JP4836141B2 - 液晶表示素子及び液晶表示装置 - Google Patents
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Description
[1]一対の基板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、該液晶層と前記一対の基板の少なくともいずれか一方との間に配置された液晶配向層とを備え、該液晶配向層の少なくとも一方が、表面に溝が形成された液晶配向層であり、該表面溝の間隔及び高さは、該液晶配向層による液晶配向アンカリングエネルギーが、該表面溝の方向からの方位角のsin4φに概比例して変化するように定められることを特徴とする。
[8]前記表面に溝が形成された液晶配向層が、ポリイミド系高分子材料の表面に溝が形成された液晶配向層であることを特徴とする。
[9]前記表面に溝が形成された液晶配向層が、ポリイミド前駆体であるポリアミック酸を含む複数の成分から形成された薄膜であり、当該薄膜形成後表面層において、そのポリアミック酸がイミド化したポリイミド成分が最も比率の多い成分を占め、当該ポリイミド成分が主たる表面に溝が形成された液晶配向層であることを特徴とする。
[10]前記1から9のいずれか一項に記載の液晶表示素子を備えたことを特徴とする。
基板上に、エポキシ系高分子を主成分とし、それに溶剤可溶型のポリイミド前駆体であるポリアミック酸系高分子等を混合した溶液を塗布した後、80℃で3分程度加熱して溶剤を除去し、165℃で10分プリベーク、220℃で30分ポストベークして厚さ約900nmの緻密な薄膜を形成した。上記のプロセスの過程において、少量成分であるポリアミック酸成分は表面に集まり、最終的に形成された薄膜の表面はポリアミック酸が熱イミド化されたポリイミドが占めたハイブリッド型ポリイミド薄膜となる。
本実施例では、最大透過率を与える電圧Vmaxは6.5Vであり、駆動電圧の低電圧化効果は小さくなるが、実施例2において多少見られた、非常に弱いアンカリングとした場合に発生し易くなる、長時間アニールによる除去を必要とする液晶封入時の流動配向による配向の乱れを低減することが可能であった。
2…ゲート絶縁膜
3…信号電極(ドレイン電極)
4…画素電極(ソース電極)
5…配向膜
6…液晶組成物層中の液晶分子
7…基板
8…偏光板
9…電界方向
10…界面上の分子長軸配向方向(表面の溝方向)
11…偏光板偏光透過軸方向
12…走査電極(ゲート電極)
13…アモルファスシリコン
14…薄膜トランジスタ素子
15…液晶表示装置
16…本願のアンカリング特性
17…従来技術のアンカリング特性。
Claims (10)
- 一対の基板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、該液晶層と前記一対の基板の少なくともいずれか一方との間に配置された液晶配向層とを備え、該液晶配向層の少なくとも一方が、表面に溝が形成された液晶配向層であり、該表面溝の間隔及び高さは、該液晶配向層による液晶配向アンカリングエネルギーが、該表面溝の方向からの方位角φのsin4φにほぼ比例して変化するように定められることを特徴とするインプレーン・スイッチング方式の液晶表示素子。
- 一対の基板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、該液晶層と前記一対の基板の少なくともいずれか一方との間に配置された液晶配向層とを備え、該液晶配向層の少なくとも一方が、表面に溝が形成された液晶配向層であり、該表面溝の間隔及び高さは、該液晶配向層による液晶配向アンカリングエネルギーを、該表面溝の方向からの方位角φに関して、ΣCnsin2nφと冪展開したときに(nは整数)、n=1に対応する展開係数C1よりn=2に対応する展開係数C2が大きくなるように定められることを特徴とするインプレーン・スイッチング方式の液晶表示素子。
- 一対の基板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、前記液晶層に電界を印加するための電極群と、該液晶層と前記一対の基板の少なくともいずれか一方との間に配置された液晶配向層とを備え、該液晶配向層の少なくとも一方が、表面に溝が形成された液晶配向層であり、該表面溝の間隔及び高さは、該液晶配向層による液晶配向アンカリングエネルギーが、該表面溝の方向からの方位角φが±45度以下の範囲において、当該方位角φが90度の場合の液晶配向アンカリングエネルギーの30%以下となるように定められることを特徴とするインプレーン・スイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記液晶層に電界が印加された場合の前記液晶配向層上の液晶配向方向の、前記表面溝の方向からの方位角φの最大値が5°以上である、請求項3記載のインプレーン・スイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記電極群に電圧を印加するための駆動回路をさらに備え、該駆動回路により前記電極群に印加される駆動電圧の最大値が2.5V以下である、請求項3記載のインプレーン・スイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記表面に溝を備えた液晶配向層の、前記表面溝の間隔が場所により異なり、その局所的な間隔λの3乗λ3と、当該表面溝の局所的な振幅Aの2乗A2の比A2/λ3が概一定に設定されていることを特徴とする請求項1,2,3,4又は5記載のインプレーン・スイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記表面に溝が形成された液晶配向層が、無機材料の表面に溝が形成された液晶配向層であることを特徴とする請求項1,2,3,4,5又は6記載のインプレーン・スイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記表面に溝が形成された液晶配向層が、ポリイミド系高分子材料の表面に溝が形成された液晶配向層であることを特徴とする請求項1,2,3,4,5又は6記載のインプレーン・スイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記表面に溝が形成された液晶配向層が、ポリイミド前駆体であるポリアミック酸を含む複数の成分から形成された薄膜であり、当該薄膜形成後表面層において、そのポリアミック酸がイミド化したポリイミド成分が最も比率の多い成分を占め、当該ポリイミド成分が主たる表面に溝が形成された液晶配向層であることを特徴とする請求項1,2,3,4,5又は6記載のインプレーン・スイッチング方式の液晶表示素子。
- 請求項1,2,3,4,5,6、7,8又は9のいずれか一項に記載のインプレーン・スイッチング方式の液晶表示素子を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
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