JP4845033B2 - 有機導電性薄膜の製造方法 - Google Patents
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Description
また、電荷移動錯体を構成する分子の組み換えによりフェルミエネルギーを制御することによって、トランジスタ動作をP型からN型へと制御可能であることが開示されている(特許文献2)。
(1)電子供与性分子を有機溶媒へ溶解した第1の溶液及び電子受容性分子を有機溶媒へ溶解した第2の溶液のうちの少なくとも1方の溶液にさらに有機高分子を溶解した、第1の溶液及び第2の溶液を用意する工程と、上記第1の溶液及び第2の溶液を基板上の同位置において混合する工程とを含む有機導電性薄膜の製造方法。
(2)上記第1の溶液及び第2の溶液を基板上の同位置に吐出することによって混合することを特徴とする(1)に記載の有機導電性薄膜の製造方法。
(3)上記電子供与性分子はテトラチアフルバレンとし、上記電子受容性分子は、テトラシアノキノジメタンとしたことを特徴とする(1)又は(2)に記載の有機導電性薄膜の製造方法。
(4)上記有機高分子はセルロース系高分子としたことを特徴とする(1)、(2)又は(3)に記載の有機導電性薄膜の製造方法。
例えば、溶液の塗布装置としては、インクジェット装置の場合について例示したが、ディスペンサーによって2液を塗布してもよい。
また実施例ではA液及びB液の両方に有機高分子を溶解したが、少なくとも1方の溶液に有機高分子を溶解した場合も同様の結果が得られる。
2 有機電荷移動錯体
15 飛翔するA液の液滴
16 飛翔するB液の液滴
30 有機高分子
Claims (4)
- 電子供与性分子を有機溶媒へ溶解した第1の溶液及び電子受容性分子を有機溶媒へ溶解した第2の溶液のうちの少なくとも1方の溶液にさらに有機高分子を溶解した、第1の溶液及び第2の溶液を用意する工程と、上記第1の溶液及び第2の溶液を基板上の同位置において混合する工程とを含む有機導電性薄膜の製造方法。
- 上記第1の溶液及び第2の溶液を基板上の同位置に吐出することによって混合することを特徴とする請求項1に記載の有機導電性薄膜の製造方法。
- 上記電子供与性分子はテトラチアフルバレンとし、上記電子受容性分子はテトラシアノキノジメタンとしたことを特徴とする請求項1又は2に記載の有機導電性薄膜の製造方法。
- 上記有機高分子はセルロース系高分子としたことを特徴とする請求項1、2又は3に記載の有機導電性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006337713A JP4845033B2 (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | 有機導電性薄膜の製造方法 |
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JP2008153318A JP2008153318A (ja) | 2008-07-03 |
JP4845033B2 true JP4845033B2 (ja) | 2011-12-28 |
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JP2006337713A Expired - Fee Related JP4845033B2 (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | 有機導電性薄膜の製造方法 |
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JP (1) | JP4845033B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2608251A4 (en) | 2010-08-18 | 2014-01-15 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN LAYER AND A MONOCRYSTALLINE ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN LAYER |
JP6268772B2 (ja) * | 2013-07-05 | 2018-01-31 | 日立化成株式会社 | 積層体の製造方法及び有機エレクトロニクス素子の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4099777B2 (ja) * | 2004-03-08 | 2008-06-11 | 国立大学法人岩手大学 | 導電性有機薄膜の製造方法 |
JP2006049578A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機半導体装置 |
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Publication number | Publication date |
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JP2008153318A (ja) | 2008-07-03 |
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