JP5306928B2 - Wafer transfer device - Google Patents

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本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハを吸引保持して搬送するウエーハ搬送装置に関する。   The present invention relates to a wafer transfer device that sucks and holds a wafer such as a semiconductor wafer.

半導体デバイス製造工程においては、略円盤形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切削装置で切削することにより、半導体ウエーハが個々の半導体チップ(デバイス)に分割される。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and devices such as ICs and LSIs are placed in the partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is cut into individual semiconductor chips (devices) by cutting the semiconductor wafer along a street with a cutting device.

分割されるウエーハは、ストリートに沿って切削する前に裏面を研削して所定の厚さに形成される、近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するために、ウエーハの厚さをより薄く、例えば50μm程度にすることが要求されている。   The wafer to be divided is formed to a predetermined thickness by grinding the back surface before cutting along the street.In recent years, in order to achieve weight reduction and downsizing of electrical equipment, the thickness of the wafer has been increased. It is required to be thin, for example, about 50 μm.

このように薄く形成されたウエーハは取り扱いが困難になり、搬送等において破損する恐れがある。そこで、ウエーハのデバイス領域に対応する裏面のみを研削して円形凹部を形成し、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に対応するウエーハの裏面に環状補強部を形成する加工方法が特開2007−19461号公報で提案されている。   Such thin wafers are difficult to handle and may be damaged during transportation. Therefore, there is disclosed a processing method in which only the back surface corresponding to the device region of the wafer is ground to form a circular recess, and an annular reinforcing portion is formed on the back surface of the wafer corresponding to the outer peripheral surplus region surrounding the device region. Proposed in the Gazette.

このように加工されたウエーハを搬送する場合には、通常用いられているようなウエーハ全面を吸引する保持パッドを使用することはできず、例えば非常に薄く研削された円形凹部全体を吸引保持して搬送したり、剛性のある環状補強部のみを吸引保持して搬送するといった方法が提案されている(例えば、特開2007−258206号公報参照)。   When transporting a wafer processed in this way, it is not possible to use a holding pad that sucks the entire surface of the wafer as is normally used. For example, the entire circular recess that has been ground very thinly is sucked and held. Or a method of sucking and holding only a rigid annular reinforcing portion (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-258206).

特開2007−19461号公報JP 2007-19461 A 特開2007−258206号公報JP 2007-258206 A

しかし、非常に薄く研削された円形凹部全面を吸引する場合、ウエーハのサイズが変わって円形凹部の直径が変わると、凹部に保持パッドが填らなかったり、逆に保持パッドが凹部に対して小さすぎると吸引保持しても凹部が撓んで破損するといった問題が生じるため、その都度保持パッドのサイズを変更する必要がある。   However, when sucking the entire surface of a circular recess that has been ground very thinly, if the wafer size changes and the diameter of the circular recess changes, the recess does not fill the holding pad, or conversely, the holding pad is smaller than the recess. If it is too much, there is a problem that the concave portion is bent and damaged even if it is sucked and held. Therefore, it is necessary to change the size of the holding pad each time.

一方、外周に形成された環状補強部のみを吸引する場合、環状補強部は幅が1〜3mmと非常に細いため吸引するには面積が小さく、吸引力が不十分となる。更に、ウエーハ外周に形成されたノッチやオリエンテーションフラットといった半導体ウエーハ独特の欠けた形状に対応するため、それらに対応する部分は吸引しない非吸引領域を形成した保持パッドを作る必要がある。加えて、保持パッドの非吸引領域と半導体ウエーハのノッチやオリエンテーションフラットとを位置合わせする必要がある。   On the other hand, when sucking only the annular reinforcing portion formed on the outer periphery, the annular reinforcing portion has a very narrow width of 1 to 3 mm, so the area is small for suction and the suction force is insufficient. Furthermore, in order to cope with chipped shapes unique to the semiconductor wafer such as notches and orientation flats formed on the outer periphery of the wafer, it is necessary to make a holding pad in which a non-suction area is formed in which the corresponding part is not sucked. In addition, it is necessary to align the non-suction region of the holding pad with the notch or orientation flat of the semiconductor wafer.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、デバイス領域に対応する円形凹部及び該円形凹部を囲繞する環状補強部を有するウエーハを搬送する際に、複数のウエーハサイズに対応可能な保持パッドを有するウエーハ搬送装置を提供することである。   The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to provide a plurality of wafers having a circular recess corresponding to a device region and an annular reinforcing portion surrounding the circular recess. It is an object of the present invention to provide a wafer conveyance device having a holding pad that can accommodate the wafer size.

本発明によると、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有し、該デバイス領域に対応する裏面に円形凹部が形成され、該円形凹部の外周側に該余剰領域を含む環状補強部が形成されたウエーハを吸引保持して搬送するウエーハ搬送装置であって、該円形凹部の底面を吸引保持する吸引面と、該吸引面を囲繞しウエーハの該環状補強部を収容する環状凹部とを有する略円盤形状の保持パッドと、該吸引面に負圧を作用させる吸引手段と、該保持パッドを第1の位置と第2の位置の間で移動させる移動手段とを具備し、該環状凹部はウエーハの直径に対応して同心円状に複数個設けられていることを特徴とするウエーハ搬送装置が提供される。   According to the present invention, a device region in which a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region are formed on the surface, and a circular recess is formed on the back surface corresponding to the device region. A wafer transport device for sucking and holding a wafer having an annular reinforcing portion including the surplus area formed on the side thereof, wherein the wafer has a suction surface for sucking and holding the bottom surface of the circular recess and surrounds the suction surface. A substantially disc-shaped holding pad having an annular recess for accommodating the annular reinforcing portion, suction means for applying a negative pressure to the suction surface, and moving the holding pad between the first position and the second position And a plurality of concentric circular recesses corresponding to the diameter of the wafer.

好ましくは、保持パッドは同心円状に複数個設けられた環状凹部の間に形成された環状吸引面を更に含んでいる。環状吸引面は選択的に吸引手段に連通される。   Preferably, the holding pad further includes an annular suction surface formed between a plurality of concentric annular recesses. The annular suction surface is selectively communicated with suction means.

本発明によると、ウエーハの環状補強部を保持パッドの環状凹部内に挿入して保持パッドの吸引面でウエーハのデバイス領域に対応する円形凹部全面を吸引保持するため、十分な吸引力でウエーハを吸引することができる。更に、一つの保持パッドが複数のウエーハサイズに対応した同心円状の環状凹部を有しているため、ウエーハサイズの変更によって、保持パッドをその都度変更する必要がないため、工数及び部品点数の削減が可能となる。   According to the present invention, the annular reinforcing portion of the wafer is inserted into the annular recess of the holding pad, and the entire surface of the circular recess corresponding to the device area of the wafer is sucked and held by the suction surface of the holding pad. Can be aspirated. Furthermore, since one holding pad has a concentric annular recess corresponding to a plurality of wafer sizes, it is not necessary to change the holding pad each time the wafer size is changed. Is possible.

また、複数の環状凹部の間に形成された環状吸引面を有している形態では、直径の大きなウエーハを吸引保持するときは、吸引面及び環状吸引面の双方に同時に負圧を作用させてウエーハを十分に吸引保持することができる。   Further, in the form having an annular suction surface formed between a plurality of annular recesses, when sucking and holding a wafer having a large diameter, negative pressure is simultaneously applied to both the suction surface and the annular suction surface. The wafer can be sufficiently sucked and held.

半導体ウエーハの表面側斜視図である。It is a surface side perspective view of a semiconductor wafer. 表面に保護テープが貼着された半導体ウエーハの裏面側斜視図である。It is a back surface side perspective view of the semiconductor wafer by which the protective tape was stuck on the surface. 本発明のウエーハ搬送装置を備えた研削装置の外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of the grinding device provided with the wafer conveyance device of the present invention. 研削時におけるチャックテーブルに保持されたウエーハと研削ホイールとの関係を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the relationship between the wafer hold | maintained at the chuck table at the time of grinding, and a grinding wheel. 研削装置によって実施される円形凹部研削工程の説明図である。It is explanatory drawing of the circular recessed part grinding process implemented by the grinding device. 円形凹部研削工程が実施された半導体ウエーハの断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor wafer in which the circular recessed part grinding process was implemented. 本発明実施形態に係るウエーハ搬送装置の概略斜視図である。1 is a schematic perspective view of a wafer conveyance device according to an embodiment of the present invention. 保持パッドの底面図である。It is a bottom view of a holding pad. 図8の9−9線断面図である。FIG. 9 is a sectional view taken along line 9-9 in FIG. 8. 保持パッドによってチャックテーブル上から半導体ウエーハを吸引保持した状態の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of a state in which a semiconductor wafer is sucked and held from above a chuck table by a holding pad.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハの斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer before being processed to a predetermined thickness. A semiconductor wafer 11 shown in FIG. 1 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 μm, and a plurality of streets 13 are formed in a lattice shape on the surface 11a, and a plurality of streets partitioned by the plurality of streets 13 are formed. A device 15 such as an IC or LSI is formed in the region.

このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。   The semiconductor wafer 11 configured as described above includes a device region 17 in which the device 15 is formed, and an outer peripheral surplus region 19 that surrounds the device region 17. A notch 21 is formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 11 as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer.

半導体ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、研削時には図2に示すように裏面11bが露出する形態となる。   A protective tape 23 is attached to the surface 11a of the semiconductor wafer 11 by a protective tape attaching process. Therefore, the front surface 11a of the semiconductor wafer 11 is protected by the protective tape 23, and the back surface 11b is exposed as shown in FIG.

図3を参照すると、研削装置2の外観斜視図が示されている。この研削装置2は、半導体ウエーハ11のデバイス領域17に対応する裏面を研削して円形凹部を形成し、円形凹部の外周側に外周余剰領域19を含む環状補強部を形成する研削方法を実施するのに適している。   Referring to FIG. 3, an external perspective view of the grinding device 2 is shown. The grinding apparatus 2 performs a grinding method in which a back surface corresponding to the device region 17 of the semiconductor wafer 11 is ground to form a circular recess, and an annular reinforcing portion including an outer peripheral surplus region 19 is formed on the outer peripheral side of the circular recess. Suitable for

4は研削装置2のベースであり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向に延びる一対のガイドレール(一本のみ図示)8が固定されている。   Reference numeral 4 denotes a base of the grinding apparatus 2, and a column 6 is erected on the rear side of the base 4. A pair of guide rails (only one is shown) 8 extending in the vertical direction is fixed to the column 6.

この一対のガイドレール8に沿って研削ユニット(研削手段)10が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット10は、そのハウジング20が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台12に取り付けられている。   A grinding unit (grinding means) 10 is mounted along the pair of guide rails 8 so as to be movable in the vertical direction. The grinding unit 10 is attached to a moving base 12 whose housing 20 moves in the vertical direction along a pair of guide rails 8.

研削ユニット10は、ハウジング20と、ハウジング20中に回転可能に収容されたスピンドル25と、スピンドル25を回転駆動するサーボモータ22と、スピンドル25の先端に固定されたマウント27と、マウント27に着脱可能に固定された複数の研削砥石26を有する研削ホイール24を含んでいる。   The grinding unit 10 includes a housing 20, a spindle 25 rotatably accommodated in the housing 20, a servo motor 22 that rotationally drives the spindle 25, a mount 27 fixed to the tip of the spindle 25, and a detachable attachment to the mount 27. A grinding wheel 24 having a plurality of grinding wheels 26 that are fixedly secured is included.

研削ユニット10は、研削ユニット10を一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動するボールねじ14とパルスモータ16とから構成される研削ユニット移動機構18を備えている。パルスモータ16をパルス駆動すると、ボールねじ14が回転し、移動基台12が上下方向に移動される。   The grinding unit 10 includes a grinding unit moving mechanism 18 including a ball screw 14 and a pulse motor 16 that move the grinding unit 10 up and down along a pair of guide rails 8. When the pulse motor 16 is pulse-driven, the ball screw 14 rotates and the moving base 12 is moved in the vertical direction.

ベース4の中間部分にはチャックテーブル50を有するチャックテーブル機構28が配設されており、チャックテーブル機構28は図示しないチャックテーブル移動機構によりY軸方向に移動される。30はチャックテーブル機構28をカバーする蛇腹である。   A chuck table mechanism 28 having a chuck table 50 is disposed at an intermediate portion of the base 4, and the chuck table mechanism 28 is moved in the Y-axis direction by a chuck table moving mechanism (not shown). A bellows 30 covers the chuck table mechanism 28.

ベース4の前側部分には、第1のウエーハカセット32と、第2のウエーハカセット34と、ウエーハ搬送ロボット36と、複数の位置決めピン40を有する位置決め機構38と、ウエーハ搬入機構(ローディングアーム)42と、ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)44と、スピンナユニット46が配設されている。   In the front portion of the base 4, a first wafer cassette 32, a second wafer cassette 34, a wafer transfer robot 36, a positioning mechanism 38 having a plurality of positioning pins 40, and a wafer carry-in mechanism (loading arm) 42 are provided. Also, a wafer carry-out mechanism (unloading arm) 44 and a spinner unit 46 are provided.

また、ベース4の概略中央部には、チャックテーブル50を洗浄する洗浄水噴射ノズル48が設けられている。この洗浄水噴射ノズル48は、チャックテーブル50が装置手前側のウエーハ搬入・搬出領域に位置づけられた状態において、チャックテーブル50に向かって洗浄水を噴射する。   Further, a cleaning water spray nozzle 48 for cleaning the chuck table 50 is provided at the approximate center of the base 4. The cleaning water spray nozzle 48 sprays cleaning water toward the chuck table 50 in a state where the chuck table 50 is positioned in the wafer loading / unloading area on the front side of the apparatus.

このように構成された研削装置2の研削作業について以下に説明する。第1のウエーハカセット32に収容されている図2に示したような半導体ウエーハ11は、ウエーハ搬送ロボット36で位置決め機構38に搬送されて位置決めピン40により位置決めされる。   The grinding operation of the grinding device 2 configured as described above will be described below. The semiconductor wafer 11 as shown in FIG. 2 accommodated in the first wafer cassette 32 is transported to the positioning mechanism 38 by the wafer transport robot 36 and positioned by the positioning pins 40.

位置決めされたウエーハ11は、ローディングアーム42により吸引保持されてウエーハ搬入・搬出領域に位置づけられたチャックテーブル50まで搬送され、チャックテーブル50により吸引保持される。   The positioned wafer 11 is sucked and held by the loading arm 42, conveyed to the chuck table 50 positioned in the wafer carry-in / out area, and sucked and held by the chuck table 50.

チャックテーブル50に吸引保持されたウエーハ11は、図示しないチャックテーブル移動機構により研削ユニット10直下の研削領域までY軸方向に移動される。図4に示されるように、マウント27にボルト29で着脱可能に装着された研削ホイール24は、ウエーハ11のデバイス領域17に対応する裏面のみを研削し、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19に対応するウエーハの裏面に環状補強部を形成するのに適した研削ホイールである。   The wafer 11 sucked and held on the chuck table 50 is moved in the Y-axis direction to a grinding region immediately below the grinding unit 10 by a chuck table moving mechanism (not shown). As shown in FIG. 4, the grinding wheel 24 detachably attached to the mount 27 with a bolt 29 grinds only the back surface corresponding to the device region 17 of the wafer 11 and surrounds the device region 17 with an outer peripheral surplus region 19. This grinding wheel is suitable for forming an annular reinforcing portion on the back surface of the wafer corresponding to the above.

図5に最もよく示されるように、チャックテーブル50の回転中心P1と研削ホイール24の回転中心P2とは偏心しており、研削砥石26の外径はウエーハ11のデバイス領域17と外周余剰領域19との境界線52の直径より小さく、境界線52の半径より大きい寸法に設定され、環状の研削砥石26がチャックテーブル50の回転中心P1を通過するように設定される。   As best shown in FIG. 5, the rotation center P1 of the chuck table 50 and the rotation center P2 of the grinding wheel 24 are eccentric, and the outer diameter of the grinding wheel 26 is the device region 17 of the wafer 11 and the outer peripheral surplus region 19. Is set to be smaller than the diameter of the boundary line 52 and larger than the radius of the boundary line 52 so that the annular grinding wheel 26 passes through the rotation center P <b> 1 of the chuck table 50.

チャックテーブル50を矢印aで示す方向に300rpmで回転しつつ、研削ホイール24を矢印bで示す方向に6000rpmで回転させるとともに、研削送り機構18を作動して研削ホイール24の研削砥石26をウエーハ11の裏面に接触させる。そして、研削ホイール24を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。   While rotating the chuck table 50 in the direction indicated by the arrow a at 300 rpm and rotating the grinding wheel 24 in the direction indicated by the arrow b at 6000 rpm, the grinding feed mechanism 18 is operated to move the grinding wheel 26 of the grinding wheel 24 to the wafer 11. Make contact with the back of the. Then, the grinding wheel 24 is ground by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed.

その結果、半導体ウエーハ11の裏面には、図6に示すように、デバイス領域17に対応する領域が研削されて円形凹部31が形成されるとともに、外周余剰領域19に対応する領域が残存されて環状補強部33が形成される。   As a result, as shown in FIG. 6, the region corresponding to the device region 17 is ground to form a circular recess 31 and the region corresponding to the outer peripheral surplus region 19 remains on the back surface of the semiconductor wafer 11. An annular reinforcing portion 33 is formed.

研削の終了したウエーハ11は、チャックテーブル50を搬入・搬出領域に移動してからアンローディングアーム44で吸引保持されてスピンナユニット46に搬送される。スピンナユニット46で洗浄及びスピン乾燥されたウエーハ11は、ウエーハ搬送ロボット36で把持されて第2のウエーハカセット34内に収容される。   After the grinding, the wafer 11 is sucked and held by the unloading arm 44 after the chuck table 50 is moved to the carry-in / carry-out region, and is conveyed to the spinner unit 46. The wafer 11 that has been cleaned and spin-dried by the spinner unit 46 is gripped by the wafer transfer robot 36 and accommodated in the second wafer cassette 34.

以下、本発明のウエーハ搬送装置をウエーハ搬出機構44に適用した例について図7乃至図10を参照して詳細に説明する。ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)44は保持パット54と、保持パッド54を連結部66(図9参照)で支持するアーム56から構成される。   Hereinafter, an example in which the wafer conveyance device of the present invention is applied to the wafer carry-out mechanism 44 will be described in detail with reference to FIGS. The wafer unloading mechanism (unloading arm) 44 includes a holding pad 54 and an arm 56 that supports the holding pad 54 with a connecting portion 66 (see FIG. 9).

アーム56は図示しない移動手段(旋回手段)により図3に示したチャックテーブル50とスピンナユニット46との間で旋回される。アーム56の先端部と保持パッド54の枠体58との間にはコイルばね70が介装されており、これにより保持パッド54は傾動可能にアーム56の先端に取り付けられている。   The arm 56 is swung between the chuck table 50 and the spinner unit 46 shown in FIG. A coil spring 70 is interposed between the distal end portion of the arm 56 and the frame body 58 of the holding pad 54, so that the holding pad 54 is tiltably attached to the distal end of the arm 56.

図8は保持パッド54の底面図を示しており、図9は図8の9−9線断面図である。保持パッド54の枠体58には半導体ウエーハ11の円形凹部31を吸引する円形吸引面60と、円形吸引面60を囲繞する環状吸引面62が形成されている。   8 shows a bottom view of the holding pad 54, and FIG. 9 is a sectional view taken along line 9-9 of FIG. A frame 58 of the holding pad 54 is formed with a circular suction surface 60 that sucks the circular recess 31 of the semiconductor wafer 11 and an annular suction surface 62 that surrounds the circular suction surface 60.

円形吸引面60と環状吸引面62との間には環状凹部76が形成され、環状吸引面62と枠体54の外周部との間には環状凹部78が形成されている。円形吸引面60及び環状吸引面62はポーラスセラミックス等の多孔質材料や、複数の吸引孔が形成された樹脂等から形成されている。   An annular recess 76 is formed between the circular suction surface 60 and the annular suction surface 62, and an annular recess 78 is formed between the annular suction surface 62 and the outer periphery of the frame body 54. The circular suction surface 60 and the annular suction surface 62 are made of a porous material such as porous ceramics, a resin in which a plurality of suction holes are formed, or the like.

円形吸引面60は複数の同心円状吸引路64、連結部66に形成された吸引路68及びフレキシブルパイプ82を介して真空吸引源80に接続されている。フレキシブルパイプ82の途中には電磁切替弁84が挿入されており、円形吸引面60は電磁切替弁84を切り替えることにより真空吸引源80に選択的に連通される。   The circular suction surface 60 is connected to a vacuum suction source 80 via a plurality of concentric suction paths 64, a suction path 68 formed in the connecting portion 66, and a flexible pipe 82. An electromagnetic switching valve 84 is inserted in the middle of the flexible pipe 82, and the circular suction surface 60 is selectively communicated with the vacuum suction source 80 by switching the electromagnetic switching valve 84.

環状吸引面62は、環状吸引路73、接続パイプ72内の吸引路74及びフレキシブルパイプ86を介して真空吸引源80に接続されている。フレキシブルパイプ86の途中には電磁切替弁88が挿入されており、電磁切替弁88を切り替えることにより環状吸引面62は選択的に真空吸引源80に連通される。   The annular suction surface 62 is connected to the vacuum suction source 80 via an annular suction path 73, a suction path 74 in the connection pipe 72 and a flexible pipe 86. An electromagnetic switching valve 88 is inserted in the middle of the flexible pipe 86, and the annular suction surface 62 is selectively communicated with the vacuum suction source 80 by switching the electromagnetic switching valve 88.

図10を参照すると、チャックテーブル50上の半導体ウエーハ11を、保持パッド54で吸引保持した状態の保持パッド54の断面図が示されている。半導体ウエーハ11の環状補強部33が環状凹部76中に挿入されて、円形吸引面60でウエーハ11の円形凹部31を吸引保持する。   Referring to FIG. 10, a sectional view of the holding pad 54 in a state where the semiconductor wafer 11 on the chuck table 50 is sucked and held by the holding pad 54 is shown. The annular reinforcing portion 33 of the semiconductor wafer 11 is inserted into the annular recess 76, and the circular recess 31 of the wafer 11 is sucked and held by the circular suction surface 60.

この時、電磁切替弁84を接続位置に切り替えて、円形吸引面60は真空吸引源80に連通されている。一方、電磁切替弁88は遮断位置に切り替えられており、これにより環状吸引面62には吸引力が作用していない。   At this time, the electromagnetic switching valve 84 is switched to the connection position, and the circular suction surface 60 is communicated with the vacuum suction source 80. On the other hand, the electromagnetic switching valve 88 is switched to the shut-off position, so that no suction force acts on the annular suction surface 62.

半導体ウエーハ11は例えば8インチウエーハであり、この場合にはウエーハ11の環状補強部33は図10に示すように内側の環状凹部76中に挿入されて、ウエーハ11の円形凹部31が円形吸引面60により吸引保持される。   The semiconductor wafer 11 is, for example, an 8-inch wafer. In this case, the annular reinforcing portion 33 of the wafer 11 is inserted into the inner annular recess 76 as shown in FIG. 10, and the circular recess 31 of the wafer 11 is formed into a circular suction surface. 60 is held by suction.

例えば、10インチウエーハ等の大径ウエーハの場合には、ウエーハ11の環状補強部33が外側の円形凹部78中に挿入され、電磁切替弁84,88を何れも接続状態に切り替えることにより、ウエーハ11の円形凹部31が円形吸引面60及び環状吸引面62により吸引保持される。   For example, in the case of a large-diameter wafer such as a 10-inch wafer, the annular reinforcing portion 33 of the wafer 11 is inserted into the outer circular recess 78, and both the electromagnetic switching valves 84 and 88 are switched to the connected state. 11 circular recesses 31 are sucked and held by the circular suction surface 60 and the annular suction surface 62.

上述した実施形態のウエーハ搬送装置によると、保持パッド54がその底面に環状凹部76,78を有しているため、ウエーハ11の環状補強部33を何れかの環状凹部76,78中に挿入して円形吸引面60でウエーハ11の円形凹部31を吸引保持するため、十分な吸引力でウエーハ11を吸引保持することができる。   According to the wafer conveyance device of the above-described embodiment, since the holding pad 54 has the annular recesses 76 and 78 on the bottom surface, the annular reinforcing portion 33 of the wafer 11 is inserted into any of the annular recesses 76 and 78. Since the circular recess 31 of the wafer 11 is sucked and held by the circular suction surface 60, the wafer 11 can be sucked and held with a sufficient suction force.

また、保持パッド54に、複数のウエーハサイズに対応した同心円状の環状凹部76,78が形成されているため、ウエーハサイズの変更によって保持パッドをその都度変更する必要が無いため、工数及び部品点数の削減が可能となる。   Further, since concentric annular recesses 76 and 78 corresponding to a plurality of wafer sizes are formed in the holding pad 54, it is not necessary to change the holding pad each time the wafer size is changed. Can be reduced.

更に、環状凹部76,78の間の環状吸引面62を選択的に真空吸引源80に連通できるので、直径の大きなウエーハを吸引するときは、ウエーハ11の円形凹部31のほぼ全域に渡って負圧を作用させてウエーハ11を十分に吸引することができ、ウエーハの直径が小さくて吸引保持しているウエーハ11より外側に環状吸引面62が存在する場合には、電磁切替弁88を遮断に切り換えることにより、環状吸引面62に切削屑などの異物を付着させることがない。   Further, since the annular suction surface 62 between the annular recesses 76 and 78 can be selectively communicated with the vacuum suction source 80, when sucking a wafer having a large diameter, it is negative over almost the entire area of the circular recess 31 of the wafer 11. When the wafer 11 can be sufficiently sucked by applying pressure, and the annular suction surface 62 exists outside the wafer 11 having a small diameter and held by suction, the electromagnetic switching valve 88 is shut off. By switching, foreign matters such as cutting dust do not adhere to the annular suction surface 62.

2 研削装置
10 研削ユニット
11 半導体ウエーハ
17 デバイス領域
19 外周余剰領域
24 研削ホイール
26 研削砥石
31 円形凹部
33 環状補強部
44 搬出機構(アンローディングアーム)
54 保持パッド
60 円形吸引面
62 環状吸引面
76,78 環状凹部
80 真空吸引源
2 Grinding apparatus 10 Grinding unit 11 Semiconductor wafer 17 Device area 19 Peripheral surplus area 24 Grinding wheel 26 Grinding wheel 31 Circular recess 33 Annular reinforcing part 44 Unloading mechanism (unloading arm)
54 holding pad 60 circular suction surface 62 annular suction surfaces 76, 78 annular recess 80 vacuum suction source

Claims (2)

複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有し、該デバイス領域に対応する裏面に円形凹部が形成され、該円形凹部の外周側に該余剰領域を含む環状補強部が形成されたウエーハを吸引保持して搬送するウエーハ搬送装置であって、
該円形凹部の底面を吸引保持する吸引面と、該吸引面を囲繞しウエーハの該環状補強部を収容する環状凹部とを有する略円盤形状の保持パッドと、
該吸引面に負圧を作用させる吸引手段と、
該保持パッドを第1の位置と第2の位置の間で移動させる移動手段とを具備し、
該環状凹部はウエーハの直径に対応して同心円状に複数個設けられていることを特徴とするウエーハ搬送装置。
The device has a device region where a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region, a circular recess is formed on the back surface corresponding to the device region, and the surplus region is formed on the outer periphery of the circular recess. A wafer transfer device for sucking and holding a wafer formed with an annular reinforcing portion including:
A substantially disc-shaped holding pad having a suction surface that sucks and holds the bottom surface of the circular recess, and an annular recess that surrounds the suction surface and accommodates the annular reinforcing portion of the wafer;
Suction means for applying a negative pressure to the suction surface;
Moving means for moving the holding pad between a first position and a second position;
A wafer conveyance device, wherein a plurality of the annular recesses are provided concentrically corresponding to the diameter of the wafer.
同心円状に複数個設けられた前記環状凹部の間に形成された環状吸引面を更に具備し、
該環状吸引面は選択的に前記吸引手段に連通されることを特徴とする請求項1記載のウエーハ搬送装置。
Further comprising an annular suction surface formed between the annular recesses provided in a plurality of concentric circles,
2. The wafer conveyance device according to claim 1, wherein the annular suction surface is selectively communicated with the suction means.
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