JP4797701B2 - 感放射線性組成物 - Google Patents
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又、ポジ型の感光特性を有する感光性層間絶縁膜材料として、特開2004−107562号公報には、透明なアクリル樹脂と感光剤ジアゾナフトキノン(Diazonaphthoquinone: DNQ)から構成される組成物が記載されている(特許文献2)。
ここで、「感放射線性」と「感光性」は次の意である。「放射線」とは、理化学辞典第三版(岩波書店)、1262頁によれば、広義には「すべての電磁波および粒子線」、と記載され、光を含む。従って、本明細中では「感放射線性」と「感光性」の両方の記載があるが、前者のほうが広義であり、線源に光を用いる場合には同義である。
本発明の第1の観点からの、代表的な第1の形態は、次の通りの感放射線性組成物である。
一般式(1)
R2、 R3、及びR4は、水素原子、炭素数1から6のアルキル基、炭素数1から6のアルキレン基、炭素数1から6のアラルキル基、炭素数1から6のアルケニル基、炭素数1から6のアリール基、及びフェニル基、シクロアルキル基、炭素数1から6のアルコキシ基、及びシアノ基、アシル基の群から選ばれた少なくとも1者を表し、且つ前記R2、 R3、及びR4は同じ基であっても、異なった基であっても良く、
Dは、一般式(2−1)、(2−2)、及び(2−3)で表される感放射線性官能基の群から選ばれた少なくとも1者を表す(但し、
本発明の代表的な第2の形態は、次の通りの感放射線性組成物である。
炭素数1から6のアルキルアミノ基を有するシリコーン化合物に、スルホンアミド基構造を介して、一般式(3−1))、(3−2)、及び(3−3)で表される感放射線性官能基の群から選ばれた少なくとも1者(但し、
シロキサン含有ポリマーに対し、炭素数1から6のアルキルアミノ基を有するシリコーン化合物に、スルホンアミド基構造を介して、前記一般式(3−1))、(3−2)、及び(3−3)で表される感放射線性官能基の群から選ばれた少なくとも1者で表される感放射線性官能基が共有結合している化合物を成分に含有することを特徴とする感放射線性組成物である。
前記シロキサン含有ポリマーは、一般式(4)
(R5)xSi(Y)4−x ・・・(4)
(但し、一般式中、R5は、炭素数が1から10である非加水分解性の有機基、Yは加水分解性基、xは1から4の整数である)で表されるシラン化合物、及びその加水分解物の縮合物からなる群から選ばれる少なくとも1者である。
又、前記前記非加水分解性の有機基が、炭素数1から6のアルキルアミノ基であることが極めて実用的であり、有用である。又、前記非加水分解性の有機基が、炭素数1から6のアルキルアミノ基のアミノ基に、ジアゾナフトキノンがスルホンアミド結合で結合した官能基であることも有用である。
更に、本発明の別な観点では、前記いずれかの感放射線性組成物の被膜を基板に形成する工程、前記感放射線性組成物の被膜に所望形状の露光及び現像を行い当該被膜における露光領域を除去する工程を少なくとも有することを特徴とする絶縁膜の形成方法を提供する。
本発明の層間絶縁膜を具備する本発明の液晶表示素子は画面が明るく、信頼性に優れる。
第一に、上記課題は、前記一般式(1)で表される単位構造を1個以上有する化合物(A)を成分に含有することを特徴とする、感放射線性組成物によって解決される。
前記一般式(1)中、R1は炭素数1から6のアルキル基、又は1、4−置換フェニル基又は1、3−置換フェニル基を表し、R2、 R3、およびR4は、水素原子、及び炭素数1から6のアルキル基、炭素数1から6のアルキレン基、炭素数1から6のアラルキル基、炭素数1から6のアルケニル基、炭素数1から6のアリール基、及びフェニル基、シクロアルキル基、炭素数1から6のアルコキシ基、及びシアノ基、アシル基の群から選ばれた一者を表す。尚、これらR2、 R3、及びR4は相互に同じ基であっても、異なった基であっても良い。
Dは、前記一般式(2−1)、(2−2)及び(2−3)で表される感放射線性官能基の中から選ばれたものを表す。一般式(2−1)、(2−2)及び(2−3)中の感放射線性官能基Dは、ジアゾナフトキノン(diazonaphthoquinone:DNQ)と呼ばれ、本発明では、感放射線性官能基であるDNQをスルホンアミド基を介してシリコーン分子に結合させた状態で用いる。
第三に、上記課題は、上記第一又は第二の感放射線性組成物が、下記一般式(4)で表されるシラン化合物(B)、その加水分解物の縮合物からなる群から選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とする、感放射線組成物によって解決される。
一般式中、R5は炭素数が1から10である非加水分解性の有機基、Yは加水分解性基、xは1から4の整数である。尚、R5及びYに関しての詳細は後述する。
次いで、本発明の諸感放射線性組成物の詳細について説明する。
<1>化合物(A)
本発明の感放射線組成物は、前記一般式(1)で表される単位構造を1個以上有する化合物(A)を成分に含有する。
前記一般式(1)中、R1は炭素数1から6のアルキル基、又は1、4−置換フェニル基又は1、3−置換フェニル基を表し、R2、 R3、およびR4は、水素原子、及び炭素数1から6のアルキル基、炭素数1から6のアルキレン基、炭素数1から6のアラルキル基、炭素数1から6のアルケニル基、炭素数1から6のアリール基、及びフェニル基、シクロアルキル基、炭素数1から6のアルコキシ基、及びシアノ基、アシル基の群から選ばれた一者を表す。尚、これらR2、 R3、及びR4は相互に同じ基であっても、異なった基であっても良い。
ここで、R1は、感放射線性官能基Dを安定的にシリコーン骨格に結合させるために必要な架橋基である。R1がアルキル基の場合、とりわけ炭素数が3以上であると、それにスルホンアミド基を介して結合する感放射線性官能基Dが電子的に安定化されるので望ましい。前記一般式(2−1)、(2−2)及び(2−3)中の感放射線性官能基Dは、ジアゾナフトキノン(diazonaphthoquinone、 DNQ)と呼ばれ、本発明では、感放射線性官能基であるDNQを、スルホンアミド基を介してシリコーン分子に結合させた状態で用いる。ジアゾキノンの構造異性及びスルホンアミド基の結合位置が異なる構造異性(4−、5−、および6−)の存在により、DNQには数種の構造異性体が知られ、代表的なものとして、前記一般式(2−1)、(2−2)及び(2−3)中の化合物の中から選ばれたものを使用する。
DNQを、スルホンアミド基を介してシリコーンに結合させる合成法には、2種類の方法がある。第一の方法は、アルキルアミノ基を有するシリコーン化合物(アミノ変性シリコーンともいう)に、スルホニルクロリド基を有するDNQ誘導体を反応させて、スルホンアミド基を形成させる方法である。アルキルアミノ基を有するシリコーン化合物としては、一般式(11)から一般式(15)に示す諸化合物を用いることができる。
化合物(13)、(14)及び(15)中のnは0から200の整数を表す。好ましくは、nは5から50の範囲である。nが小さい場合には分子量が小さいために揮発し易くなったり、塗膜がもろくなりやすく、nが大きい場合には、分子中のDNQの密度が小さいために、感度低下や解像度低下が起こりやすいために、好適な範囲が存在する。
尚、一般式(11)より(15)に示す諸化合物は、より具体的には式(31)より式(51)に列挙される。
DNQを、スルホンアミド基を介してシリコーンに結合させる第二の合成法は、アミノ基を有するシリコーン化合物の前駆体に、DNQを結合させた後に、シリコーンの縮合を行う方法である。アミノ基を有するシリコーン化合物の前駆体としては、たとえば、アミノプロピルトリエトキシシラン(aminopropyl triethoxysilane、 APTES)、アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノヘキシルトリエトキシシラン、などを用いる。有機溶剤(クロロホルム、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル、など)中で、APTESとDNQスルホニルクロリドを混合して反応させると、一般式(6)に示すように、スルホンアミド基が形成されて、APTESにDNQが結合した化合物(DNQ-APTES)が生成する。DNQ-APTESを原料とし、たとえば、テトラエトキシシラン(tetraethoxysilane、 TEOS)と、酸触媒存在下、共縮合させると、側鎖にDNQ基を有するシリコーン化合物が得られる。
原料として、一般式(12)で示される化合物を用い、且つその具体例として、式(20)で表される化合物を用いる。
出発原料に一般式(18)で示される他のアミノ化合物を用いる場合にも、同様の方法で合成することができる。
第一又は第二の方法で合成された化合物(A)は、分子量300から10000の範囲の化合物が好適に使用される。
<2>シラン化合物(B)、その加水分解物の縮合物からなる群から選ばれる少なくとも1種
本発明の感放射線性組成物は、下記一般式(4)で表されるシラン化合物(B)、その加水分解物の縮合物からなる群から選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とする。
一般式中、R5は炭素数が1から10である非加水分解性の有機基、Yは加水分解性基、xは1から4の整数である。
上記R5で表される炭素数が1〜12である非加水分解性の有機基としては、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜12のアラルキル基等が挙げられる。これらは、直鎖状、分岐状、または環状であることができ、同一分子内に複数のR5が存在するときはこれらの組み合わせであってもよい。
又、R5は、ヘテロ原子を有する構造単位を含んでいてもよい。そのような構造単位としては、例えばエーテル、エステル、スルフィド等が挙げられる。
尚、R5に要求される非加水分解性とは、加水分解性基Yが加水分解される条件において、そのまま安定に存在する性質であることを意味する。
上記xは1〜4の整数である。
上記式(1)で表されるシラン化合物の具体例としては、例えば、テトラクロロシラン、テトラアミノシラン、テトラアセトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラフェノキシシラン、テトラベンジロキシシラン、テトラプロポキシシラン等の4個の加水分解性基で置換されたシラン化合物;
メチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、d3−メチルトリメトキシシラン、ノナフルオロブチルエチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン等の1個の非加水分解性基と3個の加水分解性基で置換されたシラン化合物;
ジメチルジクロロシラン、ジメチルジアミノシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジブチルジメトキシシラン等の2個の非加水分解性基と2個の加水分解性基で置換されたシラン化合物;
トリメチルクロロシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシラン、トリブチルシラン、トリメチルメトキシシラン、トリブチルエトキシシラン等の3個の非加水分解性基と1個の加水分解性基で置換されたシラン化合物、を挙げることができる。
これらのうち、1個の非加水分解性基と3個の加水分解性基で置換されたシラン化合物が好ましく使用でき、特にメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、ブチルトリメトキシシランが好ましい。
このようなシラン化合物は、一種単独で使用しても、または2種以上を組み合わせて使用してもよい
本発明の化合物(A)は、単独でも用いることができるが、感放射線性のDNQを有さないシラン化合物(B)、又はその加水分解物の縮合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物と共に用いることができる。
上記シラン化合物と、所定量の水および適当な溶媒を、撹拌機付の容器内に収容し、空気雰囲気中、0℃〜溶媒又はシラン化合物の沸点以下の温度で1時間〜24時間程度撹拌する。尚、撹拌中、必要に応じて蒸留によって反応混合物を濃縮したり、あるいは溶媒を追加することも可能である。
ここで使用することができる溶媒としては特に制限はないが、通常、後述する感放射線性組成物の調製に用いられる溶媒と同様のものを使用することができる。溶媒を使用する場合、その使用量としてはシラン化合物100重量部あたり通常1、000重量部以下の量が使用される。
上記シラン化合物を加水分解または縮合する際に、触媒を使用することもできる。このような触媒としては、金属キレート化合物、有機酸、無機酸、有機塩基、無機塩基等を挙げることができる。
この範囲の重量平均分子量とすることにより、成膜性と感放射線性のバランスに優れた組成物を得ることができる。
尚、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(以下、「GPC」と略記する)を使用し、ポリスチレン換算の重量平均分子量として測定される。
ここで、シラン化合物(B)として用いる、代表的なシラン化合物の合成方法を示す。テトラエトキシシラン100gとメチルトリエトキシシラン70gをテトラヒドロフラン400gに溶解させた溶液中に、70%硝酸0.25gを溶解させた水溶液30gを攪拌下で30分かけて滴下する。滴下終了後3時間反応させ、ポリシロキサン溶液を得る。得られるポリシロキサンの重量平均分子量は、約2000である。
<3>感放射線性組成物
これまで、本願発明の感放射線性組成物に用いる化合物(A)及びシラン化合物(B)及びその加水分解物の縮合物などについて詳細に説明した。次に、本願発明の感放射線性組成物について詳細に説明する。本発明の感放射線性組成物は、化合物(A)単独、又は、化合物(A)と前記一般式(4)で表されるシラン化合物(B)、その加水分解物の縮合物からなる群から選ばれる少なくとも1種との混合物、を主成分で,重量比で70%以上用いることとする。
メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類;ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のジエチレングリコールアルキルエーテル類;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類;
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸ブチル等のエステル類を挙げることができる。これらの有機溶剤は、単独でまたは混合して用いることができる。
更に必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶剤を添加した有機溶剤を使用することもできる。
又、本発明の感放射線性樹脂組成物においては、基板との密着性(接着性)を向上させるために、添加剤として接着助剤を含有させることができる。更に、本発明の感放射線性組成物においては、必要に応じて、帯電防止剤、保存安定剤、消泡剤等を含有させることができる。
本発明の感放射線性樹脂組成物は、上記のような有機溶剤を用いて、組成物の各成分を、固形分濃度が例えば20〜40質量%となるように溶剤に溶解させることにより、液体として調製することができる。また、組成物溶液は、必要に応じて、例えば孔径0.2μm程度のフィルターで濾過した後、使用に供することもできる。
<パタン状の絶縁膜を形成する方法の一例>
以下に、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いた、パタン状の絶縁膜を形成する方法の一例を示す。
(1)塗膜形成工程
先ず、上記の感放射線性樹脂組成物における(A)成分、(B)成分、および必要に応じて含有されるその他の成分を有機溶剤に溶解して、例えば固形分濃度が15〜40重量%である組成物溶液を調製する。この組成物溶液を基板表面に塗布し、プリベークを行うことにより溶剤を除去し、これにより、感放射線性樹脂組成物よりなる絶縁膜形成用塗膜を形成する。組成物溶液の塗布方法としては、特に限定されず、例えばスプレー法、ロールコート法、回転、流し塗布法等の各種の方法を利用することができる。
(2)露光・現像工程
次いで、形成された塗膜に適宜のパタンのマスクを介して、紫外線などの放射線を照射した後、現像液を用いて現像処理を行うことにより放射線の照射部分(露光領域)を除去し、これにより、所定パタンを形成する。
現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、シャワー法などのいずれの方法も利用することができる。現像時間は、通常30〜180秒間である。現像処理に用いられる現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなどの無機アルカリ類;エチルアミン、n−プロピルアミンなどの1級アミン類;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミンなどの2級アミン類;トリメチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエチルアミン、トリエチルアミンなどの3級アミン類;ジメチルエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどの3級アミン類;ピロール、ピペリジン、N−メチルピペリジン、N−メチルピロリジン、1、8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、1、5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネンなどの環状3級アミン類;ピリジン、コリジン、ルチジン、キノリンなどの芳香族3級アミン類;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの4級アンモニウム塩の水溶液などのアルカリ類の水溶液を用いることができる。
又、上記のアルカリ類の水溶液にメタノール、エタノールなどの水溶性有機溶媒および/または界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。
(3)加熱工程
現像処理後、流水洗浄処理を例えば30〜90秒間行うことにより不要な部分を除去し、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾する。その後、絶縁膜を透明な状態で使用する場合には、基板表面の全面に、例えば紫外線などの放射線を照射する。そして、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置によりポストベークを行う。紫外線などの放射線を照射することにより、残存DNQが分解されて、無色のインデンカルボン酸に変化し、液晶などの表示装置に用いる場合に都合が良い。
ポストベークの温度は、低すぎると、樹脂の硬化が不十分となり、絶縁膜の劣化が早まるおそれがある。一方、ポストベークの温度が高すぎると、膜にクラックが生じたり、膜の強度が低いものとなることがある。従って、150℃〜400℃が好ましく、更に好ましくは250℃〜350℃である。
実際上、ポストベークは、例えば200℃〜400℃の温度で、所定時間、例えばホットプレートを用いる場合には10分〜40分間、オーブンを用いる場合には30分〜90分間行われることが好ましい。このようにして、基本的に、絶縁性、耐熱性、耐溶剤性等の好適な諸特性を有し、かつ、パタン状の表面を有する絶縁膜を形成することができる。
<絶縁膜の応用>
次に、本発明の感放射線性組成物から得られた絶縁膜の応用について述べる。
本発明の代表的な絶縁膜の用途は次のごときものである。即ち、本発明の感放射線性組成物は、液晶表示素子、プラズマディスプレイや有機EL、フィールドエミッションディスプレイなどの、液晶以外の平面表示素子の層間絶縁膜に使用して、極めて有用である。更に、半導体素子の層間絶縁膜にも使用することができる。又、半導体素子のウエハコート材料(表面保護膜、バンプ保護膜、MCM(multi-chip module)層間保護膜、ジャンクションコート)、パッケージ材(封止材、ダイボンディング材)にも使用することができる。
<適用例1.液晶表示素子の層間絶縁膜の形成方法>
本発明の感放射線性組成物を用いた液晶表示素子の層間絶縁膜を形成の例を説明する。
本発明の感放射線性組成物は、下地基板表面に塗布し、プリベークにより溶媒を除去することによって塗膜とすることができる。塗布方法としては、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法、バー塗布法などの適宜の方法を採用することができる。又、プリベークの条件は、各成分の種類、配合割合などによっても異なるが、通常30〜200℃、より好ましくは40〜120℃であり、ホットプレートやオーブン、赤外線などを使用して加熱することができる。
プリベーク後の膜厚は感放射線組成物の固形分濃度や塗布条件により所望の値とすることができるが、例えば0.1〜4μm程度とすることができる。
次に、形成された塗膜に所定のパタンのマスクを介して放射線を照射する。ここで用いられる放射線としては、例えばg線(波長436nm)、i線(波長365nm)等の紫外線、KrFエキシマレーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線等の荷電粒子線が挙げられる。これらのうち、g線およびi線が好ましい。露光量としては、通常10mJ/cm2〜2、000mJ/cm2、好ましくは20mJ/cm2〜200mJ/cm2である。
現像方法としては、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法等の適宜の方法を利用することができる。現像処理後に、パタニングされた膜に対し、例えば流水洗浄によるリンス処理を行ってもよい。現像後に、残った膜中に存在するDNQを分解させるために、膜の全面を露光する。露光光源としては、パタニングに使用した光源と同様のものを使用できる。露光量は、DNQを完全に分解する必要があるため、通常100〜2、000mJ/cm2、好ましくは200〜1000mJ/cm2である。
上記層間絶縁膜の膜厚は、組成物の組成や目的とする液晶表示素子の構造等に基づき適宜の値とすることができるが、例えば0.1μm〜4μmとすることができる。
このようにして形成された本発明の液晶表示素子の層間絶縁膜は、高い耐熱性、および高い透明性を有するとともに、耐溶剤性に優れたものである。例えば、本発明の層間絶縁膜は、300℃の加熱を施しても十分な透明性を維持することができ、さらに、320℃の加熱処理を行っても十分な透明性を維持できる。なお、従来知られているノボラック樹脂等のフェノール系樹脂およびキノンジアジド系感光剤を含有する組成物、あるいはアクリル系樹脂およびキノンジアジド系感光剤材料を含有する組成物から形成された層間絶縁膜は、230℃程度が耐熱温度の上限であり、この温度を超えて加熱処理を行うと、黄色や褐色に着色し、透明性が著しく低下する。
本発明の感放射線性組成物から得られた絶縁膜を有する液晶表示素子は、上記のような層間絶縁膜を有するものであり、画面が明るく、信頼性に優れる。
<液晶以外の表示素子>
本発明の感放射線性組成物から得られた絶縁膜を層間絶縁膜として有するTFT(thin film transistor)基板は、液晶以外にも、プラズマディスプレイ、有機ELディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイなどの平面表示素子にも適用可能である。いずれに適用した場合にも、画面が明るく、信頼性に優れた平面表示素子が得られる。
<適用例2.半導体素子、電子デバイス>
本発明の感放射線性組成物から得られた絶縁膜は、半導体素子、多層配線板等の絶縁膜を有するデバイスが挙げられる。半導体素子として、ダイオード、トランジスタ、化合物半導体、サーミスタ、バリスタ、サイリスタ等の個別半導体素子、DRAM(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー)、SRAM(スタティック・ランダム・アクセス・メモリー)、EPROM(イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー)、マスクROM(マスク・リード・オンリー・メモリー)、EEPROM(エレクトリカル・イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー)、フラッシュメモリー等の記憶素子、マイクロプロセッサー、DSP、ASIC等の理論回路素子、MMIC(モノリシック・マイクロウェーブ集積回路)に代表される化合物半導体等の集積回路素子、混成集積回路(ハイブリッドIC)、発光ダイオード、電荷結合素子等の光電変換素子等が挙げられる。また、多層配線板としては、MCM等の高密度配線板等が挙げられる。
具体的には、半導体素子においては、表面保護膜、バッファーコート膜、層間絶縁膜等として使用することができる。一方、多層配線板においては、層間絶縁膜として使用することができる。半導体や電子デバイスにおける絶縁材にはポリイミドが一般的によく用いられるが、本発明の絶縁膜は、ポリイミドと比較して低温焼成が可能であり、透明性を要求される用途にも使用できることが特徴である。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
<実施例1>
<化合物(A)の合成例1>
本実施例の合成は、感光剤の合成に関するので、操作はすべて遮光条件または紫外光を除去した環境で行わねばならない。以下、少なくとも絶縁膜の形成工程までは同様の環境で行う。
撹拌機付の容器内に、アミノブチルトリメトキシシラン300gとテトラヒドロフラン1000gを入れた。そこへ室温条件で1、2−ジアゾナフトキノン―4−スルホニルクロリド350gを少しずつ加えた。その後、4時間撹拌を行い、アミノ基とスルホニルクロリド基からスルホンアミド基が生成する反応を行った。固形分をろ別し、ロータリーエバポレータを用いて溶剤を除去して、化合物(17)を得た。赤外吸収スペクトルの測定を行い、波数2112cm−1にジアゾ基、1325cm−1、1154cm−1にスルホンアミド基にそれぞれ特有な吸収ピークの存在を確認した。
<パタン(層間絶縁膜)の形成の例>
ガラス基板上に上記で調製した感放射線性組成物溶液(A1)を、1.5μmの膜厚になるようにスピンコートし、120℃で、5.0分間ホットプレート上でプリベークし、塗膜を形成した。この塗膜に対し、所定のパタンマスクを介してニコン製NSR1755i7A縮小投影露光機(NA=0.50、λ=365nm)を用い、露光量30mJ/cm2にて露光を行った。続いて2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃、2分間揺動浸漬法にて現像処理を行い、純水で流水洗浄する。更に、これを乾燥して上にパタンを形成した。次いで、前記縮小投影露光機を用いてパタンを形成した塗膜全面に、露光量500mJ/cm2の露光を行ったのち、オーブンにて350℃、60分間加熱処理(ポストベーク)を行い、膜厚1.45μmのパタン(層間絶縁膜)を形成した。
<スカム発生の有無(電子顕微鏡による観察)>
上記で得られたパタンについて、電子顕微鏡S−4200((株)日立計測器サービス社製)を用いて観察したところ、スカムは見られなかった。
<耐溶剤性の評価>
上記と同様にしてパタンを形成したガラス基板を25℃に温度制御されたジメチルスルホキシド/N−メチルピロリドン混合溶液(重量比70/30)に20分間浸漬した。このときの浸漬前の膜厚をT2、浸漬後の膜厚をt2とし、浸漬前後の膜厚の比(t2/T2)×100〔%〕を算出した。この値が95〜105%のとき、耐溶剤性は良好といえるが、結果は101%であった。
<耐熱性の評価>
上記と同様にしてパタンを形成したガラス基板につき、基板上のパタン状薄膜をスパチェラで削り取った。次いでこの薄膜片0.5gを取り、TGA−2950型Thermogravimetric Analyzer(TA Instruments社製)を用いて、室温から320℃まで10℃/minの昇温速度で昇温した後、320℃で30分間保持し、昇温前の重量に対する昇温後の重量の減少率を測定した。この重量減少率が昇温前の重量の3%以下のとき、耐熱性は良好であるといえるが、結果は0.5%であった。
<透明性の評価>
ガラス基板として「コーニング1737(コーニング社製)」を用い、前記層間絶縁膜形成と同様の方法で製膜した。この硬化膜を有するガラス基板の光線透過率を分光光度計「V-550 日本分光製」」を用いて400nm〜800nmの範囲の波長で測定した。300℃、30分間のポストベーク後の透過率が95%以上の場合に透明性は優良、80%以上で95%未満の場合透明性良好、80%未満である場合透明性は不良と言える。300℃、30分間のポストベーク後の結果は96%であった。
<平坦化性能の評価>
20μmライン/80μmスペースのアルミのパタンを厚さ1μmでパターニングしたシリコンウェハ基板上に、上記組成物を1.2μmの膜厚になるようにスピンコートにより塗布した。次いで120℃にて3分間のプレベークを実施し、更に350℃にて60分加熱して、平坦化性能の評価用の薄膜(膜厚はシリコンウェハ基板面を基準として1.0μmである。)付き基板を形成した。
この薄膜付き基板について、α−ステップ(KLAテンコール社製)を用いて表面の凸凹形状を測定した。そのときの最大高低差が0.2μm以下のとき、平坦化性は良好といえる。測定の結果は0.1μmであった。
<解像度の評価>
露光工程に使用するパタンマスクとして、2μm角のスルーホールパタンを有するパタンマスクを使用した他は、上記「パタン(層間絶縁膜)の形成」と同様にして、解像度の評価用の薄膜を形成した。この薄膜について、2μm角のスルーホールパタンが抜けているかどうかを、電子顕微鏡S−4200((株)日立計測器サービス社製)を用いて観察した。2μm角のスルーホールパタンが抜けていれば、解像度は良好であるといえる。観察の結果は、2μm角のスルーホールパタンが抜けていた。
<比誘電率測定>
各層間絶縁膜上にアルミニウム被膜を0.1μmの厚さで真空蒸着法により形成し、この試料の比誘電率をLFインピーダンスメータにて周波数10kHzで測定した。測定結果が4以下であれば良好な絶縁膜であるといえる。測定の結果は、3.2であった。
<実施例2>
<化合物(A)の合成例2>
式(15)で示される両末端変性アミノシリコーン化合物(信越シリコーンKF-8010、分子量900)150gを、撹拌機つき反応容器に入れ、酢酸エチル500gを加え、溶解した。そこに、1、2−ジアゾナフトキノン―5−スルホニルクロリド100gを少しずつ加えた。室温で4時間撹拌を行い、DNQ変性シリコーン(式(18)の左側物質)が生成するまで反応させた。その後、反応溶液に水500gを加え、激しく撹拌し反応で生成した塩酸などを除去した。有機物層を濃縮し、プロピレングリコールモノメチルエーテルを加え、固形分が35%となるように調整した。赤外吸収スペクトルの測定を行い、波数2112cm−1にジアゾ基、1325cm−1、1154cm−1にスルホンアミド基にそれぞれ特有な吸収ピークの存在を確認した。
前記DNQ変性シリコーン35%溶液100gと、シロキサン樹脂(HSG−R7、日立化成製)300gを混合撹拌し、本発明の感放射線性組成物溶液(A2)を得た。
層間絶縁膜形成および諸特性評価を実施例1とまったく同様な方法で行い、液晶表示素子に適用可能な、良好な結果が得られた。結果は実施例1の結果と共に表1に示す。
(A1)は、上記実施例1で調整した重量平均分子量6、000のもの。
(A2)は、DNQ変性シリコーン35%溶液100gと、シロキサン樹脂300gを混合撹拌し、調整したもの。
(A3)、(A4)、(A5)は、両末端変性アミノシリコーン化合物に、分子量約500、1500、2500の化合物を用いて合成したもの。
更に、両末端変性アミノシリコーン化合物に、一般式(13)中の具体例として前記式(39)から式(51)を用いて、それぞれ前記DNQ変性シリコーン(18)と同じ方法で合成したDNQ変性シリコーン(59)から(71)について、同様に、それぞれ100gをシロキサン樹脂(HSG−R7)300gと混合し、本発明の感放射線性組成物溶液(A9)から(A21)を得た。層間絶縁膜形成および諸特性評価を実施例1とまったく同様な方法で行い、液晶表示素子に適用可能な、良好な結果が得られた。結果は実施例1の結果と共に表3、表4に示す。
ガラス基板上に上記で調製した組成物溶液を、1.2μmの膜厚になるようにスピンコートし、90℃で2.0分間、ホットプレート上でプリベークし、塗膜を形成した。この塗膜に対し、所定のパタンマスクを介してニコン製NSR1755i7A縮小投影露光機(NA=0.50、λ=365nm)を用いて露光を行った後、0.4重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃、1分間揺動浸漬法にて現像処理を行い、純水で流水洗浄し、乾燥してパタンを形成した。次いで、キャノン製アライナーPLA501Fを用いてghi混合線で3000J/m2の紫外線を照射し、オーブンにて220℃、60分間加熱処理(ポストベーク)を行い、厚さ1.0μmのパタン(層間絶縁膜)を形成した。
上記組成物から形成されたパタン状(層間絶縁膜)について、前述した実施例と同様に、スカム発生の有無、耐溶剤性、耐熱性、透明性、平坦化性能、解像度、比誘電率の評価を行った。結果を表1に実施例と併せて記す。
<実施例2>
本実施例では本発明の感放射線性組成物から得られた層間絶縁膜を用いた透過型液晶表示素子の作製方法を示す。
図3は図2の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の線A−Aに沿った'断面図である。図3において、透明絶縁性基板31上に、ゲート電極32が設けられ、その上を覆ってゲート絶縁膜33が設けられている。ゲート電極32は、図2に示されたゲート配線22に接続されている。その上には、ゲート電極32と重畳するように半導体層34が設けられ、その中央部上にチャネル保護層35が設けられている。このチャネル保護層35の両端部および半導体層34の一部を覆い、チャネル保護層35上で分断された状態で、ソース電極36a及びドレイン電極36bとなるn+Si層が設けられている。一方のn+Si層であるソース電極36aの端部上には、透明導電膜37cと金属層37bとが設けられて2層構造のソース配線23となっている。又、他方のn+Si層であるドレイン電極36bの端部上には、透明導電膜37a'と金属層37b'とが設けられ、透明導電膜37a'は延長されて、ドレイン電極36bと画素電極21とを接続するとともに付加容量の一方の電極である付加容量電極25aに接続される接続電極25となっている。さらに、TFT24、ゲート配線22およびソース配線23、接続電極25の上部を覆って層間絶縁膜38が設けられている。この層間絶縁膜38上には、画素電極21となる透明導電膜が設けられ、層間絶縁膜38を貫くコンタクトホール26を介して、接続電極25である透明導電膜37a'によりTFT24のドレイン電極36bと接続されている。
先ず、ガラス基板などの透明絶縁性基板31上に、ゲート電極32、ゲート絶縁膜33、半導体層34、チャネル保護層35、ソース電極36aおよびドレイン電極36bとなるn+Si層を順次成膜して形成する。ここまでの作製プロセスは、従来のアクティブマトリクス基板の製造方法と同様にして行うことができる。
次に、ソース配線23および接続電極25を構成する透明導電膜37a、37a'および金属層37b、37b'を、スパッタ法により順次成膜して所定形状にパタニングする。
更に、その上に、層間絶縁膜38として本発明の感放射線性組成物(A2)をスピン塗布法により例えば2μmの膜厚で形成する。この樹脂に対して、所望のパタンに従って露光し、アルカリ性の溶液によって現像処理する。これにより露光された部分のみがアルカリ性の溶液によってエッチングされ、層間絶縁膜38を貫通するコンタクトホール26が形成されることになる。
その後、画素電極21となる透明導電膜をスパッタ法により形成し、パタニングする。これにより画素電極21は、層間絶縁膜38を貫くコンタクトホール26を介して、TFT24のドレイン電極36bと接続されている透明導電膜37a'と接続されることになる。このようにして、本実施形態1のアクティブマトリクス基板を製造することができる。
従って、このようにして得られたアクティブマトリクス基板は、ゲート配線22、ソース配線23およびTFT24と、画素電極21との間に厚い膜厚の層間絶縁膜38が形成されているので、各配線22、23およびTFT24に対して画素電極21をオーバーラップさせることができるとともにその表面を平坦化させることができる。このため、アクティブマトリクス基板と対向基板の間に液晶を介在させた透過型液晶表示装置の構成とした時に、開口率を向上させることができると共に、各配線22、23に起因する電界を画素電極21でシールドしてディスクリネーションを抑制することができる。
又、層間絶縁膜38を構成する、本発明の感放射線性組成物(A2)は、比誘電率が3.0から3.8と無機膜(窒化シリコンの比誘電率8)に比べて低く、又、その透明度も高くスピン塗布法により容易に3μmという厚い膜厚にすることができるので、ゲート配線22と画素電極21との間の容量及び、ソース配線23と画素電極21との間の容量を低くすることができて時定数が低くなり、各配線22、23と画素電極21との間の容量成分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減することができて良好で明るい表示を得ることができる。又、露光及びアルカリ現像によってパタニングを行うことにより、コンタクトホール26のテーパ形状を良好にすることができ、画素電極21と接続電極37a'との接続を良好にすることができる。更に、感放射線性組成物(A2)を用いることにより、スピン塗布法を用いて薄膜が形成できるので、数μmという膜厚の薄膜を容易に形成でき、しかも、パタニングにフォトレジスト工程も不要であるので、生産性の点で有利である。ここで、層間絶縁膜38として用いた本発明の感放射線性組成物(A2)は、塗布前に着色しているものであるが、パタニング後に全面露光処理を施してより透明化することができる。このように、樹脂の透明化処理は、光学的に行うことができるだけではなくて、化学的にも行うことが可能である。
本実施形態で層間絶縁膜38として用いた、本発明の感放射線性組成物の露光には、i線(波長365nm)、h線(波長405nm)及びg線(波長436nm)の輝線を含む水銀灯の光線を用いるのが一般的である。感放射線性組成物としては、これらの輝線のなかで最もエネルギーの高い(波長の最も短い)i線に感放射線性(吸収ピーク)を有する感放射線性組成物を用いることが好ましい。コンタクトホールの加工精度を高くするとともに、感光剤に起因する着色を最小限に抑制することができる。又、エキシマレーザからの短波長の紫外線を用いてもよい。
このようにして、着色のない層間絶縁膜を用いることによって、透過型液晶表示装置の透過率を高めることができる。従って、液晶表示装置の高輝度化やバックライトからの光量を抑えることによって低消費電力化を図ることができる。
又、層間絶縁膜38を、従来の層間絶縁膜と比べて厚く、数μmの厚さに形成するので、層間絶縁膜の透過率はできるだけ高い方が好ましい。尚、本実施例では、層間絶縁膜38の膜厚を3μmとしたが、これに限られる訳でなく、光透過率や誘電率を考慮し適宜設定することができる。尚、容量を十分に小さくするためには、層間絶縁膜の膜厚は約1μm以上が好ましく、約1.5μm以上が更に好ましい。
更に、TFT24のドレイン電極36bと画素電極21とを接続する接続電極25として透明導電膜37a'を形成することにより、以下のような利点を有する。即ち、従来のアクティブマトリクス基板においては、この接続電極を金属層によって形成していたため、接続電極が開口部に存在すると開口率の低下の原因となっていた。これを防ぐため、従来は、TFTまたはTFTのドレイン電極上に接続電極を形成し、その上に層間絶縁膜のコンタクトホールを形成してTFTのドレイン電極と画素電極とを接続するという方法が用いられてきた。しかし、この従来の方法では、特に、開口率を向上させるためにTFTを小型化した場合に、コンタクトホールを完全にTFTの上に設けることができず、開口率の低下を招いていた。又、層間絶縁膜を数μmという厚い膜厚に形成した場合、画素電極が下層の接続電極とコンタクトするためには、コンタクトホールをテーパ形状にする必要があり、更に、TFT上の接続電極領域を大きく取ることが必要であった。例えば、そのコンタクトホールの径を5μmとした場合、コンタクトホールのテーパ領域およびアラインメント精度を考慮すると、接続電極の大きさとしては14μm程度が必要であり、従来のアクティブマトリクス基板では、これよりも小さいサイズのTFTを形成すると接続電極に起因する開口率の低下を招いていた。これに対して、本実施形態1のアクティブマトリクス基板では、接続電極25が透明導電膜37a'により形成されているので、開口率の低下が生じない。また、この接続電極25は延長されて、TFTのドレイン電極36bと、透明導電膜37a'により形成された付加容量の一方の電極である付加容量電極25aとを接続する役割も担っており、この延長部分も透明導電膜37a'により形成されているので、この配線による開口率の低下も生じない。
<実施例3>
図1は、本発明による電子部品の一実施形態を示す模式的な断面図である。メモリキャパシタセル8(電子部品)は、拡散領域1A、1Bが形成されたシリコンウェハ1(基板)上に酸化膜から成るゲート絶縁膜2Bを介して設けられたゲート電極3(ワード線として機能する。)と、その上方に設けられた対向電極8Cとの間に二層構造の層間絶縁膜5、7(絶縁被膜)が形成されたものである。ゲート電極3の側壁には、側壁酸化膜4A、4Bが形成されており、又、ゲート電極の側方における拡散領域1Bにはフィールド酸化膜2Aが形成され、素子分離がなされている。
層間絶縁膜5は、これらのゲート電極3及びフィールド酸化膜2A上に被着されており、本発明のシリカ系被膜形成用組成物をスピンコートして形成されたものである。層間絶縁膜5におけるゲート電極3近傍にはビット線として機能する電極6が埋め込まれたコンタクトホール5Aが形成されている。更に、平坦化された層間絶縁膜5上には平坦化された層間絶縁膜7が被着されており、両者を貫通するように形成されたコンタクトホール7Aには蓄積電極8Aが埋め込まれている。層間絶縁膜7は、層間絶縁膜5と同様に本発明のシリカ系被膜形成用組成物をスピンコートして形成されたものである。そして、蓄積電極8A上に高誘電体から成るキャパシタ絶縁膜8Bを介して対向電極8Cが設けられている。尚、層間絶縁膜5、7は同一の組成を有していても異なる組成を有していてもよい。
上記構成によれば、EBリソグラフィ、EUVリソグラフィに好適なネガ型レジスト材料、それを用いたパタン形成方法、および半導体製造方法を提供できる。高解像性と、低ラインエッジラフネス性を両立できるので、高性能かつ高集積の半導体装置、半導体集積回路を低コストで製造可能となる。
以上諸実施例を用いて本発明を説明してきたが、本発明は、例えば、電子部品に用いられる保護膜、絶縁膜等を形成するための材料、特に、液晶などの平面表示素子等における層間絶縁膜を形成するための材料として好適な感放射性樹脂組成物として有用である。本発明に係る感放射線組成物を用いて、絶縁膜を有する半導体装置や、アクティブマトリクス基板を備えた平面表示装置および電子デバイスを提供することが出来る。
Claims (4)
- 一般式(1)
(但し、前記一般式(1)中、R1は炭素数1から6のアルキル基、又は1、4−置換フェニル基又は1、3−置換フェニル基を表し、
R2、 R3、及びR4は、水素原子、炭素数1から6のアルキル基、炭素数1から6のアルキレン基、炭素数1から6のアラルキル基、炭素数1から6のアルケニル基、炭素数1から6のアリール基、及びフェニル基、シクロアルキル基、炭素数1から6のアルコキシ基、及びシアノ基、アシル基の群から選ばれた少なくとも1者を表し、且つ前記R2、 R3、及びR4は同じ基であっても、異なった基であっても良く、
Dは、一般式(2−1)、(2−2)、及び(2−3)で表される感放射線性官能基の群から選ばれた1者を表す(但し、
))で表される単位構造を1個以上有する化合物を成分に含有する感放射線性組成物であって、
前記感放射線性組成物が、一般式(4)
(R5)xSi(Y)4−x ・・・(4)
(但し、一般式中、R5は、炭素数が1から10である非加水分解性の有機基、Yは加水分解性基、xは1から4の整数である)で表されるシラン化合物、及びその加水分解物の縮合物からなる群から選ばれる少なくとも1者を含み、且つ
前記非加水分解性の有機基が、炭素数1から6のアルキルアミノ基であることを特徴とする感放射線性組成物。 - 炭素数1から6のアルキルアミノ基を有するシリコーン化合物に、スルホンアミド基構造を介して、一般式(3−1)、(3−2)、及び(3−3)で表される感放射線性官能基の群から選ばれた少なくとも1者を表す(但し、
))で表される感放射線性官能基が共有結合している化合物を成分に含有する感放射線性組成物であって、
前記感放射線性組成物が、一般式(4)
(R5)xSi(Y)4−x ・・・(4)
(但し、一般式中、R5は、炭素数が1から10である非加水分解性の有機基、Yは加水分解性基、xは1から4の整数である)で表されるシラン化合物、及びその加水分解物の縮合物からなる群から選ばれる少なくとも1者を含み、且つ
前記非加水分解性の有機基が、炭素数1から6のアルキルアミノ基であることを特徴とする感放射線性組成物。 - 前記非加水分解性の有機基が、炭素数1から6のアルキルアミノ基のアミノ基に、ジアゾナフトキノンがスルホンアミド結合で結合した官能基であることを特徴とする請求項1に記載の感放射線性組成物。
- 前記非加水分解性の有機基が、炭素数1から6のアルキルアミノ基のアミノ基に、ジアゾナフトキノンがスルホンアミド結合で結合した官能基であることを特徴とする請求項2に記載の感放射線性組成物。
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