JP4803680B2 - ガスレーザ装置 - Google Patents
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Description
本発明は、ガスレーザ装置に関し、特に、エキシマレーザやフッ素分子レーザ等の半導体露光装置で使用される紫外線ガスレーザ用光学素子を用いたガスレーザ装置に関するものである。
（露光用光源）
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、半導体露光装置においては解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められており、露光用光源には、従来の水銀ランプに代わってガスレーザ装置が用いられている。現在の露光用ガスレーザ装置としては、波長２４８ｎｍの深紫外光を放出するＫｒＦエキシマレーザ装置、並びに、波長１９３ｎｍの真空紫外光を放出するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられている。次世代の露光技術として、露光用レンズとウエハー間を液体で満たして屈折率を変えることによって、露光光源の見かけの波長を短波長化する液浸技術をＡｒＦエキシマレーザ露光に適用しようとしている。ＡｒＦエキシマレーザ液浸では、純水を液浸液にした場合１３４ｎｍの波長になる。また、次々世代の露光用光源として、波長１５７ｎｍの真空紫外光を放出するＦ2 （フッ素分子）レーザ装置によるＦ2 レーザ液浸露光が採用される可能性もある。Ｆ2 レーザ液浸では、１１５ｎｍの波長になると言われている。
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、半導体露光装置においては解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められており、露光用光源には、従来の水銀ランプに代わってガスレーザ装置が用いられている。現在の露光用ガスレーザ装置としては、波長２４８ｎｍの深紫外光を放出するＫｒＦエキシマレーザ装置、並びに、波長１９３ｎｍの真空紫外光を放出するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられている。次世代の露光技術として、露光用レンズとウエハー間を液体で満たして屈折率を変えることによって、露光光源の見かけの波長を短波長化する液浸技術をＡｒＦエキシマレーザ露光に適用しようとしている。ＡｒＦエキシマレーザ液浸では、純水を液浸液にした場合１３４ｎｍの波長になる。また、次々世代の露光用光源として、波長１５７ｎｍの真空紫外光を放出するＦ2 （フッ素分子）レーザ装置によるＦ2 レーザ液浸露光が採用される可能性もある。Ｆ2 レーザ液浸では、１１５ｎｍの波長になると言われている。
（露光用光学素子と色収差）
多くの半導体露光装置の光学系には、投影光学系が採用されている。投影光学系では、異なる屈折率を有するレンズ等の光学素子が組み合わされて色収差補正が行われる。現在、露光用光源であるレーザ波長の２４８ｎｍ〜１５７ｎｍの波長（紫外線）域では、投影光学系のレンズ材料として使用に適する光学材料は、合成石英とＣａＦ2 以外にはない。このため、ＫｒＦエキシマレーザ用の投影レンズとしては、合成石英のみで構成された全屈折タイプの単色レンズが採用され、ＡｒＦエキシマレーザ用の投影レンズとしては、合成石英とＣａＦ2 で構成された全屈折タイプの部分色消しレンズが採用されている。ところが、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザの自然発振スペクトル線幅は約３５０〜４００ｐｍと広いために、これらの投影レンズを使用すると、色収差が発生して解像力が低下する。そこで、色収差が無視できるまでに、これらのガスレーザ装置から放出されるレーザ光のスペクトル線幅を狭帯域化する必要がある。このため、これらのガスレーザ装置には狭帯域化素子（エタロンやグレーティング等）を有する狭帯域化モジュールがレーザ共振器内に設けられ、スペクトル線幅の狭帯域化が実現されている。
多くの半導体露光装置の光学系には、投影光学系が採用されている。投影光学系では、異なる屈折率を有するレンズ等の光学素子が組み合わされて色収差補正が行われる。現在、露光用光源であるレーザ波長の２４８ｎｍ〜１５７ｎｍの波長（紫外線）域では、投影光学系のレンズ材料として使用に適する光学材料は、合成石英とＣａＦ2 以外にはない。このため、ＫｒＦエキシマレーザ用の投影レンズとしては、合成石英のみで構成された全屈折タイプの単色レンズが採用され、ＡｒＦエキシマレーザ用の投影レンズとしては、合成石英とＣａＦ2 で構成された全屈折タイプの部分色消しレンズが採用されている。ところが、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザの自然発振スペクトル線幅は約３５０〜４００ｐｍと広いために、これらの投影レンズを使用すると、色収差が発生して解像力が低下する。そこで、色収差が無視できるまでに、これらのガスレーザ装置から放出されるレーザ光のスペクトル線幅を狭帯域化する必要がある。このため、これらのガスレーザ装置には狭帯域化素子（エタロンやグレーティング等）を有する狭帯域化モジュールがレーザ共振器内に設けられ、スペクトル線幅の狭帯域化が実現されている。
（液浸リソグラフィーと偏光照明）
上記したように、ＡｒＦエキシマレーザ液浸リソグラフィーの場合、媒体としてＨ2 Ｏを使用したとき、屈折率が１．４４になるため、屈折率に比例するレンズ開口数ＮＡは原理的に従来の開口数に対して１．４４倍に増やすことができる。ＮＡが高くなるにつれ、光源であるレーザ光の偏光純度の影響が大きくなる。偏光の向きがマスクパターンの方向に平行であるＴＥ偏光の場合は影響がないが、それが直交するＴＭ偏光の場合は、像のコントラストが低くなってしまう。これは、後者の場合、ウエハー上の焦点における電界のベクトルが異なる方向であるため、ウエハーへの入射角が大きくなるに従い、電界のベクトルが同一である前者に比べ、強度が弱くなってしまうためである。この影響はＮＡが１．０に近づくか超える場合に強くなり、ＡｒＦエキシマレーザ液浸はこの場合に該当する。そのため、以上のように露光装置の照明系では、所望の偏光状態を制御する必要がある。この偏光照明の制御には、露光装置の照明系に入力されるレーザの偏光状態が直線偏光であることが要求されている。偏光純度は、直線偏光と非直線偏光の割合であり、レーザの偏光は、偏光純度が高く維持されることが要求されている。
上記したように、ＡｒＦエキシマレーザ液浸リソグラフィーの場合、媒体としてＨ2 Ｏを使用したとき、屈折率が１．４４になるため、屈折率に比例するレンズ開口数ＮＡは原理的に従来の開口数に対して１．４４倍に増やすことができる。ＮＡが高くなるにつれ、光源であるレーザ光の偏光純度の影響が大きくなる。偏光の向きがマスクパターンの方向に平行であるＴＥ偏光の場合は影響がないが、それが直交するＴＭ偏光の場合は、像のコントラストが低くなってしまう。これは、後者の場合、ウエハー上の焦点における電界のベクトルが異なる方向であるため、ウエハーへの入射角が大きくなるに従い、電界のベクトルが同一である前者に比べ、強度が弱くなってしまうためである。この影響はＮＡが１．０に近づくか超える場合に強くなり、ＡｒＦエキシマレーザ液浸はこの場合に該当する。そのため、以上のように露光装置の照明系では、所望の偏光状態を制御する必要がある。この偏光照明の制御には、露光装置の照明系に入力されるレーザの偏光状態が直線偏光であることが要求されている。偏光純度は、直線偏光と非直線偏光の割合であり、レーザの偏光は、偏光純度が高く維持されることが要求されている。
図７は、従来の一般的なガスレーザ装置１００を示す図である。従来、ガスレーザ装置１００のレーザチャンバ１０１におけるウィンドウ１０２は、ＣａＦ２で作製されているものが多い。ＣａＦ2製ウィンドウ１０２は、レーザチャンバ１０１の保持部１０１ａの内側表面にシール材１０３、レーザチャンバ１０１の保持部１０１ａの外側表面に樹脂製の緩衝材１０４を配し、保持されている。保持部１０１ａとＣａＦ2製ウィンドウ１０２の間に柔らかい樹脂リングを緩衝材１０４として使用するにより、保持部１０１ａによるウィンドウ１０２表面へのキズ付きを防止していた。
しかしながら、従来の技術では、このような樹脂リングをＣａＦ2製ウィンドウ１０２の緩衝材１０４として使用する場合、以下の問題点が発生することがあった。
まず、図８に示すように、レーザ光Ｌの多重反射光や散乱光により、樹脂リング製緩衝材１０４が光分解反応を起こし、有機物などの汚染物質１２０が発生することがあった。これらの汚染物質１２０は、ウィンドウ１０２の表面を汚染し、劣化の原因となっていた。
また、図９に示すように、レーザ共振器１１０内はＮ2ガスでパージされている為、これら汚染物質１２０はＮ2ガスによって運ばれ、ウィンドウ１０２だけでなく、レーザ共振器１１０内のフロントミラー１１１又はリヤミラー１１２等の光学素子の表面も汚染し、劣化の原因となっていた。
本発明は従来技術のこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、汚染物質の発生がなくなり、光学素子の汚染が防止され、光学素子の寿命を延ばすフッ化カルシウム結晶を用いたガスレーザ用光学素子を用いたガスレーザ装置を提供することである。
そのために、本発明のガスレーザ装置は、レーザガスが封入されたレーザチャンバと、前記レーザチャンバに設置されるフッ化カルシウム結晶からなる紫外線ガスレーザ用の光学素子と、前記光学素子を前記レーザチャンバに保持する保持手段と、前記光学素子の前記レーザチャンバから遠い側の面と前記保持手段の間に当接して配置され、フッ化カルシウムよりも軟らかい金属のリングからなる緩衝手段と、前記光学素子のレーザチャンバに近い側の面と前記保持手段の間に密着して配置されるシール材と、を備えることを特徴とする。
また、前記緩衝手段は、前記光学素子と当接する側の表面を１工程で加工されると共に、以下の条件を満足することを特徴とする。
エッジ突部の高さ＜０．２μｍ
表面の粗さ＜０．２μｍ
平面度≦０．０１ｍｍ
平行度≦０．０１ｍｍ
エッジ突部の高さ＜０．２μｍ
表面の粗さ＜０．２μｍ
平面度≦０．０１ｍｍ
平行度≦０．０１ｍｍ
また、前記緩衝手段は、アルミニウムから形成されることを特徴とする。
また、前記レーザチャンバの一方の側とその反対側に設置された光共振器と、前記レーザチャンバ内部に封入された前記レーザガスを励起する手段と、を備え、前記光学素子は、前記光共振器の光軸上で前記レーザチャンバに設置された２つのウィンドウであることを特徴とする。
本発明のガスレーザ装置は、レーザガスが封入されたレーザチャンバと、前記レーザチャンバに設置されるフッ化カルシウム結晶からなる紫外線ガスレーザ用の光学素子と、前記光学素子を前記レーザチャンバに保持する保持手段と、前記光学素子の前記レーザチャンバから遠い側の面と前記保持手段の間に当接して配置され、フッ化カルシウムよりも軟らかい金属のリングからなる緩衝手段と、前記光学素子のレーザチャンバに近い側の面と前記保持手段の間に密着して配置されるシール材と、を備えるので、汚染物質の発生がなくなり、光学素子の汚染が防止され、光学素子の寿命を延ばすことができる。
また、緩衝手段は、光学素子と当接する側の表面を１工程で加工されると共に、以下の条件を満足するので、光学素子の表面が破損し、且つ応力集中が起こり大きな複屈折が発生することが低減される。
エッジ突部の高さ＜０．２μｍ
表面の粗さ＜０．２μｍ
平面度≦０．０１ｍｍ
平行度≦０．０１ｍｍ
エッジ突部の高さ＜０．２μｍ
表面の粗さ＜０．２μｍ
平面度≦０．０１ｍｍ
平行度≦０．０１ｍｍ
また、前記緩衝手段は、アルミニウムから形成されるので、安価で容易に加工することができる。
以下、本発明に係る実施形態の紫外線ガスレーザ用光学素子の緩衝手段及び紫外線ガスレーザ装置について説明する。
図１は、本実施形態のＣａＦ2（フッ化カルシウム）製ウィンドウの保持状態を示す図である。図中、１はレーザチャンバ、２はウィンドウ、３はシール材、４は緩衝手段としての緩衝材である。
レーザチャンバ１は、従来と同様のもので、ウィンドウ２を保持する保持部１ａを有している。
ＣａＦ２製ウィンドウ２は、レーザチャンバ１の保持部１ａの内側表面に配置されたシール材３、及び、レーザチャンバ１の保持部１ａの外側表面に配置された緩衝材４を介してレーザチャンバ１に保持されている。
シール材３は、レーザ光の多重反乱光や散乱光の影響を受けない部分に配置するのが好ましい。
緩衝材４は、ウィンドウ２の外周に沿って、ウィンドウ２と保持部１ａとの間に当接して配置される。また、金属製のリングからなり、特に、ＣａＦ2よりも軟らかい金属を使用するとよい。本実施形態では、安価で加工の容易なアルミニウムを適用する。
このように、レーザチャンバ１にＣａＦ2製ウィンドウ２を保持する部分に緩衝材４としてＣａＦ2よりも軟らかい金属を使用することにより、汚染物質の発生がなくなり、ウィンドウ及びその他の共振器内光学素子の汚染が防止され、ウィンドウ及びその他光学素子の寿命を延ばすことができる。
次に、本実施形態の緩衝材４の加工スペックについて説明する。図２は、本実施形態とは異なり、緩衝材の表面状態が良くない場合の参考例を示す。金属製リングからなる緩衝材４を加工する際には、以下に示す３つの場合に注意する必要がある。
（１）図２（ａ）に示すように、金属リングからなる緩衝材４のエッジの突部４ａにより、ウィンドウ２の表面が破損し、且つ応力集中が起こり大きな複屈折が発生する場合がある。応力による複屈折が生じると、レーザの偏光が悪化し、レーザ性能を低下させる。
表１は、アルミニウム製緩衝材４のエッジの突部４ａの高さがＣａＦ2製ウィンドウ２に与える影響を示す実施例１であり、加圧・減圧を繰り返すレーザガス交換を想定したレーザ動作状況模擬試験の結果である。
表１に示すように、平坦部粗さ曲線平均線からのアルミニウム製緩衝材４のエッジの突部４ａの高さが１μｍの場合、ウィンドウ２の表面の損傷及びウィンドウ内部への損傷の進展が明らかに発生していた。ここで、平坦部粗さ曲線平均線とは、図３に示すように、平坦部の平均位置に引いた線であり、エッジの突部４ａの高さとは、その平坦部粗さ曲線平均線からの高さを示す。
また、アルミニウム製緩衝材４のエッジの突部４ａの高さが０．５μｍの場合、ウィンドウ２の表面の損傷が明らかに発生し、ウィンドウ内部への損傷の進展も部分的に発生していた。
これに対して、アルミニウム製緩衝材４のエッジの突部４ａの高さが０．２μｍの場合、ウィンドウ２の表面の損傷は、わずかに生じる程度で、性能に影響せず、ウィンドウ内部への損傷の進展はなかった。
このように、アルミニウム製緩衝材４の「エッジの突部４ａの高さ＜０．２μｍ」とすることで、ウィンドウ２の表面の損傷、及び、ウィンドウ内部への損傷の進展はほとんど見られず、ウィンドウ２の表面が破損し、且つ応力集中が起こり大きな複屈折が発生することが低減される。
（２）図２（ｂ）に示すように、金属リングからなる緩衝材４の表面の粗さにより、ウィンドウ２の表面が破損し、且つ応力集中が起こり大きな複屈折が発生する場合がある。
表２は、アルミニウム製緩衝材４の表面の粗さがＣａＦ2製ウィンドウ２に与える影響を示す実施例２であり、加圧・減圧を繰り返すレーザガス交換を想定したレーザ動作状況模擬試験の結果である。
表２に示すように、平坦部粗さ曲線平均線からのアルミニウム製緩衝材４の表面の粗さが０．６μｍの場合、ウィンドウ２の表面の損傷及びウィンドウ内部への損傷の進展が明らかに発生していた。また、アルミニウム製緩衝材４の表面の粗さが０．３μｍの場合、ウィンドウ２の表面の損傷が明らかに発生し、ウィンドウ内部への損傷の進展も部分的に発生していた。
これに対して、アルミニウム製緩衝材４の表面の粗さが０．２μｍの場合、ウィンドウ２の表面の損傷は、わずかに生じる程度で、性能に影響せず、ウィンドウ内部への損傷の進展はなかった。
このように、アルミニウム製緩衝材４の「表面の粗さ＜０．２μｍ」とすることで、ウィンドウ２の表面の損傷、及び、ウィンドウ内部への損傷の進展はほとんど見られず、ウィンドウ２の表面が破損し、且つ応力集中が起こり大きな複屈折が発生することが低減される。
（３）図２（ｃ）に示すように、金属リングからなる緩衝材４の表面のうねり部４ｂにより、ウィンドウ２に応力集中が起こり大きな複屈折が発生する場合がある。
表３は、アルミニウム製緩衝材４の平面度及び平行度がＣａＦ2製ウィンドウ２に与える影響を示す実施例３である。
表３に示すように、平坦部粗さ曲線平均線からのアルミニウム製緩衝材４の表面の粗さが０．６μｍ、エッジの突部４ａの高さが１μｍより大きく、平行度０．０１ｍｍの場合、ウィンドウ２の表面の損傷及びウィンドウ内部への損傷の進展が明らかに発生しており、応力複屈折は１．１７ｎｍであった。
これに対して、アルミニウム製緩衝材４の表面の粗さが０．１μｍ、エッジの突部４ａの高さが０．２μｍより小さく、平面度及び平行度が０．０１ｍｍの場合、の場合、ウィンドウ２の表面の損傷は、わずかに生じる程度で、性能に影響せず、ウィンドウ内部への損傷の進展はなかった。また、応力複屈折は０．３８ｎｍであった。
このように、アルミニウム製緩衝材４の加工は、表面粗さのほかに平面度，平行度の確保も重要である。「平面度≦０．０１ｍｍ」及び「平行度≦０．０１ｍｍ」とすることで、応力複屈折を低減することができる。
次に、本実施形態の緩衝材４の加工方法について説明する。アルミニウム製緩衝材４の加工では、厚みにばらつきがあると、取り付けた際の面圧に分布が生じて応力集中を起こしウィンドウ２に複屈折が生じる。応力による複屈折が生じると、レーザの偏光が悪化し、レーザ性能を低下させる。
そこで、図４に示すように、緩衝材４は、ウィンドウ２表面を破損させず、且つウィンドウ２表面に応力集中が起こらないように、エッジ及び表面を滑らかに加工する必要がある。
本実施形態では、緩衝材４のエッジ及び表面を滑らかに加工するために、図５に示すように、エッジ部加工をＲ処理とし、ＣａＦ2製ウィンドウ２に接触する面側の緩衝材４の機械加工は１工程で行うことが望ましい。また、最終工程にラップ加工を施すことが好ましい。ラップ加工は面粗さの低減にも有効である。さらに、ＣａＦ2製ウィンドウ２に接触しない面の角部は、Ｒ処理だけでなく、Ｃ面取りでもよい。
このように、緩衝材４の加工を１工程で行うことで、ウィンドウ２表面を破損させず、且つウィンドウ２表面に応力集中が起こらないように、エッジ及び表面を滑らかに加工することができる。
なお、本実施形態では、緩衝材４としてアルミニウム製を採用したが、アルミニウム以外のＣａＦ2より軟らかい金属を使用してもよい。
以上、本実施形態の紫外線ガスレーザ用光学素子の緩衝材４をレーザチャンバ１のウィンドウ２に使用する場合について説明した。これは、次のようなレーザ装置で使用することもできる。その例を説明するために、図６に、２ステージレーザシステムの主として光学系の概略の構成と、その中での本発明による紫外線ガスレーザ用光学素子の配置例を示す。
２ステージレーザシステムは、発振用レーザ１０とその発振用レーザ１０から発振されたレーザ光（シード光）を入射させて増幅する増幅用レーザ２０とからなるもので、特に狭帯域で４０Ｗ以上の高出力が必要な露光用のＡｒＦエキシマレーザ装置やＦ2レーザ装置に期待されているものである。
発振用レーザ１０にはレーザガスが封入されるレーザチャンバ１１と、共振器を構成する狭帯域化モジュール１４及び出力鏡としての部分反射ミラー１５とが含まれ、さらに、図示していないレーザガス励起システムや制御系、さらには、冷却系、ガス交換システム等が含まれる。
レーザチャンバ１１には、前記のように、光軸上に２つのウィンドウ１２と１３が取り付けてある。また、狭帯域化モジュール１４には、ビーム拡大光学系を構成する単数あるいは複数のビーム拡大プリズム１６（図では２個）と、狭帯域化素子としてのグレーティング１７（又はエタロン）が含まれる。
増幅用レーザ２０も、レーザガスが封入されるレーザチャンバ２１と、共振器を構成する部分反射ミラー２４、２５とが含まれ、さらに、図示していないレーザガス励起システムや制御系、さらには、冷却系、ガス交換システム等が含まれる。
レーザチャンバ２１には、光軸上に２つのウィンドウ２２と２３が取り付けてある。なお、図６においては、発振用レーザ１０から発振されたレーザ光は、ミラー１８と１９でそれぞれ反射されて増幅用レーザ２０に入射するように構成されている。レーザウィンドウは発振段及び増幅段レーザの共振器内に配置されているので、レーザ光が多数往復する。
そして、レーザチャンバ１１、２１に取り付けるウィンドウ１２、１３、２２、２３に本発明に係る紫外線ガスレーザ用光学素子の緩衝材４を適用することが望ましい。
以上、本発明の紫外線ガスレーザ用光学素子及び紫外線ガスレーザ装置を実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれら実施形態に限定されず種々の変形が可能である。例えば、レーザチャンバ１のウィンドウ２に用いるだけでなく、ビームスプリッタやビーム拡大光学系のウェッジ基板等のＣａＦ2基板を採用するものに、本発明に係る緩衝材４を配置してもよい。
１…レーザチャンバ
２…ウィンドウ
３…シール材
４…緩衝材（緩衝手段）
１０…発振用レーザ
１１…レーザチャンバ
１２、１３…ウィンドウ
１４…狭帯域化モジュール
１５…出力鏡（部分反射ミラー）
１６…ビーム拡大プリズム
１７…グレーティング
１８、１９…ミラー１
２０…増幅用レーザ
２１…レーザチャンバ
２２、２３…ウィンドウ
２４、２５…部分反射ミラー
３０…発振段レーザパワーモニタ
３１…第１ビームスプリッタ
４０…モニターモジュール
４１…第２ビームスプリッタ
４２…パワー及びスペクトル検出器
５０…光学パルスストレッチャ
５１…第３ビームスプリッタ
５２…高反射ミラー
２…ウィンドウ
３…シール材
４…緩衝材（緩衝手段）
１０…発振用レーザ
１１…レーザチャンバ
１２、１３…ウィンドウ
１４…狭帯域化モジュール
１５…出力鏡（部分反射ミラー）
１６…ビーム拡大プリズム
１７…グレーティング
１８、１９…ミラー１
２０…増幅用レーザ
２１…レーザチャンバ
２２、２３…ウィンドウ
２４、２５…部分反射ミラー
３０…発振段レーザパワーモニタ
３１…第１ビームスプリッタ
４０…モニターモジュール
４１…第２ビームスプリッタ
４２…パワー及びスペクトル検出器
５０…光学パルスストレッチャ
５１…第３ビームスプリッタ
５２…高反射ミラー
Claims (4)
- レーザガスが封入されたレーザチャンバと、
前記レーザチャンバに設置されるフッ化カルシウム結晶からなる紫外線ガスレーザ用の光学素子と、
前記光学素子を前記レーザチャンバに保持する保持手段と、
前記光学素子の前記レーザチャンバから遠い側の面と前記保持手段の間に当接して配置され、フッ化カルシウムよりも軟らかい金属のリングからなる緩衝手段と、
前記光学素子のレーザチャンバに近い側の面と前記保持手段の間に密着して配置されるシール材と、
を備えることを特徴とするガスレーザ装置。 - 前記緩衝手段は、前記光学素子と当接する側の表面を１工程で加工されると共に、以下の条件を満足することを特徴とする請求項１に記載のガスレーザ装置。
エッジ突部の高さ＜０．２μｍ
表面の粗さ＜０．２μｍ
平面度≦０．０１ｍｍ
平行度≦０．０１ｍｍ - 前記緩衝手段は、アルミニウムから形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のガスレーザ装置。
- 前記レーザチャンバの一方の側とその反対側に設置された光共振器と、
前記レーザチャンバ内部に封入された前記レーザガスを励起する手段と、
を備え、
前記光学素子は、前記光共振器の光軸上で前記レーザチャンバに設置された２つのウィンドウである
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載のガスレーザ装置。
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