JP4807534B2 - 多結晶シリコンロッドの切断方法および切断装置 - Google Patents
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- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims description 78
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 36
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Description
〔1〕多結晶シリコンロッドの軸方向に沿って前後進するテーブル、該テーブルの前方に固定された内周刃を有し、該テーブルの上面には、多結晶シリコンロッドを把持して回転するチャックと、該ロッドを支持する昇降自在なローラが設置されており、さらにテーブル上面の昇降動手段と、また該テーブルと内周刃の間にはロッドを把持するクランプが設けられており、内周刃の前方外側には切断されたロッド片を受け取る昇降自在な受台が設けられており、ローラによってロッドを支持した状態でテーブルを移動してロッドを定位置で回転する内周刃の内側に挿入し、チャックによってロッドを回転すると共に、昇降動手段によってテーブル上面を上昇させてロッドを内周刃に押し当てて切断し、切断されたロッド片を受台で支持させ、切断終了後に昇降動手段によってテーブル上面を下降してロッドを切断開始位置に復帰させることを特徴とする多結晶シリコンロッドの切断装置。
〔2〕ロッドの全周に切込みが入っていない部分的な切り込みの段階では昇降手段の速度を遅くして切断を行い、ロッド全周に切込みが入った段階で昇降手段の速度を速くして切断を進め、切断が進行した段階で昇降手段を一時停止して受台を上昇させ、次いで、ロッドの回転数および昇降手段の速度を遅くして切断を進め、切断されたロッド片を受台に支持させて該受台を原位置に下降し、一方、チャックがロッドを把持した状態でテーブル上面が切断開始位置まで下降する上記[1]に記載する切断装置。
〔3〕チャックがロッドを把持した状態でテーブル上面が切断開始位置まで下降した後に、ローラが上昇してロッドを支持し、チャックが開いてロッドを離すと共にクランプが閉じてロッドを把持し、チャックは後方に移動して再び閉じてロッドを把持し、次いでクランプが開いてロッドを開放し、チャックがロッドを把持した状態でローラが下降し、テーブルが切断開始位置に前進して停止し、切断工程を繰り返す上記[1]に記載する切断装置。
〔4〕テーブル、チャック、クランプ、ロッドの各位置を検出するセンサーとこれらの各動作を制御する自動制御系を設けてロッドの設置から切断を自動的に行う上記[1]〜上記[3]の何れかに記載する切断装置。
本発明の切断装置の一例を図1に示す。図示する切断装置は、多結晶シリコンロッドを把持して回転する手段、把持した上記ロッドを昇降動する手段、該ロッドを軸方向に移動する手段を有する。具体的には、多結晶シリコンロッド60の軸方向に沿って前後進するテーブル10、該テーブル10の前方に設置された内周刃20を有している。該テーブル10の上面には、多結晶シリコンロッド60を把持して回転するチャック30と、該ロッド60を支持する昇降自在なローラ40が設置されており、テーブル10と内周刃20の間に上記ロッド60を把持するクランプ50が設けられている。
Claims (4)
- 多結晶シリコンロッドの軸方向に沿って前後進するテーブル、該テーブルの前方に固定された内周刃を有し、該テーブルの上面には、多結晶シリコンロッドを把持して回転するチャックと、該ロッドを支持する昇降自在なローラが設置されており、さらにテーブル上面の昇降動手段と、また該テーブルと内周刃の間にはロッドを把持するクランプが設けられており、内周刃の前方外側には切断されたロッド片を受け取る昇降自在な受台が設けられており、ローラによってロッドを支持した状態でテーブルを移動してロッドを定位置で回転する内周刃の内側に挿入し、チャックによってロッドを回転すると共に、昇降動手段によってテーブル上面を上昇させてロッドを内周刃に押し当てて切断し、切断されたロッド片を受台で支持させ、切断終了後に昇降動手段によってテーブル上面を下降してロッドを切断開始位置に復帰させることを特徴とする多結晶シリコンロッドの切断装置。
- ロッドの全周に切込みが入っていない部分的な切り込みの段階では昇降手段の速度を遅くして切断を行い、ロッド全周に切込みが入った段階で昇降手段の速度を速くして切断を進め、切断が進行した段階で昇降手段を一時停止して受台を上昇させ、次いで、ロッドの回転数および昇降手段の速度を遅くして切断を進め、切断されたロッド片を受台に支持させて該受台を原位置に下降し、一方、チャックがロッドを把持した状態でテーブル上面が切断開始位置まで下降する請求項1に記載する切断装置。
- チャックがロッドを把持した状態でテーブル上面が切断開始位置まで下降した後に、ローラが上昇してロッドを支持し、チャックが開いてロッドを離すと共にクランプが閉じてロッドを把持し、チャックは後方に移動して再び閉じてロッドを把持し、次いでクランプが開いてロッドを開放し、チャックがロッドを把持した状態でローラが下降し、テーブルが切断開始位置に前進して停止し、切断工程を繰り返す請求項1に記載する切断装置。
- テーブル、チャック、クランプ、ロッドの各位置を検出するセンサーとこれらの各動作を制御する自動制御系を設けてロッドの設置から切断を自動的に行う請求項1〜請求項3の何れかに記載する切断装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009123802A JP4807534B2 (ja) | 2009-05-22 | 2009-05-22 | 多結晶シリコンロッドの切断方法および切断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009123802A JP4807534B2 (ja) | 2009-05-22 | 2009-05-22 | 多結晶シリコンロッドの切断方法および切断装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004107464A Division JP4341449B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 多結晶シリコンロッドの切断装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009196370A JP2009196370A (ja) | 2009-09-03 |
JP4807534B2 true JP4807534B2 (ja) | 2011-11-02 |
Family
ID=41140399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009123802A Expired - Lifetime JP4807534B2 (ja) | 2009-05-22 | 2009-05-22 | 多結晶シリコンロッドの切断方法および切断装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4807534B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114131480A (zh) * | 2020-09-02 | 2022-03-04 | 天通日进精密技术有限公司 | 硅棒研磨机 |
CN115489037B (zh) * | 2022-11-18 | 2023-02-24 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 晶体截断方法及晶体生长设备 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02279207A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-15 | Kansai Giken Kogyo:Kk | 鋸刃の切削速度自動変換方法 |
JPH0919919A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-01-21 | Toyo A Tec Kk | スライシング装置の運転制御方法及び装置 |
-
2009
- 2009-05-22 JP JP2009123802A patent/JP4807534B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009196370A (ja) | 2009-09-03 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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