JP4833549B2 - 干渉計の誤差の測定および補償 - Google Patents
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Description
残念ながら、可観測な干渉位相Φ〜は、位相Φと必ずしも完全に一致するとは限らない。多くの干渉計は、例えば、「周期誤差」と呼ばれる非線形性を含む。周期誤差は、測定した干渉信号の可観測な位相および/または強度に対する寄与として表現することができ、例えば光路長2pnLの変化に正弦的に依存する。特に、位相の1次周期誤差は、この例では、(4πpnL)/λに正弦的に依存し、位相の2次周期誤差は、この例では2(4πpnL)/λに正弦的に依存する。より高次の周期誤差も、分周波周期誤差として、また検出器および信号処理電子機器を含む干渉計系のその他の位相パラメータに正弦的に
依存する周期誤差として、表すことが可能である。このような周期誤差を定量化する様々な技術は、同じ所有者に所有される、ヘンリー・エー・ヒル(Henry A.Hill)による米国特許第6137574号、第6252688号および第6246481号に記載されている。
系を使用して、走査線に沿ってミラー表面のプロフィルをマッピングし、干渉計の欠陥による誤差を特性決定することが可能である。ミラーが干渉計に十分に近く、干渉計の欠陥の影響が無視できる場合には、ミラー表面のマッピングは、これら2本の測定軸と直交する方向にミラーを走査しながら、2本の測定軸それぞれの上に設けた基準点に対するミラー表面の変位をモニタすることによって行うことが可能である。ミラーが取り付けられたステージが干渉計に対して回転しない場合には、あるいは任意のステージの回転が独立してモニタされ補償される場合には、変位測定値の差は、2本の測定軸の間のミラー表面の平均勾配の測度を与える。さらに、この勾配を走査線に沿って積分すると、完全に平坦な表面からのミラー表面の逸脱(ミラーの「凹凸」とも呼ばれる)の測度が得られる。
x1およびx2は、それぞれ第1の測定軸および第2の測定軸における鏡の位置に対応する。x2は、第2の干渉計を用いて測定することが可能である。上記所定の情報は、第2の干渉計の欠陥を特性決定する情報を含むことが可能である。補正項Ψ3は、第1および第2の測定軸とほぼ直交する方向にステージを走査する間にモニタされるx2およびx1
に対応するX2およびX1の積分変換(例えばフーリエ変換)に関連する寄与を含むことが可能である。第1の測定軸と第2の測定軸の間の間隔をd1とし、Kdが2π/d1に相当するものとして、X1およびX2の様々な周波数成分によるΨ3に対する寄与に重み付けして、KdおよびKdの高調波の近傍の空間周波数成分に対するΨ3の感度を高めることが可能である。γが第1の軸に対する測定軸の位置に関連し、第3の軸と該測定軸とが距離d2だけ間隔をあけ、θが該測定軸に対するステージの配向角に関連するものとして、アライメント・マークの位置は、
x3=(1−γ)x1+γx2+d2θ−Ψ3
で与えられる第3の軸上の位置x3と関連付けることが可能である。第1の軸と第2の軸は、距離d1だけ間隔をあけ、第1の軸と該測定軸は、距離γd1だけ間隔をあけている。
第1の自由度および第2の自由度は、それぞれ干渉系の第1の軸および第2の軸に対する測定対象の位置を含むことが可能である。第1の軸は、第2の軸とほぼ平行にすることが可能である。第3の自由度は、第1および第2の軸とほぼ平行な第3の軸に対する測定対象の位置を含むことが可能である。第2の軸は、第1の軸と第3の軸の間に位置することが可能である。
渉計の欠陥に関連する補正項を決定する工程とを含む方法を特徴とする。
鏡のプロフィルを決定する工程は、走査経路のそれぞれについて、鏡表面上の複数の位置についてのX1およびX2に対する鏡表面の平均勾配を決定することを含むことが可能である。鏡のプロフィルを決定する工程は、複数の位置についての鏡表面の平均勾配に対する適合状態を決定することをさらに含むことが可能である。鏡のプロフィルを決定する工程は、平均勾配の、適合状態からの変化を決定することをさらに含むことが可能である。補正項を決定する工程は、鏡表面上の複数の位置について鏡表面の平均勾配の積分変換を行うことを含むことが可能である。積分変換は、鏡表面の変化に対する様々な空間周波数からの寄与に関連する情報を与えることができ、補正項を決定する工程は、補正項に対する一部の空間周波数からの寄与に対して、その他の空間周波数からの寄与に対するのとは異なる重み付けを行うことを含むことが可能である。
第2の干渉計で、第1の軸と平行でありかつ第1の軸からずれた第2の軸に沿った鏡の自由度をモニタすることが可能である。上記情報は、第2の干渉計の欠陥を補償することが可能である。第1の干渉計は、第2の軸に沿った鏡の自由度をモニタすることができ、dが第2の軸と第3の軸の間の間隔であり、Kdが2π/dに対応するものとして、干渉計の欠陥による様々な空間周波数成分からの上記補正に対する寄与を重み付けして、KdまたはKdの高調波の近傍の空間周波数成分に対する補正の感度を高める。
この装置は、x2をモニタするように構成された第2の干渉計をさらに含むことが可能である。補正項Ψ3は、第2の干渉計の欠陥を特性決定する情報を含む所定の情報から計算することが可能である。別法として、またはこれに加えて、補正項Ψ3は、鏡表面の欠陥を特性決定する情報を含む所定の情報から計算することも可能である。第1の軸は、第
2の測定軸とほぼ平行にすることが可能である。第3の軸は第1の軸とほぼ平行にすることができ、第2の軸は、第1の軸と第3の軸の間に位置する。
別の態様では、本発明は、基板にパターン形成するために基板に対して書込みビームを送出する工程と、書込みビームに対して基板を位置決めする工程と、前述の方法のうちの1つを用いて、書込みビームに対する基板の位置をモニタする工程とを含む、リソグラフィ・マスクを作製する方法を特徴とする。
軸外しマーカの位置決定における、干渉計および/または平面鏡測定対象の欠陥による誤差、特に空間周波数〜2π/dおよびその高調波で発生する誤差は、軽減することが可
能である。開示の方法は、軸上測定値の誤差を軽減するために使用することも可能である。
度交差する経路に沿って送る。
・エー・ヒル(Henry A.Hill)によるものであり、シー・ザノニ(C.Zanoni)による「Differential interferometer arrangements for distance and angle measurements:Principles、advantages and applications」と題する論文、VDI Berichte Nr.749、93−106(1989)にも記載されている。引用した米国仮特許出願第60/356394号および第60/379987号ならびにザノニ(Zanoni)による論文は、その内容を本願明細書に援用する。
再度図1および図2を参照すると、干渉計230および240はそれぞれ、距離d1だけ離れた干渉計軸280および282に沿ってx1およびx2をモニタしている。この実施形態では、露光系110は、軸112をx軸に対応する軸280と一致させるように位置決めされる。したがって、x1は、x軸に沿ったステージの位置に対応する。いくつかの実施形態では、x1およびx2の測定値を使用して、軸280と軸282の間でユーザが規定した軸に沿ってステージ140を位置決めすることも可能である。例えば、その光軸が干渉計軸280と282の中間になるように露光系を位置決めする実施形態では、干渉計軸280と282の中間の測定軸に沿って、
x1+γ=(1−γ)x1+γx2 (1)
として決定することが可能である。
す。ステージの配向角θがゼロである場合は、x1=x2=x3である。しかし、θがゼロでない場合は、x3−x1=ηdtanθ≡εである。オフセットεは、アッベ・オフセット誤差と呼ばれる。
Ψ3は、
Ψ3=η1[(Ψ2−Ψ1)M+(Ψ2−Ψ1)I]+γ[(Ψ2−Ψ1)M+(Ψ2−Ψ1)I]−[(Ψ 2 −Ψ 1 ) M +(Ψ 2 −Ψ 1 ) I ]/2+[(Ψ 2 +Ψ 1 ) M +(Ψ 2 +Ψ 1 ) I ]/2
(6)
で表すことが可能である。ここで、γは最終的な適用分野に応じて選択され、下付文字M
はミラーによるΨ3に対する寄与、下付文字Iは干渉計によるΨ3に対する寄与を示す。したがって、このx3に関する数式は、
数式(6)および数式(7)では、得られる測定量との対応付けをより容易に行うために、誤差の差動モード(すなわち(Ψ2−Ψ1))成分および同相モード(すなわち(Ψ2+Ψ1))成分に関してΨ3を記述している。数式(7)によれば、差動モード成分(Ψ2−Ψ1)は因子(η1+γ−1/2)によって増幅され、同相モード成分は増幅されずに単に平均値として組み込まれることに留意されたい。さらに、γの選択は、x3の誤差項の差動モード成分の大きさには影響を及ぼすが、同相モード成分には影響を及ぼさないことにも留意されたい。
ミラーのプロフィルは各走査ごとに基本的に変化しないので、この情報は、その後の誤差特性決定モード走査でも(すなわち異なる公称x値および異なる公称θ値についても)、Ψ3からの干渉計誤差の寄与を抽出するために使用することが可能である。同様のミラー誤差特性決定手続きが、その内容を本願明細書に援用する、ともにヘンリー・エー・ヒル(Henry A.Hill)による、2003年4月3日出願の「METHOD AND APPARATUS FOR STAGE MIRROR MAPPING」と題する米国特許出願第10/406749号、および2003年7月29日出願の「COMPENSATION FOR ERRORS IN OFF−AXIS INTERFEROMETRIC MEASUREMENTS」と題する米国特許出願第10/630361号に記載されている。
し)、かつ/または特定の空間周波数成分に対する補正項の感度を高めることが可能である。
X2(y)=X1(y+d1) (13)
という置換を利用する。
Kd1/2=0、π、2π、... (17)
において特異点がある。
数式(16)の変換は重み関数sin−1(Kd/2)を含むが、その他の実施形態では、その他の重み関数を使用することもできる。一般に、重み関数は、ミラー特性決定方法が最も影響を受けにくいミラー表面プロフィル成分に対する感度を高めるものである必要がある。重み関数の例としては、Kの線形関数、幾何関数および指数関数がある。
特許出願第号に記載の技術などによって軽減することが可能である。
PERSIVE METHOD AND APPARATUS FOR COMPENSATION OF TURBULENCE EFFECTS OF GAS IN INTERFEROMETRY」と題する米国仮特許出願第60/352061号に対する優先権を主張する、2003年1月24日出願の「METHOD AND APPARATUS FOR COMPENSATION OF TIME−VARYING OPTICAL PROPERTIES OF GAS IN INTERFEROMETRY」と題する米国特許出願第10/350522号に記載されている。これらはともにヘンリー・エー・ヒル(Henry A.Hill)によるものであり、その内容を本願明細書に援用する。
ことが可能である。測定ビームは反射され、露光基部1104に取り付けられた干渉系に戻る。干渉系は、前述のいずれの実施形態のものであってもよい。
の工程によって半導体デバイスは完成し、出荷される(工程1157)。
ムを使用して、クロムで被覆したガラス基板にパターン形成することが可能である。書込みビームが電子ビームである場合には、ビーム書込みシステムは電子ビーム経路を真空内に封入する。また、書込みビームが例えば電子ビームまたはイオン・ビームである場合には、ビーム合焦アセンブリは、4重極レンズなど、真空下で帯電粒子を基板に向けて基板上に合焦させるための電界発生器を含む。書込みビームが例えばX線やUV、可視光線などの放射線ビームであるその他の場合には、ビーム合焦アセンブリは、放射線を基板に向けて基板上に合焦させるための、上記の電界発生器に相当する光学部品を含む。
Claims (23)
- ステージ(140)上の測定対象に位置づけられるアライメント・マーク(165)の位置を決定する決定方法であって、
第1の干渉計(230)は、レーザ光源が送出した基準ビームを使用することによって、第1の測定ビーム(235)を、前記ステージ(140)に取付けられた鏡(180)に送出し、
前記第1の測定ビーム(235)は、前記鏡(180)で反射されることによって、前記基準ビームと結合されて第1の出力ビームとなり、
第2の干渉計(240)は、前記基準ビームを使用することによって、第2の測定ビーム(245)を前記鏡(180)に送出し、
前記第2の測定ビーム(235)は、前記鏡(180)で反射されることによって、前記基準ビームと結合されて第2の出力ビームとなり、
前記決定方法は、
前記第1の干渉計(230)を使用することによって、x軸に平行な第1の測定軸(280)に沿った前記ステージ(140)の位置x1を測定する第1位置測定工程であって、前記位置x 1 の観測量x 1 〜は、前記位置x 1 からの測定値の偏差であるΨ 1 を用いることによって、x 1 〜=x 1 +Ψ 1 と示されることと;
前記第2の干渉計(240)を使用することによって、前記第1の測定軸(280)に平行な第2の測定軸(282)に沿った前記ステージ(140)の位置x2を測定する第2位置測定工程であって、前記位置x 2 の観測量x 2 〜は、前記位置x 2 からの偏差であるΨ 2 を用いることによって、x 2 〜=x 2 +Ψ 2 と示されることと;
前記第1の測定軸(280)に平行な第3の測定軸(286)に沿った前記アライメント・マーク(165)の位置x3を、前記観測量x1〜と前記観測量x2〜と補正項Ψ3 とに基づき決定する決定工程と
を有し、
前記第1の干渉計(230)は、前記第1の測定ビーム(235)と前記第1の出力ビームとを導くための第1の構成部品(310〜350)を備え、
前記第2の干渉計(240)は、前記第2の測定ビーム(245)と前記第2の出力ビームとを導くための第2の構成部品(310〜350)を備え、
前記補正項Ψ3は、第1特性決定情報(X 1 〜)と、第2特性決定情報(X2〜)とから算出され、
前記第1特性決定情報(X 1 〜)は、前記第1の構成部品(310〜350)による第1の干渉計欠陥を特性決定する第1干渉計特性決定情報(X 1,I(アイ) 〜)と、前記鏡(180)の表面による鏡欠陥を特性決定する第1鏡特性決定情報(X 1,M 〜)とからなり、
前記第2特性決定情報(X 2 〜)は、前記第2の構成部品(310〜350)による第2の干渉計欠陥を特性決定する第2干渉計特性決定情報(X 2,I(アイ) 〜)と、前記鏡(180)の表面による鏡欠陥を特性決定する第2鏡特性決定情報(X 2,M 〜)とからなり、
前記決定方法は、前記第1位置測定工程の前に、前記第1特性決定情報(X 1 〜)と前記第2特性決定情報(X 2 〜)とを、前記x 1 〜と前記x 2 〜をモニタしながら且つ前記ステージ(140)のx位置を一定に保ちながら、前記ステージ(140)を前記x軸に直交するy軸方向に並進させ、前記x 1 〜と、前記x 2 〜と、前記ステージ配向角θ〜とを増大させ、前記ステージ(140)が動くことによって前記測定ビーム(235,245)それぞれが前記ステージ(140)を走査することを繰り返す手続によって生成し、
前記鏡(180)の表面を、鏡表面(184)と定義すると、
前記第1鏡特性決定情報(X 1,M 〜)は、前記手続の最初の走査中に得られる前記鏡表面(184)内の節線の位置であり、
前記第1干渉計特性決定情報(X 1,I(アイ) 〜)は、前記最初の走査の後の走査中に得られる前記鏡表面(184)内の節線の位置であり、
前記干渉計欠陥はそれぞれ、前記測定ビーム(235,245)それぞれの波面歪みと前記干渉計(230,240)それぞれの前記基準ビームの波面歪みとのうちの少なくとも1つと、前記干渉計(230,240)それぞれの出力ビームの各成分間のビーム・シャーとによって生じ、
前記ビーム・シャーは、前記出力ビームの各成分ビームの互いに対する差動モード成分(Ψ 2 −Ψ 1 )、または前記出力ビームの経路に対する前記出力ビームの同相モード成分(Ψ 2 +Ψ 1 )であり、
前記決定工程は、前記差動モード成分であるΨ 2 −Ψ 1 と、前記同相モード成分であるΨ 2 +Ψ 1 とを、前記第1特性決定情報(X 1 〜)と前記第2特性決定情報(X 2 〜)とを空間フィルタリングすることによって算出し、
現在の測定軸(284)は、前記第1の測定軸(280)と平行であり、
前記第1の測定軸(280)から前記第2の測定軸(282)までの距離を、d 1 と定義し、
前記第3の測定軸(286)と、前記現在の測定軸(284)との間の間隔を、d 2 と定義し、
前記第1の測定軸(280)と、前記現在の測定軸(284)との間の間隔を、γ×d 1 と定義し、
d 2 /d 1 を、ηと定義すると、
前記第2特性決定情報(X 2 〜)は、前記第1特性決定情報(X 1 〜)が前記y軸方向にd 1 だけズレた値に等しく、
Ψ 3 =η(Ψ 2 −Ψ 1 )+γ(Ψ 2 −Ψ 1 )−(Ψ 2 −Ψ 1 )/2+(Ψ 2 +Ψ 1 )/2
であり、
x 3 =(1−γ)x 1 〜+γx 2 〜+d 2 θ〜ッΨ 3
であることを特徴とする、決定方法。 - 前記(Ψ 2 −Ψ 1 )は、(Ψ 2 −Ψ 1 )=(Ψ 2 −Ψ 1 ) M +(Ψ 2 −Ψ 1 ) I であり、
前記(Ψ 2 +Ψ 1 )は、(Ψ 2 +Ψ 1 )=(Ψ 2 +Ψ 1 ) M +(Ψ 2 +Ψ 1 ) I であり、
下付文字Mは、前記鏡(180)による前記Ψ 3 に対する寄与を示し、
下付文字Iは、前記第1の干渉計(230)と前記第2の干渉計(240)によるΨ 3 に対する寄与を示し、
前記第1特性決定情報X 1 〜(y〜)と前記第2特性決定情報X 2 〜(y〜)の関係は、
X 2 〜(y〜)=X 1 〜(y〜+d 1 )であり、
2π×空間周波数を、Kと定義し、
前記第1鏡特性決定情報を、X 1、M 〜(y〜)と定義し、
前記第1干渉計特性決定情報を、X 1、I(アイ) 〜(y〜)と定義し、
Ψ 2 −Ψ 1 のフーリエ変換を、F{Ψ 2 −Ψ 1 }と定義し、
Ψ 2 +Ψ 1 のフーリエ変換を、F{Ψ 2 +Ψ 1 }と定義すると、
数1〜数4を用いることによって、前記Ψ 3 と前記x 3 とを算出する、
請求項1記載の決定方法。 - 前記補正項Ψ 3 は、前記X 1 〜と前記X 2 〜との積分変換に関連する寄与を有する、
請求項1記載の決定方法。 - 前記積分変換は、フーリエ変換である、
請求項3記載の決定方法。 - 2π/d1を、Kdと定義すると、
前記X1 〜および前記X2 〜の様々な周波数成分による前記Ψ3に対する寄与に重み付けすることによって、前記Kdおよび前記Kdの高調波の近傍の空間周波数成分に対する前記Ψ3の感度を高める、
請求項4記載の決定方法。 - 前記手続は、前記y軸に沿って前記ステージ(140)の位置を干渉法によってモニタ
する工程である、
請求項1記載の決定方法。 - 前記測定ビームはそれぞれ、前記鏡(180)によって複数回反射される、
請求項1記載の決定方法。 - 前記第1鏡特性決定情報は、様々な空間周波数について前記鏡表面(184)の変化を特性決定する情報であり、
前記補正項に対する様々な空間周波数からの寄与に対して様々に重み付けを行う、
請求項1記載の決定方法。 - 前記補正項Ψ3は、X2〜−X1〜の積分変換に関連する寄与を有する、
請求項3記載の決定方法。 - 前記補正項Ψ3は、X2〜+X1〜の積分変換に関連する寄与を有する、
請求項3記載の決定方法。 - 前記第1の干渉計を用いることによって測定される干渉位相は、前記第1の干渉計欠陥によって、前記第1の測定軸(280)に沿った相対的な測定位置の関数として非周期且つ非線形に変化する、
請求項1記載の決定方法。 - アライメント・マーク(165)の位置を決定する装置であって、
鏡(180)が取付けられたステージ(140)と;
レーザ光源が送出した基準ビームを使用することによって、第1の測定ビーム(235)を前記鏡(180)に送出する第1の干渉計(230)であって、前記第1の測定ビーム(235)は、前記鏡(180)で反射されることによって、前記基準ビームと結合されて第1の出力ビームとなることと;
前記基準ビームを使用することによって、第2の測定ビーム(245)を前記鏡(180)に送出する第2の干渉計(240)であって、前記第2の測定ビーム(235)は、前記鏡(180)で反射されることによって、前記基準ビームと結合されて第2の出力ビームとなることと;
前記第1の干渉計(230)と前記第2の干渉計(240)とに接続される電子制御装置(170)と
を備え、
前記電子制御装置(170)は、
前記第1の干渉計(230)を使用することによって、x軸に平行な第1の測定軸(280)に沿った前記ステージ(140)の位置x1を測定し、
前記位置x 1 からの測定値の偏差であるΨ 1 を用いることによって、前記位置x 1 の観測量x 1 を、x 1 〜=x 1 +Ψ 1 と示し、
前記第2の干渉計(240)を使用することによって、前記第1の測定軸(280)に平行な第2の測定軸(282)に沿った前記ステージ(140)の位置x2を測定し、
前記位置x 2 からの偏差であるΨ 2 を用いることによって、前記位置x 2 の観測量x 2 〜を、x 2 〜=x 2 +Ψ 2 と示し、
前記第1の測定軸(280)に平行な第3の測定軸(286)に沿った前記アライメント・マーク(165)の位置x3を、前記観測量x1〜と前記観測量x2〜と補正項Ψ3 とに基づき決定するように構成され、
前記第1の干渉計(230)は、前記第1の測定ビーム(235)と前記第1の出力ビームとを導くための第1の構成部品(310〜350)を備え、
前記第2の干渉計(240)は、前記第2の測定ビーム(245)と前記第2の出力ビ
ームとを導くための第2の構成部品(310〜350)を備え、
前記補正項Ψ3は、第1特性決定情報(X 1 〜)と、第2特性決定情報(X2〜)とから算出され、
前記第1特性決定情報(X 1 〜)は、前記第1の構成部品(310〜350)による第1の干渉計欠陥を特性決定する第1干渉計特性決定情報(X 1,I(アイ) 〜)と、前記鏡(180)の表面による鏡欠陥を特性決定する第1鏡特性決定情報(X 1,M 〜)とからなり、
前記電子制御装置(170)は、前記第1の干渉計(230)を使用することによって、前記ステージ(140)の位置x 1 を測定する前に、前記第1特性決定情報(X 1 〜)と前記第2特性決定情報(X 2 〜)とを、前記x 1 〜と前記x 2 〜をモニタしながら且つ前記ステージ(140)のx位置を一定に保ちながら、前記ステージ(140)を前記x軸に直交するy軸方向に並進させ、前記x 1 〜と、前記x 2 〜と、前記ステージ配向角θ〜とを増大させ、前記ステージ(140)が動くことによって前記測定ビーム(235,245)それぞれが前記ステージ(140)を走査することを繰り返す手続によって生成し、
前記鏡(180)の表面を、鏡表面(184)と定義すると、
前記第1鏡特性決定情報(X 1,M 〜)は、前記手続きの最初の走査中に得られる前記鏡表面(184)内の節線の位置であり、
前記第1干渉計特性決定情報(X 1,I(アイ) 〜)は、前記最初の走査の後の走査中に得られる前記鏡表面(184)内の節線の位置であり、
前記干渉計欠陥はそれぞれ、前記測定ビーム(235,245)それぞれの波面歪みと前記干渉計(230,240)それぞれの前記基準ビームの波面歪みとのうちの少なくとも1つと、前記干渉計(230,240)それぞれの出力ビームの各成分間のビーム・シャーとによって生じ、
前記ビーム・シャーは、前記出力ビームの各成分ビームの互いに対する差動モード成分(Ψ 2 −Ψ 1 )、または前記出力ビームの経路に対する前記出力ビームの同相モード成分(Ψ 2 +Ψ 1 )であり、
前記電子制御装置(170)は、前記差動モード成分であるΨ 2 −Ψ 1 と、前記同相モード成分であるΨ 2 +Ψ 1 とを、前記第1特性決定情報(X 1 〜)と前記第2特性決定情報(X 2 〜)とを空間フィルタリングすることによって算出し、
現在の測定軸(284)は、前記第1の測定軸(280)と平行であり、
前記第1の測定軸(280)から前記第2の測定軸(282)までの距離を、d 1 と定義し、
前記第3の測定軸(286)と、前記現在の測定軸(284)との間の間隔を、d 2 と定義し、
前記第1の測定軸(280)と、前記現在の測定軸(284)との間の間隔を、γ×d 1 と定義し、
d 2 /d 1 を、ηと定義すると、
前記第2特性決定情報(X 2 〜)は、前記第1特性決定情報(X 1 〜)が前記y軸方向にd 1 だけズレた値に等しく、
Ψ 3 =η(Ψ 2 −Ψ 1 )+γ(Ψ 2 −Ψ 1 )−(Ψ 2 −Ψ 1 )/2+(Ψ 2 +Ψ 1 )/2
であり、
x 3 =(1−γ)x 1 〜+γx 2 〜+d 2 θ〜ッΨ 3
であることを特徴とする、装置。 - 前記(Ψ 2 −Ψ 1 )は、(Ψ 2 −Ψ 1 )=(Ψ 2 −Ψ 1 ) M +(Ψ 2 −Ψ 1 ) I であり、
前記(Ψ 2 +Ψ 1 )は、(Ψ 2 +Ψ 1 )=(Ψ 2 +Ψ 1 ) M +(Ψ 2 +Ψ 1 ) I であり、
下付文字Mは、前記鏡(180)による前記Ψ 3 に対する寄与を示し、
下付文字Iは、前記第1の干渉計(230)と前記第2の干渉計(240)によるΨ 3 に対する寄与を示し、
前記第1特性決定情報X 1 〜(y〜)と前記第2特性決定情報X 2 〜(y〜)の関係は、
X 2 〜(y〜)=X 1 〜(y〜+d 1 )であり、
2π×空間周波数を、Kと定義し、
前記第1鏡特性決定情報を、X 1、M 〜(y〜)と定義し、
前記第1干渉計特性決定情報を、X 1、I(アイ) 〜(y〜)と定義し、
Ψ 2 −Ψ 1 のフーリエ変換を、F{Ψ 2 −Ψ 1 }と定義し、
Ψ 2 +Ψ 1 のフーリエ変換を、F{Ψ 2 +Ψ 1 }と定義すると、
数5〜数8を用いることによって、前記Ψ 3 と前記x 3 とを算出する、
請求項12記載の装置。 - 前記補正項Ψ 3 は、前記X 1 〜と前記X 2 〜との積分変換に関連する寄与を有する、
請求項12記載の装置。 - ウェハ上に集積回路を作製する際に使用されるリソグラフィ・システム(1100)であって、
前記ウェハを支持する前記ステージ(140,1106)と;
空間的にパターン形成された放射線を前記ウェハ上に結像する照明系と;
前記結像した放射線に対する前記ステージ(140,1106)の位置を調節する位置決め系(1119)と;
前記結像した放射線に対する前記ステージ(140,1106)の位置をモニタする、請求項12〜14いずれか1項記載の装置と
を備える、リソグラフィ・システム。 - ウェハ上に集積回路を作製する際に使用されるリソグラフィ・システム(1100)であって、
前記ウェハを支持する前記ステージ(140,1106)と;
放射線源、マスク、位置決め系(1117)、レンズ・アセンブリ(1108)、および請求項12〜14いずれか1項記載の装置を備える照明系と
を有し、
動作中に、前記放射線源は、前記マスクを通して放射線を送出することによって空間的にパターン形成された放射線を生成し、前記位置決め系(1117)は、前記放射線源からの放射線に対する前記マスクの位置を調節し、前記レンズ・アセンブリ(1108)は、前記空間的にパターン形成された放射線を前記ウェハ上に結像し、前記装置は、前記放射線源からの放射線に対する前記マスクの位置をモニタする、
リソグラフィ・システム。 - リソグラフィ・マスクの作製に使用されるビーム書込みシステム(1200)であって、
基板(1216)にパターン形成するための書込みビームを供給する源(1210)と;
前記基板(1216)を支持する前記ステージ(140,1218)と;
前記基板(1216)に対して前記書込みビーム(1212)を送出するビーム送出アセンブリ(1214)と;
前記ステージ(140,1218)と前記ビーム送出アセンブリ(1214)とを相対的に位置決めする位置決め系と;
前記ビーム送出アセンブリ(1214)に対する前記ステージ(140)の位置をモニタする、請求項12〜14いずれか1項記載の装置と
を備える、ビーム書込みシステム。 - ウェハ上に集積回路を作製する際に使用されるリソグラフィ方法であって、
可動な前記ステージ(140,1218)上で前記ウェハを支持する工程と;
空間的にパターン形成された放射線を前記ウェハ上に結像する工程(1166)と;
前記ステージ(140,1218)の位置を調節する工程と;
請求項1の決定方法を用いることによって、前記ステージ(140,1218)の位置をモニタする工程と
を有する、リソグラフィ方法。 - 集積回路の作製に使用されるリソグラフィ方法であって、
マスクを通して入力放射線を送出して空間的にパターン形成された放射線を生成する工程と;
前記入力放射線に対して前記マスクを位置決めする工程と;
請求項1記載の決定方法を用いることによって、前記入力放射線に対する前記マスクの位置をモニタする工程と;
前記空間的にパターン形成された放射線をウェハ上に結像する工程(1166)と
を有する、リソグラフィ方法。 - ウェハ上に集積回路を作製するためのリソグラフィ方法であって、
リソグラフィ・システム(1100)の第1の構成要素を前記リソグラフィ・システム(1100)の第2の構成要素に対して位置決めすることによって、空間的にパターン形成した放射線で前記ウェハを露光する工程(1166)と;
請求項1の決定方法を用いることによって、前記第2の構成要素に対する前記第1の構成要素の位置をモニタする工程と
を有する、リソグラフィ方法。 - 請求項18〜20いずれか1項記載のリソグラフィ方法を有する、集積回路を作製する方法。
- 請求項15または16記載のリソグラフィ・システム(1100)を用いることを有する、集積回路を作製する方法。
- リソグラフィ・マスクを作製する方法であって、
基板(1216)にパターン形成するために前記基板(1216)に対して書込みビームを送出する工程と;
前記書込みビームに対して前記基板(1216)を位置決めする工程と;
請求項1記載の決定方法を用いることによって、前記書込みビームに対する前記基板(1216)の位置をモニタする工程と
を有する、リソグラフィ・マスクを作製する方法。
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