JP4799528B2 - 発光ダイオードの構造及びその製造方法 - Google Patents
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本発明は、該第1溶液を該基板上に不連続な該化学反応層を形成するために使用し、その後、選択性エッチングを行ない、この時、該基板の該化学反応層に被覆されていない部分に凹部が形成され、該化学反応層に被覆された部分は反応せず、このため凸部が形成される。
そのうち、該凹部と該凸部の高度差は0.1μmから15μmとされる。該活性層はダブルヘテロ接合構造、単一量子井戸構造及び多重量子井戸構造のいずれかとされる。
図1から図5の本発明の第1実施例の表示図を参照されたい。本発明の製造方法は少なくとも以下の工程を包含する。
図1に示されるように、まず、基板(100)を提供する。該基板(100)は、サファイヤ基板(Al2 O3 )、炭化シリコン(SiC)、シリコン(Si)、ヒ素化ガリウム(GaAs)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)基板のいずれかとされる。
図6から図8に示されるのは本発明の第2実施例の表示図である。この実施例の製造方法は第1実施例を基本とするが、但し該基板(100)を該第1溶液中に置く前に前処理を行う。この前処理工程では、厚さが1Åから10μmの鈍化層(300)を該基板(100)の表面上に成長させる(図6)。該鈍化層(300)の材料は、シリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム、金属、ホトレジスト、ブチルベンゼン、ポリイミドの単層、多層構造及びその組合せのいずれかとする。
図9から図13に示されるのは、本発明の第3実施例の表示図である。この実施例の製造方法は第2実施例を基本とし、その前処理工程では、同様に該鈍化層(300)を該基板(100)の表面上に成長させる(図9)。その後、該鈍化層(300)にリソグラフィー工程で周期性パターン化を行い、一部の該基板(100)表面を露出させる。そのうち、該鈍化層(300)の周期性パターンは、円形、多角形及びその組合せの周期性パターンとし、周期性パターンの幅は0.1μmから15μm、ピッチは0.1μmから15μmとする(図10)。
図14から図18に示されるのは、本発明の第4実施例の表示図である。この実施例の製造方法は第3実施例を基本とし、その前処理工程では、同様に該鈍化層(300)を該基板(100)の表面上に成長させる(図14)。その後、該鈍化層(300)にリソグラフィー工程で周期性パターン化を行い、一部の該基板(100)表面を露出させる(図15)。その後、該基板(100)の露出した表面に対してエッチングを行い複数の凹溝(101)を形成し、且つ該鈍化層(300)を除去してこれら凸部(131)を露出させる(図16)。
図19から図21に示されるのは、本発明の第5実施例の表示図である。この実施例の製造方法は第1実施例を基本とするが、但し該基板(100)を該第1溶液中に置く前に前処理を行う。この前処理工程では、厚さが1Åから10μmのエピタキシャル層(400)を該基板(100)の表面上に成長させる(図19)。該エピタキシャル層(400)の材料は、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウム及びそれらの混合材料のいずれかとされるが、後続工程中の該半導体発光構造(200)中の厚さが比較的厚い該n型半導体層(210)材料を主要な選択とする。
図22から図26に示されるのは、本発明の第6実施例の表示図である。この実施例の製造方法は第5実施例を基本とし、前処理工程で、該エピタキシャル層(400)を該基板(100)の表面上に成長させる(図22)。その後、該エピタキシャル層(400)をリソグラフィー工程で周期性パターン化し、一部の該基板(100)表面を露出させる。そのうち、該エピタキシャル層(400)の周期性パターンは円形、多角形及びその組合せのいずれかの周期性パターンとし、周期性パターンの幅は0.1μmから15μm、ピッチは0.1μmから15μmとする(図23)。
120 凹部 130、131、132 凸部
200 半導体発光構造 210 n型半導体層
220 活性層 230 p型半導体層
231 p型オームコンタクト電極 240 コンタクトウインドウ
211 n型オームコンタクト電極 300 鈍化層
400 エピタキシャル層 101 凹溝
Claims (23)
- 発光ダイオードの製造方法において、
基板(100)を提供する工程、
該基板(100)を第1溶液内に置き反応させて、その表面に化学反応層(110)を形成する工程、
該化学反応層(110)をマスクとして、該基板(100)に対して選択性エッチングを行い該基板(100)の表面の該化学反応層(110)のない部分の複数の凹部(120)と、上方に該化学反応層(110)を有する複数の凸部(130)を形成する工程、 更に該基板(100)を第2溶液内に置いてエッチングし、該化学反応層(110)を除去し、これら凹部(120)と凸部(130)の不規則幾何形状を該基板(100)表面に形成する工程、
その後、該基板(100)の表面をクリーニングした後、該基板(100)の表面に半導体発光構造(200)を形成し、且つ横方向エピタキシャル成長技術を利用して該半導体発光構造(200)に該凹部(120)を充填させて孔を無くす工程、
を包含したことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。 - 請求項1記載の発光ダイオードの製造方法において、該基板(100)をサファイヤ、炭化シリコン、シリコン、ヒ素化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウム基板のいずれかとすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項1記載の発光ダイオードの製造方法において、該第1溶液と第2溶液を酸性溶液グループ、アルカリ性溶液グループから選択された少なくとも一種類及び数種類の組合せのいずれかとすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項3記載の発光ダイオードの製造方法において、該酸性溶液グループは、フッ化水素、硫酸、塩酸、りん酸、硝酸、王水、バッファードオキサイドエッチャント、アルミニウムエッチャント、過酸化水素、ぎ酸、酢酸、こはく酸及びクエン酸を包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項3記載の発光ダイオードの製造方法において、該アルカリ性溶液グループは、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カルシウム、水酸化アンモニウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイドを包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項1記載の発光ダイオードの製造方法において、該基板を第1溶液と第2溶液中に置く時間は1秒から200分間とすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項1記載の発光ダイオードの製造方法において、該選択性エッチングはドライエッチング、ウェットエッチング或いはその混合使用法のいずれかとすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項1記載の発光ダイオードの製造方法において、該凹部(120)と凸部(130)の高度差は0.1μmから15μmとすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項1記載の発光ダイオードの製造方法において、該半導体発光構造(200)は、少なくとも一つのn型半導体層(210)、活性層(220)と少なくとも一つのp型半導体層(230)を順にエピタキシャル成長させてなるものとし、該活性層(220)は発光領域として該n型半導体層(210)と該p型半導体層(230)の間に形成し、且つ該p型半導体層(230)はp型オームコンタクト電極(231)と電気的に接続し、該n型半導体層(210)にn型オームコンタクト電極(211)を電気的に接続して順方向バイアスを提供することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項1記載の発光ダイオードの製造方法において、該基板(100)を該第1溶液中に置く前に、該基板(100)に前処理工程を行うことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項10記載の発光ダイオードの製造方法において、該前処理工程で鈍化層(300)を該基板(100)の表面上に成長させることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項11記載の発光ダイオードの製造方法において、該鈍化層(300)の厚さを1Åから10μmとすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項11記載の発光ダイオードの製造方法において、該鈍化層(300)の材料はシリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム、金属、ホトレジスト、ブチルベンゼン、ポリイミドの単層、多層構造及びその組合せのいずれかとすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項11記載の発光ダイオードの製造方法において、該鈍化層(300)に更にリソグラフィー工程で周期性パターン化を行い、該基板(100)表面を一部露出させることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項14記載の発光ダイオードの製造方法において、該鈍化層(300)の周期性パターンは円形、多角形及びその組合せのいずれかの周期性パターンとすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項14記載の発光ダイオードの製造方法において、該鈍化層(300)の周期性パターンは、その幅を0.1μmから15μmとし、ピッチを0.1μmから15μmとすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項14記載の発光ダイオードの製造方法において、該基板(100)の露出した表面に、更に、エッチングにより複数の凹溝(101)を形成し、且つ該鈍化層(300)を除去することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項10記載の発光ダイオードの製造方法において、該前処理工程においてエピタキシャル層(400)を該基板(100)の表面上に成長させることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項18記載の発光ダイオードの製造方法において、該エピタキシャル層(400)の厚さを1Åから10μmとすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項18記載の発光ダイオードの製造方法において、該エピタキシャル層(400)の材料は、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウム、及びそれらを組み合わせた材料のいずれかとすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項18記載の発光ダイオードの製造方法において、該エピタキシャル層(400)に対して、更にリソグラフィー工程で周期性パターン化を行い、一部の該基板(100)表面を露出させることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項21記載の発光ダイオードの製造方法において、該エピタキシャル層(400)の周期性パターンは円形、多角形及びその組合せの周期性パターンのいずれかとすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項21記載の発光ダイオードの製造方法において、該エピタキシャル層(400)の周期性パターンの幅は0.1μmから15μmとし、ピッチは0.1μmから15μmとすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
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