JP4844596B2 - Iii族窒化物系発光素子を作製する方法、及びエピタキシャルウエハを作製する方法 - Google Patents
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Description
以下の通り有機金属気相成長法によりInGaNを成長した。原料にはトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルインジウム、アンモニア、モノメチルアミンを用いた。(0001)GaN基板41を準備した。GaN基板41をサセプタ上に配置した。この後に、成長炉の内圧力を101kPaにコントロールしながら成長炉内にH2及びNH3を導入して、摂氏1050度の基板温度で10分間のサーマルクリーニングを行った。次いで、摂氏475度の基板温度に変更する。この温度で、トリメチルガリウム及びアンモニアを導入して、GaN低温バッファ層43を成長した。その後、NH3雰囲気中で摂氏1050度の基板温度まで昇温して、トリメチルガリウム、アンモニアを供給して、n型GaN層45を成長した。成長速度は例えば4マイクロメートル/hであり、NH3流量は12slmであり、トリメチルガリウム流量は40sccmであった。GaN層43の厚さは1.5マイクロメートルであった。
データ名、流量比RV、 In組成
D1: 0.000034、0.182
D2: 0.000068、0.170
D3: 0.0034、 0.02
D4: 0.034、 0.0
図6(b)に示されるように、InGaN薄膜の成長におけるMMA/NH3流量比が大きくなると、InGaN薄膜のIn組成は単調に減少している。つまり、In組成は、MMA添加で大幅に低下する。In組成が低下してしまうと、緑領域の波長を得られない。
以下の通り有機金属気相成長法によりLED構造を作製した。原料として、トリメチルガリウム(TMG)、トリメチルインジウム(TMI)、トリメチルアルミニウム(TMA)、アンモニア(NH3)及びモノメチルアミン(MMA)を用いた。また、ドーパントガスとして、シラン(SiH4)及びシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を用いた。(0001)GaN基板を準備した。GaN基板を反応炉内のサセプタ上に配置した後、以下に成長手順でエピタキシャル層を成長した。
MMA添加のLED:1.9mW
MMAなしのLED:0.9mW。
MMAの添加により、ドロップレットが低減されたので、長波長の発光のLEDのための活性層は良好な品質の井戸層を有する。このため、LEDの光出力が向上したと考えられる。
Claims (9)
- III族窒化物系発光素子を作製する方法であって、
490nm以上550nm以下の波長領域にピーク波長を有する光を発生する活性層を窒化ガリウム系半導体領域上に成長する工程を備え、
前記活性層を成長する前記工程は、
III族原料及び窒素原料を成長炉に供給して、InGaN井戸層を成長する工程と、
窒化ガリウム系半導体からなる障壁層を成長する工程と
を含み、
前記井戸層の成長温度は前記障壁層の成長温度よりも低く、
前記窒素原料は、アンモニア及びモノメチルアミンを含み、
前記モノメチルアミンの流量と前記アンモニアの流量との流量比([モノメチルアミン]/[アンモニア])が1/10000以下であり、前記流量比([モノメチルアミン]/[アンモニア])が1/100000以上である、ことを特徴とする方法。 - 前記モノメチルアミンの流量は0.01sccm以上であり、10sccm以下である、ことを特徴とする請求項1に記載された方法。
- 前記アンモニアの流量は1slm以上であり、100slm以下である、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された方法。
- 前記InGaN井戸層の成長において、(アンモニアのモル分率)/(III族原料のモル分率)は5000以上であり、1000000以下である、ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載された方法。
- 1×107cm−2以下の転位密度の領域を含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記窒化ガリウム基板の主面上に前記窒化ガリウム系半導体領域を成長する工程を更に備え、
前記転位密度は、該窒化ガリウム基板のc軸に直交する平面において規定される、ことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載された方法。 - 半極性または非極性を示す主面を有する窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記窒化ガリウム基板の前記主面上に前記窒化ガリウム系半導体領域を成長する工程とを更に備える、ことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載された方法。 - 前記主面は該窒化ガリウム基板のc軸に対して15度以上60度以下の範囲の角度で傾斜している、ことを特徴とする請求項5または請求項6に記載された方法。
- 前記InGaN井戸層のインジウム組成は0.18以上0.25以下である、ことを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載された方法。
- III族窒化物系発光素子のためのエピタキシャルウエハを作製する方法であって、
窒化ガリウム基板を準備する工程と、
第1導電型窒化ガリウム系半導体領域を前記窒化ガリウム基板上に形成する工程と、
前記第1導電型窒化ガリウム系半導体領域上に、490nm以上550nm以下の波長領域にピーク波長を有する光を発生する活性層を成長する工程と、
前記活性層上に、第2導電型窒化ガリウム系半導体領域を形成する工程とを備え、
前記活性層を成長する前記工程は、
III族原料及び窒素原料を成長炉に供給して、InGaN井戸層を成長する工程と、
窒化ガリウム系半導体からなる障壁層を成長する工程と
を含み、
前記III族原料は有機ガリウム原料及び有機インジウム原料を含み、
前記井戸層の成長温度は前記障壁層の成長温度よりも低く、
前記窒素原料は、アンモニア及びモノメチルアミンを含み、
前記モノメチルアミンの流量と前記アンモニアの流量との流量比([モノメチルアミン]/[アンモニア])が1/10000以下であり、前記流量比([モノメチルアミン]/[アンモニア])が1/100000以上である、ことを特徴とする方法。
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