting shelf 812 formed on the holding substrate 81, and the upper surface functions as a holding surface 820 for holding the wafer. The annular upper surface of the holding substrate 81 surrounding the holding surface 821 functions as the held surface 810.

以上のように構成されたウエーハ保持プレート8は、図2に示すように支持ベース7の上面71にウエーハ保持プレート8の保持基板81が載置される。そして、第1の吸引手段60の第1の電磁開閉弁64および第2の電磁開閉弁65を附勢(ON)すると、上述したように第1の吸引通路72と第2の吸引通路73に負圧が作用する。この結果、第2の吸引通路73と対向しているウエーハ保持プレート8の保持基板81における下面外周部が吸引され、ウエーハ保持プレート8は支持ベース7の上面71に吸引保持される。一方、第1の吸引通路72に作用する負圧は、ウエーハ保持プレート8に設けられた第1の連通路814に配設された第1の逆止弁84に作用し、ボール弁841をコイルばね842のばね力に抗して図2において下方に吸引して開弁する。この結果、第1の吸引通路72に作用する負圧は、第1の連通路814を通して吸引室811に作用し、更に吸着チャック82に形成された無数の吸引孔を介して保持面820に作用する。従って、保持面820上にウエーハが載置されていれば、ウエーハは保持面820上に吸引保持される。   In the wafer holding plate 8 configured as described above, the holding substrate 81 of the wafer holding plate 8 is placed on the upper surface 71 of the support base 7 as shown in FIG. When the first electromagnetic on-off valve 64 and the second electromagnetic on-off valve 65 of the first suction means 60 are energized (ON), as described above, the first suction passage 72 and the second suction passage 73 are brought into contact with each other. Negative pressure acts. As a result, the outer peripheral portion of the lower surface of the holding substrate 81 of the wafer holding plate 8 facing the second suction passage 73 is sucked, and the wafer holding plate 8 is sucked and held on the upper surface 71 of the support base 7. On the other hand, the negative pressure acting on the first suction passage 72 acts on the first check valve 84 disposed in the first communication passage 814 provided in the wafer holding plate 8, and the ball valve 841 is coiled. The valve is sucked downward in FIG. 2 to open against the spring force of the spring 842. As a result, the negative pressure acting on the first suction passage 72 acts on the suction chamber 811 through the first communication passage 814 and further acts on the holding surface 820 via the numerous suction holes formed in the suction chuck 82. To do. Therefore, if the wafer is placed on the holding surface 820, the wafer is sucked and held on the holding surface 820.

図1に戻って説明を続けると、図示の実施形態における研磨装置は、ウエーハ保持手段6のウエーハ保持プレート8上で研磨加工された被加工物であるウエーハおよびウエーハ保持プレート8を搬送する搬送手段9を備えている。この搬送手段9は、上記ウエーハ保持プレート8を吸引保持するプレート保持部材91と、該プレート保持部材91を支持する作動アーム92と、該作動アーム92を支持する支持手段93とからなっており、装置ハウジング2の側方に配設されている。   Referring back to FIG. 1, the description of the polishing apparatus in the illustrated embodiment will be described. The polishing device in the illustrated embodiment is a wafer that is a workpiece polished on the wafer holding plate 8 of the wafer holding means 6 and a transfer means for transferring the wafer holding plate 8. 9 is provided. The conveying means 9 includes a plate holding member 91 for sucking and holding the wafer holding plate 8, an operating arm 92 for supporting the plate holding member 91, and a supporting means 93 for supporting the operating arm 92. It is arranged on the side of the device housing 2.

搬送手段9を構成するプレート保持部材91について、図3を参照して説明する。
図3に示すプレート保持部材91は、上記ウエーハ保持プレート8を嵌合する円形状の凹部911を備えている。この円形状の凹部911は、上記ウエーハ保持プレート8の外径より僅かに大きい内径に形成され、その底面における外周部には上記ウエーハ保持プレート8の保持基板81における環状の被保持面810と対応する幅を有する保持棚912が設けられている。この保持棚912の厚さは、後述するウエーハの厚さと保護テープの厚さを加算した値より大きく設定されている。そして、プレート保持部材91には、保持棚912の表面に開口する複数の吸引孔913が形成されている。また、プレート保持部材91には、複数の吸引孔913と連通する第1の吸引通路914と、上記円形状の凹部911の内周面に開口する第2の吸引通路915が形成されている。なお、第2の吸引通路915が開口する凹部911の内周面には、第2の吸引通路916の開口部を囲繞するシール916を配設することが望ましい。
The plate holding member 91 which comprises the conveyance means 9 is demonstrated with reference to FIG.
A plate holding member 91 shown in FIG. 3 includes a circular recess 911 into which the wafer holding plate 8 is fitted. The circular recess 911 is formed to have an inner diameter slightly larger than the outer diameter of the wafer holding plate 8, and the outer peripheral portion of the bottom surface corresponds to the annular held surface 810 of the holding substrate 81 of the wafer holding plate 8. A holding shelf 912 having a width is provided. The thickness of the holding shelf 912 is set to be larger than a value obtained by adding the thickness of a wafer, which will be described later, and the thickness of the protective tape. The plate holding member 91 is formed with a plurality of suction holes 913 that open on the surface of the holding shelf 912. Further, the plate holding member 91 is formed with a first suction passage 914 communicating with the plurality of suction holes 913 and a second suction passage 915 opening on the inner peripheral surface of the circular recess 911. It is desirable that a seal 916 surrounding the opening of the second suction passage 916 be disposed on the inner peripheral surface of the recess 911 in which the second suction passage 915 opens.

上述したようにプレート保持部材91に形成された第1の吸引通路914と第2の吸引通路915は、作動アーム92に設けられた連通路921を介して第2の吸引手段90に連通されている。第2の吸引手段90は、吸引源901と、該吸引源901と上記連通路921と連通する配管902に配設されて電磁開閉弁903を備えている。この電磁開閉弁903は、除勢(OFF)している状態では閉路しており、附勢(ON)すると開路するようになっている。従って、電磁開閉弁64が附勢(ON)されると、配管902および連通路921を介して上記第1の吸引通路914と第2の吸引通路915に負圧が作用する。   As described above, the first suction passage 914 and the second suction passage 915 formed in the plate holding member 91 are communicated with the second suction means 90 via the communication passage 921 provided in the operating arm 92. Yes. The second suction means 90 is provided with a suction source 901 and an electromagnetic on-off valve 903 disposed in a pipe 902 communicating with the suction source 901 and the communication path 921. This electromagnetic on-off valve 903 is closed when de-energized (OFF), and is opened when energized (ON). Therefore, when the electromagnetic on-off valve 64 is energized (ON), negative pressure acts on the first suction passage 914 and the second suction passage 915 via the pipe 902 and the communication passage 921.

図1に戻って説明を続けると、搬送手段9を構成する支持手段93は、エアーシリンダおよびパルスモータ等からなり、作動アーム92を矢印9aで示すように上下方向に移動するとともに、矢印9bで示すように旋回するように構成されている。   Returning to FIG. 1, the description will be continued. The supporting means 93 constituting the conveying means 9 is composed of an air cylinder, a pulse motor and the like, and moves the operating arm 92 in the vertical direction as indicated by the arrow 9a, and at the arrow 9b. It is comprised so that it may turn as shown.

図示の実施形態における研磨装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図1に示すように研磨装置の被加工物載置域6aに位置付けられているウエーハ保持手段6のウエーハ保持プレート8を構成する吸着チャック82上に被加工物としての半導体ウエーハWを載置する。なお、半導体ウエーハWのデバイスが形成された表面には保護テープTが貼着されており、この保護テープT側をウエーハ保持プレート8の吸着チャック82上に載置する。
The polishing apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
As shown in FIG. 1, a semiconductor wafer W as a workpiece is placed on a suction chuck 82 that constitutes a wafer holding plate 8 of the wafer holding means 6 positioned in the workpiece placement area 6a of the polishing apparatus. . A protective tape T is attached to the surface on which the semiconductor wafer W device is formed, and the protective tape T side is placed on the suction chuck 82 of the wafer holding plate 8.

このようにしてウエーハ保持プレート8の吸着チャック82上に半導体ウエーハWが載置されたならば、図4に示すように第1の吸引手段60の第1の電磁開閉弁64および第2の電磁開閉弁65を附勢(ON)し、第1の電磁開閉弁64および第2の電磁開閉弁65を開路することにより、上述したようにウエーハ保持手段6を構成する支持ベース7に形成された第1の吸引通路72と第2の吸引通路73に負圧を作用せしめる。この結果、第2の吸引通路73と対向しているウエーハ保持プレート8の保持基板81における下面外周部が吸引され、ウエーハ保持プレート8は支持ベース7の上面71に吸引保持される。なお、第2の電磁開閉弁65はウエーハ保持プレート8の吸着チャック82上に半導体ウエーハWを載置する前に附勢(ON)し、ウエーハ保持手段6を構成する支持ベース7に形成された第2の吸引通路73に負圧を作用せしめ、ウエーハ保持プレート8を支持ベース7の上面71に吸引保持させておくことが望ましい。一方、第1の吸引通路72に作用する負圧は、ウエーハ保持プレート8に設けられた第1の連通路813に配設された第1の逆止弁83に作用し、ボール弁831をコイルばね832のばね力に抗して図4において下方に吸引して開弁する。この結果、第1の吸引通路72に作用する負圧は、第1の連通路813を通して吸引室811に作用し、更に吸着チャック82に形成された無数の吸引孔を介して保持面820に作用するため、吸着チャック82上に載置された半導体ウエーハWは、吸着チャック82の保持面820に上に吸引保持される。なお、吸引室811内の圧力が第1の吸引通路72内の圧力に近づくと、ボール弁831はコイルばね832のばね力によって閉弁する。   When the semiconductor wafer W is placed on the suction chuck 82 of the wafer holding plate 8 in this way, the first electromagnetic opening / closing valve 64 and the second electromagnetic valve 64 of the first suction means 60 as shown in FIG. The on-off valve 65 is energized (ON), and the first electromagnetic on-off valve 64 and the second electromagnetic on-off valve 65 are opened to form the support base 7 constituting the wafer holding means 6 as described above. Negative pressure is applied to the first suction passage 72 and the second suction passage 73. As a result, the outer peripheral portion of the lower surface of the holding substrate 81 of the wafer holding plate 8 facing the second suction passage 73 is sucked, and the wafer holding plate 8 is sucked and held on the upper surface 71 of the support base 7. The second electromagnetic opening / closing valve 65 is energized (ON) before the semiconductor wafer W is placed on the suction chuck 82 of the wafer holding plate 8, and is formed on the support base 7 constituting the wafer holding means 6. It is desirable to apply a negative pressure to the second suction passage 73 so that the wafer holding plate 8 is sucked and held on the upper surface 71 of the support base 7. On the other hand, the negative pressure acting on the first suction passage 72 acts on the first check valve 83 disposed in the first communication passage 813 provided in the wafer holding plate 8, and the ball valve 831 is coiled. The valve 8 is opened by suctioning downward in FIG. 4 against the spring force of the spring 832. As a result, the negative pressure acting on the first suction passage 72 acts on the suction chamber 811 through the first communication passage 813, and further acts on the holding surface 820 through the numerous suction holes formed in the suction chuck 82. Therefore, the semiconductor wafer W placed on the suction chuck 82 is sucked and held on the holding surface 820 of the suction chuck 82. When the pressure in the suction chamber 811 approaches the pressure in the first suction passage 72, the ball valve 831 is closed by the spring force of the coil spring 832.

以上のようにして、ウエーハ保持手段6を構成する支持ベース7上にウエーハ保持プレート8吸引保持するとともに、ウエーハ保持プレート8を構成する吸着チャック82の保持面821上に半導体ウエーハWを吸引保持したならば、図示しない移動手段を作動してウエーハ保持手段6を矢印6cで示す方向に移動し研磨域6bに位置付ける。このとき、研磨ユニット3の研磨ホイール33を構成する研磨砥石332がウエーハ保持手段6の回転中心、即ち半導体ウエーハWの中心を通過するように位置付ける。   As described above, the wafer holding plate 8 is sucked and held on the support base 7 constituting the wafer holding means 6, and the semiconductor wafer W is sucked and held on the holding surface 821 of the suction chuck 82 constituting the wafer holding plate 8. Then, the moving means (not shown) is operated to move the wafer holding means 6 in the direction indicated by the arrow 6c and to be positioned in the polishing zone 6b. At this time, the polishing grindstone 332 constituting the polishing wheel 33 of the polishing unit 3 is positioned so as to pass through the rotation center of the wafer holding means 6, that is, the center of the semiconductor wafer W.

このように研磨ホイール33を構成する研磨砥石332とウエーハ保持手段6に保持された半導体ウエーハWが所定の位置関係にセットされたならば、ウエーハ保持手段6を所定の方向に例えば300rpmの回転速度で回転するとともに、研磨ホイール33所定の方向に例えば6000rpmの回転速度で回転する。そして、研磨ホイール33を下降して複数の研磨砥石332を半導体ウエーハWの上面である裏面(被研磨面)に所定の圧力で押圧する(研磨工程)。この結果、半導体ウエーハWの被研磨面は全面に渡って研磨される。この研磨工程を実施することにより半導体ウエーハWを所定の厚さに研磨したならば、研磨ホイール33を上昇させ回転を停止するとともに、ウエーハ保持手段6の回転を停止する。そして、図示しない移動手段を作動してウエーハ保持手段6を被加工物載置域6aに位置付ける。   When the polishing wheel 332 constituting the polishing wheel 33 and the semiconductor wafer W held by the wafer holding means 6 are set in a predetermined positional relationship, the wafer holding means 6 is rotated in a predetermined direction, for example, at a rotation speed of 300 rpm. And the grinding wheel 33 rotates in a predetermined direction at a rotational speed of, for example, 6000 rpm. Then, the polishing wheel 33 is lowered to press the plurality of polishing wheels 332 against the back surface (surface to be polished), which is the upper surface of the semiconductor wafer W, with a predetermined pressure (polishing step). As a result, the surface to be polished of the semiconductor wafer W is polished over the entire surface. When the semiconductor wafer W is polished to a predetermined thickness by performing this polishing step, the polishing wheel 33 is raised to stop the rotation and the rotation of the wafer holding means 6 is stopped. Then, the moving means (not shown) is operated to position the wafer holding means 6 in the workpiece placement area 6a.

このようにして所定の厚さに研磨された半導体ウエーハWを保持しているウエーハ保持手段6が被加工物載置域6aに位置付けられたならば、搬送手段9の支持手段93を作動してプレート保持部材91をウエーハ保持手段6の上方位置に移動するとともに下降せしめる。この結果、図5に示すようにプレート保持部材91の凹部911がウエーハ保持手段6を構成するウエーハ保持プレート8に嵌合する。この結果、プレート保持部材91の凹部911に形成された保持棚912がウエーハ保持プレート8の保持基板81における環状の被保持面810上に載置される。なお、保持棚912の厚さは上述したように半導体ウエーハWの厚さと保護テープTの厚さを加算した値より大きく設定されているので、凹部911の底面はプレート保持部材91に保持されている半導体ウエーハWの上面(研磨面)に接触しない。従って、プレート保持部材91に付着しているコンタミがウエーハの表面に付着することはない。また、プレート保持部材91に設けられた第2の吸引通路916がウエーハ保持プレート8の保持基板81に形成された第2の連通路814と対向する位置に位置付けられる。   When the wafer holding means 6 holding the semiconductor wafer W polished to a predetermined thickness in this way is positioned in the workpiece placement area 6a, the support means 93 of the conveying means 9 is operated. The plate holding member 91 is moved to a position above the wafer holding means 6 and lowered. As a result, as shown in FIG. 5, the concave portion 911 of the plate holding member 91 is fitted into the wafer holding plate 8 constituting the wafer holding means 6. As a result, the holding shelf 912 formed in the concave portion 911 of the plate holding member 91 is placed on the annular held surface 810 of the holding substrate 81 of the wafer holding plate 8. Since the thickness of the holding shelf 912 is set larger than the value obtained by adding the thickness of the semiconductor wafer W and the thickness of the protective tape T as described above, the bottom surface of the recess 911 is held by the plate holding member 91. Do not touch the upper surface (polished surface) of the semiconductor wafer W. Therefore, the contamination adhering to the plate holding member 91 does not adhere to the surface of the wafer. Further, the second suction passage 916 provided in the plate holding member 91 is positioned at a position facing the second communication passage 814 formed in the holding substrate 81 of the wafer holding plate 8.

図5に示すようにプレート保持部材91の凹部911をウエーハ保持手段6のウエーハ保持プレート8に嵌合したならば、搬送手段9を構成する第2の吸引手段90の電磁開閉弁903を附勢(ON)し、電磁開閉弁903を開路することにより配管902および作動アーム92に形成された連通路921を介してプレート保持部材91に形成された第1の吸引通路914と第2の吸引通路916に負圧を作用せしめる。この結果、第1の吸引通路914に作用する負圧が複数の吸引孔913に作用し、ウエーハ保持プレート8の保持基板81における環状の被保持面810を吸引保持する。一方、第2の吸引通路916に作用する負圧は、ウエーハ保持プレート8の保持基板81に形成された第2の連通路814に配設されている第2の逆止弁84に作用し、第2の逆止弁84を構成するボール弁841がコイルばね842のばね力に抗して図5において左方に吸引して開弁する。この結果、第2の連通路814に作用する負圧は、第3の連通路814を通して吸引室811に作用し、更に吸着チャック82に形成された無数の吸引孔を介して保持面821に作用するため、吸着チャック82上に載置された半導体ウエーハWは、吸着チャック82の保持面821上に吸引保持された状態で維持される。次に、上記第1の吸引手段60の第1の電磁開閉弁64および第2の電磁開閉弁65を除勢(OFF)する。この結果、支持ベース7に形成された第2の吸引通路73に作用していた負圧が解除されウエーハ保持プレート8の吸引保持が解除されるとともに、第1の吸引通路72に作用していた負圧が解除される。   As shown in FIG. 5, when the recess 911 of the plate holding member 91 is fitted to the wafer holding plate 8 of the wafer holding means 6, the electromagnetic opening / closing valve 903 of the second suction means 90 constituting the conveying means 9 is energized. The first suction passage 914 and the second suction passage formed in the plate holding member 91 via the communication passage 921 formed in the pipe 902 and the operating arm 92 by opening the electromagnetic on-off valve 903. A negative pressure is applied to 916. As a result, the negative pressure acting on the first suction passage 914 acts on the plurality of suction holes 913 to suck and hold the annular held surface 810 of the holding substrate 81 of the wafer holding plate 8. On the other hand, the negative pressure acting on the second suction passage 916 acts on the second check valve 84 disposed in the second communication passage 814 formed on the holding substrate 81 of the wafer holding plate 8, The ball valve 841 constituting the second check valve 84 is suctioned and opened to the left in FIG. 5 against the spring force of the coil spring 842. As a result, the negative pressure acting on the second communication path 814 acts on the suction chamber 811 through the third communication path 814, and further acts on the holding surface 821 via the numerous suction holes formed in the suction chuck 82. Therefore, the semiconductor wafer W placed on the suction chuck 82 is maintained in a state of being sucked and held on the holding surface 821 of the suction chuck 82. Next, the first electromagnetic on-off valve 64 and the second electromagnetic on-off valve 65 of the first suction means 60 are de-energized (OFF). As a result, the negative pressure acting on the second suction passage 73 formed in the support base 7 is released, the suction holding of the wafer holding plate 8 is released, and the first suction passage 72 is acting. Negative pressure is released.

以上のようにして、搬送手段9のプレート保持部材91にウエーハ保持プレート8(研磨加工された半導体ウエーハWを吸引保持している)を吸引保持したならば、支持手段93を作動して図6に示すようにプレート保持部材91を上方に移動する。この結果、プレート保持部材91に吸引保持されているウエーハ保持プレート8は、研磨加工された半導体ウエーハWを吸引保持した状態で支持ベース7から離脱される。そして、搬送手段9は支持手段93を作動し、研磨加工された半導体ウエーハWを吸引保持しているウエーハ保持プレート8を次工程に搬送する。このようにしてウエーハ保持プレート8に吸引保持された状態で搬送される研磨加工された半導体ウエーハWは、上述したようにプレート保持部材91に接触していないため、プレート保持部材91に付着しているコンタミが半導体ウエーハWの研磨面に付着しないので、研磨面にコンタミが付着することによって生ずる後工程での問題を未然に防止することができる。   As described above, if the wafer holding plate 8 (which holds the polished semiconductor wafer W by suction) is sucked and held by the plate holding member 91 of the transport means 9, the support means 93 is operated to operate the support means 93 as shown in FIG. The plate holding member 91 is moved upward as shown in FIG. As a result, the wafer holding plate 8 sucked and held by the plate holding member 91 is detached from the support base 7 in a state where the polished semiconductor wafer W is sucked and held. Then, the transport means 9 operates the support means 93 to transport the wafer holding plate 8 holding the polished semiconductor wafer W by suction to the next process. As described above, the polished semiconductor wafer W transported while being sucked and held by the wafer holding plate 8 is not in contact with the plate holding member 91 as described above, and is attached to the plate holding member 91. Since the contaminated material does not adhere to the polished surface of the semiconductor wafer W, it is possible to prevent problems in the subsequent processes caused by the contaminated material from adhering to the polished surface.

以上、本発明を図示の実施形態に基いて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、図示の実施形態においてはプレート保持部材91によってウエーハ保持プレート8を吸引保持するように構成した例を示したが、プレート保持部材91はウエーハ保持プレート8を把持する構成にしてもよい。
また、図示の実施形態においては、本発明を研磨装置に適用した例を示したが、本発明は研磨装置に限らずウエーハを加工する他の加工装置に適用することができる。
As mentioned above, although this invention was demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited only to embodiment, A various deformation | transformation is possible in the range of the meaning of this invention. For example, in the illustrated embodiment, the example in which the wafer holding plate 8 is sucked and held by the plate holding member 91 is shown, but the plate holding member 91 may be configured to hold the wafer holding plate 8.
In the illustrated embodiment, the present invention is applied to a polishing apparatus. However, the present invention is not limited to the polishing apparatus, but can be applied to other processing apparatuses that process a wafer.

本発明に従って構成されたウエーハの加工装置としての研磨装置の斜視図。The perspective view of the polish device as a processing device of a wafer constituted according to the present invention. 図1に示す研磨装置を構成するウエーハ保持手段の断面図。Sectional drawing of the wafer holding means which comprises the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 図1に示す研磨装置を構成する搬送装置の要部断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part of a transfer device constituting the polishing apparatus shown in FIG. 1. 図1に示す研磨装置を構成するウエーハ保持手段のウエーハ保持プレート上に被加工物としてのウエーハを吸引保持した状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state which attracted and hold | maintained the wafer as a workpiece on the wafer holding plate of the wafer holding means which comprises the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 図1に示す研磨装置を構成するウエーハ保持手段のウエーハ保持プレートを搬送手段のプレート保持部材に吸引保持した状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state which attracted and held the wafer holding plate of the wafer holding means which comprises the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 1 to the plate holding member of a conveyance means. ウエーハ保持手段のウエーハ保持プレートを吸引保持した状態でプレート保持部材を上方に移動した状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state which moved the plate holding member upwards in the state which attracted and held the wafer holding plate of the wafer holding means.

符号の説明Explanation of symbols

2:装置ハウジング
3:研磨ユニット
31:移動基台
32:スピンドルユニット
33:研磨ホイール
4:研磨ユニット送り機構
5:ウエーハ保持機構
51:カバー部材
52、53:蛇腹手段
6:ウエーハ保持手段
60:第1の吸引手段
61:吸引源
64:第1の電磁開閉弁
65:第2の電磁開閉弁
7:支持ベース
71:支持面
72:第1の吸引通路
73:第2の吸引通路
8:ウエーハ保持プレート
81:保持基板
810:被保持面
811:吸引室
82:吸着チャック
83:第1の逆止弁
84:第2の逆止弁
9:搬送手段
90:第2の吸引手段
901:吸引源
903:電磁開閉弁
91:プレート保持部材
911:円形状の凹部
912:保持棚
913:複数の吸引孔
914:第1の吸引通路
915:第2の吸引通路
92:作動アーム
93:支持手段
2: Device housing 3: Polishing unit 31: Moving base 32: Spindle unit 33: Polishing wheel 4: Polishing unit feeding mechanism 5: Wafer holding mechanism 51: Cover member 52, 53: Bellows means 6: Wafer holding means 60: No. 1 suction means 61: suction source 64: first electromagnetic on-off valve 65: second electromagnetic on-off valve 7: support base 71: support surface 72: first suction passage 73: second suction passage 8: wafer holding Plate 81: Holding substrate 810: Surface to be held 811: Suction chamber 82: Suction chuck 83: First check valve 84: Second check valve 9: Transport means 90: Second suction means 901: Suction source 903 : Electromagnetic on-off valve 91: Plate holding member 911: Circular recess 912: Holding shelf 913: Multiple suction holes 914: First suction passage 915: Second suction passage 92: Actuating door 93: Support means

Claims (1)

ウエーハを保持するウエーハ保持手段と、該ウエーハ保持手段に保持されたウエーハを加工する加工手段と、該加工手段によって加工されたウエーハを該ウエーハ保持手段から搬送する搬送手段と、を具備するウエーハの加工装置において、
該ウエーハ保持手段は、ウエーハを保持する保持面と該保持面を囲繞する被保持面とを備えたウエーハ保持プレートと、該ウエーハ保持プレートを着脱可能に支持する支持面を備えた支持ベースとからなり、
該支持ベースは、第1の吸引手段と連通するとともに該支持面に開口する第1の吸引通路および第2の吸引通路を備えており、
該ウエーハ保持プレートは、該支持ベースの該第1の吸引通路と連通する第1の連通路と、該第1の連通路が開口する吸引室と、該吸引室に連通するとともに該保持面に開口する複数の吸引孔と、該吸引室に連通するとともに外周面に開口する第2の連通路と、該第1の連通路および該第2の連通路にそれぞれ配設され該吸引室側からの空気の流出のみを許容する第1の逆止弁および第2の逆止弁とを具備しており、
該搬送手段は、該ウエーハ保持プレートを保持するプレート保持部材と、該プレート保持部材を支持する作動アームとを具備し、
該プレート保持部材は、該ウエーハ保持プレートの該被保持面を吸引保持する複数の吸引孔と、該複数の吸引孔と第2の吸引手段とを連通する吸引通路を備えている、
ことを特徴とするウエーハの加工装置。
A wafer comprising: a wafer holding means for holding a wafer; a processing means for processing a wafer held by the wafer holding means; and a transfer means for transferring the wafer processed by the processing means from the wafer holding means. In processing equipment,
The wafer holding means includes a wafer holding plate having a holding surface for holding the wafer and a held surface surrounding the holding surface, and a support base having a support surface for detachably supporting the wafer holding plate. Become
The support base includes a first suction passage and a second suction passage communicating with the first suction means and opening in the support surface;
The wafer holding plate communicates with the first suction passage of the support base with the first suction passage, the suction chamber in which the first communication passage opens, the suction chamber, and the holding surface. A plurality of suction holes that open, a second communication passage that communicates with the suction chamber and opens to the outer peripheral surface, and is disposed in the first communication passage and the second communication passage, respectively, from the suction chamber side. A first check valve and a second check valve that allow only the outflow of air,
The transport means comprises a plate holding member that holds the wafer holding plate, and an operating arm that supports the plate holding member,
The plate holding member includes a plurality of suction holes for sucking and holding the held surface of the wafer holding plate , and a suction passage for communicating the plurality of suction holes and the second suction means .
A wafer processing apparatus characterized by that.
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