JP4846730B2 - 光−電子装置を製造する方法 - Google Patents
光−電子装置を製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4846730B2 JP4846730B2 JP2007546159A JP2007546159A JP4846730B2 JP 4846730 B2 JP4846730 B2 JP 4846730B2 JP 2007546159 A JP2007546159 A JP 2007546159A JP 2007546159 A JP2007546159 A JP 2007546159A JP 4846730 B2 JP4846730 B2 JP 4846730B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- functional material
- functional
- electrode layer
- thin film
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 307
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 70
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 28
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 19
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 16
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 12
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000008204 material by function Substances 0.000 claims description 8
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Natural products CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Substances ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 6
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 5
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 5
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 claims description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 5
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 claims description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-IDEBNGHGSA-N chlorobenzene Chemical group Cl[13C]1=[13CH][13CH]=[13CH][13CH]=[13CH]1 MVPPADPHJFYWMZ-IDEBNGHGSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 230000005264 electron capture Effects 0.000 claims 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 claims 1
- 238000007647 flexography Methods 0.000 claims 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 25
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 19
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 17
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N methyl pentane Natural products CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000002051 biphasic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- -1 cycloalkyl hexane Chemical compound 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 125000004446 heteroarylalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- PJULCNAVAGQLAT-UHFFFAOYSA-N indeno[2,1-a]fluorene Chemical group C1=CC=C2C=C3C4=CC5=CC=CC=C5C4=CC=C3C2=C1 PJULCNAVAGQLAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005501 phase interface Effects 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004001 thioalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
- B05D5/12—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain a coating with specific electrical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
Waiheirn et al.,Science,1999,vol.283,520〜522頁
前記基板上の前記第1の電極上に第1の形成材料と硬化可能な第1の機能材料の混合物を堆積させて薄膜を形成する工程であって、前記第1の形成材料及び前記第1の機能材料は、横方向において相分離した薄膜で、前記第1の形成材料相は選択的に第1の機能材料相の島を含む薄膜に分離するように選択される工程、
前記第1の機能材料相を硬化するために前記横方向において相分離した薄膜構造を処理し、続いて前記第1の形成材料相及び前記第1の機能材料相の前記選択的に含まれた島を除去するか、又は、前記横方向において相分離した薄膜構造から前記第1の形成材料相及び前記第1の機能材料相の前記選択的に含まれた島を除去し、続いて前記第1の機能材料相を硬化するために処理することによって、前記第1の機能材料の硬化された横方向において多孔質の薄膜を残す工程、
前記第1の機能材料の薄膜上にこれと相互侵入する第2の機能材料の薄膜を供給するために、前記第1の機能材料の硬化された横方向において多孔質の薄膜の孔上及び孔の中に第2の機能材料を堆積させる工程、及び
前記第2の機能材料の前記薄膜上に第2の電極層を形成する工程を含む。
基板上に第1の電極層を形成する工程、
前記基板上の前記第1の電極上に第1の形成材料と第2の形成材料の混合物を堆積させて薄膜を形成する工程であって、前記第1の形成材料及び前記第2の形成材料は、横方向において相分離した薄膜で、前記第1の形成材料相は選択的に第2の形成材料相の島を含む薄膜に分離するように選択される工程、
前記第1の形成材料相及び前記第2の形成材料相の前記選択的に含まれる島を除去し、前記第2の形成材料の横方向において多孔質の薄膜を残す工程、
前記第2の形成材料上にこれと相互侵入する前記第1の機能材料の薄膜を形成するために、前記第2の形成材料の前記横方向において多孔質の薄膜の孔の上及び中に硬化可能な第1の機能材料を堆積させる工程、
前記第1の機能材料相を硬化するために前記第2の形成材料及び第1の機能材料の前記相互侵入膜を処理し、続いて前記第2の形成材料相及び前記第1の機能材料相の硬化されていない部分を除去し、又は、前記第1の機能材料及び前記第2の形成材料相の前記相互侵入薄膜から前記第2の形成材料及び前記第1の機能材料の硬化されていない部分を除去し、続いて前記第1の機能材料相を硬化するために処理することによって、前記第1の機能材料の硬化された横方向において多孔質の薄膜を残す工程、
前記第1の機能材料の薄膜上にこれと相互侵入する第2の機能材料の薄膜を供給するために、前記第1の機能材料の硬化された横方向において多孔質の薄膜の孔上及び孔の中に第2の機能材料を堆積させる工程、及び
前記第2の機能材料の前記薄膜上に第2の電極層を形成する工程を含む。
適切な溶媒中の第1及び第2の混合用材料の混合物は、スピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷又はフレキソ印刷などの従来技術により、堆積させ得る。その溶媒は、例えば蒸発により除いて、横方向に相分離した形態を有する混合物膜を残す。
硬化可能な第2の混合用材料は、それぞれ熱又は紫外線照射による処理で硬化できるように、好ましくは加熱アニーリング又はUV架橋により硬化可能である。
上記のように、第1の混合用材料としての第1の形成材料相、及び第1の混合用材料相中の硬化可能な第2の混合用材料相の任意の島は、硬化した第2の混合用材料の非溶媒である、第1の混合用材料の溶媒に溶解することにより、除去される。例えば、第1の混合用材料がポリスチレンであり、硬化した第2の混合用材料がUV架橋済みポリ(3−ヘキシルチオフェン)であれば、ポリスチレンの適切な選択溶媒はシクロヘキサンである。
第1の混合用材料相、及び第1の混合用材料相中の第2の混合用材料相の任意の島を除去した後、トポグラフィー的に高度に特徴ある表面を有する、硬化した第2の混合用材料は、第2の混合用材料が第1の機能材料である場合は第2の機能材料、又は第2の混合用材料が第2の形成材料である場合は第1の機能材料のいずれかで、更にコーティングされる。その被膜は、硬化した第2の混合用材料の横方向に多孔質な膜の孔上及び孔中に、硬化した第2の混合用材料の非溶媒である、コーティング材料の溶媒からスピンコーティングすることにより、堆積される。
本発明は、有機PV/光検知装置及び他の電気/光電気装置に用途を有する。
本発明の少なくとも1つの実施形態を、単に例として、添付の図面を参照しながら以下に説明する。
本発明の方法を、以下の非限定的な実施例によりさらに説明する。
方法1:
材料1と材料2の混合ポリマーが基板上にスピンコートされる。スプレーコート、ディップコート、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷又はフレキソ印刷のような他の方法も使用することが可能である。相分離の2つの可能な形態が図1A及び図2Aに示される。
ポリスチレン(適正な相分離を与える多くのMwが有用である)及びポリ3−ヘキシルチオフェン(P3HT)の混合物がキシレン溶液から堆積され、続いて、180℃で焼成することによりポリ3−ヘキシルチオフェンを硬化する。シクロヘキサンによって相分離された混合物をスピン洗浄することによって、ポリスチレンが除去される。最後に、下記に示される構造を有するポリマーIがキシレン溶液から堆積される。P3HTの加熱処理がそれを少なくとも部分的にキシレン溶液中に不溶性に変え、P3HTとポリマー1の相互侵入膜を形成するためにこの溶媒からポリマー1の堆積を可能にする。
P3HTにUV架橋基が供給され、P3HT材料に対するUV架橋処理により混合層のP3HT要素が硬化される点を除いて、実施例Aの工程が繰り返される。架橋による硬化によって、実施例Aの非架橋性P3HT材料の加熱処理に比べてポリマー1を溶媒により不溶性に変えることができ、このようなポリマー1はトルエン又はキシレン又はクロロホルム(低粘度)からスピンコートによって堆積される。
架橋性のP3HTがUV処理ではなく熱によって架橋される点を除いて、実施例Bの工程が繰り返される。当業者には、広い範囲の架橋性基が有用であり、適切な処理は望ましい架橋条件に基づいて選択できることがわかる。
ポリマー1がPBCM(可溶性置換フラーレン1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル[6,6]C61)及びによって置き換えられ、フラーレンの堆積溶液にクロロベンゼン及びジクロロベンゼンが加えられることを除いて、実施例Bの工程が繰り返される。
ポリマー1がPBCM(可溶性置換フラーレン1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル[6,6]C61)及びによって置き換えられ、フラーレンの堆積溶液にクロロベンゼン及びジクロロベンゼンが加えられることを除いて、実施例Cの工程が繰り返される。
図3を参照すると、混合物は、望まれる長さにわたって制御された相分離が達成されるように選ばれた分子量を有する2つのポリマー材料7及び8から作られ、図3Aに示すように、基板の上の膜として堆積される。第1の形成材料7は溶解除去される。残りの第2の形成材料8はUV波長に強い吸収力を有する。工程11において材料7を除去した後、UV硬化が可能な第1の機能材料9が工程12において基板上に堆積される。図3Dに示されるように、材料8及び9は基板側面からUV露光され、相分離したUV吸収材料8がマスクの役割をはたして、ウェル中の材料9のみが不溶性になるように十分硬化される。図3Eに示すように、次いで、材料8及び未硬化の相分離材料9が工程13で除かれ、硬化材料9の島が残る。次いで、図3Fに示されるように、工程14において第2の機能材料10が堆積され、純粋な材料9及び10の最終的な相互侵入網構造が生成される。
2 材料2(正孔輸送材料)
3 材料3(電子輸送材料)
7 材料7
8 材料8
9 材料9
10 材料10
15 ガラス基板
16 ITO
17 PEDOT:PSS
18 アノード中間層
19 カソード
Claims (24)
- 基板、第1の電極層、前記第1の電極層の反対の極の第2の電極層、並びに第1及び第2の電極間にあって第2の機能材料と境界面で接触する第1の機能材料を含む光−電子装置を製造する方法であって、
基板上に第1の電極層を形成することと、
前記基板上の前記第1の電極上に第1の形成材料と第2の形成材料の混合物を堆積させて薄膜を形成することであって、前記第1の形成材料及び前記第2の形成材料は、横方向において相分離した薄膜構造に分離するように選択され、前記薄膜構造では、前記第1の形成材料相が選択的に第2の形成材料相の島を含んでいることと、
前記第1の形成材料相及び前記第2の形成材料の前記選択的に含まれる島を除去し、前記第2の形成材料の横方向において多孔質の薄膜を残すことと、
前記第2の形成材料の薄膜上にこれと相互侵入する前記第1の機能材料の薄膜を供給するために、前記第2の形成材料の前記横方向において多孔質の薄膜の孔の上及び孔の中に硬化可能な第1の機能材料を堆積させることと、
前記第1の機能材料相を硬化するために前記第2の形成材料及び第1の機能材料の前記相互侵入膜を処理し、続いて前記第2の形成材料相及び前記第1の機能材料相の硬化されていない部分を除去し、又は、前記第1の機能材料及び前記第2の形成材料の前記相互侵入薄膜から前記第2の形成材料及び前記第1の機能材料の硬化されていない部分除去し、続いて前記第1の機能材料相を硬化するために処理することによって、前記第1の機能材料の硬化された横方向において多孔質の薄膜を残すことと、
前記第1の機能材料の薄膜上にこれと相互侵入する第2の機能材料の薄膜を供給するために、前記第1の機能材料の硬化された横方向において多孔質の薄膜の孔上及び孔の中に第2の機能材料を堆積させることと、
前記第2の機能材料の前記薄膜上に第2の電極層を形成することと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記第2の形成材料はUV吸収剤であり、第1の機能材料はUV硬化可能であり、第1の機能材料相を硬化するための処理は、基板を貫通するUV放射で第2の形成材料及び第1の機能材料の相互侵入膜を照射するものであり、これによって前記第1の機能材料の一部がUV露光され、第2の形成材料によってマスクされていない前記第1の機能材料の一部は硬化され、UV露光されていないか又は第2の形成材料でマスクされた第1の機能材料の他の一部は硬化されないままであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の形成材料及び前記選択的に含まれた島は、第1の形成材料の溶媒に溶解することによって除去され、その溶媒は前記硬化された第1の機能材料を溶解しないことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の形成材料及び前記選択的に含まれた島は第1の形成材料の溶媒にであって第2の形成材料を溶解しない溶媒に溶解することによって除去され、第2の形成材料及び前記選択的に含まれた島は第2の形成材料の溶媒であって硬化された第1の機能材料を溶解しない溶媒に溶解することによって除去されることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記装置は電子発光又はOLED装置であり、前記第1の機能材料は電荷輸送材料であり、前記第2の機能材料は電子発光材料であり、前記第1の電極層はアノードであり、前記第2の電極層はカソードであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の方法。
- 前記装置は光起電装置であり、前記第1機能材料は正孔輸送材料であり、前記第2機能材料は電子輸送材料であり、前記第1電極層はアノードであり、前記第2電極層はカソードである請求項1ないし4のいずれかに記載の方法。
- 前記硬化可能な第1の機能材料は加熱アニール及び/又はUV架橋によって硬化可能であり、熱及び/又はUV照射処理によって硬化されることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の形成材料はポリスチレンである請求項1ないし7のいずれかに記載の方法。
- 前記溶媒はシクロヘキサンである請求項8に記載の方法。
- 前記混合物は、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷及びフレキソ印刷から選択された堆積技術によって堆積される請求項1ないし9のいずれかに記載の方法。
- 前記第2の機能材料は、第2の機能材料の溶媒であって硬化された第1の機能材料を溶解しない溶媒から、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷から選択された堆積技術によって、前記硬化された第1の機能材料の横方向に多孔質化された薄膜の孔の上又は孔の中へ堆積されることを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の機能材料は、第1の機能材料の溶媒であって前記第2の形成材料を溶解しない溶媒から、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷から選択された堆積技術によって、前記第2の形成材料の横方向に多孔質化された薄膜の孔の上又は孔の中へ堆積されることを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の機能材料は、正孔捕獲材料として機能するポリ3−ヘキシルチオフェンであり、前記第2の機能材料は、電子捕獲材料として機能するポリフルオレンであり、前記ポリフルオレンの溶媒はトルエン、キシレン及びクロロホルムより選択される請求項1ないし12のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の機能材料は、正孔捕獲材料として機能するポリ3−ヘキシルチオフェンであり、前記第2の機能材料は、電子捕獲材料として機能するフラーレンであり、前記フラーレンの溶媒はクロロベンゼン及びジクロロベンゼンから選択される請求項1ないし12のいずれかに記載の方法。
- 前記第1及び第2の機能材料の1又は両者は光吸収材料である請求項13又は14に記載の方法。
- 前記混合物が堆積される前に、前記基板上の前記第1電極層の上に前記第1の機能材料の電荷輸送層を形成することをさらに含む請求項1ないし15のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の電極層はPEDOT:PSS層を負うインジウム錫酸化物(ITO)層である請求項1ないし16のいずれかに記載の方法。
- 基板、第1の電極層、前記第1の電極層と反対の極の第2の電極層、並びに第1及び第2の電極間にあって第2の機能材料と境界面で接触する第1の機能材料を含む光−電子装置において、前記第1の機能材料は横方向において多孔質の薄膜構造を有し、前記第2の機能材料は前記第1の機能材料を覆いかつ相互に侵入していることを特徴とする光−電子装置。
- 前記装置は電子発光又はOLED装置であり、前記第1の機能材料は電荷輸送材料であり、前記第2の機能材料は電子発光材料であり、前記第1の電極層はアノードであり、前記第2の電極層はカソードである請求項18に記載の光−電子装置。
- 前記装置は光起電装置であり、前記第1の機能材料は正孔輸送材料であり、前記第2の機能材料は電子輸送材料であり、前記第1の電極層はアノードであり、前記第2の電極層はカソードである請求項18に記載の光−電子装置。
- 前記第1の機能材料は正孔捕獲材料として機能するポリ3−ヘキシルチオフェンであり、前記第2の機能材料は電子捕獲材料として機能するポリフルオレン及び/又はフラーレンから選択される請求項20に記載の光−電子装置。
- 前記第1及び第2の機能材料の1又は両者は光吸収材料である請求項21に記載の光−電子装置。
- 前記第1の機能材料の中間層をさらに含み、前記中間層が前記基板上の第1の電極層と前記第1及び第2の機能材料の相互侵入層の間に配置される請求項18ないし22のいずれかに記載の光−電子装置。
- 前記第1の電極層はPEDOT:PSS層を負うインジウム錫酸化物(ITO)層である請求項18ないし23のいずれかに記載の光−電子装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0427314A GB2421353A (en) | 2004-12-14 | 2004-12-14 | Method of preparing opto-electronic device |
GB0427314.0 | 2004-12-14 | ||
PCT/GB2005/004678 WO2006064183A1 (en) | 2004-12-14 | 2005-12-07 | Method of preparing opto-electronic device |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008523571A JP2008523571A (ja) | 2008-07-03 |
JP2008523571A5 JP2008523571A5 (ja) | 2010-10-14 |
JP4846730B2 true JP4846730B2 (ja) | 2011-12-28 |
Family
ID=34089981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007546159A Expired - Fee Related JP4846730B2 (ja) | 2004-12-14 | 2005-12-07 | 光−電子装置を製造する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20090050206A1 (ja) |
JP (1) | JP4846730B2 (ja) |
DE (1) | DE112005003011B4 (ja) |
GB (2) | GB2421353A (ja) |
WO (1) | WO2006064183A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0612929D0 (en) | 2006-06-29 | 2006-08-09 | Univ Cambridge Tech | High-performance organic field-effect transistors based on dilute, crystalline-crystalline polymer blends and block copolymers |
GB0620045D0 (en) | 2006-10-10 | 2006-11-22 | Cdt Oxford Ltd | Otpo-electrical devices and methods of making the same |
GB0718010D0 (en) * | 2007-09-14 | 2007-10-24 | Molecular Vision Ltd | Photovoltaic device |
DE102007000791A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Universität Köln | Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode oder einer organischen Solarzelle und hergestellte organische Leuchtdioden oder Solarzellen |
GB0908240D0 (en) * | 2009-05-14 | 2009-06-24 | Univ Warwick | Templating films |
WO2011007851A1 (ja) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子および高分子発光体組成物 |
JP5463551B2 (ja) * | 2009-10-16 | 2014-04-09 | 出光興産株式会社 | 有機薄膜製造法及び該製造法を用いた有機薄膜と同該薄膜を用いた有機光電変換素子 |
FR2963166B1 (fr) * | 2010-07-22 | 2013-03-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour la fabrication d'une couche semi-conductrice organique constituee d'un melange d'un premier et d'un second materiaux semi-conducteurs |
WO2012177673A2 (en) * | 2011-06-21 | 2012-12-27 | Kateeva, Inc. | Materials and methods for oled microcavities and buffer layers |
US9012892B2 (en) | 2011-06-21 | 2015-04-21 | Kateeva, Inc. | Materials and methods for controlling properties of organic light-emitting device |
US8679984B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-03-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing electric device, array of electric devices, and manufacturing method therefor |
CN102544381B (zh) * | 2012-01-10 | 2014-11-19 | 北京交通大学 | 制备有机太阳能电池的方法及制备其薄膜的装置 |
GB201200823D0 (en) | 2012-01-18 | 2012-02-29 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescence |
CN108611591B (zh) | 2012-11-06 | 2021-05-04 | Oti领英有限公司 | 用于在表面上沉积导电覆层的方法 |
JP6382781B2 (ja) | 2015-09-15 | 2018-08-29 | 株式会社東芝 | 半導体素子の製造方法および製造装置 |
CN114975823A (zh) | 2015-12-16 | 2022-08-30 | Oti领英有限公司 | 包含屏障涂层的光电子器件 |
US11152587B2 (en) | 2016-08-15 | 2021-10-19 | Oti Lumionics Inc. | Light transmissive electrode for light emitting devices |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000232232A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sony Internatl Europ Gmbh | 電子素子及び電子構造形成方法 |
JP2001189193A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子とその製造方法、およびそれを用いた表示装置、照明装置 |
US20030066950A1 (en) * | 2001-10-10 | 2003-04-10 | Halls Jonathan J. | Method of preparing photoresponsive devices, and devices made thereby |
JP2004164873A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Hirano Tecseed Co Ltd | 毛管現象による塗工ノズルを用いた有機elパネルの製造装置及び製造方法 |
JP2004534863A (ja) * | 2001-01-24 | 2004-11-18 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 光学デバイスに使用すべきポリマーの調製に使用するモノマー |
JP2006518110A (ja) * | 2003-02-17 | 2006-08-03 | リイクスウニヴェルシタイト グロニンゲン | 有機材料フォトダイオード |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4436773A1 (de) | 1994-10-14 | 1996-04-18 | Hoechst Ag | Konjugierte Polymere mit Spirozentren und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien |
EP0842208B2 (en) | 1995-07-28 | 2009-08-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 2,7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers |
GB9806066D0 (en) * | 1998-03-20 | 1998-05-20 | Cambridge Display Tech Ltd | Multilayer photovoltaic or photoconductive devices |
US6919119B2 (en) * | 2000-05-30 | 2005-07-19 | The Penn State Research Foundation | Electronic and opto-electronic devices fabricated from nanostructured high surface to volume ratio thin films |
JP2002117984A (ja) * | 2000-10-12 | 2002-04-19 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 有機el表示装置及びその製造方法 |
WO2002101352A2 (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-19 | The Penn State Research Foundation | Electronic and opto-electronic devices fabricated from nanostructured high surface to volume ratio thin films |
US6580027B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-06-17 | Trustees Of Princeton University | Solar cells using fullerenes |
US7291782B2 (en) | 2002-06-22 | 2007-11-06 | Nanosolar, Inc. | Optoelectronic device and fabrication method |
ES2208087B1 (es) | 2002-07-01 | 2005-03-16 | Universidad Politecnica De Valencia | Un material electroluminiscente conteniendo un polimero conjugado o complejos de metales terreos en el interior de zeolitas y materiales porosos, y su procedimiento de preparacion. |
TW200425530A (en) * | 2002-09-05 | 2004-11-16 | Nanosys Inc | Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices |
GB0309355D0 (en) * | 2003-04-24 | 2003-06-04 | Univ Cambridge Tech | Organic electronic devices incorporating semiconducting polymer |
US20050038792A1 (en) | 2003-08-14 | 2005-02-17 | Johnson Ted C. | Apparatus and method for operating circular files |
US20050039792A1 (en) * | 2003-08-22 | 2005-02-24 | National University Corporation Kanazawa University | Organic solar cell and its production process |
US6891191B2 (en) * | 2003-09-02 | 2005-05-10 | Organic Vision Inc. | Organic semiconductor devices and methods of fabrication |
-
2004
- 2004-12-14 GB GB0427314A patent/GB2421353A/en not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-12-07 JP JP2007546159A patent/JP4846730B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-07 WO PCT/GB2005/004678 patent/WO2006064183A1/en active Application Filing
- 2005-12-07 US US11/721,332 patent/US20090050206A1/en not_active Abandoned
- 2005-12-07 DE DE112005003011.3T patent/DE112005003011B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-29 GB GB0710100A patent/GB2434696B/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-12-27 US US13/728,911 patent/US9211566B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000232232A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sony Internatl Europ Gmbh | 電子素子及び電子構造形成方法 |
JP2001189193A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子とその製造方法、およびそれを用いた表示装置、照明装置 |
JP2004534863A (ja) * | 2001-01-24 | 2004-11-18 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 光学デバイスに使用すべきポリマーの調製に使用するモノマー |
US20030066950A1 (en) * | 2001-10-10 | 2003-04-10 | Halls Jonathan J. | Method of preparing photoresponsive devices, and devices made thereby |
JP2004164873A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Hirano Tecseed Co Ltd | 毛管現象による塗工ノズルを用いた有機elパネルの製造装置及び製造方法 |
JP2006518110A (ja) * | 2003-02-17 | 2006-08-03 | リイクスウニヴェルシタイト グロニンゲン | 有機材料フォトダイオード |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112005003011T5 (de) | 2007-12-13 |
US20090050206A1 (en) | 2009-02-26 |
GB2434696B (en) | 2010-07-21 |
GB0710100D0 (en) | 2007-07-04 |
JP2008523571A (ja) | 2008-07-03 |
WO2006064183A1 (en) | 2006-06-22 |
US20130171770A1 (en) | 2013-07-04 |
GB2434696A (en) | 2007-08-01 |
GB0427314D0 (en) | 2005-01-19 |
DE112005003011B4 (de) | 2019-04-25 |
US9211566B2 (en) | 2015-12-15 |
GB2421353A (en) | 2006-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4846730B2 (ja) | 光−電子装置を製造する方法 | |
JP2008523571A5 (ja) | ||
US10134990B2 (en) | Multilayer heterostructures for application in OLEDs and photovoltaic devices | |
Kahle et al. | Crosslinked semiconductor polymers for photovoltaic applications | |
Wantz et al. | Stabilizing polymer‐based bulk heterojunction solar cells via crosslinking | |
EP2210291B1 (en) | Processing additives for fabricating organic photovoltaic cells | |
Chen et al. | Conjugated polymer nanostructures for organic solar cell applications | |
Arias et al. | Vertically segregated polymer-blend photovoltaic thin-film structures through surface-mediated solution processing | |
DE60312861T2 (de) | Puffer-schichten für organische elektrolumineszenzvorrichtungen und verfahren zu deren herstellung und ihre verwendung | |
US9099652B2 (en) | Organic electronic devices with multiple solution-processed layers | |
US8980677B2 (en) | Transparent contacts organic solar panel by spray | |
JP2006310728A (ja) | 有機薄膜太陽電池素子 | |
EP2333861A1 (en) | Tandem solar cell | |
KR20090064863A (ko) | 스프레이 코팅을 이용한 유기태양전지 제조방법 | |
JP5673343B2 (ja) | 有機光電変換素子およびその製造方法 | |
KR101334222B1 (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
JP2012000599A (ja) | バリアフィルム及びその製造方法、有機電子デバイス及びその製造方法 | |
Jang et al. | Tetrabranched photo-crosslinker enables micrometer-scale patterning of light-emitting super yellow for high-resolution OLEDs | |
Moujoud et al. | Improvement in stability of poly (3-hexylthiophene-2, 5-diyl)/[6, 6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester bulk heterojunction solar cell by using UV light irradiation | |
Ma et al. | Interface‐tailored and nanoengineered polymeric materials for (opto) electronic devices | |
KR20100108570A (ko) | 광전자 소자 형성 방법, 광전자 소자 형성용 장치 및 광전자 소자 형성용 롤러 | |
JP5780776B2 (ja) | 有機薄膜太陽電池 | |
KR101470816B1 (ko) | 나노입자층을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법 | |
WO2011052578A1 (ja) | 有機光電変換素子の製造方法 | |
Radivo | Experimental study of the physics of nanostructured organic photovoltaic devices. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20100817 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110225 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110304 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110329 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110405 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110425 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110506 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110927 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111012 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4846730 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |